「MASKS」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

When it is detected that the clock is not transferred via the differential clock signal line, the output mask circuit 90 masks the output signals RT, RCK of the logic circuit block 30 so that they are not transferred to a post-stage circuit.例文帳に追加

出力マスク回路９０は、差動クロック信号線を介してクロックが転送されていないことが検出された場合に、ロジック回路ブロック３０の出力信号ＲＴ、ＲＣＫを、後段の回路に伝達されないようにマスクする。 - 特許庁

The light shielding sections are formed as a plurality of laminated layers selected from first colored layers 161, second colored layers 162 and third colored layers 163 formed on a counter substrate without using light shielding masks.例文帳に追加

本発明は、遮光マスクを用いることなく、対向基板上に形成された第１の着色層１６１、第２の着色層１６２、第３の着色層１６３から選ばれた複数の層の積層として遮光部を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that produces a various film thickness of a gate insulation film by eliminating influence to transistor characteristics and eliminating the increase in the number of exposure masks, and eliminating damage to a semiconductor substrate for forming a gate insulation film.例文帳に追加

トランジスタ特性への影響、露光マスク数の増大を解消しつつ、ゲート絶縁膜を形成する半導体基板へのダメージを与えずに、ゲート絶縁膜の膜厚を作り分ける半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A wiper stopping control section 34 masks the wiper driving signal when an amount of water collected by the wiper and passing on a detection surface is a predetermined threshold or more and no adhesion of rain drops on the detection surface is detected.例文帳に追加

ワイパー停止制御部３４は、ワイパーによって集められ検知面を通過する水の量が所定の閾値以上であり、かつ、検知面への雨滴の付着が検出されない場合には、ワイパー駆動信号をマスクするようにする。 - 特許庁

Anodization of the areas defined by the first and second masks leads to the formation of an anodized structure in the form of a closed ring around the first area, which forms a barrier against unwanted lateral anodization in the first area.例文帳に追加

第１マスク及び第２マスクが規定する領域の陽極酸化は、第１領域周囲の閉環形態における陽極酸化構造の形成につながり、第１領域内では不要な横方向陽極酸化に対するバリアを形成する。 - 特許庁

RESIDUE-FILM THICKNESS ASSUMING METHOD, PATTERN-MASK AND ISOLATION-FILM-REMOVING-MASK MODIFYING WAYS BY THE WAY, AND SEMICONDUCTOR-ELEMENT MAKING WAY BY THE MASKS例文帳に追加

残膜厚分布の推定方法、残膜厚分布の推定方法を用いたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクの修正方法、及び、修正されたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁

By this photomask 10, a defect such as the positional deviation of pattern transfer occurring because two masks are used in the case of the conventional technique is eliminated, further yield is improved and the production cost of the wafer is reduced.例文帳に追加

デュアルフォトマスクは、従来の技術の場合のような２つのマスクを使用することによるパターン転写の位置ずれの欠点をなくすことができ、更に、歩留りが向上し、ウエハ製造のコストを減少することを可能にする。 - 特許庁

To provide an image monitoring apparatus which determines abnormality when a person approaching a safe or a storage cabinet that is an object to be monitored is detected or when it is dark inside a room and it can not be determined whether or not the person masks the face.例文帳に追加

監視対象物である金庫や保管庫に近づく人が検出された場合、室内が暗くて当該人が顔を隠蔽しているか否かを判定できない場合に異常とする画像監視装置を提供する。 - 特許庁

In order to remove a deviation in phase of the array waveguide 15, an ultraviolet laser beam is radiated to ward each waveguide via each mask 19 and 21 of the masks 18 and 20, respectively, and the phase adjustment for each waveguide is made by the application of change in ultraviolet-ray induction refractive index.例文帳に追加

アレイ導波路１５の位相誤差を解消するため、紫外線レーザビームを、マスク１８，２０のマスク１９，２１を介して、各導波路に照射し、紫外線誘起屈折率変化を利用して、各導波路の位相調整をする。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for manufacturing of an electronic device, capable of cleaning vapor deposition masks without giving rise to increase of an occupation space of the electronic device manufacturing apparatus or loss time at flowing of a substrate.例文帳に追加

電子デバイス製造装置の占有スペースの増大や基板を流動させる際のロスタイムを発生させることなく、蒸着マスクをクリーニングすることのできる電子デバイス製造装置および電子デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A contact hole 66 is formed in the photosensitive resin 44 by exposing the photosensitive resin twice with 1st and 2nd photo masks in which round shading parts are scattered, and also smooth ruggedness is formed in the area outside the TFT 43.例文帳に追加

円形遮光部が散在された第１フォトマスクと第２フォトマスクとで２回の露光を行い、感光性樹脂４４にコンタクトホール６６を形成すると共に、ＴＦＴ４３以外の領域に滑らかな凹凸を形成する。 - 特許庁

The position on the mask is heated at each line strength by an irradiation projector containing a radiation device 300 located outside a lithography beam path, and the heating of the masks generates a distortion in a mask pattern by local thermal expansion.例文帳に追加

マスク上の位置はリソグラフィービーム経路の外に配置された放射線装置３００を含む照射投光器によりそれぞれの線強度で加熱され、マスクの加熱は局部熱膨張によりマスクパターンに歪みを発生する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display which is capable of reducing the number of masks used in a manufacturing process of the liquid crystal display and has a color filter-on-thin film transistor (COT) structure of in-plane switching (IPS) mode, and to provide a manufacturing method of the liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置の製造工程に使用されるマスクの数を減少させることができる、インプレーンスイッチング方式のカラーフィルタオン薄膜トランジスタ構造を有する液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, by etching with using the second mask 10' and the first mask 9' as masks, the first insulating film 7 containing the hardening layer S is removed, whereby the connection hole 12 is dug down.例文帳に追加

次に、第２マスク１０’および第１マスク９’をマスクに用いたエッチングにより、硬化層Ｓを含む第１絶縁膜７を除去することで、接続孔１２を掘り下げることを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nonvolatile memory device that suppresses an increase in the number of steps while performing process using a plurality of hard masks corresponding to kinds of films when films of many kinds of materials are processed by etching.例文帳に追加

多数の種類の材質の膜をエッチングによって加工する際に、膜の種類に応じた複数のハードマスクで加工を行いながら、工程数の増加を抑えることができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a print wiring board having opposite surfaces covered with solder masks, the print wiring board being able to prevent the generation of a dent in an external connection terminal or a bond finger part even when the print wring board has small thickness.例文帳に追加

基板の両面にソルダーマスクが被覆されたプリント配線板において、プリント配線板の厚みが小さくても外部接続端子やボンドフィンガーの部分において凹みの発生を防止できるプリント配線板を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the mask part 1 masks the parallel signal 3 up to the bit position shown by the fed-back position signal 6 at a signal level designated by the level designating signal 8 at output timing of the detecting signal 7 and outputs the mask signal 5.例文帳に追加

一方、マスク部１は、検出信号７の出力タイミングにレベル指定信号８が指定する信号レベルで、フィードバックされた位置信号６が示すビット位置まで並列信号３をマスクして、マスク信号５を出力する。 - 特許庁

After a dummy side wall 8 is formed on the side surface of the mask 4, etching is performed by using the mask 4 and the side wall 8 as masks, and a trench 9 being in contact with the side surface of the Si layer 2 is formed.例文帳に追加

活性領域形成用マスク４の側面にダミーサイドウォール８を形成した後、活性領域形成用マスク４およびダミーサイドウォール８をマスクとしてエッチングを行い、Ｓｉ層２の側面に接するトレンチ９を形成する。 - 特許庁

To provide a wet etching process which improves the anisotropic diffusion speed of an etchant existing on the surfaces of metallic electrodes in order to narrow the pitch of the terminals of the wet etching process and to manufacture lead frames of higher fineness and shadow masks of super-high fineness.例文帳に追加

ウエットエッチング法の端子ピッチの狭ピッチ化、微細化のリードフレームや、超高精細シヤドウマスク製造するため、金属極表面に存在するエッチング液の異方性拡散スピードの向上するエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus for designing mask patterns designs the masks used in the production of the semiconductor devices which are different in size to each other and the mask patterns are designed in such a manner that all of the several kinds of mask patterns are equipped to each semiconductor device.例文帳に追加

互いに大きさが異なる半導体装置の製造に用いられるマスクのマスクパターン設計装置であって、いくつかの種類のマスクパターンの全てが各半導体装置に備えられるように、マスクパターンを設計する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device and a method for manufac turing the same which enable reduction in a cost and simplification of the process by forming a plurality of patterns on the same substrate and minimizing the number of masks required in the patterning.例文帳に追加

本発明は、複数のパターンを同一基板上に形成し、前記パターン時要求されるマスクの数を最小化してコスト減少及び工程を簡素化するための液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method includes a step of carrying out ion implantation for a plurality of times by using a plurality of ion implantation masks whose main mask 23 is coupled by a bridge 24 and which includes an opening 25 corresponding to a part of an annular region to which ion implantation should be performed.例文帳に追加

主マスク部２３がブリッジ部２４で連結されて、イオン注入すべき環状の領域の一部に相当する開口部２５を有した複数のイオン注入用マスクを用いて、複数のイオン注入を行う工程を有する。 - 特許庁

The plurality of masks 11 for selective growth, which are formed on the substrate 1 for growth, have a circular or polygonal shape and also have their peripheries formed in an island shape enclosed with the substrate 1 for growth.例文帳に追加

成長用基板１上に形成される選択成長用マスク１１は、円形状又は多角形状の形状を有しており、選択成長用マスク１１の周囲が成長用基板１で囲まれた島状に複数形成されている。 - 特許庁

In the second step, an active radiation is projected successively through a plurality of masks 935 having openings 9351 of different shapes, so as to gradually change the integrated light amount of the active radiation 930.例文帳に追加

ここで、第２の工程において、活性放射線９３０の積算光量が徐々に変化するように、開口９３５１の形状が異なる複数枚のマスク９３５を順次介して活性放射線９３０を照射する。 - 特許庁

Contact holes 3 and 13 are formed, in such a way that the forming positions of the holes 3 and 13 are made to deviate by the forming deviations of etching masks, and the edge sections of isolation oxide films 21 are etched, and in addition, caused over-etching.例文帳に追加

コンタクトホール３および１３は、エッチングマスクの形成ずれになどによって、コンタクトホールの形成位置がずれ、分離酸化膜２１の端縁部をエッチングするようにコンタクトホールが形成され、さらにオーバーエッチングを起こしている。 - 特許庁

Masks 11 for selective growth and an AlN buffer layer 2 are formed on a substrate 1 for growth, and further a non-doped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order.例文帳に追加

成長用基板１上に選択成長用マスク１１及びＡｌＮバッファ層２が形成され、さらにノンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

In an aligner that performs tact conveyance of the beltlike work 12 by a specified feed quantity to transfer patterns of masks 18 and 19 to the work sent to an exposure position P through exposure, the work 12 is conveyed nearly perpendicularly.例文帳に追加

帯状のワーク１２を所定の送り量でタクト搬送して、露光位置Ｐに送られた前記ワークにマスク１８，１９のパターンを露光転写するようにした露光装置において、前記ワーク１２を略鉛直方向に搬送する。 - 特許庁

Fashionable masks 13, 30, 35, and 40 set with handkerchief cloths 17, 32, 37, and 42 are respectively provided with the corresponding replacement sheets 63 which are impregnated with the water-type moisturizing liquid in the form of mist 72 sprayed from a bottle 75 with a nozzle 74.例文帳に追加

ハンカチ布１７、３２、３７、４２とセットのおしゃれマスク１３、３０、３５、４０に対応の取り替えシート６３を取付け、このシートにノズル７４をつけたボドル７５から噴霧するミスト７２状のウォータタイプ保湿液７３を含浸させる。 - 特許庁

In the second and following steps, gaps between masks and the substrates are widened by a second prescribed distance shorter than the first prescribed distance before stepwise movement in the XY direction of the substrates, and gap adjustment is performed after stepwise movement in the XY direction of the substrates.例文帳に追加

２回目以降のショットでは、基板のＸＹ方向へのステップ移動前に、マスクと基板とのギャップを第１の所定距離より短い第２の所定距離だけ広げ、基板のＸＹ方向へのステップ移動後に、ギャップ合わせを行う。 - 特許庁

When the two masks 4, 7 are illuminated, the aberration of the projection optical system 15 is measured on the basis of the positional relationship between individual pattern images projected from the lattice pattern groups 8, which are formed below the image surface 18 through the projection optical system 15.例文帳に追加

２枚のマスク４，７を照明したときに、投影光学系１５によって像面１８よりも下方に形成される２次元格子パターン群８の投影像の各パターン像の位置関係から、投影光学系１５の収差を求める。 - 特許庁

In this etched metal sheet for shadow masks, a protrusion 18, for protecting a remaining part 17a at the skirt portion side produced by tearing off a half etched line 17 from impacts, is formed near the remaining part 17a to have a height larger than a height e of the remaining part 17a by extending the skirt portion.例文帳に追加

ハーフエッチング線１７のスカート部側破断残部１７ａの近傍に、スカート部側破断残部を衝撃から保護する凸部１８をスカート部側破断残部の高さｅより高く、スカート部を延長して設けたこと。 - 特許庁

This pattern can be used to create an optical phase standard for calibrating phase metrology equipment for attenuated phase masks or as a witness pattern on a product mask, to verify the phase accuracy of that mask.例文帳に追加

このパターンは、減衰位相マスク用の位相測定装置を較正するために、またはそのマスクの位相精度を確かめるための製品マスク上の証明パターンとして、光学位相標準を作るために使用することができる。 - 特許庁

According to the method, since the silicon oxide film containing no boron and phosphorus can be used as the hard etching masks 3a, there is no contamination by boron and phosphorus, and a rinsing is not required for removing the residual of the compounds of boron and phosphorus after an etching.例文帳に追加

この方法では、ホウ素や燐を含まないシリコン酸化膜をハードエッチングマスク３ａとして使用できるため、ホウ素や燐の汚染がないことや、エッチング後のホウ素や燐の化合物の残渣除去のためのリンスが必要ない。 - 特許庁

To provide a relatively inexpensive composite sheet material having excellent processability, extensibility, air permeability, flexibility, and pleasant texture, which is most suitable as material for underwears or sanitary products such as dust masks and disposable paper diapers.例文帳に追加

比較的安価であり、肌衣や、防塵マスク、使い捨て紙おむつ等の衛生用品のような製品の材料に最適な、加工が容易で、伸張性、通気性、柔軟性に優れ、肌ざわりのよいシート材料である複合体を提供する。 - 特許庁

A control part 9 controls a mask driving mechanism 11 and moves the beam masks 7 on both sides so that the irradiation range of an electron current 3 agrees with the irradiation range L of an irradiation object 8 inputted from an input means 12.例文帳に追加

制御部９は電子流３の照射範囲が入力手段１２から入力された被照射物８の照射範囲Ｌに一致するように、マスク駆動機構１１を制御して両側のビームマスク７を移動させる。 - 特許庁

This glass cutting unit contains a glass substrate 100, lamps 101 set over the glass substrate 100, light insulating masks 103 set between the glass substrate 100 and the lamps 101, and a jig 104 set under the glass substrate 100.例文帳に追加

ガラス基板１００と、ガラス基板１００の上部に設置されたランプ１０１と、ガラス基板１００とランプ１０１の間に設置された遮光マスク１０３と、ガラス基板１００の下に設置されたブレーク治具１０４とを含む。 - 特許庁

The influence of an optical proximity effect is eliminated by utilizing different phase shift masks 10, 12 depending on the distances W1, W2 between the adjacent patterns, and then introducing the optimum exposing condition for the respective distances W1, W2.例文帳に追加

隣接パターン間距離Ｗ１，Ｗ２に応じて異なる位相シフトマスク１０，１２を用い、それぞれの隣接パターン間距離Ｗ１，Ｗ２に最適な露光条件を採ることにより、光近接効果の影響が排除される。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

An AND circuit 307 ANDs an output of the comparator circuit 306 and a slice detection result of the detection circuit 301 and masks an enable signal indicating a valid/invalid signal, on the basis of a system clock according to the result.例文帳に追加

ＡＮＤ回路３０７で、比較回路３０６の出力と検出回路３０１のスライス検出結果との論理積がとられ、その結果に基づき、システムクロックに基づき信号の有効／無効を指示するイネーブル信号をマスクする。 - 特許庁

A side wall spacer 16 is formed on an end face on the cell-section side of the oxide film 10, and a metallic silicide layer 44 is formed in a self-alignment manner while using the side wall spacer 114 for a gate electrode and the side wall spacer 16 for the oxide film 10 as masks.例文帳に追加

酸化膜１０のセル部側の端面にサイドウォールスペーサ１６を形成し、ゲート電極のサイドウォールスペーサ１１４と酸化膜１０のサイドウォールスペーサ１６とをマスクとして金属シリサイド層４４を自己整合的に形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit capable of more reducing the number of manufacturing masks at a novel mask manufacturing when an IC designing/manufacturing by a master slice method is applied, and to provide a reticle and a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

マスタスライス方式によるＩＣ設計／製造を適用する際、新規マスクセット作製時の製作マスク枚数をより削減できる半導体集積回路の製造方法及びレチクル及び半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

Under this arrangement, the semiconductor substrate can be minutely processed by the unit of atoms, and element separation or the like on the semiconductor substrates becomes possible based on coordinates whose origin can be set at a fixed location, so that masks become unnecessary and therefore lithography and etching become unnecessary.例文帳に追加

すると、半導体基板を原子単位で微細加工でき、所定の場所を原点とした座標に基づいて半導体基板における素子分離等ができるので、マスクが不要となってリソグラフィーやエッチングが不要となる。 - 特許庁

To provide an abrasive which is suitable for surface flattening of electronics materials such as semiconductor bases, photo masks, bases for various memory hard discs, etc., yield a highly precise finished surface, generates little pitching and allows efficient polishing.例文帳に追加

半導体基板、フォトマスク、各種メモリーハードディスク用基板等の電子機器材料の表面平坦化加工に好適で、高精度の仕上げ面を得られ、ピッチングの発生が少なく、効率的に研磨を行なうことができる研磨剤の提供。 - 特許庁

In this manufacturing method, a second polysilicon layer 18 and an ONO insulating film 16 are etched by using mask insulating films 20a, 20b as masks, and a control gate 18a, a second gate electrode 18b and gate insulating films 16a, 16b are formed.例文帳に追加

マスク絶縁膜２０ａ、２０ｂをマスクとして用いて、第２ポリシリコン層１８とＯＮＯ絶縁膜１６とをエッチングして、コントロールゲート１８ａ及び第２ゲート電極１８ｂと、ゲート間絶縁膜１６ａ、１６ｂを形成する。 - 特許庁

In this case, the management computer 21 specifies digits sequentially from the highest digit as a variable digit for changing the number and masks the numeric character of the variable digit to extract allocatable number data matching the lottery number in other digits.例文帳に追加

この場合には、管理コンピュータ２１は、数字を変更する違い桁として最上桁から順番に特定し、この違い桁の数字をマスクし、他の桁の宝くじ番号が一致する割当可能番号データを抽出する。 - 特許庁