「MASKS」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

On a mask M, an identification code 13 is formed which includes a 1st unique code 15 corresponding to a pattern 11 and a 2nd code 16 for discriminating a plurality of masks M where the same pattern 11 is formed is formed.例文帳に追加

マスクＭ上に、パターン１１に対応した固有の第１コード１５と、同一のパターン１１が形成された複数のマスクＭを識別するための第２コード１６とを含む識別コード１３を形成する。 - 特許庁

A mask circuit 8 masks an SRF signal 5 being a binary output from a comparator with a mask width narrower than a minimum width of the SRF signal 5 so as to control a width of a drive signal of a constant current source 6.例文帳に追加

マスク回路８によりコンパレータの２値化出力であるＳＲＦ信号５の最小幅よりも短いマスク幅で、このＳＲＦ信号５をマスクし、定電流源６の駆動信号幅を制御する。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit board having a curing composition for solder masks with improved low-dielectric characteristics, heat-resistance properties, moisture-resistance properties, and insulating resistance properties, and a solder mask obtained by curing the curing composition.例文帳に追加

低誘電特性、耐熱性、耐湿性及び絶縁抵抗性に優れるソルダーマスク用硬化性組成物、及び該硬化性組成物を硬化してなるソルダーマスクを有する多層回路基板を提供する。 - 特許庁

The mask processing section 14 masks the unwanted part in the supervised image on the basis of the positional information, inserts character information to the masked area and outputs the result to an image encoder 16.例文帳に追加

マスク処理部１４は、上記位置情報に基づいて、監視画像中の不都合な部分をマスクすると共に、そのマスク領域に文字情報を挿入して画像符号化装置１６へ出力する。 - 特許庁

A slit part 18 which divides at least one black mask 11 formed on a boundary part with an adjacent pixel 9 among four black masks 11 surrounding each pixel 9 is formed on the black mask 11.例文帳に追加

各画素９を囲繞する４本のブラックマスク１１のうち隣位の画素９との境界部に形成された少なくとも１本のブラックマスク１１に、該ブラックマスク１１を分断するスリット部１８を形成する。 - 特許庁

With the tin plating 2 as a mask, the copper foil 1 is etched to make it into separated protuberant bodies 10, and the nickel plating 3 is etched together with the nickel plating 2 with the protuberant bodies 10 as masks.例文帳に追加

ニッケルめっき２をマスクとして銅箔１をエッチングして離散的な凸状体１０となし、ニッケルめっき２をエッチングしつつ凸状体１０をマスクとしてニッケルめっき３をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a large margin for a misaligned masks and capable of microfabricating element regions other than a memory element region, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

フォトリソグラフィでのマスクの合わせズレに対するマージンが大きく、メモリ素子以外の他の素子領域を微細化することが可能な半導体装置の製造方法及び、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a display device that correctly recognizes a nonimage part, masks the nonimage part with a gray band of a prescribed luminance level and reduces baking even though the nonimage part has attached information, for example, a logo mark of a broadcasting station or the like.例文帳に追加

無画部に例えば放送局のロゴマークなどの付加情報があっても、無画部を正しく認識し、無画部を所定輝度レベルのグレー帯でマスクして、焼き付きを低減する表示装置を提供する。 - 特許庁

The thresholds of the first and second threshold masks are determined by the threshold of a basic mask stored in a basic mask memory 14 and a first and second correction values settable by a setting changer 16.例文帳に追加

第１及び第２の閾値マスクの閾値は、基本マスク記憶部１４に記憶している基本マスクの閾値と、設定変更部１６に設定可能な第１及び第２の修正値とにより定められる。 - 特許庁

In this case, what is necessary is just to form the black masks 23 used in common as the reflection layers on the upper surface of the counter substrate 22, so that the number of manufacturing steps is not increased and cost increase is prevented.例文帳に追加

この場合、対向基板２２の上面に反射層を兼ねたブラックマスク２３を形成すればよく、製造工程数が増加することがなく、コストが増加しないようにすることができる。 - 特許庁

To obtain an excellent quantum communicator which detects a classical channel of a strong light intensity, masks a gate bias of a quantum channel, and does not cause a performance degradation due to an excessive noise.例文帳に追加

光強度の強い古典チャネルが入射されたことを検出して、量子チャネルのゲートバイアスにマスクを掛け、過剰な雑音による性能劣化が生じない、良好な量子通信装置を得る。 - 特許庁

Each first supporting part includes: a first reference face 221 to which the unit masks are fixed; and a second reference face 222 having a difference in height from the first reference face along the thickness direction of each unit mask.例文帳に追加

第１支持部は単位マスクが固定される第１基準面２２１と、第１基準面から単位マスクの厚さ方向に沿って第１基準面と高低差を有する第２基準面２２２とを含む。 - 特許庁

The organic EL element is formed by performing patterning by an optical etching method, so that the organic EL display device is manufactured inexpensively with high accuracy compared with a case wherein coating is carried selectively by different colors using vapor-deposition masks.例文帳に追加

光エッチング法によりパターニングを行って有機ＥＬ素子を形成するため、蒸着マスクを用いて塗り分けを行う場合に比べ、低コストかつ高精度に有機ＥＬ表示装置を製造できる。 - 特許庁

Each of tape-shaped masks 3 includes a tape base 31 which has an adhesive portion 311 having one surface to be detachably affixed, and a folded portion 32 provided at one end of the tape base 31.例文帳に追加

テープ状マスク３は、一方の面が着脱可能に貼り付けられる粘着部３１１を有するテープ基材３１と、テープ基材３１の一方の端部に設けられた折曲部３２と、を有している。 - 特許庁

A resume signal mask circuit 120 is provided between a circuit block 101 and the resume signal hold circuit 110, and masks the signals while the circuit block 101 is in the stand-by mode so that no signal can be input to the circuit block 101.例文帳に追加

復帰信号マスク回路120は、回路ブロック101と復帰信号保持回路110との間に配置され、回路ブロック101がスタンバイモードであるときに回路ブロック101に信号が入らないようにマスクする。 - 特許庁

Exposure using masks having the same shape is carried out a plurality of times for one photoresist layer, and images formed on the photoresist layer through the plurality of times of exposure are partially superposed on one another.例文帳に追加

同一の形状を有するマスクを用いた露光を、一のフォトレジスト層に対して複数回行い、なおかつ、各露光により上記フォトレジスト層において形成される像を、部分的に重ね合わせる。 - 特許庁

In addition, the leakage current is prevented by forming the semiconductor layer containing an active and ohmic contact layer in an island shape in the gate electrode 125 using the respective masks with data wiring, source, and drain electrode 132, 134.例文帳に追加

また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 - 特許庁

Photoresists 3a and 3b, where the photoresist patterns are drawn, are irradiated with light beams 11a to 11d, 12a, and 12b for heating through masks 5a and 5b forming opening parts corresponding to the photoresist pattern.例文帳に追加

フォトレジストパターンを描画しているフォトレジスト３ａ，３ｂに対して、該フォトレジストパターンに対応した開口部を構成するマスク５ａ，５ｂを介して加熱用の光１１ａ〜１１ｄ，１２ａ，１２ｂを照射する。 - 特許庁

To provide an array substrate for a liquid crystal display device and a method for manufacturing the array substrate, for attaining improvement in productivity by simplifying the manufacturing processes and reducing the number of masks.例文帳に追加

本発明は、製造工程を単純化してマスク数を低減させることにより、生産性の向上を図る液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

Since the surface of the reflection layer has the rugged surface in the nano-level, it is not needed to increase optical masks in surplus, the reflection layer has a scattering effect and its cost can be reduced.例文帳に追加

反射層の表面がナノレベルのでこぼこ面となるものであるため、製造過程では、光マスクを余分に増加することを必要とせず、反射層は散乱効果を有し、コストを削減できる。 - 特許庁

After side walls 20 are formed on side walls of the gate electrode 17, source/drain regions 21, 22 are formed by impurity implantation and heat treatment with the side wall 20 and gate electrode 17 as masks.例文帳に追加

ゲート電極１７の側壁にサイドウォール２０を形成した後、サイドウォール２０及びゲート電極１７をマスクとした不純物注入及び熱処理によりソース／ドレイン領域２１，２２を形成する。 - 特許庁

To decrease such an abnormality in machining as a dog ear when a groove to be machined having a V-shaped section one side of which is nearly vertical is machined with a laser beam while relatively moving two masks.例文帳に追加

２枚のマスクを相対的に移動させながら、片側が垂直に近い三角断面形状をした加工溝をレーザー加工する場合において、ドッグ・イアのような加工異常を低減する。 - 特許庁

Then, basic dither masks BD0 to BD4 considered to obtain excellent dot dispersibility even if the assumed positional deviation arises are formed for every assumed positional deviation assumption pattern.例文帳に追加

そして、想定した位置ずれ想定パターン毎に、想定する位置ずれが生じた場合においても良好なドット分散性が得られるように考慮した基本ディザマスクＢＤ０〜ＢＤ４を生成する。 - 特許庁

Clock failure alarm mask means 32 masks a clock failure detection signal 211 which is reported from a clock selection/distribution unit 2 while a clock output of an active-system clock generating device is stopped.例文帳に追加

クロック障害アラームマスク手段３２は、現用系クロック生成装置のクロック出力がストップされている時間にクロック選択／分配部２から報告されるクロック障害検出信号２１１をマスクする。 - 特許庁

To reduce the number of masks by forming a plurality of layers made of the same material on the same layer and further forming contact holes and via holes simultaneously in a polycrystalline silicon thin film transistor for a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置用多結晶シリコン薄膜トランジスターにおいて、同一物質の複数層を同一な層に形成し、また、コンタクトホールとビアホールを同時に形成して、マスクの数を減らすことである。 - 特許庁

With the insulating film 22 and the resist film 24 remaining in the DRAM region as masks, a conductive layer 21 is etched to form a gate electrode in the DRAM region, as well as a peripheral circuit region.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域上に残存する絶縁膜２２とレジスト膜２４とをマスクとして導電層２１をエッチングして、ＤＲＡＭ領域上、および周辺回路領域上にゲート電極を形成する。 - 特許庁

To obtain a preparation which comprises diphenhydramine or its acid addition salt as the pharmaceutical component of hypnotic/sedative action, has no discoloration, is stable, masks bitterness in administration and causes quick and secure effect.例文帳に追加

ジフェンヒドラミンまたはその酸付加塩を睡眠・鎮静作用の薬効成分として含有する、変色がなく安定で、服用時の苦味を隠蔽し、効果の発現が速やかで確実な製剤を提供すること。 - 特許庁

The second film is removed by using the third film and the resist layer as masks until the first film is exposed in the sparse part R1 but the second film remains in the dense part R2.例文帳に追加

次に、前記第３の膜及び前記レジスト層をマスクとして、密部Ｒ２内では前記第２の膜が残存するが、疎部Ｒ１内では前記第１の膜が露出するまで、前記第２の膜を除去する。 - 特許庁

Tabular masks 21 having a plurality of through holes 24 formed corresponding to a plurality of connectors 43 are arranged to overlap each other on the printed surface 42 of the approximately polygonal wiring board 41.例文帳に追加

略多角形状の配線基板４１の被印刷面４２上に、複数の接続端子４３に対応して形成された複数の貫通孔２４を有する平板状のマスク２１を重ねて配置する。 - 特許庁

After the flattening operation, the etching stopper film remaining on the silicon oxide film is used as a mask to etch the silicon oxide film, and using this silicon oxide film and the gate electrode as masks, ion is implanted into the silicon layer.例文帳に追加

平坦化後、シリコン酸化膜上に残ったエッチングストッパ膜をマスクとして、シリコン酸化膜のエッチングを行い、このシリコン酸化膜、及び、ゲート電極をマスクとして、シリコン層にイオン注入を行う。 - 特許庁

Anisotropic etching of the polysilicon layer is effected through plasma etching process, by employing an etching gas containing chlorine, oxygen and fluorine while utilizing the resist layers 16a-16c as masks to obtain a plurality of polysilicon layers 14a-14c.例文帳に追加

塩素、酸素及びフッ素を含むエッチングガスを用い且つレジスト層１６ａ〜１６ｃをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層を異方性エッチングして複数のポリシリコン層１４ａ〜１４ｃとする。 - 特許庁

Thereafter, a second sidewall is formed on the side of the first sidewall, and an impurity is implanted into the surface of the substrate by using the first and second sidewalls and the gate electrode as masks to form a second impurity diffused layer.例文帳に追加

その後、第１側壁の側面に、第２側壁を形成し、第１及び第２側壁及びゲート電極をマスクとして、基板表面に不純物を注入し、第２不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

To decrease manufacturing processes and masks in a method of manufacturing a semiconductor device formed a plurality of MOS transistors having different breakdown voltage characteristics on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

同一の半導体基板上に耐圧特性の異なる複数のＭＯＳトランジスタが形成された半導体装置の製造方法において、製造工程の削減とマスクの削減を実現するものである。 - 特許庁

Then, a resist mask 8 is formed on the conductive protection film 7 by a photo-resist method, and ions are doped on the conductive protection film 7 and the upper part electrode 6 through an opening part between the resist masks 8.例文帳に追加

そして、フォトレジスト法によりレジストマスク８を導電性保護膜７上に形成し、レジストマスク８間の開口部を通じて導電性保護膜７及び上部電極６にイオンをドープする。 - 特許庁

A contact hole 13a is thereby formed in the insulating film 13, using the organic flattened film 14 formed with a contact hole 14a as a mask, and the number of the masks used for the patterning is reduced by this manner.例文帳に追加

このため、コンタクトホール１４ａが形成された有機平坦化膜１４をマスクとして絶縁膜１３にコンタクトホール１３ａを形成することができ、パターニングに用いるマスクの数を減らすことができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a decorative article capable of making various masks of face image films at low cost in a short time, and enabling anyone to make a three-dimensional mask freely by easy operation.例文帳に追加

低コストで且つ短時間に種々の顔画像フィルムによるお面を作製することができ、しかも何人でも簡単な操作でもって立体的なお面を自由自在に作製できるようにする。 - 特許庁

In one embodiment, a pair of first stationary masks 20 capable of controlling a radial variation of a physical film thickness is arranged between a material source 8 positioned below the planets 4 and the base plate.例文帳に追加

１つの実施形態では、物理的膜厚さの半径方向変化を制御することができる１組の静止第１マスク２０が、遊星の下方に位置する材料源８と基板との間に配置されている。 - 特許庁

The resist 104 is left unremoved, a resist 106 is applied, an exposure and development process are carried out to form an opening, and then ions are implanted using the resists 104 and 106 and a gate electrode 105 as masks.例文帳に追加

レジスト１０４を残したまま、レジスト１０６を塗布した後、露光・現像を行って開口部を形成し（図２（ｅ））、レジスト１０４，１０６及びゲート電極１０５をマスクにイオン注入を施す。 - 特許庁

To provide a scan exposure apparatus in which masks can be replaced while reliably preventing interference with an air pad by a mask replacing mechanism having a relatively simple configuration, and to provide a substrate for a liquid crystal display.例文帳に追加

比較的簡単な構成のマスク交換機構により、エアパッドとの干渉を確実に防止しつつ、マスクの交換を行なうことができるスキャン露光装置および液晶ディスプレイ用基板を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display wherein a fabricating process is simplified with a smaller number of masks to enhance yield and a numerical aperture is secured to enhance luminance and to provide a method for fabricating the same.例文帳に追加

マスク数を減少させて製造工程を単純化して収率を向上させると同時に、開口率を確保して輝度を向上し得る液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The mask video display device is disposed at a position, crossing the optical paths of the beam fluxes for illumination generated from a generator of the beam fluxes for illumination and masks the beam fluxes for illumination with mask video patterns.例文帳に追加

マスク映像表示装置は、照明用光線束発生装置から発生した照明用光線束の光路を横切る位置に設けられ、マスク映像パターンで照明用光線束をマスクする。 - 特許庁

The electronic masks are provided with electronic openings 62, 68 having outlines 64, 70 defined to be matched substantially with the outline of the determined object viewed from one out of the light source and the image sensor.例文帳に追加

電子マスクは、光源および画像センサの一方から見た判別されたオブジェクトの輪郭と概ね一致するように定義された輪郭（６４、７０）を有する電子開口部（６２、６８）を備えている。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array and a method for manufacturing the thin film transistor array by which the number of masks and the frequency of photolithographic processes are reduced so that the process can be simplified and cost can be reduced, and a sealing performance is improved.例文帳に追加

マスク数やフォトリソグラフィ法の回数を減らし、プロセスの簡略化及びコストの低減ができ、封止性能を向上する薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the forming method, aperture masks 17, 17A, 17B made of glass on which a pattern having openings 18a-18e corresponding to the pattern of the black membrane 3 is formed, is used on the optical system 9 on which the laser beam L is irradiated.例文帳に追加

レーザ光Ｌを照射する光学系９に、黒色膜３のパターンに対応した開口部１８ａ〜１８ｅのパターンが形成されたガラス製のアパチャマスク１７、１７Ａ、１７Ｂを用いる。 - 特許庁

A mask blank 100 used for manufacturing substrate digging type phase shift masks has a configuration in which a light shielding film 8, and an etching mask film 5 are sequentially superposed on a translucent substrate 1.例文帳に追加

基板掘り込みタイプの位相シフトマスクを作製するために用いられるマスクブランク１００であって、透光性基板１上に、遮光膜８と、エッチングマスク膜５とが順に積層された構造である。 - 特許庁