「MASKS」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A linkdown protection section 31 masks a detection of a short time linkdown which is recovered within a protection time and issues a linkdown alarm at a time of detection of a linkdown which is over a period of the protection time.例文帳に追加

リンクダウン保護部３１は、保護時間以内に回復する短時間のリンクダウンの検出をマスクし、該保護時間を超えるリンクダウンの検出時にリンクダウン警報を発出する。 - 特許庁

The masks 12 and the light-sensitive substrate 14 are moved relatively in the specified scanning direction toward the projection device 13.例文帳に追加

ここで、単位露光領域にて複数のマスクのパターン像を順次走査露光するために、投影系に対してマスクと感光性基板とを所定の走査方向に相対的に移動させる。 - 特許庁

Masks 20 are formed on the part, corresponding to connection edge parts 14a on a conductor pattern 12 of an alumina laminated substrate 11 with the conductor pattern 12 on the surface in this manufacturing method as shown in Figure (b).例文帳に追加

表面に導体パターン１２を有するアルミナ積層基板１１（ａ）に対し、導体パターン１２上のうち接続端部１４ａに対応する部分にマスク２０を形成する（ｂ）。 - 特許庁

To prevent a pattern mask from dissolving and also uniformly smooth the surface of the pattern mask in plane of a substrate in a process of restricting the roughness of pattern masks.例文帳に追加

パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、パターンマスクの溶解を防ぐと共に、基板の面内で当該パターンマスクの表面を均一に平滑化させること。 - 特許庁

To provide a method of producing a blank for Fe-Ni base alloy cold-rolled sheet for shadow masks having an excellent etching piercing property useable as the shadow mask material of a highly clear and bright TV.例文帳に追加

高鮮明・高輝度ＴＶのシャドウマスク材として使用可能なエッチング穿孔性に優れたシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ系合金冷延板用素材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a CMOS thin-film transistor of which process is simplified by minimizing the residual quantity of a metal catalyst remaining in a semiconductor layer, and by reducing the number of masks.例文帳に追加

半導体層に残っている金属触媒の残留量を最少にし、マスク数を減少させて工程を単純化したＣＭＯＳ薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The film 2 is etched with photoresists 5, 6, and 7 as masks by an etching device, so that the film 2 is patterned to a desired shape and dimension in each chip formation region of the wafer 1.例文帳に追加

エッチング装置により、ホトレジスト５，６，７をマスクとして被エッチング膜２をエッチングして、ウエハ１での各チップ形成領域において被エッチング膜を所望の形状および寸法にパターニングする。 - 特許庁

The surface of an insulated layer 12f laminated on a wafer 30 is formed with a mask for a main pedestal (a mask for patterning) 46 and plural masks 50a to 50e for monitoring having different dimensions.例文帳に追加

ウエハ３０上に積層された絶縁層１２ｆの表面に、メインペデスタル用マスク（パターン用マスク）４６と、寸法の異なる複数個のモニタ用マスク５０ａ〜５０ｅを形成する。 - 特許庁

A covered layer 18 is formed, and an etching is carried out by making mask layers 22 as the etching masks, so as to remove the projections of the covered layer 18 at the opening bottoms of the mask layers 22 at a desired thickness.例文帳に追加

被覆層１８を形成して、マスク層２２をエッチングマスクとしてエッチングを行い、マスク層２２の開口底部の被覆層１８の突起部を所望の厚さだけ除去する。 - 特許庁

A method is provided for converting an integrated circuit design into a set of masks for fabrication of an integrated circuit that optimizes use of the edge base imaged transfer mask process.例文帳に追加

そのエッジ・ベースのイメージ転写マスク・プロセスの使用を最適化する集積回路の形成用の１組のマスク・セットに集積回路設計を変換するための方法を対象とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same whereby a distance between an emitter layer and an external base electrode is shortened to lower a base resistance and reduce the number of masks and the number of steps.例文帳に追加

エミッタ層と外部ベース電極の距離を縮小してベース抵抗の低減と、マスク枚数と工程数の削減が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The central controller 148 masks peripheral devices which can not execute the task, determines one peripheral device which can execute the task, and sends a service command signal for task execution to this device.例文帳に追加

中央コントローラは、タスク実行不可能な周辺機器をマスクし、そして、タスク実行可能な周辺機器の１つを決定して、該機器にタスク実行のためのサービス・コマンド信号を送信する。 - 特許庁

To prevent the generation of a false color in the boundary between left and right black masks and an image signal, when displaying a black picture at left and right portions, in a wide liquid crystal image display device having an aspect ratio of 16:9 to display an image with an aspect ratio of 4:3.例文帳に追加

１６：９ワイド液晶の左右に黒画を表示して４：３画像を表示させるとき、左右の黒マスクと画像信号の境目に偽色が発生することを防ぐ。 - 特許庁

To provide a conductive ball mounting method for mounting conductive balls on connecting pads of a substrate through masks, capable of surely mounting one conductive ball on each connecting pad of the substrate.例文帳に追加

基板の接続パッドにマスクを介して導電性ボールを搭載する方法において、基板の各接続パッドに一つの導電性ボールを信頼性よく搭載できる方法を提供する。 - 特許庁

Since masks have similar external shapes, so the mask on which the sheet of the present invention is put on becomes the moving advertisement medium which has a large visual impact, attracts many person's attentions, and has appealing power.例文帳に追加

マスクはどれも同じような外観なので、本発明のシートを装着したマスクは見た目にインパクトが強く、多くの人から注目され、訴求力のある移動広告媒体となる。 - 特許庁

To provide a method of simply manufacturing the required number of circular filters having the required number of zigzagged pleats of a filter medium in manufacturing circular filters for dust-protecting masks .例文帳に追加

防塵マスク用円形フィルタの製造方法において、ジグザグ状に折られたろ過材の必要山数を備えた円形フィルタを簡単に必要数量が製作できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a TFT substrate that individually controls the impurity concentration of channel of an N-type or a P-type TFT without increasing the number of masks, and can form channel length stably.例文帳に追加

マスク数を増加することなく、N型及びP型TFTのチャネルの不純物濃度を個別に制御でき、またチャネル長を安定して形成できるTFT基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thickness Ta of the absorber pattern and a reference value Tr are compared (s5), and when the relationship: Ta≥Tr is satisfied, the thickness Ta is adopted, and the reflection-type exposure masks are manufactured (s6).例文帳に追加

そして、吸収体パターンの厚さＴａと基準値Ｔｒとを比較し（ｓ５）、Ｔａ≧Ｔｒである場合、厚さＴａを採用して反射型露光マスクを製造する（ｓ６）。 - 特許庁

Dummy masks 20 and 21 extended by the same layout patterns as the wiring layers 15 are formed at upper sections of the wiring layers 15 coated with protective films composed of cap layers 16 and sidewall layers 17.例文帳に追加

キャップ層１６及びサイドウオール層１７から成る保護膜で被覆された配線層１５の上部に、配線層１５と同じレイアウトパターンで延びるダミーマスク層２０、２１を形成する。 - 特許庁

Ultraviolet rays are applied to a 1st and a 2nd photosensitive glass plates 1, 2 through 1st and 2nd masks 5, 6, respectively, to form 1st and 2nd latent images 11, 21.例文帳に追加

第１および第２の感光性ガラス板１、２のそれぞれに第１および第２のマスク５、６を介して紫外線を照射して第１および第２の潜像部１１、２１を形成する。 - 特許庁

Data on perpendicular lines to long sides of masks a1 and a2 and others in other directions are used in center-of-gravity calculation, and the method of least squares is used in elliptic approximation.例文帳に追加

マスクａ１、ａ２及びその他の方向に設けたマスクの長辺に対して、垂直方向の線上のデータを用いて重心計算を行い、最小二乗法を使い楕円近似を行う。 - 特許庁

This board is used as a second circuit board 20, and conformal masks are formed on the copper foils 5 to form a third circuit board 30, and non-penetration holes are formed to form a fourth circuit board 40.例文帳に追加

この基板を第２の回路基板２０とし、銅箔５上にコンフォーマルマスクを形成して第３の回路基板３０とし、非貫通孔を形成して第４の回路基板４０とする。 - 特許庁

Both masks are defined based on a region (a diffusion region, for example) in a different layer of the integrated circuit layout than the structure (the gate, for example) being created with the phase shifting process.例文帳に追加

これらのマスクはともに、集積回路レイアウトの、位相シフト処理で作成している構造（例えばゲート）とは異なる層中の領域（例えば拡散領域）に基づいて区画される。 - 特許庁

The ohmic contact layer-forming film 25 and the semiconductor film-forming film 21 are subjected to plasma etching for patterning, using resist patterns 26 and 26 and the second channel protective film 6 as masks.例文帳に追加

そして、レジストパターン２６、２６および第２のチャネル保護膜６をマスクとしたプラズマエッチングで、オーミックコンタクト層形成用膜２５および半導体膜形成用膜２１をパターニングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high aperture ratio without increasing the number of masks and the number of steps by providing pixels having a new configuration.例文帳に追加

新しい構成を有する画素を提供することによって、マスク数及び工程数を増加させることなく、高い開口率を実現した半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The display device having the insulating film can be produced by simultaneously pattern-forming the gate signal line and the insulating film thereon without increasing the number of the masks to be used.例文帳に追加

上記絶縁膜を有する表示装置は、ゲート信号線とその上の絶縁膜を同時にパターニング形成することで、用いるマスクの枚数を増やすことなく作製することができる。 - 特許庁

Further, the method includes: injecting phosphorus or arsenic into a PMOS region RP using other resist masks as an injection mask; and forming n-type impurity regions which become a halo region of load transistor.例文帳に追加

さらに他のレジストマスクを注入マスクとして、ＰＭＯＳ領域ＲＰにリンまたは砒素を注入することにより、ロードトランジスタのハロ領域となるｎ型不純物領域が形成される。 - 特許庁

Next, a metal for adjustment contained in the metal compound film for adjustment is introduced into the gate insulating film forming film through a heat treatment using the metal mask and the dummy metal mask as introduction prevention masks.例文帳に追加

次に、金属マスク及びダミー金属マスクを導入防止マスクとして、熱処理によりゲート絶縁膜形成膜に調整用金属化合物膜中の調整用金属を導入する。 - 特許庁

To provide a stacked MIM capacitor that does not require many masks and can reduce restrictions on numbers of electrode materials and MIM stack layers, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

多くのマスク数を必要とせずに、電極材料やＭＩＭスタック層数の制限が少なくすることのできるスタック型ＭＩＭキャパシタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this way, only a stabilized aerosol can be supplied, and a plurality of structures of uniform shapes can be obtained without requiring masks consistent with the shapes and numbers of structures.例文帳に追加

これによって、安定した状態のエアロゾルのみを供給することが可能であり、構造物の形状、個数に対応したマスクは必要なく、均一な形状の複数の構造物が得られる。 - 特許庁

To provide a method of generating complementary masks based on a target pattern having features to be imaged on a substrate for use in a multiple-exposure lithographic imaging process.例文帳に追加

多重露光リソグラフィ写像プロセス中で使用される、基板上に写像されるフィーチャを有する目標パターンに基づく相補的マスクを生成するための方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for reducing the number of masks and steps of masking when forming a semiconductor device which has both a self alignment contact and a local mutual connection.例文帳に追加

自己整合接点とローカル相互接続の両方を有する半導体デバイスを形成する際に必要とされるマスクの数及びマスキングのステップ数を減らす方法を提供すること。 - 特許庁

Masks 200 for blocking the data transfer at a sector unit are set on the basis of the address specification with respect to the memory 4 accessible at the sector unit while being controlled by a cluster unit of the disk 90.例文帳に追加

ディスク９０のクラスタ単位で管理されセクタ単位でアクセス可能なメモリ４に対して、アドレス指定に基づき、データ転送をセクタ単位でブロックするマスク２００を設定する。 - 特許庁

The amorphous silicon film 24 and the SiN film 22 are used as masks, and the silicon substrate 20 is subjected to RIE(reactive ion etching), thereby forming trenches 25 for element isolation.例文帳に追加

そして、このアモルファスシリコン膜２４とＳｉＮ膜２２とをマスクにしてＲＩＥによりシリコン基板２０のエッチングを行い、素子分離用のトレンチ２５を形成することを特徴としている。 - 特許庁

When the setting of the soft strap is not completed, the address decision section 8 outputs a mask signal, a mask section 9 masks the timing signal and controls a SEL 3 not to perform the header conversion.例文帳に追加

ソフトストラップの設定が完了していない場合、アドレス判定部８からマスク信号を送出し、タイミング信号をマスク部９でマスクして、ＳＥＬ３を制御し、ヘッダ変換を行わない。 - 特許庁

The lower photo resist 6 is developed after a repair processing and the rib formation member layer is selectively removed by using the remaining two layers of upper and lower photo resist patterns 62, 64, 72 as resist masks for pattern formation.例文帳に追加

リペア処理後に下側フォトレジスト６を現像し、残存する上下２層のフォトレジストパターン６２，６４，７２をパターン形成用レジストマスクとしてリブ形成部材層を選択除去する。 - 特許庁

To improve the degree of freedom of layout and suppress the number of masks in a semiconductor device in which a capacitor having a capacitance insulating film employing a ferroelectric or a high dielectric body is mixedly mounted on a logic.例文帳に追加

強誘電体又は高誘電体を用いた容量絶縁膜を有するキャパシタをロジックに混載する半導体装置において、レイアウトの自由度を高め、マスク枚数を抑制する。 - 特許庁

Then, the node-to-node synchronizing apparatus 300 for synchronization between nodes automatically generates the process location information (masks) using each mask generation request accepted from each process which participates in the waiting of synchronization.例文帳に追加

そして、ノード間同期装置３００は、同期の待ち合わせ参加する各プロセスから受け付けられた各マスク生成リクエストを用いてプロセス配置情報（マスク）を自動生成する。 - 特許庁

By using the resist mask 24 and the mask insulating films 20a, 20b as masks, a first polysilicon layer 14 is etched, and a floating gate 14a and the first gate electrode 14b are formed.例文帳に追加

続いて、レジストマスク２４とマスク絶縁膜２０ａ、２０ｂをマスクとして用いて、第１ポリシリコン層１４をエッチングして、フローティングゲート１４ａと第１ゲート電極１４ｂを形成する。 - 特許庁

To provide an merchandise support sheet suitable for displaying many pieces of merchandise such as masks, for example, and an article unit using the marchandise support sheet as a medium in distribution.例文帳に追加

例えばマスク等の商品を複数陳列するのに好適な商品支持シートを提供するとともに、流通においてその商品支持シートを媒体とした商品ユニットを提供する。 - 特許庁

After sidewalls are formed on the gate electrodes 142a-142c, another p-type impurity region is formed by implanting ions in the source cell SC1, by using the gate electrodes 142a-142c as masks.例文帳に追加

そして、それらゲート電極にサイドウォールを形成した後、当該ゲート電極をマスクとしてソースセルＳＣ１に対してイオン注入を行って、Ｐ型の不純物領域を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be adapted to a change in specification more easily than the conventional device by only changing the masks of partial wiring layers even when many wiring layers exist.例文帳に追加

配線層が何層もある場合であっても、一部の配線層のマスクのみを変更することにより、従来よりも容易に仕様の変更に対応できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then an antireflective film and a photoresist pattern are formed on the silicon oxide film 30 and the photoresist pattern and antireflective film are used as masks to etch the silicon oxide film 30.例文帳に追加

それから、酸化シリコン膜３０上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンおよび反射防止膜をエッチングマスクとして用いて酸化シリコン膜３０をエッチングする。 - 特許庁

The noise masking apparatus 18 masks a noise signal even if the noise signal is output to the timing formation counter 14 during a noise masking, and inputs no noise signal to the timing forming counter 14.例文帳に追加

ノイズマスク装置１８は、ノイズマスク中にタイミング生成カウンタ１４にノイズ信号が出力されても、ノイズ信号をマスクし、タイミング生成カウンタ１４にノイズ信号を入力しない。 - 特許庁

When the semiconductor laser chip 2 is mounted on the submount 24 while the masks 50a to 50d are used as targets, the relative position of the laser chip 2 to the light detecting element 3 is decided automatically.例文帳に追加

これらのマーク５０ａ〜５０ｄを目標に半導体レーザチップ２をサブマウント２４に載置すると、当該レーザチップ２と光検出素子３との相対的な位置が自動的に決まる。 - 特許庁