「In Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

The total of the luminance value differences stored in the first memory (first total) and the total of the luminance value differences stored in the second memory (second total) in a prescribed period are calculated.例文帳に追加

所定期間内における第１のメモリに記憶された輝度値差の総和（第１の総和）と、第２のメモリに記憶された輝度値差の総和（第２の総和）とを算出する。 - 特許庁

To solve the problem that a cost of a system is increased if a bootstrap program is stored in a NOR type flash memory in an information processor storing a main program in a NAND type flash memory.例文帳に追加

メインプログラムをＮＡＮＤ型フラッシュメモリに格納する情報処理装置において、ブートストラッププログラムをＮＯＲ型フラッシュメモリに格納すると、システムのコストが高くなる。 - 特許庁

In the mobile electronic apparatus provided with the memory card loading section 130 in the main body 1, a speaker 125 is arranged in the main body 1 by overlapping with the memory card loading section 130.例文帳に追加

メモリカード装填部１３０を本体１に備える携帯電子機器において、本体１内に、メモリカード装填部１３０と重ねてスピーカ１２５を配置する。 - 特許庁

To provide an information processing apparatus capable of updating management information stored in a nonvolatile memory by software, in a system in which the nonvolatile memory is shared among a plurality of masters.例文帳に追加

不揮発性メモリを複数のマスタで共有するシステムにおいて、不揮発性メモリに格納される管理情報をソフトウェアにより更新できる情報処理装置を実現する。 - 特許庁

When these two semiconductor memory elements are sealed in the same package and a defective address in the semiconductor memory element MEM is inputted, a redundant relieving signal RS is outputted from the semiconductor memory element FM and inputted to the semiconductor memory element MEM, and a spare memory cell SC is accessed instead of a normal memory cell SMC.例文帳に追加

これら２つの半導体記憶素子を同一パッケージ内に封入し、半導体記憶素子ＭＥＭにおける不良アドレスが入力された場合に、不揮発性半導体記憶素子ＦＭから冗長救済信号ＲＳを出力して半導体記憶素子ＭＥＭに入力し、通常のメモリセルＳＭＣの代わりにスペアのメモリセルＳＣにアクセスする。 - 特許庁

The memory control section 33 uses the two memory areas of the nonvolatile memory 13 for the purpose of storing information, erases information stored in one memory storing the older information, of the two memory areas, when power is supplied, and stores the new information in the erased memory area when power is cut off.例文帳に追加

このメモリ制御部３３は、不揮発性メモリ１３の２つのメモリ領域を情報の記憶のために用い、電源の供給時には、２つのメモリ領域のうち古い前記情報が記憶されている一方のメモリ領域に記憶されている情報を消去し、電源の遮断時には、消去されたメモリ領域に、新しい前記情報を記憶する。 - 特許庁

As access mode for the CF/ATA card 31, a special memory space access mode wherein a common memory space is made effective is added and in the mode, a random access memory 8 is allocated to the common memory space; when the mode is selected, data stored on the CF/ATA card 31 are transferred to the memory 8 and the data in the memory 8 are accessed at random.例文帳に追加

ＣＦ／ＡＴＡカード３１へのアクセスモードとして、コモンメモリ空間を有効にした特殊メモリ空間アクセスモードなるモードを追加し、そのモードでのコモンメネリ空間に、ランダムアクセス可能なメモリ８を割り当て、前記モードの選択時には、ＣＦ／ＡＴＡカード３１に記憶のデータを前記メモリ８に転送した上で、そのメモリ８上のデータに対し、ランダムアクセスする。 - 特許庁

This semiconductor memory has memory array structure, in which a plurality of word lines for selecting the prescribed memory cell and a plurality of bit lines are arranged in an intersectional state, and the memory is provided with two memory cells (e.g. MC1, MC2) constituting one bit and a sense amplifier connected electrically to each of the memory cells via bit lines.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、所定のメモリセルを選択するための複数本のワード線と複数本のビット線とが交差して配列されたメモリアレイ構造を有し、１ビットを構成する２つのメモリセル（たとえばＭＣ１、ＭＣ２）と、それらのメモリセルの各々にビット線を介して電気的に接続されたセンスアンプとを備えている。 - 特許庁

This parallel bit test method of the semiconductor memory device comprises a step of writing data in each of many memory cells in the semiconductor memory device, a step of reading the data from each of many memory cells, a step of testing the data from each of many memory cells for a first test mode, and a step of testing the data from each of many memory cells for a second test mode.例文帳に追加

半導体メモリ装置の並列ビットテスト方法は、半導体メモリ装置の多数のメモリセルのそれぞれにデータを書き込む段階と、多数のメモリセルのそれぞれからデータを読み出す段階と、第１のテストモードに多数のメモリセルのそれぞれからのデータをテストする段階と、第２のテストモードに多数のメモリセルのそれぞれからのデータをテストする段階と、を含む。 - 特許庁

In a control method of a memory system 10 having a non-volatile memory 11 that is executed by a program 3 according to an embodiment, an unused memory area is acquired from an operating system 2 installed in an information processing apparatus 1 having a memory system to prohibit other programs from using the unused memory area, and an address of the unused memory area is acquired.例文帳に追加

実施形態のプログラム３により実行される不揮発性メモリ１１を備えたメモリシステム１０の制御方法は、メモリシステムを備えた情報処理装置１に搭載されたオペレーティングシステム２から未使用記憶領域を取得し、未使用記憶領域の他のプログラムによる利用を禁止し、未使用記憶領域のアドレスを取得する。 - 特許庁

In the OTP memory having a memory cell array and an inspection circuit, the OTP memory with a low failure rate is provided, by predicting the failure rate of the memory element of the memory cell array from a cumulative frequency distribution of a short circuit rate, with respect to a writing voltage of the memory element included in the inspection circuit, and eliminating a substrate with a high failure rate.例文帳に追加

メモリセルアレイと検査回路を有するＯＴＰメモリにおいて、検査回路が有するメモリ素子の書き込み電圧に対するショート率を累積度数分布から、メモリセルアレイが有するメモリ素子の不良の発生率を予測し、不良の発生率が高い基板を排除することにより、不良の発生率が低いＯＴＰメモリを提供することができる。 - 特許庁

This nonvolatile memory card includes: two or more memory card controllers having different standards; a memory card controller changeover switch making one of the memory card controllers in an effective state by a changeover from the outside; and a nonvolatile memory read or written with data from an external device by control of the memory card controller in the effective state.例文帳に追加

２つ以上の異なる規格のメモリーカードコントローラと、外からの切り替えによりメモリーカードコントローラのうちの一つを有効な状態にするメモリーカードコントローラ切替スイッチと、有効な状態であるメモリーカードコントローラの制御により外部の装置からデータを読み込まれ若しくは書き込まれる不揮発性メモリーを含む不揮発性メモリーカードを提供する。 - 特許庁

A memory device comprises a memory cell array 1 in which the resistance change type memory cells M are arranged in a matrix, word lines W_1 to W_m, bit lines B_1 to B_n, plate electrode lines P_1 to P_n, and a transistor T.例文帳に追加

メモリ装置は、抵抗変化型のメモリセルＭがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ１と、ワード線Ｗ_1〜Ｗ_mと、ビット線Ｂ_1〜Ｂ_nと、プレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nと、トランジスタＴとを有する。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory device of split gate structure, memory cells of different gate lengths are integrated because read-out current and read and write endurance are in tradeoff condition due to the gate length of a memory gate.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、読み出し電流と書き換え耐性はメモリゲートのゲート長によりトレードオフの関係にあるため、ゲート長の異なるメモリセルを集積する。 - 特許庁

A program for functional addition or the like is stored in the external memory cell 100, and information stored in the external memory cell 100 is captured into the receiver 3 via the external memory interface 45.例文帳に追加

外部メモリ素子１００には、機能追加のためのプログラムなどが記憶されており、外部メモリ素子１００に記憶されている情報が外部メモリインターフェース４５を通じて受信装置３に取り込まれる。 - 特許庁

To provide a connector for memory cards which a lock function, which can insert or extract both the memory card, which has a concave part for a lock in its side face, and the memory card, which does not have the concave part for the lock in its side face.例文帳に追加

側面にロック用凹部を備えたメモリカードと、側面にロック用凹部を有していないメモリカードとの両方を挿入，抜き取りできるロック機能付きメモリカード用コネクタを提供することにある。 - 特許庁

To exhibit the maximum performance of hardware and to improve the productivity of software by automatically performing an operation for allocating data which are simultaneously referred to to different memory banks so that an operation in which data in the memory bank are referred to (hereinafter referred to a memory bank conflict) does not occur.例文帳に追加

従来、複数のデータを同時に参照する命令を使用する際、メモリバンクコンフリクトが起こらないように、ユーザが手動で、データをバンクに割り当てなければならず、非常に工数がかかる。 - 特許庁

To obtain a reliable semiconductor memory device that can prevent the penetration of a contact hole and the instability in contact resistance in a so-called cylinder-type memory cell, and provide a method for manufacturing the semiconductor memory device.例文帳に追加

所謂シリンダ型のメモリセルにおけるコンタクトホールの突き抜け及び接触抵抗の不安定を防止することができ、信頼性が高い半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

That is, the memory controller 22 accesses data each circuit in real time defacto to write the image data from each circuit to an image memory 32 or to read the image data in the image memory 32 and to give the data to each circuit.例文帳に追加

すなわち、メモリコントローラ２２は、事実上、各回路に対してリアルタイムでデータアクセスして、各回路から画像データをイメージメモリ３２に書き込んだり、イメージメモリ３２の画像データを読み出して各回路に送る。 - 特許庁

To make it the most critical feature that, in this invention, data for system bootstrapping can be written on any given address on memory in NAND flash memory used for file memory and the like.例文帳に追加

本発明は、ファイルメモリなどに用いられるＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、メモリ上の任意のアドレスにシステムブート用データを書き込むことができるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

The file of printing data format taken in by the mobile telephone set 2 is stored in a memory card 2M, and printing output is immediately obtained by mounting the memory card to a memory-card connector 3C of the printer 3.例文帳に追加

携帯電話器２が取り込んだ印刷データ形式のファイルは、メモリカード２Ｍに記憶され、これをプリンタ３のメモリカードコネクタ３Ｃに装填することで、印字出力を直ちに得ることができる。 - 特許庁

A write circuit reads first data held in a first memory cell out of a plurality of memory cells, and writes second data corresponding to the first data in a second memory cell different from the first circuit.例文帳に追加

書き込み回路は、複数のメモリセルのうちの第１のメモリセルに保持された第１データを読み出して第１のメモリセルとは別の第２のメモリセルに第１データに対応する第２データを書き込む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device for stacking memory cells without forming any memory cell in the part of a crystal defect in a monocrystal silicon layer obtained by epitaxial growth of silicon.例文帳に追加

シリコンをエピタキシャル成長させて得られた単結晶シリコン層の結晶欠陥の部分にメモリセルを形成することなくメモリセルの積層を実現する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A nonvolatile memory device possibly comprises a step of receiving index values in one or more input terminals of a memory device, and a step of storing the index values in a first register of the memory device.例文帳に追加

不揮発性メモリデバイスは、メモリデバイスの一つ以上の入力端子においてインデックス値を受信するステップと、メモリデバイスの第一のレジスタにインデックス値を格納するステップとを含む可能性がある。 - 特許庁

When the free capacity of the buffer memory in the output destination port is below the predetermined value, a transfer frame is written in a shared memory, and then the frame is read out from the shared memory and transferred to an output port.例文帳に追加

出力先ポートのバッファメモリの空き容量が所定の値以下である場合は、転送フレームを共有メモリに書き込み、その後該フレームを共有メモリから読み出して出力ポートへ転送する。 - 特許庁

Memory management data recorded in a control area provided in every memory area are collected, and it is determined whether a memory area having the same logic address is present or not from control data.例文帳に追加

メモリ領域ごとに設けられている制御領域に記録されているメモリ管理データの収集を行い、制御データから論理アドレスが同一のメモリ領域が存在するか否かの判別を行う。 - 特許庁

The controller accesses the dummy data from the main memory in turning on power, and accesses the main data from the main memory when the dummy data accessed from the main memory coincide with the reference data stored in the reference data storage device.例文帳に追加

そしてコントローラはパワーアップ時、メインメモリからダミーデータにアクセスし、メインメモリからアクセスされたダミーデータが基準データ貯蔵装置に貯蔵された基準データと一致する時、メインメモリからメインデータをアクセスする。 - 特許庁

To sharply shorten a processing time for memory access when a TLB mistake occurs in memory access in an information processor having a cache memory, a TLB and a TSB.例文帳に追加

キャッシュメモリ，ＴＬＢ，及びＴＳＢをそなえた情報処理装置において、メモリアクセスの際にＴＬＢミスが発生した場合における当該メモリアクセスの処理時間を大幅に短縮できるようにする。 - 特許庁

An asynchronous first-in-first-out (ASYNC FIFO) buffer coupled to the memory module reads data from the memory module in response to a feedback signal generated by feeding back the memory clock signal to the ASYNC FIFO buffer.例文帳に追加

メモリモジュールに接続された非同期先入れ先出しバッファはメモリクロック信号をバッファにフィードバックすることによって生成されるフィードバック信号に応答してメモリモジュールからデータを読み取る。 - 特許庁

To obtain a nonvolatile semiconductor memory in which batch erasure and block erasure can be performed by the same hardware even in a nonvolatile semiconductor memories of which the number of memory blocks and capacity of each memory block are different.例文帳に追加

メモリブロック数と各メモリブロック容量の異なる不揮発性半導体メモリにあっても、同一ハードウェアで、一括消去及びブロック消去を行うようにした不揮発性半導体メモリを得る。 - 特許庁

To provide a memory capable of suppressing the loss of data due to disturbance by suppressing the accumulation of the disturbance in a memory cell included in a memory cell block to which an access operation is intensively performed.例文帳に追加

アクセス動作が集中的に行われたメモリセルブロックに含まれるメモリセルにディスターブが累積するのを抑制することにより、ディスターブによるデータの消失を抑制することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

To secure high processing speed in a semiconductor memory constituted so that, when an address corresponding to a defective cell included in a main memory is selected, the defective cell is replaced by a spare memory.例文帳に追加

主メモリの中に含まれている不良セルに対応するアドレスが選択されたときには予備メモリに振り替えるように構成した半導体メモリ装置において、速い処理速度を確保すること。 - 特許庁

To enable a semiconductor memory constituted of plural memory banks to simultaneously write the same data in each memory cell, to reduce the number of times of write-in operation and to shorten a test time.例文帳に追加

複数のメモリバンクで構成される半導体記憶装置において、各メモリセルに対して同一データを同時に書き込むことを可能とし、書き込み動作回数を低減して、テスト時間の短縮を実現する。 - 特許庁

A plurality of the taken images stored in a frame memory 13 are transferred to the memory part 18 by the control of the control part 14 and data displayed by a predetermined division number are stored in a video memory 16.例文帳に追加

そして、制御部１４の制御により、フレームメモリ１３に記憶された複数の撮像画像を記憶部１８に移し、所定の分割数にて表示するデータをビデオメモリ１６に記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a vertical chain structure in which a plurality of phase change memories are laminated on a semiconductor substrate, which reduces the difference in rewriting current between an upper memory cell and a lower memory cell.例文帳に追加

半導体基板上に相変化メモリを複数段積層した縦型チェイン構造を有する半導体記憶装置において、上下のメモリセル間で生じる書き換え電流の差を低減する。 - 特許庁

To solve a problem that restriction in continuance of a memory area which can be explicitly secured and used and reference relation among data for use spoils the convenience of a memory, in a method for managing the memory by garbage collection.例文帳に追加

ガベージコレクションによってメモリ管理する方法において、明示的に確保、利用可能なメモリ領域の存続及び利用する際のデータ間の参照関係の制約は、メモリの利便性を損ねている。 - 特許庁

The semiconductor memory device has a system for executing an access operation in the memory block segment instead of a system for executing the access operation in the memory block.例文帳に追加

本発明の好適な実施の形態に係るによる半導体メモリ装置はメモリブロック単位でアクセス動作を実行する方式に代えてメモリブロックセグメント単位でアクセス動作を実行する方式を有する。 - 特許庁

In this case, a memory controller performs access operation to any of the memory blocks and refresh operation to at least one of the memory blocks which does not perform the access operation in response to the access request.例文帳に追加

この際、メモリ制御部は、メモリブロックのいずれかに対するアクセス動作と、アクセス動作を実行しないメモリブロックの少なくとも１つに対するリフレッシュ動作とを、アクセス要求に応答して実行する。 - 特許庁

Data is written in the memory element 80 every time when the residual quantity of ink is calculated and written in the memory cell 81 of the memory element 80 only when a power down instruction is delivered.例文帳に追加

その場合、ＥＥＰＲＯＭ９０へのデータの書き込みはインク残量を計算する毎に行ない、記憶素子８０のメモリセル８１への書き込みは、パワーダウン命令が出されたときに限定して行なう。 - 特許庁

This memory control device starts a memory read access at the time of setting an address and stores the read data in FIFO in a signal processor so as to perform the memory read access from the CPU at a high speed.例文帳に追加

アドレスを設定した時点でメモリへのリードアクセスを開始し，読み出したデータを信号処理装置内のＦＩＦＯに格納することによって，ＣＰＵからのメモリリードアクセスを高速に行なうことができる。 - 特許庁

The memory monitoring part 4 regards a part or all of the data in the main memory 2 as a monitored area, swaps out the data in the monitored area into the temporary memory 5, and tests the monitored area.例文帳に追加

メモリ監視部４は、メインメモリ２のデータの一部又は全部を監視対象領域とし、当該監視対象領域のデータを一時メモリ５に退避し、監視対象領域のテストを実行する。 - 特許庁

In a multi-probe two dimensional memory system which performs read-out and/or write-in of information of a memory unit of a two dimensional memory by a multi-probe, shapes of tip parts of probes are made anisotropic.例文帳に追加

マルチプローブにより２次元メモリのメモリユニットの情報の読み出しおよび／または書き込みを行うマルチプローブ２次元メモリシステムにおいて、プローブの先端部の形状を非等方的なものとする。 - 特許庁

In the case selection of a still image is input from the remote controller 25, the selected still image is transferred to a nonvolatile memory 26 from the external memory so that the still image is stored in the nonvolatile memory.例文帳に追加

リモコン２５で静止画像を選択する入力があると、外部メモリから選択された静止画像が不揮発性メモリ２６に転送され、この静止画像が不揮発性メモリに格納される。 - 特許庁

The information receiver is configured such that a display memory stores received information data and the information data stored in the display memory are displayed while the display speed is changed in response to the storage state of the display memory.例文帳に追加

受信した情報データを表示メモリに記憶し、前記表示メモリに記憶された前記情報データを、前記表示メモリの記憶状態に応じて表示速度を変えつつ表示する構成とした。 - 特許庁

In a setting register 543 in the memory control part 82, an address of a left upper pixel of a frame image FM-IMG, memory mapping information, and information associated with functions that a memory 86 has are set.例文帳に追加

また，メモリ制御部８２内の設定レジスタ５４３には，フレーム画像ＦＭ−ＩＭＧの左上画素のアドレスや，メモリマッピング情報や，メモリ８６が有する機能についての情報が設定される。 - 特許庁