「MASKS」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

At first he was a craftsman for dyeing goods at a Koya dye shop but later became a disciple of Toyokuni UTAGAWA the first, and although he had a good talent which was said to exceed his master, in the end he retired to run a business for selling the masks of Kabuki actors and died young. 例文帳に追加

初めは紺屋の染物職人であったが、初代歌川豊国の門下となり師を超えると言われた才能を持ちながら、最期は引退、歌舞伎役者の仮面売りを営み早世。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

2. Equipment designed to be capable of manufacturing masks, semiconductor devices or integrated circuits, among those using electron beams, ion beams or laser beams, those that fall under any of the following 例文帳に追加

（二）　マスク、半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いた装置のうち、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

Also, the offshoot of the Mochizuki clan which ruled 'Mochizukinomaki', a Maki thought to have been the head of Juroku (one of the Noh drama masks which features a boy) Maki, became Omimochizuki clan, the head of Koga Gojyusanke (Koga 53 families)(Koga ninja families). 例文帳に追加

また信濃十六牧の筆頭とされる「望月の牧」を支配した望月氏の支流は、飼養牧のあった甲賀の地で甲賀五十三家（甲賀流忍者）筆頭の近江望月氏となる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A standoff space of components on a board can be markedly increased, by selectively omitting or selectively removing solder masks under a component package.例文帳に追加

ボード上の構成要素のスタンドオフ空間は、構成要素パッケージの下にあるはんだマスクを選択的に省略することによって、または選択的に除去することによって、著しく拡大することができる。 - 特許庁

To eliminate or reduce contaminating a photosensitive surface of a substrate by falling of particulates onto a substrate, when a mask is loaded, which mechanically masks the substrate and forms an region excluded from exposure.例文帳に追加

基板を機械的にマスクして露光除外領域を形成するマスクをロードする際に基板に微粒子が落下して基板の光感応性表面を汚染することを除去または軽減する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus with a mask positioning mechanism for directly locating a substrate and masks by a CCD camera, and performing the positioning with high accuracy when the mask is positioned.例文帳に追加

マスクの位置合せに際し、ＣＣＤカメラによる基板及びマスクの直接読み取りを可能として、高精度での位置合せを行うことができるマスク位置合せ機構付き成膜装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, P-type impurity ions 8 for element-isolating memory cells are implanted using the gate electrode 3 and the side wall oxide film 7 as masks for the formation of P-type impurity regions.例文帳に追加

その後、ゲート電極３及びサイドウォール酸化膜７をマスクとしてメモリセルの素子分離のためのＰ型不純物のイオン注入８をすることによって、Ｐ型不純物領域９を形成する。 - 特許庁

After pocket regions 20 and 22 are formed by ion implantation process with the insulating film 12 and the electrode 16 as masks, the electrodes 16 and 18 are covered to form an insulating layer 26 by a CVD method, etc.例文帳に追加

絶縁膜１２及び電極１６をマスクとするイオン注入処理によりポケット領域２０，２２を形成した後、電極１６，１８を覆って絶縁層２６をCVD法等により形成する。 - 特許庁

To avoid the need to relate the origins of apparatuses which measure heights of substrates or masks on a plurality of stations in a lithographic projection apparatus having a plurality of substrate tables or mask tables.例文帳に追加

複数の基板テーブルまたはマスクテーブルがあるリソグラフィ投影装置に於いて、複数のステーションでこの基板またはマスクの高さを測定する装置間の原点を関係付ける必要をなくすること。 - 特許庁

In this exposure method, multiple exposures of mask pattern images are made on a prescribed position on a wafer by using plural masks having the same mask pattern, and a desired circuit pattern is obtained.例文帳に追加

本発明の露光方法では、同一のマスクパターンを有する２枚以上複数枚のマスクを用いて、ウェハ上の所定の位置にマスクパターン像を多重露光し、所望の回路パターンを得ることを特徴とする。 - 特許庁

The flying toner particle is photographed two times with a prescribed time interval, a plurality of shapes of particles is extracted from one of the two obtained still picture images, and masks are prepared to correspond respectively thereto.例文帳に追加

飛翔するトナー粒子の撮影を所定の時間間隔をおいて２度行い、得られた二つの静止画像の一方から複数の形態の粒子と抽出し、それぞれに対応するマスクを作成する。 - 特許庁

When the initialization is completed, the CPU 33 masks the control signal output from the hardware control circuit 65 to the triac 43 and performs the software control of the triac 43 in place of the hardware control.例文帳に追加

初期化が終了すると、ＣＰＵ３３は、ハードウェア制御回路６５がトライアック４３へ出力する制御信号をマスクして、ハードウェア制御に代えてトライアック４３のソフトウェア制御を実行する。 - 特許庁

In drawing data D3, masks M having the same layout pattern P2 are designated by the same identifier id2, which reduces the burden of creating the drawing data D3.例文帳に追加

また、描画データＤ３中においても、同一のレイアウトパターンＰ２を有するマスクＭは同一の識別子ｉｄ２で指定されるため、描画データＤ３の作成にかかる負担も低減させることができる。 - 特許庁

Women, as well as boys and girls, may also perform the dance, in which case they may put on maetengan (a charm of the front of cap) with kazashi (snapped branch of flower or tree put in the hair or the cap) in it and wear stage makeup as in Kabuki dance, without wearing Bugaku masks. 例文帳に追加

女性や少年少女が舞う場合もあり、その場合は、舞楽面を着けずに山吹の挿頭花を挿した前天冠を着け、歌舞伎舞踊と同様の舞台化粧をする場合がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Multipleclients can select for the same events on the same window with the followingrestrictions: Multiple clients can select events on the same window becausetheir event masks are disjoint. 例文帳に追加

以下の制限付きで、複数クライアントが同じウィンドウの同じイベントを選択することができる。 \\(bu 5複数クライアントが同じウィンドウのイベントを選択できるのは、イベントマスクが互いに共通部分を持たないからである。 - XFree86

At the time of ritual of Denpo Kanjo in the Heian period, people who put on Juniten's masks and costumes appeared in the 'March of Juniten' but it was changed to Byobu of Juniten after medieval times. 例文帳に追加

平安時代の伝法灌頂の儀式の際には「十二天行道」として十二天の面をかぶり、装束を着けた人間が登場したが、中世以降は十二天屏風にとって代わられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a mask manufacturing system capable of suppressing detection of pseudo errors in the inspection step of mask patterns, where the error is negligible, when manufacturing a semiconductor device, and capable of reducing the time for developing masks.例文帳に追加

マスクパターンの検査工程において半導体装置製造時に無視可能な疑似エラーの検出を抑制可能で、かつマスク開発時間の短縮が可能なマスク製造システムを提供する。 - 特許庁

An opening 21K is provided at a part corresponding to the arrangement region of a common pad 12 provided on one face of a light transmission substrate 10 out of black masks 21 provided on one face of a light transmission substrate 20.例文帳に追加

光透過性の基板２０の一面に設けられたブラックマスク２１のうち、光透過性の基板１０の一面に設けられたコモンパッド１２の配設領域に対応する箇所に、開口２１Ｋを設ける。 - 特許庁

It outputs a low level of output signal b for a specified time from start of a timer 15 at start of a power unit, and masks the output of an alarm signal by the detection of short voltage at start.例文帳に追加

電源装置の起動時には、タイマ１５が起動から所定時間ローレベルの出力信号ｂを出力し、立ち上がり時の不足電圧検出によるアラーム信号の出力をマスクする。 - 特許庁

Even if structures are formed on a plurality of substrates, masks consistent with the substrates are not required, thus making it possible to prevent the substrate from being contaminated with fine particles reflected at sites other than the substrate.例文帳に追加

また、複数基材上に構造物を形成させる場合においても、基材に対応したマスクは必要なく、基材以外の箇所で反射した微粒子による基材の汚染を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a configuration and a method for manufacturing a liquid crystal device by which the number of processes or the number of masks required to manufacture a liquid crystal device having switching elements and storage capacitances can be decreased.例文帳に追加

スイッチング素子および保持容量を備えた液晶装置を製造するのに必要な工程数やマスク枚数を減らすことのできる構成、および液晶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The masks 23L, 23R include slits 24L, 24R opened along perpendicular directions of the reference lines 21L, 21R, and having respective widths wider than the reference lines 21L, 21R.例文帳に追加

マスク２３Ｌおよび２３Ｒは、基準線２１Ｌおよび２１Ｒの垂線方向に開いたスリット２４Ｌおよび２４Ｒであって、基準線２１Ｌおよび２１Ｒより幅広のスリット２４Ｌおよび２４Ｒを備える。 - 特許庁

With the detected positions of the reference marks 50, 51 as criteria, ultraviolet rays are radiated from mirrors 22, 23 onto a dry film resist layer 55, and marks drawn on photo-masks 24, 25 are printed on the dry film resist layer 55.例文帳に追加

該基準マーク５０、５１の検出位置を基準として、ミラー２２、２３から紫外線をドライフィルムレジスト層５５上に照射し、フォトマスク２４、２５に描かれたマークをドライフィルムレジスト層５５上に焼き付ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which suppresses the variation of the threshold of a gate electrode due to the fining without increasing the numbers of masks and processes such as lithography.例文帳に追加

マスク数やリソグラフィなどのプロセス数を増やすことなく、微細化に伴うゲート電極のしきい値のばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reflection mask capable of preventing decrease in the reflectance derived from the deposition of the oxide generated on the surfaces of a reflecting multi-layer film and a protective film in a process of manufacturing the masks.例文帳に追加

マスク製造過程で反射多層膜や保護層の表面に生成した酸化物等の堆積に由来する反射率の低下を防止することができる反射型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The pattern measuring device carries out exposure simulation on data of outlining the pattern edges of a first mask image and a second mask image formed based on charged particle beam irradiation on two masks used for double exposure, and superposes two outlines to which exposure simulation is performed, based on coordinate information of design data of the masks.例文帳に追加

上記目的を達成するために、以下に二重露光に用いられる２つのマスクに対する荷電粒子ビーム照射に基づいて、形成される第１のマスク画像と、第２マスク画像のパターンエッジを輪郭線化したデータについて、露光シミュレーションを実行し、当該露光シミュレーションが行われた２つの輪郭線を、前記マスクの設計データの座標情報に基づいて、重ね合わせるパターン測定装置を提案する。 - 特許庁

After an N type LDD region is formed by implanting N type impurities into the semiconductor layer using the first and second gate electrodes as masks (step S6), the N type LDD region is inverted into a P type high concentration impurity layer by implanting P type impurities into the region for forming the P type TFT using the first and second gate electrodes as masks (step S7).例文帳に追加

そして、第１のゲート電極と第２のゲート電極とをマスクにして半導体層にＮ型不純物を注入してＮ型ＬＤＤ領域を形成した後に（ステップＳ６）、Ｐ型ＴＦＴを形成すべき領域に第１のゲート電極と第２のゲート電極とをマスクにしてＰ型不純物を注入し、Ｎ型ＬＤＤ領域をＰ型高濃度不純物層に反転する（ステップＳ７）。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor laser where two stripe growth masks are formed on a semiconductor substrate and an optical waveguide of III-V compound semiconductor having double heterostructure is grown selectively in a region defined by the growth masks by organo- metallic VPE system, pressure of the V compound semiconductor is set in the range of 13.3-400 Pa.例文帳に追加

半導体基板上に２本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記Ｖ族の圧力を、１３．３Ｐａ乃至４００Ｐａとしたことを特徴とするものである。 - 特許庁

This method for detecting a line in an image includes using one or more masks for detecting lines in one or more directions within a first direction, a second direction perpendicular to the first direction, and third and fourth directions diagonal to the first and second directions, and further includes one or more additional masks for detecting lines in one or more added directions.例文帳に追加

画像中の線を検出する方法は、第１の方向と、第１の方向と直交する第２の方向と、当該第１の方向および第２の方向に対して斜めである第３の方向および第４の方向とのうち、１つまたは複数の方向の線を検出する１つまたは複数のマスクを用いることを含み、１つまたは複数の追加される方向の線を検出する１つまたは複数の追加マスクをさらに含む。 - 特許庁

As it became clear that workers at the TEPCO's Fukushima No.1 Nuclear Power Plant had used masks without radiation filter during their tasks on 13th, TEPCO was instructed to fully enforce appropriate use of the masks including in cooperative companies. (June 13, 2011)例文帳に追加

東電福島第一原発で13日の作業で労働者が使用するマスクにフィルターを付け忘れていたことを受け、東京電力に対し、マスクの適切な使用について協力会社を含め再度徹底するよう指導（平成23年6月13日）し、関係事業者に対し、有効な呼吸用保護具を労働者に着用させていなかった労働安全衛生法違反について富岡労働基準監督署長名で是正を勧告（平成23年6月22日）。 - 厚生労働省

When the transferred apparatus fault information does not reach the faulty apparatus 1 within a prescribed time, the faulty apparatus 1 discriminates it to be the faulty apparatus, and masks detection of input interruption so as to maintain interruption of the optical output.例文帳に追加

この転送された装置故障情報が、故障装置１に対して所定時間内に到達しなければ、装置故障であると判断して入力断検出をマスクして光出力断を維持するようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reflection-type exposure mask to give high contrast inspection images upon pattern inspection, and to give high contrast exposure images upon pattern transfer, making it possible to achieve highly reliable reflection-type masks.例文帳に追加

パターン検査の際には高コントラストの検査像が得られ、パターン転写の際には高コントラストの露光像が得られ、信頼性の高い反射型マスクを実現できる反射型露光マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

By the prescribed group, on the basis of control signals, an indeterminate mask device 230 masks shift registers 200 which output indeterminate values and individually releases the masking of shift registers 200 of which the failure values are masked.例文帳に追加

また、不定マスク器２３０は、制御信号に基づいて不定値を出力しているシフトレジスタ２００を所定のグループ単位でマスクするとともに、故障値をマスクされているシフトレジスタ２００へのマスクを個別に解除する。 - 特許庁

This material is produced for use in bridged shadow masks or aperture grilles and contains 0.01-0.1 mass% niobium, 0.004-0.02 mass% nitrogen, 0.02 mass% or less carbon, less than 0.6 mass% manganese, and the balance substantially iron.例文帳に追加

質量％にて、Ｎｂ：０．０１〜０．１％、Ｎ：０．００４〜０．０２％、Ｃ：０．０２％以下、Ｍｎ：０．６％未満、残部が実質的にＦｅからなる架張型シャドウマスク用素材あるいはアパーチャグリル用素材である。 - 特許庁

Two ball aligning masks 5, 7 with through-holes provided are provided at the position corresponding one-to-one to a solder ball mounting place of a package 1, and the upper ball aligning mask 7 is formed to be moved in a horizontal direction.例文帳に追加

パッケージ１の半田ボール搭載箇所と一対一に対応した位置に貫通孔設けた２枚のボール整列マスク５、７に設置し、上側ボール整列マスク７が水平方向移動できるような構造にする。 - 特許庁

Before a return from interrupt handling caused by the interrupt request generation by the module to the preceding processing, the first interrupt controller masks the interrupt request generation notification to the second interrupt controller.例文帳に追加

前記モジュールによる割り込み要求の発生に起因する割り込み処理から元の処理に復帰する前に、第１の割り込みコントローラに第２の割り込みコントローラへの割り込み要求発生の通知をマスクさせる。 - 特許庁

To reduce undercut caused by wet etching and to improve the working precision at the time of forming a surface wave element aluminum vapor deposition film or aluminum alloy vapor deposition film electrode by applying lithography technology to a thin film formed on the film surface on a substrate and executing etching with the formed resist pattern and a thin film fine pattern as masks.例文帳に追加

表面波素子、中でも表面波共振器電極形成プロセスでは、アルミニウム電極、アルミニウム蒸着膜厚が１μｍから２μｍで、線幅２μｍから５μｍに対して厚い。 - 特許庁

The image processor 16 masks a probe trace from the image including the electrode pad 52, and prepares the image whose probe trace is removed, and detects the position of the electrode pad from the image whose probe trace has been removed.例文帳に追加

画像処理プロセッサ１６は、電極パッド５２を含む画像の中からプローブ痕をマスクして、プローブ痕を除去した画像を作成し、このプローブ痕の除去された画像から電極パッドの位置を検出する。 - 特許庁

To provide screen printing equipment, in which snapping-off properties after pattern printing is improved irrespective of the sort of masks and consequently the development of poor printing can be suppressed, and its screen printing method.例文帳に追加

マスクの品種に関わりなくパターン印刷後の版離れ性を向上させて印刷不良の発生を抑制することができるスクリーン印刷装置及びスクリーン印刷方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent changes in characteristics of a thin film transistor by reducing the number of masks used for manufacturing a liquid crystal device and by allowing a color pigment to be electrodeposited without driving the thin film transistor.例文帳に追加

液晶表示装置の製造において使用するマスクの数を減少させ、かつ薄膜トランジスタを駆動せずにカラー顔料の電着が可能となるようにすることで薄膜トランジスタの特性変化を防止する。 - 特許庁

A second mask layer made of a second insulating film is formed on the side wall of the first mask layer, the conductive material film is etched with use of the first and second mask layers as masks to form the charge transfer electrode 8.例文帳に追加

さらに、第１マスク層の側壁に第２絶縁膜からなる第２マスク層を形成し、この第１マスク層および第２マスク層をマスクとして導電性材料膜をエッチングして、電荷転送電極８を形成する。 - 特許庁

A patterning process of the transparent electrode layer is performed by using a mask identical to a mask used in a process of patterning a second metal layer of a switch TFT and a process of patterning an ohmic contact layer, so that an FPD is manufactured without increasing the number of masks.例文帳に追加

更に、透明電極層のパターニング工程をスイッチＴＦＴ部の第２の金属層のパターニング／オーミックコンタクト層のパターニングの工程と同一マスクで行い、マスク枚数を増やさずにＦＰＤを製造する。 - 特許庁

In the sheet face masks, perforations are provided at predetermined intervals in a strip-shaped sheet body of a predetermined width with high water absorbability, such as paper or nonwoven fabric, and cuts are provided in a face form between adjacent perforations.例文帳に追加

紙、不織布等の含水性の高い所定幅の帯状シート体に、所定間隔ごとにミシン目が設けられていると共に、隣り合うミシン目間に顔型の切込みが備えられていることを特徴とする。 - 特許庁

First and second halftone phase shifting masks 10, 20 having light transmitting parts 12, 22 for holes corresponding to the above holes of the respective groups are used to expose one resist film twice for patterning.例文帳に追加

そして、各組に属するホールと対応するホール用透光部１２及び２２を有する第１及び第２のハーフトーン型位相シフトマスク１０及び２０を用いて同一のレジスト膜に対してパターン露光を２回行なう。 - 特許庁

A master mask having a pattern size larger than an objective mask is first produced, and a plurality of identical masks are produced from the master mask by reduced projection and subjected to a die-to-die comparison with one another.例文帳に追加

対象となるマスクよりも大きいパターンサイズを有するマスターマスクを先に製作し、マスターマスクから、縮小投影によって、複数の同じマスクを製作し、これらの間で、Ｄｉｅ ｔｏ Ｄｉｅ比較法を行う。 - 特許庁