「MASKS」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technology which improves the method of manufacturing a multilayer printed wiring board by the conformal mask method using copper foils with resin and enables alignment of inner layer patterns with a film for laser masks at a high accuracy and simplification of the manufacturing process.例文帳に追加

樹脂付き銅箔を用いたコンフォーマルマスク法による多層プリント配線板の製造方法を改善し、内層パターンとレーザマスク用フィルムとの位置合わせが高精度で行え、製造工程も簡略化できる技術を提供する。 - 特許庁

A P-type region 19 is formed by injecting the P-type impurity ion into a predetermined region of the N-type region 5 of the semiconductor wafer 1 using the photoresist 17 and the periphery insulating film 13 as masks by an ion implantation method.例文帳に追加

イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。 - 特許庁

The apparatus 10 for forming an alignment layer has an ion source 12 generating an ion beam 28 and one or more masks 20 disposed between a substrate 24 and the ion source 12, wherein the mask 20 has a reflective surface 34 in the substrate side.例文帳に追加

配向層形成装置１０は、イオンビーム２８を生成するイオンソース１２と、基板２４とイオンソース１２との間に設けられる１つまたは複数のマスク２０と、を含み、マスク２０は基板側に反射面３４を有する。 - 特許庁

The first and the second reticles are transferred to form first and second masks of electrode patterns including the slit patterns on the first and the second conductive films, respectively and etching is performed to form first and second transparent electrodes.例文帳に追加

第１及び第２レチクルをそれぞれ転写して、スリットパタンを含む電極パタンの第１及び第２マスクを第１及び第２導電膜上にそれぞれ形成し、エッチングを行って、第１及び第２透明電極を形成する。 - 特許庁

In fact, these official costumes and masks (especially Betsu-shozoku costumes, and costumes for Dobu Dance above all) are very expensive, so the shrines, temples and groups that can afford to buy them are limited to large temples and shrines, or to groups that are financially prosperous. 例文帳に追加

尚、これらの正式な装束、仮面（特に別装束、とりわけ、童舞の装束）は大変高価であるため、これらを購入できる神社仏閣、団体は大規模な神社、寺院や財政に余裕がある団体に限定される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Among the Noh costumes are Hikari-kariginu and Shokko no nishiki, which are said to be Emperor Seiwa's clothes and designated as tangible cultural assets of Yamagata Prefecture, and some of the Noh masks are considered to have been made in the early days of Noh. 例文帳に追加

使われる衣装類には山形県有形文化財に指定されている光狩衣・蜀紅の錦といった能衣装は清和天皇の御衣とされ、中には現在で言う能楽の発生初期のものと見られる能面もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In addition, low-concentration n-type impurity regions (extension region) 152 which become parts of the bit lines BL are formed on the substrate 10 by performing ion implantation by again using the regions including the regions of the memory gates MG and control gates CG as masks.例文帳に追加

そして、再びＭＧ及びＣＧの領域を含めた領域をマスクとしてイオン注入することにより、基板１０上にビット線ＢＬの一部となる低濃度Ｎ型不純物領域（エクステンション領域）１５２を形成する。 - 特許庁

To provide a data management device of a pattern drawing apparatus capable of reducing the space for storing masks and the cost of management, as well as decreasing a burden of creating drawing data, and to provide a pattern drawing system including the data management device.例文帳に追加

マスクの保管スペースや管理コストを低減させるとともに、描画データの作成にかかる負担も低減させることができるパターン描画装置のデータ管理装置および当該データ管理装置を含むパターン描画システムを提供する。 - 特許庁

As described above, the recess part 25 is formed and the semiconductor active layer 30 is self-adjustably formed, whereby it is contrived to avoid short circuiting of the semiconductor active layer 30 and a gate electrode 32 while decreasing the number of masks required.例文帳に追加

このように凹部２５を形成し、かつ、半導体活性層３０を自己整合的に形成することにより、半導体活性層３０とゲート電極３２との間でショートが発生するのを回避しつつ、必要なマスク数の削減を図る。 - 特許庁

The circuit 9 masks the counting value 105 and the updating signal 104 on the basis of the RCO signal 111 outputted from the timer 3 and a subtraction period masking range set up from a program.例文帳に追加

減算周期可変回路９は、ハードウェアタイマ３からのＲＣＯ信号１１１、及びプログラム１０から設定される減算周期マスク範囲に基づいて、ハードウェアタイマ計数値１０５とハードウェアタイマ計数値更新信号１０４をマスクする。 - 特許庁

In a case where it is detected that any clock is not being transferred via the differential clock signal line, the output mask circuit 90 masks output signals RT, RCK of the logic circuit 30 so as not to transfer them to post-stage circuits.例文帳に追加

出力マスク回路９０は、差動クロック信号線を介してクロックが転送されていないことが検出された場合に、ロジック回路ブロック３０の出力信号ＲＴ、ＲＣＫを、後段の回路に伝達されないようにマスクする。 - 特許庁

After forming a resist layer 22 with a hole 22a exposing the shoulder of the insulating film 16a and the neighboring part of the resist layer 20B, a connecting hole 24 is formed by wet etching utilizing the resist layers 22, 22B as masks.例文帳に追加

絶縁膜１６ａの肩部とその近傍のレジスト層２０Ｂの一部とを露呈する孔２２ａを有するレジスト層２２を形成した後、レジスト層２２，２０Ｂをマスクとするウェットエッチング処理により接続孔２４を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for mounting conductive balls which can supply solder balls to arranging masks of various sizes surely for a short time using a single ball housing, and reduce the number of wasted solder balls.例文帳に追加

１台のボール収納装置で、種々の大きさの整列マスクに対して確実かつ短時間にはんだボールを供給することができると共に、廃棄されるはんだボールの数を減らすことができる導電性ボールの搭載装置を提供すること。 - 特許庁

The fabricating method of the rotation measuring apparatus can be completed, using one mask during the semiconductor manufacturing process, which prevents generation of influence on measurement results, together with the unsymmetrical structures, with errors generated among different masks during the manufacturing process.例文帳に追加

該回転量計測装置の製作方法は、一つの半導体製造プロセスマスクで完成することができ、製造プロセス中に異なるマスクの間に生じる誤差のある非対称な構造を合わせて計測結果に影響が生じること防ぐ。 - 特許庁

Light transparent parts or light nontransparent parts are allocated with a random function, and masks arranged randomly in a planar direction are used to produce a light reflective coating wherein a plurality of projecting parts or recessed parts formed on the substrate are arranged randomly in a planar direction.例文帳に追加

光透過部又は光不透過部をランダム関数によって割付け、平面方向にランダムに配列してあるマスクを用いて、基材に形成された複数の凸部又は凹部を平面方向にランダムに配列した光反射膜を作成する。 - 特許庁

When the electrode 12 is pattern based on individual exposure using a plurality of masks in this way, the recession distance FH and FW can be suppressed more than those when the electrode 12 is pattern based on single exposure, with the use of a photomask provided with both of the end sections 41 and 42.例文帳に追加

このように複数のマスクを用いた個別の露光に基づいてパターニングすることにより、端部４１、４２を同時に備えたフォトマスクを用いた単一の露光に基づいてパターニングした場合よりも後退距離Ｆ_H、Ｆ_Wを抑制できる。 - 特許庁

Buried via masks at an etching stop level 311 are merged with rectangular windows which are aligned so as to be perpendicular to the major axes of conductive features M1 under a first metal level, and have openings which include misalignment error regions 315 of at least two adjacent vias.例文帳に追加

エッチング停止レベル(311)にある埋め込みビアマスクは、第１の金属レベルの下層導電性フィーチャ(M1)の長軸に直交して整列された矩形窓にマージされ他２つ以上の近接するビアのミスアライメントエラー領域(315)を有する開口を備える。 - 特許庁

The information to be transferred could be RAND shared secret data to perform a shared secret data update, RANDU/AUTH to perform an unique challenge, voice privacy masks, and signal encryption keys.例文帳に追加

転送される情報は、共有秘密データの更新を実行するためのＲＡＮＤ共有秘密データ、Ｕｎｉｑｕｅ Ｃｈａｌｌｅｎｇｅを実行するためのＲＡＮＤＵ／ＡＵＴＨ、音声プライバシ・マスク、および信号暗号キー（Ｅｎｃｒｙｐｔｉｏｎ Ｋｅｙ）とすることが可能である。 - 特許庁

In a program/program-verify cycle and a erase/erase-verify cycle, a non-volatile storage element over-writen preventing circuit masks a mode enable-mask internal signal line 111 by a pass signal outputted by a memory control circuit 103 through a verify-pass signal line 110.例文帳に追加

プログラム／プログラムベリファイサイクル、イレーズ／イレーズベリファイサイクルにおいてメモリ制御回路１０３がベリファイパス信号線１１０を介して出力するパス信号により不揮発性記憶素子過書込防止回路はモードイネーブルマスク内部信号線１１１をマスクする。 - 特許庁

To provide an easy-to-manufacture EB(electron beam) transfer mask which suppresses spatial charge effect in EB transfer and deterioration in drawing precision due to resist heating, etc., for the generation of EB transfer mask data composed of complementary masks.例文帳に追加

コンプリメンタリーマスクで構成されるＥＢ（電子線）転写マスクデータの作成において、ＥＢ転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なＥＢ転写マスクを提供する。 - 特許庁

Any of the first and second masks 5, 8 includes a pattern which comprises a shield part shielding light and a transmission part transmitting light and in which the position of the shield part and the position of the transmission part are inverted by rotating it about the optical axis by 180 degrees.例文帳に追加

第１及び第２のマスク５、８は何れも、光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、光軸を中心に１８０度回転させることで遮蔽部の位置と通過部の位置とが反転するパターンを有する。 - 特許庁

The supervisory camera apparatus is configured to include the supervisory camera capable of executing panning rotation at an angle of 360 degrees and tilt rotation at an angle larger than 90 degrees and that the supervisory camera keeps masking data for applying masking 50 to a privacy zone displayed on an image and masks part of the image according to the data.例文帳に追加

３６０度のパン回転及び９０度を超えるチルト回転が可能な監視カメラと、監視カメラが、画像に映るプライバシーゾーンをマスキング５０するマスキングを保持し、このデータにしたがって、画像の一部をマスキングするように構成している。 - 特許庁

A user terminal converts charging information to be divided into a plurality of pieces of information, and when all the pieces of divided information are not collected, masks the charging information using a method which cannot restore the charging information to generate N pieces of secret information.例文帳に追加

ユーザ端末が、課金情報を変換し、複数の情報に分割するとともに、その分割したすべての情報を収集しなければ、課金情報を復元できない方法を用いて、課金情報をマスクして、Ｎ個の秘密情報を生成する。 - 特許庁

To provide an aid for a mask which not only dissolves the pain of ears by being used for all the masks on the market but also is easily manufactured in a large quantity inexpensively, especially has excellent design and is beautiful and fashionable during use.例文帳に追加

全ての市販のマスクについて使用することにより耳の痛さを解消するばかりか多量製造も容易で安価に提供でき、特に、優れたデザインを有し、使用時にも美麗でファッション的にも優れているマスク用の補助具を提供する。 - 特許庁

A part of a silicon oxide film and a silicon substrate is etched using a silicon nitride film having an opening formed therein and a sidewall protective film covering the sidewall of the silicon nitride film as masks, to form an element isolating trench on the silicon substrate (S108).例文帳に追加

開口部が形成されたシリコン窒化膜と、このシリコン窒化膜の側面を覆う側壁保護膜とをマスクとして、シリコン酸化膜およびシリコン基板の一部をエッチングすることにより、シリコン基板に素子分離用トレンチを形成する（Ｓ１０８）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a self-aligned source structure in which both substrate contact holes and electrode contact holes can be opened simultaneously without increasing manufacturing steps, and the number of masks can be reduced.例文帳に追加

製造工程を増加させることなく基板コンタクト孔および電極コンタクト孔の両者を同時に開孔することが可能で、かつマスク枚数の削減が可能なセルフアラインソース構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A parameterization filter masks a difference between the first URI of the content object and the second URI of a cached content object stored in at least one of the first and second caches, in at least one of the CPE and the gateway.例文帳に追加

ＣＰＥ及びゲートウェイのうち少なくとも一つにおいて、パラメータ化フィルタは内容オブジェクトの第１のＵＲＩと第１及び第２のキャッシュの少なくとも一つに記憶されたキャッシュされた内容オブジェクトの第２のＵＲＩとの間の差をマスクする。 - 特許庁

By using the semiconductor device, a power supply line is not required, thereby achieving a higher aperture ratio without increasing the number of masks or the number of steps in a panel creation process in comparison with a conventional semiconductor device.例文帳に追加

本発明の半導体装置を用いることにより、電源供給線が必要なくなるため、従来の半導体装置に比べて、パネル作成プロセスにおけるマスク枚数や工程数の増加を伴うことなく、より高い開口率を実現することが出来る。 - 特許庁

On the other hand, flat parts for depositing the fluorocarbon on the resist mask 8 are reduced on the resist mask 8 on a part whereat the interval between patterns is narrow whereby the fluorocarbon is hardly deposited on the resist masks 8 in a part whereat the interval between patterns is narrow.例文帳に追加

一方、パターンの間隔の狭い部分のレジストマスク８上では、レジストマスク８上にフルオロカーボンを堆積させるための平坦な部分が少なくなり、パターンの間隔の狭い部分のレジストマスク８上にはフルオロカーボンが堆積しにくくなる。 - 特許庁

After forming a photoresist layer 18, first ion implantation is performed from a first direction, indicated by an arrow A' toward a first corner section 14C1 inside a gate electrode 14, by using the photoresist layer 18 and the gate electrode 14 as masks.例文帳に追加

ホトレジスト層１８を形成した後に、ホトレジスト層１８及びゲート電極１４をマスクとして、Ａ’の矢印で示された第１の方向からゲート電極１４の内側の第１のコーナー部１４Ｃ１を臨んで第１のイオン注入を行う。 - 特許庁

The impurity ion implantation 180 is performed with a second concentration higher than the first in order to form a source/a drain in the semiconductor substrate 110 with the gate structures 120, the first insulation spacers142 and the second insulation spacers 148a serving as masks.例文帳に追加

前記ゲート構造１２０、第１絶縁スペーサ１４２及び第２絶縁スペーサ１４８ａをマスクとして前記半導体基板１１０にソース／ドレーンを形成するために第１濃度より高い第２濃度で不純物イオン注入１８０を行う。 - 特許庁

The package 1 with a flux 16 coated beforehand is arranged under the mask 5 at the lower side, the mask 7 is moved to align the displaced through-holes of the two ball aligning masks, and the ball 13 is mounted on the package 1.例文帳に追加

予めフラックス１６を塗布したパッケージ１上を下側ボール整列マスク５下に配置し、上側ボール整列マスク７を移動させて、２枚のボール整列マスクのずれていた貫通孔位置を合わせ、パッケージ１上に半田ボール１３を搭載する。 - 特許庁

The inside of a film deposition chamber 12 is provided with: an evaporation source 4; a freely rotatable stage 2 where the arrangement of masks each having the same or different pattern is made possible at prescribed intervals on the same circumference; and a carrying means 6 capable of carrying the substrate.例文帳に追加

成膜室１２内に、蒸発源４と、同一円周上で所定の間隔を置いて相互にパターンが同一または異なるマスクの配置を可能とした回転自在なステージ２と、基板の搬送を可能とする搬送手段６とを設ける。 - 特許庁

To form a transistor having an LDD structure by self-alignment by preventing a positional shift without increasing the number of masks or the number of processes when a side wall for transistor formation of the LDD structure in the peripheral circuit of a solid-state imaging device is formed.例文帳に追加

固体撮像素子の周辺回路におけるＬＤＤ構造のトランジスタ形成のためのサイドウォールの形成にあたり、マスク数あるいは工程数の増大を招くことなく位置ずれを防止し、セルフアラインでＬＤＤ構造のトランジスタを形成する。 - 特許庁

This mask frame assembly includes a frame where an opening is formed, and at least two unit masks whose both ends are fixed so that tractive force is applied by the frame, in which at least one unit masking part is formed in the longitudinal direction.例文帳に追加

開口部が形成されたフレームと、前記フレームによって引張り力が加えられるように両端部が固定され、長手方向に少なくとも１つの単位マスキング部が形成された少なくとも２枚の単位マスクとを備えてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a laminated film for coating a metal sheet which has excellent heat laminating properties, masks defects such as flaws and patterns formed on the surface of the metal sheet to suppress degradation in appearance and quality of the metal sheet, and is improved in safety and hygienic properties and in environmental aspect.例文帳に追加

熱ラミネート性に優れ、金属板の表面に形成された傷や模様等の欠陥を遮蔽して金属板外観品質の低下を抑制し、安全衛生性、環境面で改善された金属板被覆用積層フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for generating a mask pattern in which a variety of masks can be generated by setting the phase management of a mask and the management unit of offset for increasing randomness separately, and managing the position of a nozzle and the kind of a table to be copied.例文帳に追加

マスクのフェーズ管理とランダム性を増すためのオフセットの管理単位を別々に設定し、またノズルの位置とコピーするテーブルの種類を管理することにより多様なマスク生成を行うことが可能なマスクパターン生成方法を提供する。 - 特許庁

A variable length part mask determining part 13, in such case as an overtaking state occurs where a data having been not read is overwritten when the data is written in an image memory 22, masks a variable length part code included in the LBTC for writing from a memory writing part 12.例文帳に追加

可変長部分マスク決定部１３は、これらのデータを画像メモリ２２に書き込むと未読のデータを上書きする追い越し状態となる場合、ＬＢＴＣに含まれる可変長部分コードをマスクしてメモリ書き込み部１２から書き込む。 - 特許庁

Then, the map display apparatus 1 layers the normal map pictures C1 to C3 retrieved from the external memory 30 together with the masks M1 to M3 generated respectively for the normal map pictures alternately in an order of scales to constitute a partially expanded map picture.例文帳に追加

そして、地図表示装置１は、外部メモリ３０から読み出した通常地図画Ｃ１〜Ｃ３及びその各々に対して生成したマスクパーツＭ１〜Ｍ３を縮尺順に階層状に交互に重ねることで、部分拡大地図画を構成する。 - 特許庁

In a state of a large plate panel substrate before it is cut into individual electrooptical panels, after masks are formed on side surfaces of the large plate panel substrate, the whole outer surfaces thereof are etched and blemishes and cracks existing on the upper and the lower surfaces of the large plate panel substrate can be removed.例文帳に追加

また、個別の電気光学パネルに分断する前の大板パネル基板の状態において、側面にマスクを施した後、外面全体をエッチングして、大板パネル基板の上下面に存在する傷やクラックを除去することができる。 - 特許庁

In addition, an n-type impurity region is formed by implanting ions into a drain cell DC1 and field oxide films IS1a and IS1b so that the ions pass through the films IS1a and IS1b by using the gate electrodes 142a-142c as masks.例文帳に追加

また同じく上記ゲート電極をマスクとして、ドレインセルＤＣ１およびフィールド酸化膜ＩＳ１ａおよびＩＳ１ｂに対してそれらフィールド酸化膜を貫通させるようなイオン注入を行って、Ｎ型の不純物領域を形成する。 - 特許庁

(xvii) Equipment for the manufacture or test of semiconductor devices, integrated circuits or semiconductor materials, or masks or reticles for the manufacture of integrated circuits, that fall under any of the following, or the components and accessories thereof 例文帳に追加

十七　半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置若しくは試験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクルであって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A manufacturing method of semiconductor device comprises a process of forming the transfer pattern including a line in which width or angle varies by performing multiplex exposure using a plurality of masks including patterns 1A, 1B on a different mask substrate.例文帳に追加

半導体装置の製造方法を、異なるマスク基板上に異なるパターン１Ａ，１Ｂを有する複数のマスクを用いて多重露光を行なって、幅又は角度が変化するラインを含む転写パターンを形成する工程を含むものとする。 - 特許庁

To provide a resin composition which comprises a resin obtained by polymerizing a monomer component consisting essentially of a specific monomer, and the above-mentioned specific monomer as the residual monomer, and effectively masks an odor caused by the specific monomer (residual monomer).例文帳に追加

特定のモノマーを必須とするモノマー成分を重合して得られた樹脂と、残存モノマーとしての上記特定のモノマーとを含み、上記特定のモノマー（残存モノマー）に起因する臭気を効果的にマスキングしてなる樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Moreover, as it was found out that workers had forgotten to put radiation filters on their masks and gone outside of the seismic evacuation center on June 29, 2011, MHLW, in the name of the Chief of the Tomioka Labour Standards Inspection Office, advised relevant companies to implement corrective measures (July 1, 2011).例文帳に追加

さらに、平成23年6月29日に労働者が使用するマスクにフィルターを付け忘れたまま免震重要棟外に出たことを受け、関係事業者に対し、富岡労働基準監督署長名で是正を勧告（平成23年7月1日） - 厚生労働省