「MASKS」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

In an exposure device, a plurality of different masks (OPC mask or phase shift mask) corresponding to the pattern P1 are prepared, and a reticle is selected as capable of imprinting a device pattern accurately based on a measurement inspecting result of reticle pattern or measurement inspecting result of wafer pattern.例文帳に追加

露光装置では、パターンＰ１に相当する複数の異なるマスク（ＯＰＣマスク又は位相シフトマスク）が用意されており、レチクルのパターンの測定検査結果やウエハのパターンの測定検査結果などに応じて、デバイスパターンを精度良く転写することが可能なレチクルを選択する。 - 特許庁

Since the grid pattern of each division is subjected to boundary treatment, pattern elements are connected on both sides of a splitting line, thereby, when mutually complementary masks are switched in the exposure, even if a relative displacement occurs, a poor exposure hardly occurs due to the spreading of the width of space.例文帳に追加

各分割領域の格子パターンに対し境界処理が行われているので、分割線の両側でパターン要素が接続され、これにより、露光において互いにコンプリメンタリーなマスクを切り替えた場合、相対的な位置ずれが生じても、スペース幅が広がることによる露光不足が生じ難い。 - 特許庁

In the electronic device manufacturing device 10, vapor deposition masks used for mask vapor deposition at organic film vapor deposition chambers 66R, 66G, 66B are to be returned from a most downstream side organic vapor deposition chamber 66B to a most upstream side organic vapor deposition chamber 66R via a vapor deposition mask return passage 75.例文帳に追加

電子デバイス製造装置１０では、有機膜蒸着室６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂでのマスク蒸着に用いた蒸着マスクについては、蒸着マスク返却路７５を介して、最下流側の有機膜蒸着室６６Ｂから最上流側の有機膜蒸着室６６Ｒに戻す。 - 特許庁

Japan's Asuka period wooden Buddhas and giraku masks were almost without exception made from the wood of Japan's indigenous camphor tree and the fact that the Koryu-ji Temple statue is the only example in Japan of a piece made from red pine became the basis of the theory that it came from the Korean Peninsula. 例文帳に追加

日本の飛鳥時代の木彫仏、伎楽面などの木造彫刻はほとんど例外なく日本特産のクスノキ材であるのに対し、広隆寺像は日本では他に例のないアカマツ材製である点も、本像を朝鮮半島からの渡来像であるとする説の根拠となってきた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide an active matrix type display device having a pixel structure in which the arrangement of a pixel electrode, a gate wiring and a source wiring which are formed in a pixel part is made suitable and also a high apperture ratio is realized without increasing the number of masks and the number of processes.例文帳に追加

画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate equipped with a thin film transistor in which a drain electrode to be worked from the lamination of metallic layers in upper and lower layers containing aluminum is also used as a reflecting electrode, and the contact resistance of a drain electrode and a pixel electrode is low without adding the number of masks.例文帳に追加

アルミを含んだ上層と下層金属層との積層から加工されるドレイン電極は反射電極を兼ねており、しかも、ドレイン電極と画素電極とのコンタクト抵抗が低い薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタアレイ基板をマスク枚数を追加することなく提供する。 - 特許庁

Then, impurities of first and second conductivity types are implanted into the surface of the substrate in respective regions by using the first sidewall and the gate electrode as masks to form a first impurity diffused layer, and impurities of second and first conductivity types are implanted to form an impurity diffusion preventing layer.例文帳に追加

そして、第１側壁及びゲート電極をマスクとして、各領域の基板表面にそれぞれ、第１、第２導電型の不純物を注入し、第１不純物拡散層を形成し、それぞれ、第２、第１導電型の不純物を注入して、不純物拡散防止層を形成する。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

After a polysilicon layer 14 is formed on a semiconductor substrate 10 through a gate insulating film 12, an interlayer insulating film of silicon oxide, etc., is formed on the layer 14 and insulating films 16a and 16b are left by wet-etching the interlayer insulating film by using resist layers 18a and 18b as masks.例文帳に追加

半導体基板１０上にゲート絶縁膜１２を介してポリシリコン層１４を形成した後、層１４の上にシリコンオキサイド等の層間絶縁膜を形成し、レジスト層１８ａ，１８ｂをマスクとするウェットエッチングにより層間絶縁膜を加工して絶縁膜１６ａ，１６ｂを残す。 - 特許庁

The beverage sufficiently masks a sulfur smell and a hot taste (irritation) of ALA by mixing with the branched CD component, sufficiently dissolves ALA due to remarkably high solubility of branched CD itself than that of CD, is sold on the market and has no turbidity.例文帳に追加

分岐ＣＤ成分を配合することにより、ＡＬＡのイオウ臭や辛味（刺激）を十分にマスキングでき、しかも、分岐ＣＤ自身の溶解性がＣＤに比べて顕著に高いため、ＡＬＡを十分に溶解させることができ、上市可能な濁りのない飲料とすることができる。 - 特許庁

A noise mask section 15 detects a maximum value of the fluctuation of digital signals in a blanking period of analog video input signals as a noise level value, determines a value that is not lower than the noise level value, as a mask signal value and masks noise components included in the digital signals by the mask signals.例文帳に追加

ノイズマスク部１５は、アナログ映像入力信号のブランキング期間におけるディジタル信号の変動の最大値をノイズレベル値として検出し、ノイズレベル値以上の値をマスク信号値として決定し、ディジタル信号に含まれるノイズ成分をマスク信号によってマスクする。 - 特許庁

The mask holder 6 has a mask insertion port 8 through which the plurality of masks are inserted, a mask housing part 9 provided continuously to the mask insertion port 8, and a through window 7 for exposing the mask which exposes at least a part of the opening to the outside of the mask holder.例文帳に追加

そして、マスクホルダー６は、複数枚のマスクをその内部に挿入する為のマスク挿入口８と、マスク挿入口８に連設されたマスク収納部９と、開口部の少なくとも一部をマスクホルダーの外側に露出させるマスク露出用の貫通窓７とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which enables transfer with higher precision ultra-fine resist pattern by reducing light reflectivity of lower-layer metal and secures selection ratio of masks and metal to form ultra-fine metallizing by implementing the metal etching via a hard mask of an oxide film.例文帳に追加

下地メタルの光反射率を低減させて微細なレジストパターンを高精度に転写すると共に、メタルエッチングを酸化膜のハードマスクを介して実施することでマスクとメタルのエッチング選択比を確保して微細なメタル配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This hard mask is constituted by overlapping a first hard mask 32 formed in a direction parallel to an element formation region 17 with a second hard mask 34 formed in a direction intersecting the element formation region 17, these hard masks being manufactured at the other lithography steps, respectively.例文帳に追加

このハードマスクはそれぞれ別のフォトリソグラフィ工程により作製され、素子形成領域１７と平行な方向に形成された第１のハードマスク３２と、素子形成領域１７と交差する方向に形成された第２のハードマスク３４との重ね合わせで構成されている。 - 特許庁

A plurality of kinds of masks are prepared and applied so that a plurality of patterns for image evaluation are formed in a recording medium, and on the basis of the plurality of patterns for image evaluation, a mask to be applied when an image is formed by multi-scanning recording is selected.例文帳に追加

複数種類の前記マスクを用意し、これらを適用して複数の画像評価用パターンを記録媒体に形成させ、当該複数の画像評価用パターンに基づいて、マルチスキャン記録による画像形成を行う際に適用するマスクが選択されるようにする。 - 特許庁

A mask processing part D102 masks a first alarm not to let it take place if an alarm has been taking place that has a higher priority level than the first alarm when the first alarm whose status has changed from not taking place to taking place is detected in the interrupt detection part D101.例文帳に追加

マスク処理部D102は、割り込み検出部D101において状態が未発生から発生中に変化した第１のアラームが検出されたとき、この第１のアラームよりも優先度が高いアラームが発生中であれば、上記第１のアラームをマスクしてその状態を未発生にする。 - 特許庁

The film-thickness measuring apparatus S is provided with a monitoring-board holding means 6 which is provided with the plurality of monitoring boards 8, masks 9 which shield the monitoring boards 8 partially, a projection means 10 which is used to measure the thin films formed on the monitoring boards 8, and a light receiving means 10.例文帳に追加

この膜厚測定装置Ｓは、複数のモニタ基板８を備えるモニタ基板保持手段６と、モニタ基板８を部分的に遮蔽するマスク９と、モニタ基板に成膜された薄膜の膜厚を測定するための投光手段１０、受光手段１０と、を備える。 - 特許庁

(Deposited at the Nara National Museum) Wooden sitting statue of Shaka Nyorai (previously from Sashizu-do Hall), wooden sitting statue of Miroku Butsu (previously from Hokke-do Hall), wooden sitting statue of Amida Nyorai (previously from Kanjinsho Office), wooden standing statue of Jini Shinsho (previously from Tennoden [The Guatdian Kings Hall]), wooden standing statue of Jizo Bosatsu by Kaikei (previously from Kokei-do Hall), bronze boat-shaped halo (from the back of the principal image in Nigatsu-do Hall), bronze statue of Cintamari-cakra (manifestation of Avalokitesvara) in semi-lotus position (Bosatsu in semi-lotus position), wooden standing statue of Jikokuten (Dhrtarāstra), wooden standing statue of Tamonten (Deity who hears much), 29 wooden Gigaku-men masks, 1 dry-lacquer Gigaku-men mask, 9 wooden Bugaku-men masks, wooden lion head, wooden sitting statue of Enmao (the lord of death) and wooden sitting statue of Taizanfukun (Chinese deity of Mt. Taizan) 例文帳に追加

（奈良国立博物館寄託）木造釈迦如来坐像（旧所在指図堂）木造弥勒仏坐像（旧所在法華堂）木造阿弥陀如来坐像（旧所在勧進所）木造十二神将立像（旧所在天皇殿）木造地蔵菩薩立像・快慶作（旧所在公慶堂）銅造舟形光背（二月堂本尊光背）銅造如意輪観音半跏像（菩薩半跏像）木造持国天立像木造多聞天立像木造伎楽面29面・乾漆伎楽面1面木造舞楽面9面木造獅子頭木造閻魔王坐像・木造泰山府君坐像 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A node-to-node synchronizing apparatus 300 for synchronization between nodes accepts a mask generation request for requesting generation of process location information (masks) showing the location state of each process which participates in waiting of synchronization from each of the processes in a computer node 100 which participates in the waiting of synchronization before accepting a synchronization request for requesting waiting of synchronization.例文帳に追加

ノード間同期装置３００は、同期の待ち合わせを要求する同期リクエストを受け付ける前に、同期の待ち合わせ参加する計算機ノード１００内のプロセスの各々から、同期の待ち合わせ参加する各プロセスの配置状況を示したプロセス配置情報（マスク）の生成を要求するマスク生成リクエストを受け付ける。 - 特許庁

Furthermore, in the etching method, reactive gases corresponding to the respective membranes of the masks may be prepared in advance and discharged continuously in a switching manner as well as reactive gas-soluble liquid may be provided in the atmosphere of the reactive gases.例文帳に追加

また、上記課題を解決するためのエッチング方法としては、各マスクの膜質に対応した反応性ガスを予め用意し、前記反応性ガスを連続して切り替えて吐出すると共に、当該反応性ガス雰囲気中に前記反応性ガスを溶解可能な液体を供給することを特徴とするものであっても良い。 - 特許庁

After the first mask pattern 320A is removed, the substrate 300 is etched simultaneously in the first region A and second region B by using the first spacer 350A as an etching mask in the first region A, and by using the second mask pattern 320B and second spacer 350B as etching masks in the second region B.例文帳に追加

第１マスクパターン３２０Ａを除去した後、第１領域Ａでは、第１スペーサ３５０Ａをエッチングマスクとして利用し、第２領域Ｂでは第２マスクパターン３２０Ｂ及び第２スペーサ３５０Ｂをエッチングマスクとして利用して第１領域Ａ及び第２領域Ｂで同時に基板３００をエッチングする。 - 特許庁

To obtain a method for correcting mask patterns by which the CAD processing time for performing light proximity effect correction of inputted design patterns is reduced, the increase in number of basic figures, when the corrected data is converted into EB data is suppressed and the generation of false defects during the step for inspecting photo masks is suppressed.例文帳に追加

入力された設計パターンに対して光近接効果補正を行う場合のＣＡＤ処理時間を短縮し、補正後のデータをＥＢデータに変換した場合の基本図形数の増加を抑制し、またフォトマスク検査工程における疑似欠陥の発生を抑制するマスクパターン補正方法を提供する。 - 特許庁

When an interruption state flip-flop becomes high and an interruption terminal becomes low (an interruption signal is generated) on the basis of the occurrence of an interruption factor, a CPU accepts (clears) this interruption, masks a new interruption factor for a fixed period and does not assert the interruption terminal even though the interruption factor newly takes place.例文帳に追加

割り込み要因の発生に基づき割り込み状態フリップフロップがＨｉになり割り込み端子がＬｏｗになる（割り込み信号を発生する）と、ＣＰＵがこの割り込みを受け付け（クリア）した後、一定期間、新たに割り込み要因が発生したとしても、これをマスクして割り込み端子をアサートしない。 - 特許庁

A cerium compound 36 is deposited on the surface, when the chromium layer formed on a n-type amorphous silicon layer 32 is etched with the etching solution using resist patterns 34 and 35 as masks, to form a drain electrode 18 and a source electrode 19 of a thin film transistor as a switching element of a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置のスイッチング素子としての薄膜トランジスタのドレイン電極１８およびソース電極１９を、ｎ型アモルファスシリコン層３２上に成膜されたクロム層をレジストパターン３４、３５をマスクとしてクロムエッチング液を用いてエッチングして形成すると、表面にセリウム化合物３６が沈着する。 - 特許庁

Then, the masks 20 are removed in (d), copper is plated on the surface of the intermediate copper plated layer 21 by performing a second plating process, copper is plated in a thin film form on the part, corresponding to a connection edge part 14a on the surface of the conductor pattern 12, and a copper plated electrode 14 is formed in (e).例文帳に追加

次に、マスク２０を除去し（ｄ）、第２のめっき工程を実行することにより、中間銅めっき層２１の表面に更に銅めっきを形成すると共に、導体パターン１２の表面のうち接続端部１４ａに対応した部分に銅めっきを薄膜状に形成し、銅めっき電極１４を形成する（ｅ）。 - 特許庁

Continuously, a second resist pattern 20 is formed over the Si substrate 10, and with the first and second resist patterns 16 and 20 as masks, impurity ions 22 are implanted in the Si substrate 10 with efficiently high energy for forming an impurity-ion- implanted layer 24 at a specified depth D in the Si substrate 10.例文帳に追加

続いて、Ｓｉ基板１０上に第２のレジストパターン２０を形成し、第１及び第２のレジストパターン１６、２０をマスクとして十分に高いエネルギーでＳｉ基板１０に不純物イオン２２を注入して、Ｓｉ基板１０中の所定の深さＤに不純物イオン注入層２４を形成する。 - 特許庁

A signal receiving device equipped with a plurality of receiving means sets a period up to specified timing as an unstable part and masks a set unstable part when a digital signal received by a receiving means has a number larger than a specified number of leading edges or trailing edges within a specified period.例文帳に追加

複数の受信手段を備えた信号受信装置において、受信手段により受信されるデジタル信号について所定時間内に所定数以上の立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジが存在する場合に、所定タイミングまでの期間を不安定部分として設定し、その設定された不安定部分をマスキング処理する。 - 特許庁

In the process (a), a distance from an arbitrary point in each unit mask to the end of the unit mask is set in a scattering distance or less at a time when specified ions are implanted to the silicon carbide by the specified implanting energy, and the implanting mask is formed so as to have a plurality of regions having different sizes and spaces in layouts in the unit masks.例文帳に追加

工程（ａ）では、単位マスク内の任意の点から単位マスクの端までの距離を、所定の注入エネルギーで所定のイオンを炭化珪素に注入した場合の散乱距離以下とし、単位マスクの寸法と配置間隔が異なる複数の領域を持つように注入マスクを形成する。 - 特許庁

Heater members 80 including low resistivity heater layers 80a and high resistivity cap layers 80b are arranged, and conductive electrode films 120 are formed thereon, and conductive bumps 84a, 84b are formed on these electrode films by plating, then the unnecessary electrode films 120 are removed by taking the bumps 84a, 84b as masks.例文帳に追加

比抵抗の低いヒータ層８０ａと比抵抗の高いキャップ層８０ｂとを含むヒータ部材８０を設け、その上に導電性の電極膜１２０を形成し、その上にめっきにより導電性のバンプ８４ａ，８４ｂを形成し、バンプ８４ａ，８４ｂをマスクとして不要な電極膜１２０を除去する。 - 特許庁

To provide a tiling method, a tiling exposure mask and a method for producing a multi-layer wiring board by using them in which intra-plane pattern densities on the front side and the rear side of a tiling substrate can be made uniform and the number of the exposure masks to be used can be decreased when producing the multi-layer wiring board by tiling.例文帳に追加

多層配線板を多面付けで作製する際多面付け基板の表裏の面内パターン密度を均一化し、且つ露光マスクの使用枚数を減少できる多面付け方法、多面付け露光マスク及びそれらを用いた多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The pattern molding method includes; a step (S 140) of applying resists on a plurality of small molds marked with the masks or the micro-patterns, a step (S 150) of pressing the plurality of small molds and imprinting the micro-pattern of a curing resist, a step of curing the resist and a step (S 170) of releasing the plurality of small molds from the resist.例文帳に追加

マスクまたは微細パターンの刻印された複数の小型モールドに、レジストを塗布する段階と、前記複数の小型モールドを加圧し、前記レジストに微細パターンをインプリンティングする段階と、前記レジストを硬化する段階と、前記複数の小型モールドを前記レジストから離型する段階とを含む。 - 特許庁

To enhance uniformity of film thickness distribution on a plurality of substrate faces in a vacuum vapor-deposition method in which an organic electroluminescent element is fabricated by using a mask for vapor-depositing the substrate and pixel pattern, and using a mask holder and a vapor deposition source provided with alignment mechanism in order to carry out positioning of the substrates and the masks.例文帳に追加

基板と画素パターンを蒸着するためのマスクと、基板とマスクの位置合わせをするためのアライメント機構を備えたマスクホルダと蒸着源とを用いて、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する真空蒸着方法において、複数個の基板面内上での膜厚分布均一性を高める。 - 特許庁

The heat radiation sheet comprises a base material of which at least a surface is conductive, an insulating layer which masks a part of the base material surface, and a columnar high heat conduction phase formed on a conductive base material surface which is not masked by the insulating layer, and the insulating layer includes an adhesive layer.例文帳に追加

放熱シートにおいて、少なくとも表面が導電性である基材と、該基材表面の一部をマスキングしている絶縁層と、該絶縁層によりマスキングされていない導電性の基材表面に形成された柱状の高熱伝導相とを有し、該絶縁層が粘着層を有することを特徴とする。 - 特許庁

A representative characteristic quantity calculation means 20 calculates a representative characteristic quantity for each local characteristic quantity image using a series of results of sum-of-product calculations obtained by shifting and/or changing distribution of a mask or masks which are previously related to a type of the local characteristic quantity image or images, in the corresponding local characteristic quantity image.例文帳に追加

代表特徴量算出部２０は、局所特徴量画像の種類ごとに予め定められた種類のマスクを、その局所特徴量画像上で走査および／または分布変更して得られた一連の積和演算結果を用いて、局所特徴量画像ごとに代表特徴量を算出する。 - 特許庁

An image-displaying device 10, which can be connected to a processor, includes: a display part 102 having a display module 102A for displaying images and masks, which cover the images, and a touch panel 102B for detecting touch positions indicating positions which a user touches; and a display-controlling part 101 for controlling the display part 102.例文帳に追加

プロセッサと接続可能な画像表示装置１０は、画像および画像を覆うマスクを表示するための表示モジュール１０２Ａ、ならびにユーザに触られた位置を示すタッチポジションを検出するためのタッチパネル１０２Ｂを有する表示部１０２と、表示部１０２を制御するための表示制御部１０１と、を備えている。 - 特許庁

The mask processing part 23 computes the relative bearing of each GPS satellite with respect to the traveling direction of the navigation apparatus 10 and the angle of elevation of each GPS satellite, on the basis of received radio signals and masks each GPS satellite, on the basis of the computed relative bearing and the computed angle of elevation so as not to be used for positioning computations.例文帳に追加

マスク処理部２３は、受信無線信号に基づいて、ナビゲーション装置１０の進行方向に対する各ＧＰＳ衛星の相対方位と、各ＧＰＳ衛星の仰角とを算出し、算出された相対方位及び仰角に基づいて当該各ＧＰＳ衛星を測位算出に使用しないようにマスクする。 - 特許庁

To provide a material that is mixture of a minute electric current emitting mineral, carbon aceous material such as charcoal, tourmaline, and various types of ceramics and performs emitting the minute electric current, emitting a far infrared ray, emitting a minus ion, and absorbs, decomposes, or masks an odor or a poisonous gas that is considered to affect a human body.例文帳に追加

微弱電流放出鉱石と、木炭等の炭素含有物、トルマリン、各種セラミック等を混合し、微弱電流放出と、遠赤外線放出、マイナスイオン放出、更には、臭気や人体に悪影響を及ぼすとされる有害ガス等を吸着、分解もしくはマスキングさせる素材の提供。 - 特許庁

An insulating substrate 2 is fixed to a fixing jig 1 so that the surface of copper foil 3 may be exposed, and while the insulating substrate 2 is still fixed to the fixing jig 1, the copper foil 3 is etched using resist patterns 4a, 4b and 4c as masks, thus forming wiring patterns 3a, 3b and 3c on the insulating substrate 2.例文帳に追加

銅箔３の表面が露出するようにして絶縁性基材２を固定治具１に固定し、絶縁性基材２を固定治具１に固定したまま、レジストパターン４ａ、４ｂ、４ｃをマスクとして銅箔３をエッチングすることにより、絶縁性基材２上に配線パターン３ａ、３ｂ、３ｃを形成する。 - 特許庁

To prevent an increase in a manufacturing cost and an increase in the manufacturing cost in terms of mass production of masks by eliminating the need for fresh addition of a stage for utilizing the vapor of a solution essentially consisting of hydrofluoric acid or the vapor of the hydrofluoric acid after forming recessed parts of shifter parts by dry etching and eliminating the need for respective stages for etching, washing and drying.例文帳に追加

シフター部の凹部をドライエッチングで形成後、新たに、フッ酸を主成分とする溶液の蒸気又はフッ酸蒸気を利用し工程が加わる事になり、エッチング、洗浄、乾燥の各工程が必要になって、製造コストの上昇をきたし、マスク量産性の面で製造コストが高くなる。 - 特許庁

A method for recording holographic media and/or holographic master data masks includes recording at least a first hologram or information layer with a first holographic medium (e.g., a "submaster") and recording at least a second information layer with a second holographic medium (e.g., a second "submaster").例文帳に追加

ホログラフィック媒体および／またはホログラフィックマスタデータを記録する方法は、少なくとも第一のホログラムまたは第一のホログラフィック媒体（例えば、「サブマスタ」）を用いて情報レイヤを記録することと、少なくとも第二のホログラフィック媒体（例えば、第二の「サブマスタ」）を用いて第二の情報レイヤを記録することとを含む。 - 特許庁

Grooves 2a are formed in device isolation regions in a substrate 1 by dry etching using silicon nitride films 14 and side wall spacers 16 as masks.例文帳に追加

窒化シリコン膜１４とサイドウォールスペーサ１６とをマスクにしたドライエッチングによって、素子分離領域の基板１に溝２ａを形成した後、窒化シリコン膜１４の側壁のサイドウォールスペーサ１６を除去し、次いで、基板１を熱酸化することによって、活性領域の周辺部の基板１の表面をラウンド加工し、凸状の丸みが付いた断面形状とする。 - 特許庁

To provide a polycarbonate resin molded article using an inorganic ultraviolet light absorber that efficiently masks an ultraviolet light and a visible light in short-wavelength ranges while maintaining visible light transmission and does not need a surface treatment process of fine particle, sunglasses using the molded article, lenses for goggles etc.例文帳に追加

可視光線の透過を維持しつつ、紫外線、および可視光線の短波長領域を効率良く遮蔽出来ると伴に、微粒子の表面処理工程を必要としない無機系紫外線吸収剤を用いたポリカーボネート樹脂成形体、当該成形体を用いたサングラス、ゴーグル用レンズ、等を提供する。 - 特許庁

To provide a low acceleration voltage ion beam projection aligner as an ion beam proximity projection exposure system for solving the problem of increase in the scale of an optical system, the decrease in resist sensitivity at a high acceleration voltage, and the problem of damage in masks and wafers in the ion beam projection aligner using the conventional high-acceleration ion beam.例文帳に追加

従来の高加速イオンビームを用いるイオンビーム露光装置における、光学系の大規模化の問題、また高加速電圧ではレジスト感度が低いことや、マスクやウェハの損傷の問題を解決するため、イオンビーム近接投影露光方式として低加速電圧のイオンビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

Mask identification marks 109 contained with the information on the kinds of the masks, lot numbers, etc., by the formation of carbon material patterns by irradiation with an FIB the formation of dye material patterns by an ink jet method, or the deposition of seals previously formed with the patterns are annexed outside the arrangement regions of the resist patterns 102 on a resist mask substrate 101.例文帳に追加

レジストマスク基板１０１上のレジストパターン１０２の配置領域外に、ＦＩＢ照射によるカーボン材パターン形成、インクジェット法による染料剤パターン形成によって、あるいは予めパターン形成されたシールの被着によって、マスクの種類，ロット番号等の情報が入ったマスク識別マーク１０９を付設する。 - 特許庁

A cell selection threshold based on a state of cell detection and cell level measurement and which is obtained from a cell management part 104a managing a cell detection part 102 and a cell level measurement part 103 is outputted to a cell selection part 105a, which masks a cell level measurement value from the cell level measurement part 103 according to the information on the cell selection threshold.例文帳に追加

セル検出部１０２及びセルレベル測定部１０３を管理するセル管理部１０４ａより得られるセル検出及びセルレベル測定の状態に応じたセル選択閾値をセル選択部１０５ａに出力し、セル選択部１０５ａはその情報を元にセルレベル測定部１０３からのセルレベル測定値にマスクをかける。 - 特許庁