「MASKS」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

First, a ZnO layer 3 is formed on a glass substrate 2, and a plurality of square masks 5 are formed in an area for removing the ZnO layer 3 so that they may have a width smaller than that disappearing due to side etching that is resulted from etching of the ZnO layer 3.例文帳に追加

ガラス基板２上にＺｎＯ層３を形成し、ＺｎＯ層３を除去する領域に、ＺｎＯ層３をエッチングする際に生ずるサイドエッチにより消失される幅より狭い幅を有する複数の矩形マスク５を形成する。 - 特許庁

A control operational unit 4 shifts the digital signal converted from the output signal of the current sensor 30 by M bits to the upper level direction; masks the upper (N-M) bits of the digital signal converted from the amplification signal of the amplifier 34; and operates the logical addition of these digital signals.例文帳に追加

制御演算装置４は、電流センサ３０の出力信号を変換したデジタル信号を上位方向にＭビットシフトし、増幅器３４の増幅信号を変換したデジタル信号の上位（Ｎ−Ｍ）ビットをマスクし、それらデジタル信号の論理和を演算する。 - 特許庁

By this setup, the image sensor can be manufactured even through a small number of masks when forming a wafer, so that its manufacturing cost can be reduced, and a process of injecting p-type impurities can be dispensed with, so that the manufacturing process of the image sensor can be made simpler and improved in productivity.例文帳に追加

これによれば、ウェーハファンドリー時に少数のマスクでも作製可能なので製造コストが節減される効果があるだけではなく、Ｐ型不純物を注入する工程を要しないためその製造工程が単純になることから生産性が向上される。 - 特許庁

As a result, possibility of defects existing on the same positions in pattern regions on the different masks can be practically avoided, so that a mask pattern image which is deteriorated by defects is overlapped with a mask pattern image which has no defects, and restoration of the mask pattern image becomes possible.例文帳に追加

この結果、異なったマスク上のパターン領域の同一位置に欠陥がある可能性はほとんど回避されるため、欠陥によって劣化したマスクパターン像には、欠陥の無いマスクパターン像が重ね合わされることとなり、その修復が可能となる。 - 特許庁

Finally, the second organic film 105 is etched away using the mask patterns 108 as the masks to form a wiring trench as well as the first organic film 103 is etched away using the patterned silicon containing organic oxide film 104 as the mask to form a contact hole.例文帳に追加

第２の有機膜１０５に対してマスクパターン１０８をマスクとしてエッチングして配線溝を形成すると共に、第１の有機膜１０３に対してパターン化された有機含有シリコン酸化膜１０４をマスクとしてエッチングしてコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal picture display device which does not require an expensive conductive thin film depositing device such as a laser CVD, and moreover, which permits to correct a defective pixel by electrically connecting it with an adjacent normal pixel of the same color without increasing the number of photo masks.例文帳に追加

レーザーCVDなどの高価な導電性薄膜形成装置を必要とせず、しかもフォトマスク数を増加させることなく欠陥画素を隣接する同色の正常画素と電気的に接続して修正することが出来る液晶画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light exposure mask capable of forming a photoresist layer in a semi-transmissive portion with uniform thickness and to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the number of photolithographic steps (the number of masks) necessary for manufacturing a TFT substrate is reduced by using the exposure mask.例文帳に追加

半透過部のフォトレジスト層の膜厚を均一に形成できる露光マスクを提供し、それを用いてＴＦＴ基板を製造するために必要なフォトリソグラフィ工程の回数（マスク枚数）を削減した半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

Masks 56B and 56C which cut unnecessary peripheral light are formed on a first moving lens 36B and a second moving lens 36C of the finder optical system by print, and a visual field frame 60 for confirming a visual field is formed on an erect prism 38 by print.例文帳に追加

ファインダ光学系を第１移動レンズ３６Ｂと第２移動レンズ３６Ｃには、不要な周辺光をカットするマスク５６Ｂ、５６Ｃが印刷により形成されており、また、正立プリズム３８には、視野を確認するための視野枠６０が印刷により形成されている。 - 特許庁

This shape measurement method is provided with an interference fringe projection device 1 as an interference fringe projection means; a CCD camera 2 as an imaging means; and phase masks 3 installed on an optical axis between the projection device 1 and the CCD camera 2 and constituting a noise elimination means.例文帳に追加

干渉縞投影手段としての干渉縞投影装置１と、撮像手段としてのＣＣＤカメラ２と、干渉縞投影装置１とＣＣＤカメラ２との間の光軸上に設けられた、ノイズ除去手段を構成する位相マスク３とを設ける。 - 特許庁

The device select signal output circuit includes a mask setting memory in which mask setting data are stored and masks the device select signal so that a device to be tested specified by the mask setting data is not selected as a device to be tested about the function test.例文帳に追加

前記デバイスセレクト信号出力回路は、マスク設定データを格納しているマスク設定メモリを有し、前記マスク設定データで特定された被試験デバイスが、前記機能試験が行われる被試験デバイスとして選択されないように、前記デバイスセレクト信号をマスクする。 - 特許庁

When the access request of the bus master permitted with the bus use right and the access request of the bus master not permitted with the bus use right compete, the decision adjustment circuit 2 masks the access request of the bus master permitted with the bus use right for a prescribed period.例文帳に追加

判定調整回路２は、バス使用権が許可されているバスマスタのアクセス要求とバス使用権が許可されていないバスマスタのアクセス要求とが競合した場合、バス使用権が許可されているバスマスタのアクセス要求を所定の期間マスクする。 - 特許庁

An outer shape of the quartz crystal element piece is worked by forming masks 22a, 22b corresponding to the outer shape while deviating the positions in a Z' axis direction of crystal of the quartz crystal on the front and back surfaces of the AT cut quartz crystal plate 21 and performing wet etching from both the front and back surfaces.例文帳に追加

水晶素子片の外形加工は、その外形に対応するマスク２２ａ，２２ｂをＡＴカット水晶板２１の表裏各面に互いに水晶の結晶のＺ´軸方向に位置をずらして形成し、表裏両面からウエットエッチングすることにより行う。 - 特許庁

To provide a method for verifying pattern data of a semiconductor device for appropriately deciding whether the allowable error of design data of a pattern to be formed in a lithographic process using at least two masks is within an appropriate range or not by the use of simulation.例文帳に追加

少なくとも２枚のマスクを用いるリソグラフィ工程において、形成されるパターンの設計データの許容誤差が適正な範囲内であるか否かをシミュレーションを利用して適正に判断する半導体装置のパターンデータの検証方法を提供する。 - 特許庁

Slots 13A, 13B formed on a rear panel of the housing 101 with which an information processing apparatus is provided are shielded by masks 14A, 14B connected to the slots 13A, 13B through a pair of micro joints 14a from the inside of the housing 101.例文帳に追加

情報処理装置１００が備える、筐体１０１の背面パネルに形成されたスロット１３Ａ,１３Ｂそれぞれを、筐体の内側から１対のミクロジョイント１４ａを介してスロット１３Ａ,１３Ｂに接続されたマスク１４Ａ,１４Ｂにより遮蔽する。 - 特許庁

The mask circuit receives a display designation signal for designating at least one of a plurality of display units, supplies the signal to be masked to the display unit designated with the display designation signal and masks supply of the signal to be masked to other display units.例文帳に追加

マスク回路は、複数の表示部のうち少なくとも１つを指定する表示指定信号を受け取り、その表示指定信号で指定される表示部へマスク対象信号を供給し、それ以外の表示部へのマスク対象信号の供給をマスクする。 - 特許庁

A connection pipe 21 is connected to a vapor deposition source 10 for evaporating an organic electroluminescence material 1, and two branch pipes 22a, 22b are directed two objects for film deposition comprising substrates 31a, 31b and masks 32a, 32b to deposit an organic vapor deposition film.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス材料１を蒸発させるための蒸着源１０に接続パイプ２１を接続し、２つの分岐パイプ２２ａ、２２ｂを基板３１ａ、３１ｂとマスク３２ａ、３２ｂからなる２つの被成膜物に向けてそれぞれ有機蒸着膜形成を行う。 - 特許庁

To provide a TFT structure free of generation of point defects caused by capacitance due to misalignment, without increasing the number of masks even in a product with severe alignment rules such as a device having a high aperture ratio, in the production of a TFT array substrate.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板の製造において、高開口率デバイスのようなアライメントルールが厳しい製品においても、マスク枚数を増やすことなく、アライメントずれによる容量起因の点欠陥が発生しないＴＦＴ構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device having a pixel structure with a high opening ratio without increasing the number of masks and steps by employing appropriate arrangement of a pixel electrode, a gate wire, and a source wire formed in a pixel portion.例文帳に追加

画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The exposure apparatus includes: a plurality of mask holding sections 71, which respectively hold the plurality of masks M and are arranged in a staggered manner along a Y direction; and a plurality of mask driving sections, which are arranged at the sides of respective mask holding sections 71 and driving the respective mask holding sections 71.例文帳に追加

露光装置は、複数のマスクMをそれぞれ保持し、Y方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部７１と、各マスク保持部７１の側方に配置され、各マスク保持部７１をそれぞれ駆動する複数のマスク駆動部と、を備える。 - 特許庁

Masks 22-25 for covering an adhesion surface are provided on both front and back surfaces of the pressure sensitive adhesive double-coated tape piece 20, and an area ratio (S2/S1) of the web side adhesion surface 21a relative to the winding core side adhesion surface 21b is set to 30% to less than 80%.例文帳に追加

両面粘着テープ片２０の表裏両面には、粘着面を被覆するマスク２２〜２５が設けられ、巻き芯側粘着面２１ｂに対するウエブ側粘着面２１ａの面積比（Ｓ２／Ｓ１）が３０％以上８０％未満に設定される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for adhering exposure masks for performing high-grade exposure, and a projection aligner even in a near-field exposure method for improving adhesion properties between a mask for exposure and a substrate, and preparing a finer pattern than the wavelength of exposure light.例文帳に追加

露光用マスクと基板との密着性を向上させ、露光光の波長より小さな微細パターンを作製する近接場露光方法においても、高品位な露光が行える露光マスクの密着方法及び密着装置並びに露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide masks for optimizing the light quantities of spectrally separated light incident on a photodetector, thereby preventing a fall in S/N caused by a decrease in the light quantity of a light source, in a spectrophotometer using the photodetector having a plurality of light receiving elements.例文帳に追加

複数の受光素子を持った光検知器を使用する分光光度計において、光検知器に入射する分光された光の光量を最適化するためのマスクを提供し、光源の光量減少によるＳ／Ｎ低下の抑制を図ることである。 - 特許庁

Concave-convex portions are formed on the surface of a substrate by performing a process of partly forming masks on the surface of the substrate, and a process of forming concave portions by applying etching removal to the portions not covered by the mask on the surface of the substrate, in this order.例文帳に追加

基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。 - 特許庁

The microlenses as samples are manufactured by using each of the respective gray scale masks 6, 7, 8, 9 and the gray scale mask used for manufacturing the microlens of the shape of the finished microlens having the shape most approximate to the target value is used in manufacturing the subsequent microlenses.例文帳に追加

各グレースケールマスク６、７、８、９の各々を使用して、サンプルとしてのマイクロレンズを製造し、その中で出来上がったマイクロレンズの形状が目標値に一番近いものを製造するのに使用したグレースケールマスクを、その後のマイクロレンズの製造に使用する。 - 特許庁

Thereafter, a resist 10 covering the SRAM forming region AreaS is formed, and then impurities are ion-implanted using the gate electrode 6b and the offset spacer 9b as masks into the logic forming region AreaL, thereby forming a logic n-type extension region 11.例文帳に追加

その後、ＳＲＡＭ部形成領域ＡｒｅａＳを覆うレジスト１０を形成した後、ロジック部形成領域ＡｒｅａＬにゲート電極６ｂ及びオフセットスペーサ９ｂをマスクにして不純物をイオン注入してロジック用ｎ型エクステンション領域１１を形成する。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device with a pixel structure that achieves a higher opening ratio without increasing the number of steps and masks, in which a pixel electrode, gate wiring, and source wiring are arranged in a pixel portion suitably.例文帳に追加

画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electron beam exposing apparatus, an electron beam exposing method and an electron beam exposing system for exposing a plurality of dies depending on a pattern formed on each die in a front-end process, during continuously and simultaneously exposing the dies on a sample using a plurality of masks.例文帳に追加

複数のマスクを使用して連続して同時に試料上の複数のダイに露光を行う際に、個々のダイ上に前工程で形成されたパターンに応じて露光を行う電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法および電子ビーム露光システムを提供する。 - 特許庁

Interent numbers are assigned to respective data to be retrieving items of a web page to be retrieved, bit masks whose numbers correspond to respective bits are generated and a retrieved result is prepared from an AND result between each bit mask and a bit mask similarly generated from data selected at the time of retrieval.例文帳に追加

検索対象となるＷｅｂページで検索項目となるデータにそれぞれ固有の番号を与え、番号をビットに対応したビットマスクを生成し、検索時に選択されたデータから同様に生成したビットマスクとの論理積の結果により検索結果を作成する。 - 特許庁

The second AlAs layer 60 and first GaN layer 53 are patterned, a recess 53a and a projection 53b are formed, the surfaces of the first and second AlAs layers 59 and 60 are oxidized, and bottomand top-surface epitaxial masks 61 and 56 that are made of an oxide film are formed.例文帳に追加

第２のＡｌＡｓ層６０及び第１のＧａＮ層５３をパターニングして、凹部５３ａと凸部５３ｂとを形成した後、第１，第２のＡｌＡｓ層５９，６０の表面部を酸化させて、酸化膜からなる底面，頂面エピタキシャルマスク６１，５６を形成する。 - 特許庁

A BD mask circuit 11 masks a horizontal sync signal (/BD01 signal and /BD02 signal) separated by a BD separation circuit 110 and switches a horizontal sync signal (/BD01' signal and /BD02' signal) being fed to a DMAC 102 between valid and invalid.例文帳に追加

ＢＤマスク回路１１は、ＢＤ分離回路１１０により分離された水平同期信号（／ＢＤＯ１信号と／ＢＤＯ２信号）にマスクをかけて、ＤＭＡＣ１０２に供給する水平同期信号（／ＢＤＯ１′信号と／ＢＤＯ２′信号）の有効・無効を切替える。 - 特許庁

To provide a photomask data display which masks it possible to accurately and easily confirm whether or not the pattern region of mask data for drawing device and a specified pelicle frame overlap each other on practical level while graphically displaying the mask data for drawing device on the display.例文帳に追加

描画装置用のマスクデータをディスプレイ装置上に図形表示しながら、描画装置用のマスクデータの絵柄領域と所定ペリクル枠との重なりの有無の確認を正確に、且つ、簡単に実用レベルで行なえる、フォトマスクデータ表示装置を提供する。 - 特許庁

Then the parts of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b are etched by RIE similarly to the above-mentioned method using a part of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as masks to form a magnetic part 100.例文帳に追加

続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ(1) とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁

In the metal masks 52 for sputtering used at the time of depositing a transparent conductive film on a color filter substrate, and in which each part as the object for film deposition is opened, each side in contact with the color filter substrate is provided with projecting parts 75 formed so as to be a pattern shape using a resin.例文帳に追加

カラーフィルタ基板上に透明導電膜を形成する際に使用する、成膜対象となる部分が開口されたスパッタリング用メタルマスク５２で、カラーフィルタ基板と接触する側に、樹脂を用いてパターン状に形成された凸部７５を設けたこと。 - 特許庁

To provide a masking magnet jig in which small magnet pieces embedded in a pattern before a cleaning process need not be removed in a cleaning process after the vapor deposition, the pattern forming area is not limited, and a plurality of plate masks are excellent in adhesion.例文帳に追加

マスキング磁石治具において、蒸着後の洗浄工程においても洗浄工程の前にパターン中に埋め込まれた磁石小片を取り除く必要もなく、しかもパターン作成面積が制約されることもなく、複数板マスクが密着性を良好にする。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device with a pixel structure in which a high opening ratio is achieved without increasing the number of masks and steps by optimizing the arrangement of a pixel electrode, a gate wire, and a source wire formed in a pixel portion.例文帳に追加

画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To simplify a process of manufacturing a liquid crystal display device which has a COT structure by laminating and forming a color filter at a position where a black matrix is formed, and then eliminating a process of forming a black matrix to decrease the number of masks.例文帳に追加

本発明は、ＣＯＴ構造を持つ液晶表示装置において、ブラックマトリクスが形成される位置にカラーフィルターを積層して形成することにより、ブラックマトリクスを形成する工程を削除してマスク数を低減し、製造工程を単純化すること。 - 特許庁

To obtain a process for producing a semiconductor product in which pattern dimensions are brought close to the target dimensions when a resist pattern is formed by a double exposure method, and light exposure is corrected individually for two sheets of masks by correcting the light exposure while relating respective correction quantities with each other.例文帳に追加

半導体製品の製造方法に関し、二重露光法でレジスト・パターンを形成する場合、２枚のマスクに対する露光量を別個に補正する際、それぞれの露光量に於ける補正量を関連させて補正し、パターン寸法を目標に近付ける。 - 特許庁

The proximity-scanning exposure device 1 includes a radiating light EL for exposure via the plurality of the masks M with respect to conveyed substrates W; exposing patterns of each mask M on the substrates W; and forming a plurality of exposed regions which are arranged in a direction orthogonal to a conveying direction.例文帳に追加

近接スキャン露光装置１は、搬送される基板Ｗに対して複数のマスクＭを介して露光用光ＥＬを照射して、基板Ｗに各マスクＭのパターンを露光し、搬送方向と直交する方向に並ぶ複数の被露光領域を形成する。 - 特許庁

To provide an EB (electron beam) transfer mask which can be easily manufactured and which can suppress deterioration in the accuracy of drawing a pattern due to the spatial charge effect, resist heating or the like caused during the EB transfer in the process of forming an EB transfer mask data composed of complementary masks.例文帳に追加

コンプリメンタリーマスクで構成されるＥＢ（電子線）転写マスクデータの作成において、ＥＢ転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なＥＢ転写マスクを提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device with a pixel structure that has achieved a high aperture ratio without increasing the number of masks and steps by suitably arranging pixel electrodes, scan lines (gate lines), and data lines in a pixel portion.例文帳に追加

画素部に形成される画素電極や走査線（ゲート線）及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can make two different conductive type impurity regions of high concentration appear in a contact hole, even if the number of masks is reduced by the utilization of an interlayer insulation film as a channel contact mask.例文帳に追加

層間絶縁膜のチャネルコンタクトマスクとしての利用によりマスク数を減らしてもコンタクトホールに高濃度の異なる二つの導電型の不純物領域を出現させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first sidewall insulating film 20 is formed on the sidewall surfaces of a control gate electrode 13 and second and third insulating films 9 and 11 above and below it, then a first conductive film 8 is removed with the first sidewall insulating film 20 as one of masks.例文帳に追加

コントロールゲート電極１３およびその上下の第二および第三の絶縁膜９，１１の側壁面に、第一のサイドウォール絶縁膜２０を形成し、その後に第一のサイドウォール絶縁膜２０をマスクの一つとして第一の導電膜８を除去する。 - 特許庁

In a sputtering device, when the composition layer of an optical disk is to be formed, inner- and outer-periphery masks 2 and 3 are arranged in a sputtering chamber, and a deposition region is controlled, thus completely sealing the outer-periphery part of a recording film by a dielectric such as SiN.例文帳に追加

スパッタリング装置において、光ディスクの構成層を形成する際、スパッタリングチャンバ内に内周マスク２および外周マスク３を配し、蒸着領域を制御することにより、ＳｉＮ等の誘電体で記録膜の外周部を完全に封止する。 - 特許庁

Although the origin of Noh is not clear, it is generally believed that Noh originated from gigaku (ancient pantomime in which performers wear masks), Japan's oldest theatrical art that was introduced from China during the seventh century, and sangaku (form of theater popular in Japan during the eleventh to the fourteenth century) introduced from the Asian continent during the Nara period. 例文帳に追加

能の起源について正確なことはわかってはいないが、7世紀頃に中国大陸より日本に伝わった日本最古の舞台芸能である伎楽や、奈良時代に大陸より伝わった散楽に端を発するのではないかと考えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To make it possible to decrease the errors of correction work after mask layout design of semiconductor integrated circuits and to execute the circuit correction after the mask layout design with the fewest possible number of masks.例文帳に追加

半導体集積回路のマスクレイアウト設計後の修正作業の誤りを減少させ、マスクレイアウト設計後の回路修正をできるだけ少ないマスク数で行なう事を可能とする半導体集積回路設計方法、及び半導体集積回路を提供する。 - 特許庁