「MASKS」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The mask processing part 34 masks a reset signal XRST based on the access control clock FCK from the access control part 36, and supplies the masked reset signal MXR to the access control part 36.例文帳に追加

マスク処理部３４は、アクセス制御部３６からのアクセス制御用クロックＦＣＫに基づいてリセット信号ＸＲＳＴのマスク処理を行い、マスク処理後のリセット信号ＭＸＲをアクセス制御部３６に供給する。 - 特許庁

Two rectangular sheets of metal masks 10 of the same size are connected to each other in right and left adjacency through a fixing mask 20 to function as a sheet of metal mask 30-2 with an area twice as large as the above.例文帳に追加

矩形状で同一サイズの２枚のメタルマスク１０を、固定用マスク２０を介して左右に隣接して繋ぎ合わせ、前記メタルマスクの２倍の面積を有する１枚のメタルマスク３０−２として機能させたこと。 - 特許庁

After the electrical characteristic of a semiconductor wafer are evaluated by using a TEG formed in a scribe region of the semiconductor wafer (Step S11), an insulating mask layer which masks the TEG is formed (Step S12).例文帳に追加

半導体ウェハーのスクライブ領域に形成されたＴＥＧを用いて前記半導体ウェハーの電気的特性を評価したのち（ステップＳ１１）、このＴＥＧをマスクする絶縁性のマスク層を形成する（ステップＳ１２）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, a liquid crystal display device and an electronic equipment having a wide viewing angle and a smaller number of manufacturing steps or masks compared with conventional ones and requiring a low manufacturing cost.例文帳に追加

広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造工程数やマスク数が少なく、製造コストが低い半導体装置及び液晶表示装置並びに電子機器を提供することを課題とする - 特許庁

A plurality of glass masks 14 each having an exposure pattern 12 formed thereon are connected and fixed while the patterns 12 are positioned so as to obtain the glass mask having the plurality of patterns 12 as a whole.例文帳に追加

それぞれに露光用のパターン１２が形成された複数のガラスマスク体１４を互いのパターン１２同士を位置決めした状態で連結し固定してなることで、全体として複数のパターン１２を有するものとする。 - 特許庁

To provide an alignment mark, having a pattern of a box-in-box for clearly evaluating the overlap of masks at positioning the mask, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the mark.例文帳に追加

マスクの位置合わせを行う際に、マスクの重ね合わせを明確に評価できるボックスインボックスのパターンを有するアライメントマークを提供すると共に、そのマークを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A CPU section acquires lightness values D from RGB information of a plurality of pixels included in the prescribed processing mask MSK and temporarily stores the lightness values in a main storage section while being associated with pixels included in the processing masks MSK.例文帳に追加

ＣＰＵ部は、規定した処理マスクＭＳＫに含まれる複数の画素のＲＧＢ情報から明るさＤを取得し、処理マスクＭＳＫに含まれる画素と対応付けて、明るさを主記憶部に一時的に格納する。 - 特許庁

Then, after pocket regions 20 and 22 are formed by injecting ions by using the insulating film 12 and electrode layer 16 as masks, an insulating layer 26 for capacitor is formed to cover the electrode layers 16 and 18 by the CVD method etc.例文帳に追加

絶縁膜１２及び電極層１６をマスクとするイオン注入処理によりポケット領域２０，２２を形成した後、電極層１６，１８を覆ってキャパシタ用絶縁層２６をＣＶＤ法等により形成する。 - 特許庁

When a control circuit 5A detects that a valid data transmission signal Treq is '1', a transfer circuit A5 masks a clock signal clk and makes flip flops F3 and F2 constituting a transfer means to stop states.例文帳に追加

転送回路Ａ５は、その制御回路５Ａが有効データ送信信号Ｔreqが‘１’であることを検出したときに、クロック信号clkをマスクして、転送手段を構成するフリップフロップＦ３,Ｆ２を停止状態にする。 - 特許庁

Accordingly, a compound semiconductor integrated structure is formed and moreover the inclined waveguide structure in which the waveguide is inclined for the light emitting surface may be formed on the mask interval region between a pair of masks.例文帳に追加

これにより、化合物半導体積層構造として構成され、かつ出射端面に対して導波路を傾斜させた斜め導波路構造部を対のマスク間のマスク間隙領域上に形成することができる。 - 特許庁

When W films 8, WNX films 7 and polycrystalline silicon films 6 of gate electrode materials, are dry-etched by using silicon nitride films 9 as the masks, mix gas formed of SF_6, oxygen and nitrogen is used as the plasma source gas.例文帳に追加

窒化シリコン膜９をマスクに用いてゲート電極材料であるＷ膜８、ＷＮ_X膜７および多結晶シリコン膜６をドライエッチングする際、ＳＦ_6と酸素と窒素とからなる混合ガスをプラズマソースガスとして用いる。 - 特許庁

To provide an antistatic resin-made container suitable for storing a precision product or a semi-product thereof requiring high antistatic characteristic with very small mass production such as photo masks, and a kit for manufacturing the container.例文帳に追加

フォトマスク等の極めて少量生産であるが高い帯電防止特性を要求する精密製品あるいはその半製品を収容するのに適した制電性樹脂容器およびその作製用キットを提供する。 - 特許庁

Lens regions separately containing the lens faces 10a are coated with etching masks 15a and the optical substrate 14 is etched so as to remove the exposed region by a prescribed depth D.例文帳に追加

前記各レンズ面１０ａを含むそれぞれのレンズ領域をエッチングマスク１５ａで部分的に覆い、該マスクから露出した領域の所定の深さ分Ｄを除去すべく前記光学基板１４にエッチング処理を施す。 - 特許庁

The compound film 15 can be formed matching itself with the sidewall 12b, by using semiconductor elements in the insulation film 12, semiconductor elements of a semiconductor film formed on the side wall 12b without using masks, etc.例文帳に追加

化合物膜１５は、絶縁膜１２中の半導体元素や側壁１２ｂにマスクなしで形成される半導体膜の半導体元素等を用いて、側壁１２ｂに対して自己整合的に形成することができる。 - 特許庁

Etching masks 5, corresponding to individual patterns, are formed by patterning on the whole surface of a conductive material 14 including a peripheral region not requiring pattern formation, and patterns are formed by etching on the whole surface of a substrate 3.例文帳に追加

個々のパターンに対応するエッチングマスク５をパターンを形成する必要のない導電性材料１４の外周領域まで含めた全面にパターニングし、エッチングによって基板３の全面にパターンを形成する。 - 特許庁

With the use of a projection device 13 having specified exposure vision, the pattern images of a plurality of masks 12 are exposed in sequence on a plurality of unit exposure area, some of which are mutually overlapped on a light-sensitive substrate 14.例文帳に追加

感光性基板（１４）上にて互いに一部重複した複数の単位露光領域のそれぞれに複数のマスク（１２）のパターン像を所定の露光視野を有する投影系（１３）を用いて順次露光する。 - 特許庁

Then the flow rate of CHF3 and the flow rate of O2 are returned to those flow rates in the usual etching, and the silicon oxide film 4 is etched to form silicon oxide films 4a, 4b, 4c of hard masks.例文帳に追加

その後、ＣＨＦ_3 の流量およびＯ_2 の流量を通常のエッチングを行うときの流量に戻して、シリコン酸化膜４のエッチングを行うことにより、ハードマスクとなるシリコン酸化膜４ａ，４ｂ，４ｃを形成する。 - 特許庁

To enable a pad structure which has not been able to form in the pad having a conventional structure, in which a pad is not peeled, and which has a high bonding strength, by a simple process without increasing masks.例文帳に追加

本発明は、従来の構造を有するＰＡＤでは不可能であった、ＰＡＤ剥がれの起きないボンディング強度の強いＰＡＤ構造をマスク増加なしで簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁

To dispense with a correction of a wiring layer mask excluding necessary masks for essential correction, and to prevent extension of a diffusion period of time and the increasing of the expense for the mask, upon changing the mask accompanied by the addition of functions or the correction of bug.例文帳に追加

機能追加やバグ修正に伴うマスク変更を行う際、本来の修正に必要なマスク以外の配線層マスクの修正が必要とならず、拡散期間延長、マスク費の増大を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein connection between an air gap and a via hole of an upper layer interconnection layer can be prevented when there occurs an alignment deviation between photo masks in photoengraving, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide masks for vapor deposition where thin films with different film thicknesses can be deposited per region to be film-deposed by one time of vapor deposition process, to provide a mask vapor deposition method, and to provide a method for producing an organic electroluminescence apparatus.例文帳に追加

１回の蒸着工程により、被成膜領域毎に異なる膜厚の薄膜を形成することのできる蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In Fig. 1 (d), dry etching is added by using first resist 1 and second resist 2 as masks, and an active layer region 12 and an N-type AlGaAs clad layer 11 are exposed only in a corner mirror part.例文帳に追加

図１（ｄ）において、第一のレジスト１と第二のレジスト２とをマスクにしてドライエッチングを追加して、コーナーミラー部でのみ活性層領域１２とｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１が露出するようにする。 - 特許庁

The microcolor filters of respective colors and the gray masks 4a are disposed in stripe shape and the display electrodes 6 are disposed on the color filter 4 in a stripe shape which is similar to the positional relation of the micro color filters.例文帳に追加

各色のマイクロカラーフィルタおよびグレイマスク４ａがストライプ状に配置されていると共に、カラーフィルタ４上に表示電極６がマイクロカラーフィルタの配置関係と同様のストライプ状に配置されている。 - 特許庁

This etching processing method of a piezoelectric wafer forms masks 18 having openings 16 on an one surface 12 of the piezoelectric wafer and the other surface 14 thereof, and etches the openings 16 to form a through-groove.例文帳に追加

圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁

To easily reduce the pattern area of an array of DRAM cells which uses vertical MOS transistors for a transfer gate, facilitate consistency with peripheral transistors when a cell array is formed, and minimize increase in the number of masks for simultaneous formation.例文帳に追加

縦型MOS トランジスタをトランスファゲートに用いたDRAMセルのアレイのパターン面積の縮小が容易であり、セルアレイの形成時に周辺トランジスタとの整合性を取り易く、マスク数の増加を最小限にして同時に形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of reducing the number of masks to simplify fabrication process and, at the same time, capable of increasing capacitance of a storage capacitor without adding a mask process, and to provide a method for fabricating the liquid crystal display device.例文帳に追加

マスク数を減少させて製造工程を単純化すると共に、マスク工程を追加することなくストレージキャパシタの容量を増加させた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this information processor 1, a cycle controller 21 masks a clock original signal when an instruction code is executed based on the number of execution cycles included in the instruction code, and continues the execution stage in two cycles.例文帳に追加

情報処理装置１においては、命令コードに含まれる実行サイクル数に基づいて、サイクルコントローラ２１が、その命令コードが実行される際に、クロック原信号をマスクし、実行ステージを２サイクル継続させる。 - 特許庁

When the selective call signal is the theft signal, the filter circuit 5e masks signals of the filter circuits 5a, 5b, 5c, 5d responding to the unique selection number and the signal detection control section 7 outputs no response signal.例文帳に追加

盗難信号の場合にはフィルタ回路５ｅにより固有の選択番号に応答したフィルタ回路５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄの信号がマスクされ、信号検出制御部７から応答信号が出力されない。 - 特許庁

The layer 40 is etched by a plasma etching method using the masks 42 to form a wiring structure 44 consisting of the film 34, the layer 36 and the film 38 on a base layer.例文帳に追加

エッチングマスク４２を使ってプラズマエッチング法によって配線層４０をエッチングして、下地層上に、Ｔｉ／ＴｉＮ積層膜、Ａｌ−Ｃｕ合金層及びＴｉＮ／Ｔｉ積層膜からなる配線構造４４を形成する。 - 特許庁

The device 13 is equipped with an upper prism holder 31 and a lower prism holder 32, three upper intermediate supporting members 33 and three lower intermediate supporting members 34, three liquid crystal panel fixing plates 35, and three liquid crystal panel masks 36.例文帳に追加

プリズム用支持装置13は、上側プリズムホルダ31及び下側プリズムホルダ32と、３個の上側中間支持部材33及び３個の下側中間支持部材34と、３個の液晶パネル固定板35、３個の液晶パネルマスク36を備える。 - 特許庁

To reduce the increase of costs caused by the increase of masks, the increase of stages and the increase of materials and to reduce yield loss caused by dust and the like by attaining the formation of a contact hole and rugged pattern in an active matrix substrate in one photolithographic stage.例文帳に追加

アクティブマトリックス基板におけるコンタクトホール及び凹凸パターンの形成方法のフォトリソ工程を１回とし、マスク増、工程増、材料増によるコスト増、ダストによる歩留まりロス等の低減を図る。 - 特許庁

To reduce the number of sheets of masks required in order to change a model, in an integrated circuits such as a master slice where a plurality of models are manufactured by changing a through hole, such as data memorized by ROM.例文帳に追加

ＲＯＭに記憶されるデータ等、スルーホールを変更することにより複数の機種が製造されるマスタースライス等の半導体集積回路において、機種を変更するために必要となるマスクの枚数を低減する。 - 特許庁

Osanobu's interests were diverse, and his active pursuit of learning can be seen in his six scrolls on the furnishings Gakuryo, Bugaku (court dance and music) masks, and costumes at the Treasure House of the Koyasan, as well as the fact that he even drew the paper mountings and tears of hanging scrolls when he copied them. 例文帳に追加

関心も多岐にわたり、高野山学侶宝蔵の調度、舞楽面、装束を写した6巻や、掛け軸の表装の紙や裂まで描いてあるものもあり、養信の旺盛な学習意欲が伺われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a semiconductor device and a method of fabrication in which the number of masks and steps can be decreased by making common the ion implanting conditions for the channel regions of a transistor having different threshold voltage or channel width.例文帳に追加

しきい値電圧やチャネル幅が異なるトランジスタのチャネル領域のイオン注入条件を共通にしてマスク数や工程数を低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A patterned metallic wiring 4 is formed by etching the metallic wiring layer 16 using the patterned photoresist layer 18 and the insulating film 2 as masks, and the photoresist layer 18 is removed and a process is completed.例文帳に追加

そして、パターンニングしたフォトレジスト層１８および絶縁膜２をマスクとして金属配線層１６をエッチングして、パターンニングした金属配線４を形成し、フォトレジスト層１８を除去して工程を完了する。 - 特許庁

The imaging unit is suitably controllable such that at least two masks can be generated, including a first overall mask covering the cross-sectional area (bitmap 1) and a partial mask (bitmap 2) within the overall mask.例文帳に追加

イメージング装置は、断面領域をカバーする第１の全体マスク（ビットマップ１）と該全体マスク内部の部分マスク（ビットマップ２）を含む少なくとも２つのマスクを形成することができるように、適切に制御可能である。 - 特許庁

Most preferably, dual damascene structure has three-layer hard masks 40, 50, and 60 that are formed on the inter-level dielectric with bulk low permittivity, before the interconnection structure of the inter-level dielectric is formed.例文帳に追加

最も好適には、デュアルダマシン構造は、レベル間誘電体の相互接続構造を形成する前に、バルク低誘電率のレベル間誘電体上にそれぞれ形成される３層ハードマスク４０，５０，６０を有する。 - 特許庁

To reduce the number of ion injection times and masks and simplify a step in order to create a path for connecting a green photosensitive layer and a red photosensitive layer with an active pixel sensor circuit formed on a silicon surface.例文帳に追加

緑色感光層と赤色感光層をシリコン表面に形成されるアクティブピクセルセンサ回路に連結するための経路を作るために、イオン注入及びマスクの数を低減し、工程を単純化するようにする。 - 特許庁

The trenches with differences in trench depths can be easily formed by forming hard masks for etching the substrate by using the micro loading effect and by using an etching method in which the selectivity of the semiconductor substrate and etching is widely adopted.例文帳に追加

マイクロローディング効果によって基板をエッチングするためのハードマスクを形成し、半導体基板とエッチングの選択比が大きく取れるエッチング方法を用いて、容易に深さの異なるトレンチを形成することができる。 - 特許庁

The energy input related to a specific cross-sectional area of the three-dimensional object is controlled by exposure by means of multiple successive raster masks (bitmaps; e.g. bitmap 1 and bitmap 2 and possibly additional ones).例文帳に追加

三次元物体の個々の断面領域に関するエネルギーの入力は、複数の連続したラスターマスク（ビットマップ；例えば、ビットマップ１及びビットマップ２、並びに、もしあれば他のビットマップ）を用いた露光により制御される。 - 特許庁

When SDRAM busy signal is output from a busy timing adjustment circuit 40, a SDRAM access request mask circuit 37 masks SDRAM use request signal output from a control circuit with low immediacy.例文帳に追加

ビジータイミング調整回路４０からＳＤＲＡＭビジー信号が出力されると、ＳＤＲＡＭアクセス要求マスク回路３７は、即時性の低い制御回路から出力されるＳＤＲＡＭ使用要求信号をマスクする。 - 特許庁

Historical gigaku-men masks made during the Asuka period and the Nara period are kept at Horyu-ji Temple (today housed at The Gallery of Horyu-ji Temple Treasures at The Tokyo National Museum) in Nara, Todai-ji Temple, Shoso-in, Kasuga-taisha Shrine, and other places. 例文帳に追加

歴史的な伎楽面は、奈良の法隆寺（現在は東京国立博物館法隆寺宝物館に収蔵）、東大寺、正倉院、春日大社などに飛鳥時代および奈良時代の遺品が残っている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a microactuator which can reduce the number of sheets of masks used at manufacture and simplify the manufacture process, and its manufacture, and further a magnetic head device and a magnetic storage device using these microactuators.例文帳に追加

製造時に使用するマスク枚数の削減、製造プロセスの簡易化を図ることができるマイクロアクチュエータおよびその製造方法、さらに、このアクチュエータを用いた磁気ヘッド装置および磁気記録装置を提供する。 - 特許庁

Then, with the particles 4 as masks, the film for forming columnar projections is half-etched, so that columnar projections 3 are formed below the particles 4, and further, a columnar projection supporting layer 2 supporting the columnar projections 3 is formed.例文帳に追加

次に、粒子４をマスクとして柱状突起形成用膜をハーフエッチングすると、粒子４下に柱状突起３が形成されるとともに、柱状突起３を支持する柱状突起支持層２が形成される。 - 特許庁

A film 15 is formed on all the surface and then anisotropically etched, by which a film 15a is formed on the side wall of the stepped part 14a, the stepped part 14a is removed by etching, and etching masks 15b are formed through the side walls.例文帳に追加

全面に形成された被膜１５を異方性エッチングすることにより段差部１４aの側壁に被膜１５aを形成して、段差部aをエッチングにより除去し、サイドウォールによるエッチングマスク１５bを形成する。 - 特許庁