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Inter layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1109



例文

Thereby, any undercut is not produced on an interface between the inter-layer dielectric film pattern and the mask pattern by the protection film spacer in a cleaning process to be made before the conductive film for the pad is formed, any void is not formed in the conductive film when evaporating the conductive film for the pad.例文帳に追加

これにより、パッド用導電膜の形成前に行う洗浄工程で保護膜スペーサによって層間絶縁膜パターンとマスクパターンとの界面にアンダーカットが発生せず、パッド用導電膜の蒸着時に導電膜内にボイドが形成されない。 - 特許庁

First type band-shaped coil conductor patterns 11a, 11b and 11c and via holes 21, 22, 23 and 24 for an inter-layer connection constitute spiral sections wound in one turn or more respectively at the places of virtual surfaces S1 and S2 vertical in the direction of the coil axis of the coil L1.例文帳に追加

第1種の帯状コイル導体パターン11a,11b,11cと層間接続用ビアホール21,22,23,24は、コイルL1のコイル軸の方向と垂直な仮想面S1,S2の位置で、それぞれ1ターン以上周回する渦巻き部を構成している。 - 特許庁

At this time, the film thickness d1 and d2 of the 1st and 2nd insulating films are so controlled that the film thickness (d1+d2) satisfies conditions of a reflection preventive for the laser wavelength λ and a reflecting film for the inter-layer insulating film 16 on the gate electrode.例文帳に追加

このとき、第1及び第2の絶縁膜の膜厚(d_1 +d_2 )がレーザー波長λに対して反射防止膜となる条件を満足し、かつゲート電極上の層間絶縁膜16に対しては反射膜とするように膜厚d_1 ,d_2 を制御する。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a semiconductor substrate 1, a memory cell transistor including a tunnel insulating film 2a, a charge accumulation layer 3, an inter-poly insulating film 5, and a control gate electrode 6 which are laminated in order, a select gate transistor ST, and a high-voltage type peripheral circuit transistor PT.例文帳に追加

半導体基板1と、順に積層されたトンネル絶縁膜2a、電荷蓄積層3、インターポリ絶縁膜5、及び制御ゲート電極6を含むメモリセルトランジスタと、選択ゲートトランジスタSTと、高電圧型の周辺回路トランジスタPTと、を備えている。 - 特許庁

例文

Also, a phase control layer is constituted of plural inner wiring layers according to the number of necessary driving lines 19, and signal wiring for controlling each phase shifting unit 16 is formed in the inner wiring layers so that an area necessary for the wiring can be reduced, and the inter-element intervals can be reduced.例文帳に追加

また、必要な駆動線19の本数に応じて位相制御層35を複数の内部配線層で構成し、各移相ユニット16を制御するための信号配線を内部配線層に形成することにより、これら配線に必要な面積を削減して素子間隔の縮小化を図る。 - 特許庁


例文

To provide a polishing composition that reduces the possibility of scratch or corrosion on the top surface of a wiring metal and residual wiring metal on an inter-layer insulating film and a barrier film, and that ensures sufficient polishing speed and protects dishing or erosion to achieve high flatness.例文帳に追加

配線金属の表面における傷や腐食が生じにくく、層間絶縁膜及びバリヤ膜上の配線金属残りが生じにくく、しかも、充分な研磨速度を確保でき、ディッシングやエロージョンを防止して高い平坦性が得られる研磨組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an acrylic multilayer body having excellent dimension stability, thermal shrinkage resistance, impact resistance, crack resistance and flexibility, and usable in a roll-like form without causing inter-layer separation nor cracking of a film, and an acrylic multilayer body excelling in surface scratch resistance and surface smoothness.例文帳に追加

優れた寸法安定性、耐熱収縮性、耐衝撃性、耐割れ性およびフレキシブル性を有し、且つ、層間剥離やフィルムの割れがなくロール状として使用できるアクリル系複層体の提供、また、さらに耐表面傷つき性および表面平滑性に優れるアクリル系複層体の提供。 - 特許庁

To provide an insulating substrate containing a glass-cloth which can be given stiffness to a slightly piled, low-density multilayered wiring board, and can manufacture a multilayered wiring board which is free from deformation like a camber under severe conditions like inside engine room and good in inter-layer adhesion.例文帳に追加

低多層、低密度の多層配線基板に、剛性を付与することができ、また、エンジンルーム等の厳しい環境下においても、反り等の変形を生じることがなく、層間接着性が良好な多層配線基板を製造することができる、ガラスクロス含有絶縁基材を提供する。 - 特許庁

The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたCuを含む金属配線上に、Cu拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

例文

To provide a polishing composition and a polishing method suitable for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor substrate, a semiconductor component such as an inter-layer insulating film, and a recording medium component and an optical component, capable of flattening a surface of a polishing object and speeding-up a polishing speed.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨(CMP)に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

例文

In the method for forming the multilayer interconnection in which the multilayer interconnection 50 is formed on a semiconductor substrate 1, a first aluminum wiring 17 is formed on an ILD (inter layer dielectric) 11 so that the wiring 17 may come into contact with the upper surface of a first plug electrode 13 after the electrode 13 is formed in a contact hole H.例文帳に追加

半導体基板1に多層配線50を形成する方法であって、コンタクトホールH内に第1プラグ電極13を形成した後、この第1プラグ電極13の上面と接触するようにILD11上に第1アルミ配線17を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is composed by laminating a plurality of substrates 112, each having terminals for electrical input/output on its surface and inter-layer sheets 120, each containing a resin base material bonding together the substrates and a thermal conduction material higher than the resin base material in thermal conductivity in a thickness direction.例文帳に追加

電気的なを入出力を行うための端子を表面に有する複数の基板と、基板を相互に接着する樹脂母材および樹脂母材よりも高い熱伝導性を有する熱伝導材料を含む層間シートと、を厚さ方向に積層してなる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is excellent in coating property, with which a silica-based coating film usable for an inter-layer insulating film can be relatively easily formed, the formed silica-based coating film being excellent in heat-resistance, resolution and transparency, and to provide a method of forming the silica-based coating film using the composition.例文帳に追加

塗布性に優れ、層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、かつ形成されるシリカ系被膜が耐熱性、解像性及び透明性に優れる感光性樹脂組成物及びそれを用いたシリカ系被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board manufacturing method capable of efficiently manufacturing a multilayer wiring board on which all layers are conductively connected by inter-layer connection bodies, capable of preventing laminates from being easily peeled off or turned up from a temporary fitting base material, having a high handling property, and forming guide holes.例文帳に追加

全層が層間接続体で導電接続された多層配線基板を効率良く製造することができ、仮着用基材から積層物の剥がれやメクレが生じにくく、ハンドリング性が良好で、ガイド孔を設けることが可能な多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface reformed alumina ceramic and its manufacturing method which is excellent in inter layer surface strength, without interlayer stress, and elastic/plastic discrepancy by changing its surface shape of grain boundary by applying grain boundary moving phenomena using chemical driving force.例文帳に追加

表面の粒界形状を変化させることで、層間界面強度に優れ、層間応力、弾性/塑性不一致のない表面層を化学駆動力による粒界移動現象を応用して形成する、表面改質されたアルミナセラミックスとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic substrate capable of preventing the increase of connection resistance in a configuration wherein upper and lower conductive patterns wired through an inter-layer insulating film are connected by connection wiring after being formed, and reduing a process cycle time when manufacturing this configuration.例文帳に追加

層間絶縁膜を介して配線された上下の導電パターンが、これらの導電パターン形成後に接続配線によって接続された構成において、接続抵抗の上昇を防止でき、さらにこの構成を製造する際のプロセスタクトタイムの削減が図られる電子基板を提供する。 - 特許庁

The present invention relates to a semiconductor device without a SAC structure in which, after a bit contact inter-layer film 13 is etched except for a place where the bit line 6 is formed, a direct nitride film 19 is formed on the entire top and side surface of the bit line 6 so as to cover the bit line 6.例文帳に追加

SAC構造を採用していない半導体装置に対して、ビット線6が形成されている場所以外のビットコンタクト層間膜13をエッチング処理により除去した後に、 ダイレクト窒化膜19をビット線6の上面および側面の全面にビット線6を覆うようにして形成する。 - 特許庁

To provide a conductive material using silver oxide with excellent conductivity after a heating treatment, as well as excellent adhesiveness to a base material, suitable for an inter-layer connection by filling of a through-hole and production of a metal silver image by screen printing.例文帳に追加

本発明の課題は、加熱処理後の導電性が良好であり、かつ同時に基材への接着性も良好な、貫通孔の充填による層間接続やスクリーン印刷による金属銀画像の作製に好適な、酸化銀を用いた導電材料を提供することである。 - 特許庁

To prevent water etc., which enters an inter-layer insulating film on a fuse from an opening of a protection film on the fuse in a trimming element formation region surrounded with a guard ring made of metal from entering a device formation region through an opening for a fuse lead-out electrode formed in the guard ring.例文帳に追加

金属層からなるガードリングで囲まれたトリミング素子形成領域のヒューズ上の保護膜の開口からヒューズ上の層間絶縁膜に浸入した水分等がガードリングに形成されたヒューズ引き出し電極用の開口を通ってデバイス形成領域に浸入することを防止する。 - 特許庁

On an array substrate 100, pixel electrodes 131 and a common electrode 133 are layered across an inter-layer insulating film 132, and the common electrode 133 is constituted as a conductive film positioned closest to liquid crystal 310 in a display region A10 of the array substrate 100.例文帳に追加

アレイ基板100において画素電極131と共通電極133とは層間絶縁膜132を介して積層されており、共通電極133はアレイ基板100の表示領域A10内で液晶310に最も近くに位置する導電膜として構成されている。 - 特許庁

The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.例文帳に追加

周辺トランジスタは、第3及び第4拡散層間の第2チャネル領域上に第2ゲート絶縁膜16A,16Bを介して形成される下部電極17と、下部電極17上に第2電極間絶縁膜18を介して形成される上部電極3,19とを有する。 - 特許庁

A vibration control wall attaches a viscous wall damper wall type container constituted by inserting a resistant plate in the viscous body of the wall type container to the structure of a lower story in the structure of the upper and lower stories producing inter-layer deformation during the earthquake, and attaches the upper end of the resistant plate to the structure of the upper story.例文帳に追加

壁型容器の粘性体中に抵抗板を挿入して成る粘性壁ダンパーの壁型容器が、地震時に層間変形を生ずる上下階の構造体における下階の構造体に取り付けられ、抵抗板の上端が上階の構造体へ取り付けられた制振壁である。 - 特許庁

To provide hydroxystyrene ABA type triblock copolymer, that is useful as a material for photosensitive resin components, excellent in resolution, electric insulation performance, thermal shock resistance, adhesion performance, etc., and suitable for inter-layer insulation film or surface protective film for semiconductor elements; and to provide a simple manufacturing method thereof.例文帳に追加

解像度、電気絶縁性、熱衝撃性、密着性等に優れ、半導体素子の層間絶縁膜や表面保護膜などに適した感光性樹脂成分の原料として有用な、新規なヒドロキシスチレン系ABA型トリブロック共重合体とその簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin-made multilayer wiring board that can secure a filter function for a surface acoustic wave when a SAW device is constituted by mounting a SAW piezoelectric element, and can be made high in density by forming inter-layer connection and fine wiring by plating.例文帳に追加

SAW圧電体素子を搭載してSAWデバイスを構成した場合に、表面弾性波用のフィルター機能を確保することが可能であり、しかも、めっきによる層間接続と微細配線の形成によって、高密度化が可能な樹脂製の多層配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide an electric wiring connector free from a problem that tin whisker allowed to be generated from a tin-plated layer of an electrode comes astride adjacent electrodes to cause inter-electrode short circuiting, with simple structure improvement given to the connector.例文帳に追加

コネクタに簡易な構造改良を加えることで、電極の錫めっき層から生じる錫ウィスカの発生を許容しながらも、隣接する電極間にこの錫ウィスカが跨って電極間ショートを生じさるという課題が生じ得ない、電気配線用コネクタを提供する。 - 特許庁

To provide a data recording method for a multilayer recording medium and a recording device capable of reducing the effect of inter-layer crosstalk in the multilayer recording medium having a plurality of recording layers, particularly three recording layers or more when recording is performed on only a part of the layers.例文帳に追加

複数の記録層、特に3層以上の記録層を有する多層記録媒体において、その一部の層に対してのみ記録を行う場合において層間クロストークの影響を低減することができる多層記録媒体のデータ記録方法および記録装置を提供する。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 16 between a pixel switching element 102 and signal wiring 202 is formed such that a first thickness D1 formed in a region corresponding to a second source/drain region 102b is larger than a second thickness D2 in a region corresponding to a gate electrode 102g.例文帳に追加

画素スイッチング素子102と信号配線202との間の層間絶縁膜16を、第2のソース・ドレイン領域102bに対応する領域に形成された第1の厚さD1が、ゲート電極102gに対応する領域の第2の厚さD2よりも厚くなるように形成する。 - 特許庁

The entire surface is coated with an organic coating film 20, such as resist by rotary coating and inside the hole for connection hole, the organic coating film 20 is left by a method such as full etch back, so that the surface of the organic coating film 20 can be higher than the lower surface of the second wiring correspondent inter-layer insulating film.例文帳に追加

回転塗布法により全面にレジスト等の有機塗布膜20を塗布し、全面エッチバック等の方法により接続孔用の穴13内で、有機塗布膜20表面が第2配線対応層間絶縁膜下面よりも上になるように有機塗布膜20を残す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is improved in connection reliability when mounted on a mounting substrate by suppressing growth of a brittle inter-metal compound formed on an interface between a bump and a conductive layer to prevent development of cracking and peeling at a periphery of the bump and, therefore, disconnection and shorting of a circuit.例文帳に追加

バンプと導電層との界面に形成される脆い金属間化合物の成長を抑制することにより、バンプ周辺でのクラックや剥離の進展、ひいては回路の断線や短絡を防止し、実装基板に実装した際の接続信頼性が向上した半導体装置を提供する。 - 特許庁

An end E4 of the auxiliary electrode 150 is formed so as to be positioned outer than an end E2 of the common electrode 72 in a face of a substrate 10, and the end E2 of the common electrode 72 is formed so as to be positioned outer than an end E1 of the second inter-layer insulating film 35.例文帳に追加

補助電極150の端E4は、共通電極72の端E2よりも基板10の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極72の端E2は、第2層間絶縁膜35の端E1よりも外側に位置するよう形成される。 - 特許庁

When the frame is horizontally deformed by earthquake, the rotating member 6a is rotated by an axial force generated by the brace 4a or 4b, and the deformed (displaced) amount of the damper 7a is amplified by the inter-layer displacement of the frame by the principle of leverage to easily provide a high damping effect.例文帳に追加

地震等によって上記フレームが水平変形すると、ブレース4a又は4bに生じる軸力により回転部材6aが回転し、てこの原理により、ダンパー7aの変形(変位)量が上記フレームの層間変位より増幅され、容易に高い制振効果が得られる。 - 特許庁

A superconducting coil without impregnating resin uses, as an inter-isolation layer sheet, fiber cloth whose dynamic friction coefficient against stainless steel, in a temperature range of 280K or more and 300K or less, is 0.04 or more and 0.14 or less, and whose thickness is 0.01 mm or more and 10 mm or less.例文帳に追加

280K以上300K以下の温度領域にてステンレスとの動摩擦係数が0.04以上、0.14以下、厚みが0.01mm以上、10mm以下である繊維布帛を絶縁層間シートとして用いてなることを特徴とする樹脂非含浸超電導コイル。 - 特許庁

To provide a charging roll configured such that when a charging roll having a surface layer containing conductive particles is charged by applying a charging voltage in which an AC voltage is superposed on a DC voltage, the inter-peak voltage of the AC voltage can be decreased; and to provide the others.例文帳に追加

導電性の粒子を含有させた表面層を有する帯電ロールに、直流電圧に交流電圧を重畳した帯電用電圧を印加して帯電を行う場合、その交流電圧のピーク間電圧を下げることができる帯電ロール等を提供する。 - 特許庁

Then the inter-layer film 6 is polished, while the polished thickness is controlled by measuring the thickness of the part of the interlayer film 6 which is left on the scribe line 4s with the largest thickness, and the interlayer film 6 on the protruding patterns 4 is removed.例文帳に追加

次いで、スクライブライ4s上において層間膜6の膜厚が最も厚く残る部分における層間膜6の膜厚を測定することで研磨膜厚を管理しながら層間膜6を研磨し、チップ領域1a内の凸パターン4上の層間膜6を除去する。 - 特許庁

To increase versatility and extensibility, and to secure a sufficient thermal conductive path from the inside to outside of a vertical coil device by achieving simple application in such a case that the number of inter-layer coils is different or a case that the cross-sectional shape of each wire section becomes a non-parallel face such as a trapezoid.例文帳に追加

層間の巻数が異なった場合或いは各導線部の断面形状が台形などの非平行面になる場合であっても容易に適用できるようにし、汎用性及び発展性を高めるとともに、縦型コイル装置の内側から外側まで十分な熱伝導経路を確保する。 - 特許庁

To provide an organic metal vapor phase epitaxy device which enables further stable film formation of atomic layer level, and further uniform film thickness distribution in-wafer surface or inter-wafer film thickness, and enables film formation of uniform film thickness distribution, even if gas flow is disturbed.例文帳に追加

本発明は、ウエハー面内の膜厚分布あるいは各ウエハー間の膜厚をより均一に原子層レベルの成膜をより安定的に形成でき、さらに、ガス流の乱れがあっても均一な膜厚分布の成膜を可能にする有機金属気相成長装置を提供するものである。 - 特許庁

A gap material 300 controlling the gap between the substrates is mixed with the seal material 52 adhering both the substrates together and an inter-layer insulating film 12' is formed in the seal area so that parts facing lead-out wires 401 of the scanning lines and data lines are recessed.例文帳に追加

両基板を接着するシール材(52)中には、基板間ギャップを制御するギャップ材(300)が混入されており、層間絶縁膜(12’)は、シール領域において、走査線やデータ線の引き出し配線(401)に対向する部分が凹状に窪んで形成されている。 - 特許庁

Here, the interlayer insulating film 30 is also formed on the light-receiving surface of the diode 4, and a section on an interlayer insulating film 30a formed on the light-receiving surface is coated with light-transmitting gel 100, such as silicon gel having approximately an equivalent refractive index as the inter-layer insulating film 30.例文帳に追加

ここで、層間絶縁膜30は該ダイオード4の受光面上にも形成されており、該受光面上に形成された層間絶縁膜30aの上は、層間絶縁膜30と略同等の屈折率を有するシリコンゲル等の光透過性ゲル100にて覆われている。 - 特許庁

To provide an induction heating device in which occurrence of magnetic field inter-linkage to a core material and occurrence of inverted magnetic field in the core material can be prevented even if thickness of the conductive exothermic layer of a heating roller is made as thin as that of the surface skin thickness δ or less, and in which shortening of temperature rising time is possible with a high heating efficiency.例文帳に追加

加熱ローラの導電性発熱層の厚さを表皮厚さδ以下に薄くしても、芯材への磁界鎖交と芯材における反転磁界の発生を防止することができると共に、高加熱効率で昇温時間の短縮が可能な誘導加熱装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for a metal film wherein a connection hole is formed at an inter-layer insulating film of a semiconductor substrate and a metal film comprising at least two layers is formed, and then a metal film other than the connection hole is removed by etching with no seam at the center of the connection hole widened.例文帳に追加

半導体基板の層間絶縁膜に接続孔を形成し、少なくとも2層からなる金属膜を形成した後、接続孔以外の金属膜を接続孔中心部の合わせ目の拡大がないようにエッチング除去する金属膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A gap is formed between the inter-layer insulating film 22 and the second dummy gate electrode 26, by selectively removing the dummy side spacer 24, and then by implanting N-type impurity ions into the Si substrate 12 through the gap almost vertically, a second pocket region 27 is formed.例文帳に追加

選択的にダミーサイドスペーサー24を除去することにより層間絶縁膜22と第2ダミーゲート電極26との間隙を形成した後、ほぼ垂直方向からこの間隙を通じてSi基板11内にN型不純物イオンを注入することにより、第2ポケット領域27を形成する。 - 特許庁

Further, a high insulator 17 made of a material having higher insulation than materials of the respective inter-layer insulating films is provided between the source wiring 10 and drain wiring 15 in a region 24 including the part where the source wiring 10 and drain wiring 15 cross each other in plan view.例文帳に追加

また、ソース配線10とドレイン配線15との間には、平面視でソース配線10とドレイン配線15とが交差する部分を含む領域24に、各層間絶縁膜の材料よりも高い絶縁性を有する材料からなる高絶縁体17が備えられている。 - 特許庁

To preclude inter-layer tearing-off of a rim, its breakage, a drop in brake efficiency, and brake breakage resulting from heat generated due to brake pad friction with the rim, secure excellent reliability and strength of each wheel in all braking conditions, and to provide constant braking performance certainly.例文帳に追加

ブレーキパッドがリムを摩擦することによって発生する熱を起因とする、リムの層間剥離、リムの破損、ブレーキの効率の低下およびブレーキの破損を防ぎ、あらゆる制動状態において車輪の優れた信頼性および強度を確保し、一定の制動性能を確実に提供する。 - 特許庁

A gap d_1 at a plurality of pixel parts corresponding to a plurality of pixel electrodes 3 is set to a value corresponding to a previously determined liquid crystal layer thickness and a gap d_2 between substrates at an inter-pixel part between a plurality of the pixel parts is set to be larger than the gap d_1 between the substrates at the pixel parts.例文帳に追加

複数の画素電極3に対応する複数の画素部のギャップd_1を予め定められた液晶層厚に応じた値に設定し、前記複数の画素部の間の画素間部の基板間ギャップd_2を画素部の基板間ギャップd_1よりも大きく設定した。 - 特許庁

This biosensor comprises a substrate to whose surface a hydrophilic compound is bonded directly or via an inter-layer and on which at least two compounds each comprising amino groups and carboxyl groups are continuously bonded to the hydrophilic compound to form two or more amide bonds.例文帳に追加

表面に直接又は中間層を介して親水性化合物が結合しており、該親水性化合物にアミノ基とカルボキシル基を有する化合物が少なくとも2個以上連続的に結合して2個以上のアミド結合が形成されている基板から成るバイオセンサー。 - 特許庁

Plural sensor electrodes 105, which are respectively isolatedly separated are formed on the same plane of inter-layer insulating films and opposed electrodes 107 are arranged on the sensor electrodes 105 so as to face at prescribed intervals while supported by support electrodes 106.例文帳に追加

層間絶縁膜103の同一平面にそれぞれが絶縁分離された複数のセンサ電極105が備えられ、この上に、支持電極106により支持されてセンサ電極105上に所定の距離離間してかつ対向して対向電極107が配置されている。 - 特許庁

The connection structure 331 has a dielectric film 314 formed on a side wall of a recessed portion 309 bored in a second inter-layer insulating film 307, and on the bottom surface of the second recessed portion 309, the first conductive film 315 is electrically connected to the first contact plug 306.例文帳に追加

該接合構造体331は、第2層間絶縁膜307に設けられた第2凹部309の側壁に形成された誘電体膜314を備え、第2凹部309の底面において、第1導電膜315は、第1コンタクトプラグ306と電気的に接続する。 - 特許庁

By adding such a process, even if a positioning pin for positioning the silicon substrate 10 is made to contact with the side surface 28 of the silicon substrate 10 in the case of carrying the silicon substrate 10 or performing the surface processing of the silicon substrate, the positioning pin will not make contact with the inter-layer insulating film 15.例文帳に追加

このような工程を追加すれば、シリコン基板10の搬送や、あるいはシリコン基板10の表面処理を行う際に、シリコン基板10の位置決めのため位置決めピンをシリコン基板10の側面28に接触させても、層間絶縁膜15に位置決めピンが接触することがない。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board, which has a stacked micro via hole formed for inter-layer connections of the multilayer printed wiring board and also has the via hole filled with fillers such as a liquid resin or conductive paste by using a screen of a general screen printing machine, and its manufacturing method.例文帳に追加

多層プリント配線板の層間連結のためにスタックビア型のマイクロビアホールを形成し、一般タイプのスクリーン印刷機のスクリーンで液状樹脂または導電性ペーストなどの充填材をビアホール内に埋め込んだ多層プリント配線板およびその作製方法を提供する。 - 特許庁

例文

At this time, in a condition that an etching rate of the inter layer insulating film is faster than an etching rate of the burying material, the wiring groove is formed so that a difference of height between the upper surface of the burying material remained in the via hole and the bottom surface of the wiring groove is 1/2 of the maximum dimension of plane figure of the via hole or less.例文帳に追加

このとき、層間絶縁膜のエッチングレートが埋め込み部材のエッチングレートよりも速い条件で、ビアホール内に残っている埋め込み部材の上面と、配線溝の底面との高さの差が、ビアホールの平面形状の最大寸法の1/2以下になるように配線溝を形成する。 - 特許庁




  
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