「MASKS」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

In this method of manufacturing a semiconductor device by projecting a mask pattern that is formed on a mask to copy to an object and pattern forming into the object, the mask consists of plural masks having different mask patterns, and marks that are formed into each mask are synthesized to form a mark pattern that consists of plural marks into the object.例文帳に追加

マスクに形成されたマスクパターンを投影して対象物に転写し、該対象物にパターンを形成する半導体装置の製造方法において、前記マスクがマスクパターンの異なる複数のマスクからなっており、夫々のマスクに形成されたマークを合成して複数のマークからなるマークパターンを前記対象物に形成する。 - 特許庁

Provided is a combination of a substrate with a topical adhesive for attachment of functional articles such as clothing, prosthesis, heat wraps, pads, and/or packs, cold wraps, protective face masks, ornamental articles, or eye wear, or cosmetic or pharmaceutical delivery articles which provide substances to the skin.例文帳に追加

保護用製品、衣類、人工補装具、加熱ラップ、パッド及び／又はパック、冷却ラップ、保護用フェイスマスク、装飾用製品若しくは眼用ウェア、又は皮膚に物質を提供する化粧用若しくは薬学的デリバリー製品等の機能的製品を皮膚に取り付けるために使用できる局所用接着剤と基体との組み合わせ。 - 特許庁

An exposure system 1 is equipped with case containers 3 which houses mask cases that keep masks separately, a storage section 4 which stores the case containers 3, a transfer device 6 which transfers the case container 3 from the storage section 4 to a library 5, and a mask transport device 7 which takes out a mask M from the case container 3 arranged in the library 5.例文帳に追加

露光装置１は、マスクを個別に収納するマスクケースを複数収納するケース容器３と、ケース容器３を保管する保管部４と、ケース容器３を保管部４からライブラリ５に移送する移送装置６と、ライブラリ５に配されたケース容器３からマスクＭの取り出しを行うマスク搬送装置７とを備えている。 - 特許庁

A mask holding device holds first and second masks, wherein it has a first mask hold unit for holding the first mask and a second mask hold unit for holding the second mask, and the first and second mask hold units have mask adjustment sections that adjust the first mask holding position and the second mask holding position, respectively.例文帳に追加

第１マスク及び第２マスクを保持するマスク保持装置において、マスク保持装置は第１マスクを保持する第１マスク保持部と第２マスクを保持する第２マスク保持部とを有し、第１マスク保持部及び第２マスク保持部は第１マスクの保持位置及び第２マスクの保持位置を調整するマスク調整部を有する。 - 特許庁

Thereafter, when an operation key switch on an operation panel is switched, electrons are generated from an electron source 1, and the electrons are accelerated by an accelerator 2, scanned in a prescribed range by the scanner 4, and irradiated only to the tips of the beam masks 7 and the irradiation range L of the irradiation object 8 through a window foil 6 provided on the tip part of a scanning tube 5.例文帳に追加

この後、操作盤の運転キースイッチを入れると、電子源１から電子が発生され、この電子は加速器２で加速された後、走査器４によって所定範囲で走査され、走査管５の先端部に設けた窓箔６を通して、ビームマスク７の先端と被照射物８の照射範囲Ｌのみに照射される。 - 特許庁

In the barcode reader, at the time of receiving a barcode picture from a picture input device 1, a vertical/horizontal direction mask average calculating means 21 and a vertical/horizontal direction mask (total) distribution calculating means 22 set masks elongated respectively in the vertical and horizontal directions with a noticed picture element as the center and calculate an average, distribution or total distribution in each mask.例文帳に追加

縦・横方向マスク平均算出手段２１、縦・横方向マスク（総) 分散算出手段２２は、画像入力装置１よりバーコード画像を受け取ると、注目画素を中心に縦・横方向にそれぞれ細長いマスクを設定し、各マスク内の平均、分散もしくは総分散を算出する。 - 特許庁

When the outgoing call of a transmission side facsimile machine 101 is number non-display transmission of source information, a receiving side terminating device 103 detects TSI delivered from the transmission side facsimile machine 101, masks the TSI with predetermined data and then transmits the masked TSI to a receiving side facsimile machine 104.例文帳に追加

受信側の終端装置１０３は、送信側ファクシミリ装置１０１の発信呼が発信元情報非通知である場合に、送信側ファクシミリ装置１０１から送られるＴＳＩを検出し、予め決められたデータでマスクし、該マスクされたＴＳＩを受信側のファクシミリ装置１０４に送信する。 - 特許庁

Since the cleaning device 1 can make the suction port 21 correspond to the range of a pattern hole 7 formed on the mask 2 easily by the rotation, attachment/detachment, insertion, and exchange of the adjusting means 19 to the container 18, the removal of the creamy solder C is possible for all the masks 2.例文帳に追加

また、前記クリーニング装置１は、前記調整手段１９を前記吸引用容器１８に対して回動・着脱・挿嵌・交換することで容易に前記マスク２上に形成されたパターン孔７の範囲に前記吸引口２１を合わせることができるので、あらゆるマスク２に対してクリームはんだＣの除去が可能である。 - 特許庁

The pattern forming method comprises: a step of forming a coating to be etched; a step of forming a plurality of mask patterns on an upper layer of the coating by corresponding to regions being desirable to be left as a plurality of patterns; and a step of forming patterns of the coatings by performing etching treatment by using a plurality of mask patterns as masks.例文帳に追加

本発明に係るパターン形成方法は、被エッチング膜を成膜する工程と、複数のパターンとして残したい領域に対応して被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより被エッチング膜のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a plating mask, which can be exchanged in a short time even if the shape and the size of the lead frame has changed, which achieves a highly reliable plating due to its high location accuracy, and in addition, only which can be easily replaced when either of the plating masks formed on the mask support has become faulty.例文帳に追加

リードフレームの形状や大きさが変わってもめっきマスクの交換が短時間で容易にでき、また、めっきマスクの位置精度がすぐれ信頼性高くめっきでき、さらに、マスク支持体に形成しためっきマスクの何れか不良になった場合にはそれだけを容易に取り替えできるめっきマスクを得る。 - 特許庁

Specifically, such measures, as I understand it, include promoting the wearing of masks, hand-washing, gargling, body temperature measurement before commuting by employees as well as requiring employees with fever to stay at home, limiting outside visits to a necessary minimum, allowing flexible-time work schedules and commuting by car, bicycle or on foot and refraining from holding seminars and other public events. 例文帳に追加

具体的には、職員のマスク着用、手洗い・うがいの励行、出勤前の検温、発熱者等の自宅待機、不要不急の外訪、外を訪問するということの自粛、時差出勤や自動車・自転車又は徒歩での通勤の容認、セミナー等の開催自粛といった措置が講じられていると承知いたしております。 - 金融庁

A mask unit 107 masks the data from the data storage FF 101 and outputs the data to a multiplier when the absolute value of the tap coefficient is less than the threshold and the mask unit 107 outputs the data from the data storage FF 101 to the multiplier 103 as they are when the absolute value of the tap coefficient is the threshold or larger.例文帳に追加

マスク器１０７では、タップ係数の絶対値がしきい値よりも大きな場合には、データ格納用ＦＦ１０１からのデータがマスクされて乗算器に出力され、タップ係数の絶対値がしきい値以上の場合には、データ格納用ＦＦ１０１からのデータがそのまま乗算器１０３に出力される。 - 特許庁

Related to the method, beam P of particles consisting of, at least, almost the same initial energy so acts as to discriminate at least two energy-value groups, with particles a, b, c, and d having different energy value, by passing masks 23 and 23' before reaching the semiconductor element 1.例文帳に追加

この方法において、少なくともほぼ同じ初期のエネルギーを有する粒子からなる粒子のビーム(Ｐ)は、半導体素子(１)に到達する前に、マスク(２３，２３’)を通過することによって、粒子(ａ，ｂ，ｃ，ｄ)が異なるエネルギー値を有する、即ち少なくとも２つのエネルギー値のグループは区別できるように作用される。 - 特許庁

In the deposition system for a transparent conductive film, the use of masks of arbitrary thickness can be facilitated by providing a spacer 5 between a mask 2 and a main plate 1, in a method for selectively depositing a transparent conductive film on the prescribed part alone of a color pattern 3 by using the mask 2.例文帳に追加

カラーパターン３の表面にマスク２を用いて選択的に所定の部分にのみ透明導電膜パターンを形成する方法において、前記マスク２と主プレート１との間にスペーサ５を設置することで、任意厚みのマスクを容易に使用できることを特徴とする透明導電膜の成膜装置。 - 特許庁

To enable easily coping with automization of work wherein in order to selectively plate only a predetermined plating object part position from among plating object part positions of a wiring board, a sheet for masking is stuck on the other plating object part positions and masks them, the predetermined plating object part position is plated, and then the sheet is rolled up.例文帳に追加

配線基板のメッキ対象部位のうち、所定のメッキ対象部位にのみ選択的にメッキをかけるために、その他のメッキ対象部位にマスキング用シートを張り付けてマスキングして所定のメッキ対象部位にメッキし、その後で、そのマスキング用シートを捲りとる作業を、容易でかつ自動化にも対応できるものとすること。 - 特許庁

After a trench 106a, communicating with the aperture 105a, is formed in the film 106, the film 104 is etched using a resist pattern 107, the layer 105 and the sidewall 202a as masks and a connection hole is formed in the part of the film 104 under the lower part of the trench 106a.例文帳に追加

開口部１０５に連通するトレンチ１０６ａを第２層間絶縁膜１０６に形成した後、レジストパターン１０７と第１ストッパ層１０５及びサイドウォール２０２ａをマスクにして第１層間絶縁膜１０４をエッチングし、トレンチ１０６ａ下部の第１層間絶縁膜１０４部分に接続孔１０４ａを形成する。 - 特許庁

A trench for element isolation area is formed in the semiconductor substrate 1 by etching the semiconductor substrate 1 with the protective silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 with the predetermined areas each opened as the masks, and an insulative shielding film 402 absorbing electromagnetic wave is formed so as to be along the side wall surface and bottom of the trench.例文帳に追加

つぎに、所定領域が開口された保護酸化シリコン膜２および窒化シリコン膜３をマスクとして半導体基板１をエッチングすることにより半導体基板１に素子分離用の溝を形成し、溝の側壁面および底面に沿うように電磁波を吸収する絶縁性の遮光膜４０２を形成する。 - 特許庁

Both edge parts FA in the film conveying direction are pressed by masks 24A and 24B, whereby gutter-like curl having curvature in a film width direction made on the photographic film F is drastically reduced, and air in space formed between the photographic film F and the base plate 18 gets out to the outside through the recessed part 20 with the reduction of the curl.例文帳に追加

写真フィルムＦに生じているフィルム幅方向に曲率を持つ樋状のカールは、フィルム搬送方向の両縁部ＦＡがマスク２４Ａ、２４Ｂによって押圧されることにより大幅に縮小され、これに伴い、写真フィルムＦとベース板１８の間に形成される空間の空気が凹部２０を通して外部へ抜け出す。 - 特許庁

The gutter-like curl having curvature in a film width direction made on the photographic film F is drastically reduced by pressing both edge parts FA in the film conveying direction by the masks 24A and 24B before both edge parts FB in the film width direction are held between the respective belts 50 and the projecting parts 22A and 22B of the base plate 18.例文帳に追加

写真フィルムＦに生じているフィルム幅方向に曲率を持つ樋状のカールは、フィルム幅方向の両縁部ＦＢが各ベルト５０とベース板１８の凸部２２Ａ、２２Ｂとの間に挟持される前に、フィルム搬送方向の両縁部ＦＡがマスク２４Ａ、２４Ｂによって押圧されることにより大幅に縮小される。 - 特許庁

The surface working method is for performing reactive ion etching to the base material 1 made of the silicon carbide, and films 3 and 4 including at least one etching suppressing element selected from an element group including Ni and at least one etching accelerating element selected from an element group including W are turned to etching masks.例文帳に追加

本発明に係る表面加工方法は、シリコンカーバイドからなる基材１に反応性イオンエッチングを行う表面加工方法であって、Ｎｉを含む元素群から少なくとも１つ選択されるエッチング抑制元素と、Ｗを含む元素群から少なくとも１つ選択されるエッチング促進元素とを含む膜３，４をエッチングマスクとするものである。 - 特許庁

In between the first extraction electrode 12 and the second extraction electrode 14, masks 26 shielding the end region of the electron 10 in surface shape from the hot cathode 8 and shaping the end parts of the electron beam 10a extracted out of the second extraction electrode 14 are provided at both ends in Y-direction of the second extraction electrode 14.例文帳に追加

そして、第２引出し電極１４と第１引出し電極１２との間に、熱陰極８からの面状の電子１０の端部領域を遮って、第２引出し電極１４から引き出される電子線１０ａの端部を整形するマスク２６を、第２引出し電極１４のＹ方向における両端部にそれぞれ設けている。 - 特許庁

To provide a MOS transistor having an intermediate breakdown voltage structure capable of controlling a drain breakdown voltage with a high drain breakdown voltage impossible in a conventional MOS transistor having an LDD structure and forming a plurality of MOS transistors having different breakdown voltages on the same substrate without increasing masks.例文帳に追加

本発明は、従来のＬＤＤ構造を有するＭ０Ｓ型トランジスタでは不可能であったドレイン耐圧が大きく、しかもそのドレイン耐圧を制御することができ、同一基板上に違う耐圧を持つ複数のMOS型トランジスタをマスク増加なしで形成できる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of forming the reversal mark is implemented by projecting ≥1 laser beam pulses 34 through laser beam masks 36 and 38 for etching the array of the recessed spots to a surface 44 of a contact lens form insert, then forming the reversal mark on the form insert 42, by scanning the insert and the mask synchronously with respect to the laser beam pulses.例文帳に追加

反転マークを作るための方法は、コンタクトレンズ型枠インサートの表面４４に陥入スポットのアレイをエッチングするためのレーザービームマスク３６，３８を介して１つ以上のレーザービームパルス３４を投射し、その後にそのレーザービームパルスに関して同期的にインサート及びマスクを走査することにより、型枠インサート４２上に反転マークを形成する。 - 特許庁

To provide a detergent which is used for cleaning organic EL materials deposited on vacuum evaporators, metal masks, crucibles, etc. used for manufacturing displays involving organic EL materials, excellent in detergency, does not necessitate a special cleaning apparatus and has a low volatility, taking adverse effects on the human body and the environment into consideration.例文帳に追加

有機ＥＬ材料を用いたディスプレイを製造する際に使用する真空蒸着装置やメタルマスク、るつぼ等に付着した有機ＥＬ材料を洗浄するための洗浄剤であって、洗浄力に優れ、特別な洗浄装置も不必要で、かつ、人体や環境への悪影響を考慮した、揮発性の低い洗浄剤を提供する。 - 特許庁

To provide: a method of manufacturing a film, which can largely change the implanted ion amount at the boundaries between the areas covered by the masks preventing ion implantation and other areas; a magnetic recording medium including the magnetic films made by the manufacturing method; and an information recording apparatus using such a magnetic recording medium.例文帳に追加

イオン注入を阻害するマスクで覆われている箇所と他の箇所との境界でのイオン注入量の分布において高い急峻さが得られる膜製造方法と、その膜製造方法を利用して磁性材料の膜が形成された磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置とを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor testing device for storing pieces of pattern data of predetermined channel numbers and bits for controlling jumps of patterns at different addresses of a pattern memory, and testing DUTs, the testing device includes a mask control unit which masks the bits for controlling jumps read out from the pattern memory, when only the pieces of pattern data of predetermined channel numbers are used and no pattern jumps are performed.例文帳に追加

所定チャンネル数のパターンデータとパターンのジャンプを制御するビットをパターンメモリの異なるアドレスに記憶させてＤＵＴの試験をする半導体試験装置において、所定チャンネル数のパターンデータのみを使用してパターンのジャンプを行わない場合に、パターンメモリから読み出されたジャンプを制御するビットをマスクするマスク制御部を設ける。 - 特許庁

A mask stoker 40 storing multiple masks 2 comprises: multiple mask storing parts 40a, each of which supports edges of a mask 2 by multiple mask receivers 42 to store the mask 2; and a mask positioning part 40b, which positions the mask 2 by multiple mask positioning units 50a and 50b, while supporting edges of the mask 2 by the multiple mask receivers 42.例文帳に追加

複数のマスク２を収納するマスクストッカー４０に、複数のマスク受け４２によりマスク２の縁を支持してマスク２を収納する複数のマスク収納部４０ａと、複数のマスク受け４２によりマスク２の縁を支持しながら、複数のマスク位置決め装置５０ａ，５０ｂによりマスク２の位置決めを行うマスク位置決め部４０ｂとを設ける。 - 特許庁

To provide a metal wiring forming method for a semiconductor element in which a fine metal pattern is prevented from being formed by forming a spacer film on a side wall of a photoresist pattern, and bringing spacers into contact with each other by narrowing the interval between photoresist patterns at a breaking part of metal wiring while forming a fine metal pattern using the spacers as etching masks.例文帳に追加

フォトレジストパターンの側壁にスペーサ膜を形成し、スペーサをエッチングマスクとして用いて微細金属パターンを形成すると同時に、金属配線の断線部分は前記フォトレジストパターン間の間隔を狭めて前記スペーサが接し合うようにし、微細金属パターンが形成されることを防止する半導体素子の金属配線方法の提供。 - 特許庁

By an imaging method using the lithography system, a desired pattern printed onto a substrate is decomposed into at least two constituting subpatterns that can be decomposed optically by the lithography system, and the piled-up body of two sacrifice hard masks is applied onto the substrate at the upper portion of a target layer patterned by a desired dense line pattern.例文帳に追加

リソグラフィ・システムを使用するイメージング方法は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィ・システムによって光学的に分解することが可能な少なくとも２つの構成サブパターンに分解すること、所望の密なライン・パターンでパターニングされる標的層の上部において、２つの犠牲ハード・マスクの積重体を基板にコーティングすることを含む。 - 特許庁

The method further comprises: a step of forming a resist pattern in the second region by the photolithography process; and a step of processing the insulating layer and the film to be processed using the side wall film in the first region and the resist pattern in the second region as masks and then forming a wiring trench in the film to be processed.例文帳に追加

さらに、前記第２領域においてフォトリソグラフィ工程によりレジストパターンを形成する工程と、前記第１領域における前記側壁膜と前記第２領域における前記レジストパターンとをマスクとして前記絶縁膜および前記被加工膜を加工し、前記被加工膜に配線溝を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

Original image data 3, gradation-inverted dummy image data 4 wherein gradation of the original image data 3 is inverted, and random dummy image data 5 wherein brightness of a plurality of pixels for forming the image is random are recorded in a phase multiple manner on the same image data recording position by successively using the random phase masks different for each image data 3, 4, and 5.例文帳に追加

オリジナル画像データ３と、該オリジナル画像データ３の階調を反転した階調反転ダミー画像データ４と、画像を形成する複数の画素の明るさがランダムなランダムダミー画像データ５とを、それぞれの画像データ３，４，５毎に互いに異なるランダム位相マスクを順次用いて同一の画像データ記録位置に位相多重記録する。 - 特許庁

A dither mask pattern table 52 formed by making a plurality of positional deviation assumption patterns where the direction and distance of the positional deviation of printing head chips HT1 to HT15 are assumed correspond to dither masks where dot dispersibility is optimized for the positional deviation is stored in a ROM 50 of a line head type printer 10 where the printing head chips HT1 to HT15 are connected.例文帳に追加

印刷ヘッドチップＨＴ１〜ＨＴ１５が連結されたラインヘッドタイプのプリンタ１０のＲＯＭ５０には、印刷ヘッドチップＨＴ１〜ＨＴ１５の位置ずれの方向及び距離を想定した複数の位置ずれ想定パターンと、当該位置ずれに対してドット分散性を最適化したディザマスクとが対応付けられたディザマスクパターンテーブル５２が記憶されている。 - 特許庁

This masking mechanism comprises a first mask 2 having a trapezoidal opening 3 and a triangular opening 4 on the circumference of the radius r in a first disk 2, and a second mask 5 having a plurality of opening parts 6 on the circumference of the radius r in a second disk 5, and the first and second masks are independently rotatable from each other around the axis 7.例文帳に追加

第１の円板２内の半径ｒの円周上に台形形状の開口３と三角形形状の開口４とを有する第１のマスク２と、第２の円板５内の半径ｒを有する円周上に複数の開口部６を有する第２のマスク５とを有し、中心軸７の回りに互いに独立に回転できる。 - 特許庁

This thin-film transistor is formed on a glass plate that can stand heat treatment at 700°C or lower, and an electrode connecting with the source and drain areas is in contact with the upper and side surfaces of the source and drain areas and the glass plate, or a blocking layer, and the transistor can be completed with a small number of masks.例文帳に追加

７００度以下の熱処理に耐え得るガラス基板上に形成される薄膜トランジスタの構造において、ソース、ドレイン領域に接続する電極は前記ソース、ドレイン領域の上面と側面とガラス基板又はブロッキング層に接しており、その作製工程においては少ないマスク数で完成させることができる薄膜トランジスタ。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

When light from the backlight 32 is emitted to the lower surfaces of the black masks 23 used in common as reflection layers, reflected light thereof is transmitted through a counter substrate 22, a rear surface side polarizing plate 27 and a light guide plate 33 and reflected by a reflection layer 34, at least a portion of the reflected light contributes to display and light utilization efficiency can be improved.例文帳に追加

そして、バックライト３２からの光が反射層を兼ねたブラックマスク２３の下面に照射されると、その反射光が対向基板２２、裏面側偏光板２７および導光板３３を透過して反射層３４で反射され、この反射光の少なくとも一部が表示に寄与することとなり、光利用効率を良くすることができる。 - 特許庁

The mask consists of plural masks for multiple exposure, into each of which at least one mark is formed, the mark pattern that consists of the marks of each mask is formed on a substrate plate, mask alignment in the succeeding processes using this mark pattern, and the pattern is formed by copying the mask pattern that is formed on the mask into the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、前記マスクが多重露出のための複数のマスクからなり、前記複数のマスクの夫々に少なくとも１つのマークを形成し、夫々のマスクのマークからなるマークパターンを半導体基板に形成し、このマークパターンを用いて以降の工程のマスクの位置合わせを行ない、該マスクに形成されたマスクパターンを半導体基板に転写してパターンを形成する。 - 特許庁

The powdery material for deodorizing antibacterial use is used in a manner to expose the powdery material to the surface by, for example, attaching the material to the fabric for masks, shoe insoles, bedclothes, underwears, etc., kneading to a resin composition (binder) such as urethane, silicone and rubber and applying the kneaded mixture, or directly kneading in a resin composition constituting the fabric.例文帳に追加

この防臭抗菌用粉末材料をマスク・靴の中敷き・寝具・肌着等に用いる生地に付着するか、又はウレタン・シリコーン・ラバー等の樹脂組成物（バインダー）に混練して塗工するか、あるいは生地を構成する樹脂組成物に直接混練する等、防臭抗菌用粉末材料が表面に露出するようにして利用される。 - 特許庁

An upper surface protective film 91 after patterning, NMOSFET gate formation mask 31a, and PMOSFET gate formation mask 31b are used as masks for etching, so that a gate electrode 33 of a transistor of a DRAM memory cell part Rm and lower part electrodes 34a and 34b of each transistor of a CMOS part Rc are formed at the same time.例文帳に追加

次に、パターニングした後の上面保護膜９１、ＮＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ａおよびＰＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ｂをマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、ＤＲＡＭメモリセル部Rmのトランジスタのゲート電極３３、ＣＭＯＳ部Rcの各トランジスタの下部電極３４ａ、３４ｂを同時に形成する。 - 特許庁

The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The LEB circuit 20 comprises delay circuits 22, 23, 24 and 26 each of which generates a delay signal by delaying the drive signal for a prescribed time, and an NOR gate 25 that obtains a reference signal for generating the drive signal according to the delay signal and the comparison result signal, and masks the rising zone of the gate voltage according to the reference signal for a prescribed time.例文帳に追加

ＬＥＢ回路２０は駆動信号を予め規定された時間遅延して遅延信号とする遅延部２２，２３，２４，２６と、遅延信号と比較結果信号とに応じて駆動信号を生成するための基準信号を得るＮＯＲゲート２５とを備えており、基準信号に応じてゲート電圧の立上り区間を予め規定された時間マスクする。 - 特許庁

In this method, wiring and solder pad are formed without using solder masks, namely after a wiring pattern forming resist is formed, a buffer metal layer or wiring by electrolytic plating is formed in direct, moreover, a buffer metal layer by the electrolytic plating method, or wiring by electrolytic plating, further a buffer metal layer by the electrolytic plating and solder layer by the electrolytic plating are formed.例文帳に追加

配線、ソルダーパッドをソルダーマスクを用いないで形成する方法であって、配線パターン形成用レジストを形成した後、そのままバッファメタル層あるいは電解メッキによる配線さらに電解メッキ法によるバッファメタル層、あるいは電解メッキ法による配線、さらに電解メッキによるバッファメタル層、電解メッキ法によるソルダー層を形成する方法である。 - 特許庁

In a stage of manufacturing the substrate for the electrooptical device of a liquid crystal device 100, photosensitive resin applied to a large-sized substrate 400 is exposed through four exposure masks 210, 220, 230 and 240 one after another while cumulative exposure quantities are made different by areas to form a primary coat having a plurality of kinds of projections differing in height.例文帳に追加

液晶装置１００の電気光学装置用基板の製造工程において、４枚の露光マスク２１０、２０、２３０、２４０で大型基板４００に塗布した感光性樹脂１３８を順次露光して、累積露光量を領域毎に相違させることにより、高さ寸法の異なる複数種類の凸部を備えた下地層を形成する。 - 特許庁

Photographic processes are carried out by using a first mask (transfer photomask) 1 having a first pattern 2 for transfer, and a second mask (correction photomask) 3 having a second pattern 4 for correction to make the influence of local flare caused during exposure through the first mask uniform in the entire exposure region, and by exposing through the masks in a random order.例文帳に追加

転写用の第１のパターン２が形成されてなる第１のマスク（転写用フォトマスク）１と、第１のマスクにより露光する際に生じるローカルフレアの影響を、露光領域全体で均一化する補正用の第２のパターン４が形成されてなる第２のマスク（補正用フォトマスク）３とを用い、両者により順不同で露光し、フォトリソグラフィーを行う。 - 特許庁

A color selection electrode thin plate 50 in which the overlapped masks 51, 52 are bonded between the end of the beam transparent holes 54, 57 and a welding part 61 toward a frame 46, is bridged and welded on the frame 46 to form the color selection mechanism 34.例文帳に追加

互いに対応する位置にビーム透過孔５４、５７が設けられた複数枚のマスク５１、５２が重ね合わされ、重ね合わされたマスク５１、５２が予めビーム透過孔５４、５７の端部とフレーム４６への溶接部６１との間の位置で接合された色選別用電極薄板５０を上記フレーム４６上に架張され溶接された色選別機構３４を構成する。 - 特許庁