「Memory Array」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

Picture data of respective 18 pixels, 4 pixels, 1 pixel of hierarchies 1-3 (8 bits data respectively) are stored in one part 160 of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの一部１６０ａには、階層１〜３の夫々１６画素、４画素、１画素の画像データ（夫々８ビットデータ）を記憶する。 - 特許庁

Embedding the array of fields into the same allocation decreases the number of allocations,improving the memory management efficiency.例文帳に追加

一連の複数のフィールドに対するアロケーション操作を一つにして埋め込むと、アロケーション回数が減り、メモリ管理の処理効率が向上します。 - Python

A wordline drive circuit 21 for driving each of wordlines (22a, 22b, 22c, 22d,...) is arranged in one direction only of single side of a memory cell array 10.例文帳に追加

各ワード線（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、・・・）をドライブするワード線ドライブ回路２１をメモリセルアレイ１０の片側一方向のみに配置する。 - 特許庁

To provide an information processor, an information processing method or the like, reducing an array (memory) in processing of accumulation information.例文帳に追加

累積情報を扱う際の配列（メモリ）を小さくすることができる情報処理装置及び情報処理方法等を提供する。 - 特許庁

By having a dummy cell array 201 arranged in a memory cell array 101, and an intermediate buffer 300 arranged between the dummy cell array and the input-output circuits 400, control signal of the input-output circuit 400 can be operated at a high speed and at a high frequency in the memory of a large bit width, while the effect of increasing area to the absolute minimum is suppressed.例文帳に追加

ダミーセルアレイ２０１をメモリセルアレイ１０１内に配置し、中間バッファ３００を入出力回路４００の間に配置することにより、ビット幅の大きなメモリにおいても面積増大効果を最小限に抑えつつ、入出力回路４００の制御信号を高速かつ高周波で動作させることを可能にする。 - 特許庁

This device is provided with plural disk array controllers 2 for controlling the recording and reproducing operation of data to a plurality of disk drives 8 corresponding to a command from a host device and controlling the input/output of reproduced data to the prescribed cache memory and each of these disk array controllers 2 is provided with one cache memory 4, which can be shared by each of relevant disk array controllers 2.例文帳に追加

上位装置からの指令により複数のディスクドライブ８に対するデータの記録再生動作を制御すると共に所定のキャッシュメモリに対する再生データの入出力を制御する複数のディスクアレイコントローラ２を備え、この各ディスクアレイコントローラ２に、当該各ディスクアレイコントローラ２が共用可能な一つのキャッシュメモリ４を併設することとした。 - 特許庁

Capacity information of other memory blocks 22-25 is written in a memory block 21 of a memory block array 15 having a plurality of memory blocks in which memory cells constituted of nonvolatile transistors are arranged respectively in a matrix state, it is read at batch erasure or at block erasure, and batch erasure or block erasure of memory blocks 22-25 are performed using read capacity information.例文帳に追加

不揮発性トランジスタによって構成されたメモリセルがそれぞれ行列状に配置された複数のメモリブロックを有するメモリブロックアレイ１５の内のメモリブロック２１に、他のメモリブロック２２〜２５の容量情報を書込んでおき、一括消去時またはブロック消去時にそれを読出して、読出した容量情報を用いて、一括消去またはメモリブロック２２〜２５のブロック消去を行うようにした。 - 特許庁

In a non-volatile semiconductor memory in which read-out operation from an arbitrary memory cell array block MA and write-in or erase operation of the other memory cell array block MA can be performed simultaneously on one chip, the device has a security function against illegal rewriting after data are written once, while the device can be provided with a memory cell array block MA storing the information requiring no rewrite.例文帳に追加

任意のメモリセルアレイブロックＭＡからの読み出し動作と、他のメモリセルアレイブロックＭＡの書き込みまたは消去動作とを１チップ上において同時に実行できる不揮発性半導体記憶装置１において、ライトステートマシン（ＷＳＭ）７によってブロックロック設定部Ｌにブロックロック（ロックビット）を設定することで、１回データを書き込んだ後の不正書き換えに対するセキュリティ機能を有すると共に書き換えを必要としない情報を格納するメモリアレイブロックＭＡを設けることができる。 - 特許庁

In this semiconductor memory device, a load voltage correction circuit 12 corrects load voltage input from a load voltage signal line 13 in accordance with output of a dummy cell array 11 in which rewriting operation of the almost same number of times of rewriting as the number of times of rewriting of a memory cell array 16m are performed.例文帳に追加

この半導体記憶装置によれば、負荷電圧補正回路１２は、メモリセルアレイ１６ｍの書換え回数と略同じ回数の書換え動作が行われているダミーセルアレイ１１の出力に応じて、負荷電圧信号線１３から入力される負荷電圧を補正する。 - 特許庁

Thus, the influence of a short circuit of a word line and a bit line caused at one side of a memory array side is transmitted to the other side of the memory cell array side by controlling the operation timing of the bit line separation signal by an external signal, defective bit lines of the shared sense amplifier can be detected.例文帳に追加

このように、ビット線分離信号の動作タイミングを外部信号によって制御することにより、一方のメモリセルアレイ側で発生したワード線とビット線とのショートの影響が他方のメモリセルアレイ側にも伝わり、シェアードセンスアンプの両側のビット線不良を検出することが可能となる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device including a cell array or a word line driver constituted to suit high integration, and a word line driving method and a driving method for reading/writing data in a semiconductor memory device constituted of the cell array.例文帳に追加

高集積化に適合するように構成されたセルアレイまたはワードラインドライバを備えた強誘電体メモリ装置と、前記セルアレイから構成された半導体メモリ装置においてワードラインドライバ駆動方法及びデータのリード/ライトを行うための駆動方法を提供することにある。 - 特許庁

When matching is determined by the repair determination circuit RJ0, the access control circuit AC selects any of the memory array ARY0 or ARY1 in accordance with an external signal CX13T<1:0> which is input to the access control circuit AC, and selects the spare area 110 included in the selected memory array ARY for access.例文帳に追加

アクセス制御回路ＡＣは、救済判定回路ＲＪ０により一致判定がなされたときには、CX13T<1:0>にしたがってメモリアレイＡＲＹ０、ＡＲＹ１のいずれかを選択し、選択した側のメモリアレイＡＲＹに含まれる予備領域１１０をアクセス先として選択する。 - 特許庁

When the memory cell array U is accessed, the reference cell RCELLL is selected; when the potential of the bit line BITLn is reduced to an L level, a pre-charge signal PCGU becomes the L level, a read operation from the memory cell array U is stopped, and the next precharging is performed.例文帳に追加

メモリセルアレイＵがアクセスされるときには、リファレンスセルＲＣＥＬＬＬが選択され、ビット線ＢＩＴＬｎの電位がＬレベルに低下すると、プリチャージパルス信号ＰＣＧＵがＬレベルになり、メモリセルアレイＵからの読み出し動作が停止するとともに次のプリチャージが行われる。 - 特許庁

The method includes: a step for partitioning information into two or more information chunks; and a step for programming one of the information chunks into a memory array while concurrently determining whether a particular cell of the memory array is to be set or reset to program a subsequent one of the information chunks.例文帳に追加

二以上の情報チャンクに情報を区分するステップと、後続する前記情報チャンクの一つをプログラムするように、メモリアレイの特定のセルをセットするかリセットするかについて同時に決定する間に、前記情報チャンクの一つをメモリアレイにプログラムするステップとを具備する。 - 特許庁

Prior to the execution of copying, a host 1 instructs a disk array device 11 to collect the information of a control memory 7 concerning the state of a logical volume 10 as a target, and the disk array device reads the information of the control memory 7, and reports information concerning the logical volume 10 as a target to the host 1.例文帳に追加

ホスト１はコピー実行前に、ターゲットの論理ボリューム１０の状態を、制御メモリ７の情報の採取を、ディスクアレイ装置１１に指示し、ディスクアレイ装置は、制御メモリ７の情報を読み取り、ターゲットの論理ボリューム１０に係る情報をホスト１に報告する。 - 特許庁

The parallel bit test method includes a step in which the test data are stored in the test data storage section, a step in which the test data and the inverted data of the test data are written in the memory cell array and a step in which decision is made to determine whether the data read from the memory cell array are the same as the test data and their inverted data or not.例文帳に追加

並列ビットテスト方法は、テストデータ貯蔵部にテストデータを貯蔵する段階、メモリセルアレイにテストデータやその反転されたデータをライトする段階、メモリセルアレイから読取りしたリードデータが前記テストデータやその反転されたデータと同じであるかを判断する段階を含む。 - 特許庁

A control circuit 104 receives a request for rewriting data; and when the volume of rewritten data is not larger than the capacity of the ferroelectric memory array 113, the rewritten data is written in the ferroelectric memory array 113 by the control circuit 104.例文帳に追加

そして、制御回路１０４によって、データの書き換えの要求を受け付けるとともに、該制御回路１０４により、書き換えデータの容量が強誘電体メモリアレイ１１３の容量以下の場合には強誘電体メモリアレイ１１３に対して該書き換えデータを書き込む。 - 特許庁

A bank division is performed by separating a main bit line MBL of a memory cell array 1 to an upper part and a lower part in the midst, sense amplifier circuits 2a and 2b connected respectively to the main bit lines MBL being divided in two are arranged at both end parts of bit line direction of the memory cell array 1.例文帳に追加

バンク分割は、メモリセルアレイ１のメインビット線ＭＢＬをその途中で上下に分離することにより行われ、メモリセルアレイ１のビット線方向の両端部に、二分されたメインビット線ＭＢＬにそれぞれ接続されるセンスアンプ回路２ａ及び２ｂが配置される。 - 特許庁

The page mode write-in means is provided with one latch per one column of a non-volatile memory array, and a control logic circuit outputting a row selecting signal in accordance with contents of the temporary storage device at a stage at which a column of the non-volatile memory array is written, in order to storing page selection information elements.例文帳に追加

ページモード書込み手段は、ページ選択情報要素を記憶するために不揮発性メモリアレイ１列当たり１つのラッチ及び不揮発性メモリアレイの列を書込む段階で一時記憶装置の内容に応じて行選択信号を出力する制御論理回路を備える。 - 特許庁

A switching circuit 7 is provided between a row decoder 6 and a memory cell array 1 and a decision can be made whether a fault detected through test is present in a row decoder or a memory cell array by switching a word line 3 selected by the row decoder 6.例文帳に追加

行デコーダーとメモリセルアレイとの間に切り替え回路を設け、行デコーダで選択されたワード線の切り替えを行うことにより、テストにおいて検出された行選択線不良の故障箇所の範囲が行デコーダなのか、又はメモリセルアレイの内部であるのかを特定することができる。 - 特許庁

A memory cell array is configured three-dimensionally by arranging a plurality of memory cells comprising a transistor formed on a semiconductor substrate and a variable resistor element connected between the source and drain terminals of the transistor and the resistance value of which varies at voltage application in the longitudinal direction and in an array.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたトランジスタと前記トランジスタのソース・ドレイン端子間に接続された電圧印加によって抵抗値が変化する可変抵抗素子とを備えてなるメモリセルを縦方向、さらにアレイ状に複数個配置して３次元的にメモリセルアレイを構成する。 - 特許庁

Only a first level shift circuit LSI out of two kinds of level shift circuits is arranged at a local word drive line driving circuit LWD being near from a memory cell array MCA, a second level shift circuit LS2 is arranged at a global word drive line driving circuit GWD being far from the memory cell array MCA.例文帳に追加

メモリセルアレイＭＣＡから近い、ローカルワードドライブ線駆動回路ＬＷＤには、二種類のレベルシフト回路のうちの第１のレベルシフト回路ＬＳ１のみを配置し、第２のレベルシフト回路ＬＳ２をメモリセルアレイＭＣＡから離れたグローバルワードドライブ線駆動回路ＧＷＤに配置している。 - 特許庁

An input circuit 240 for inputting a signal thereto, a memory array 260 for holding data, and a peripheral circuit 250 for controlling this memory array are driven by the internal power from internal power source circuits 220, 270, and an output circuit for outputting a signal is driven by an external power source 210.例文帳に追加

信号が入力される入力回路２４０、データを保持するメモリアレイ２６０、このメモリアレイを制御する周辺回路２５０は内部電源回路２２０、２７０からの内部電源によって駆動し、信号を出力する出力回路は外部電源２１０によって駆動する。 - 特許庁

An input circuit 240 in which a signal is inputted, a memory array 260 which holds data and a peripheral circuit 250 which controls the memory array are driven by internal power sources from internal power source circuits 220, 270 and an output circuit which outputs the signal is driven by an external power source 210.例文帳に追加

信号が入力される入力回路２４０、データを保持するメモリアレイ２６０、このメモリアレイを制御する周辺回路２５０は内部電源回路２２０、２７０からの内部電源によって駆動し、信号を出力する出力回路は外部電源２１０によって駆動する。 - 特許庁

To solve problems that a simultaneous write access to a number of memory cells connected in parallel in a data line direction, i.e. multiplex selection, is inhibited as a memory function, and in a memory array of the above constitution, a write access time is long and test time cannot be shortened.例文帳に追加

データ線方向に並列に多数接続されたメモリセルへの同時書込みアクセス、すなわち、セル多重選択は、メモリ機能的に禁止であり、前記のような構成のメモリアレイでは、書込みアクセスが長く、テスト時間の短縮が図れない。 - 特許庁

A memory cell array 1 of a nonvolatile semiconductor memory includes a memory cell region 100, in which an electric writing and an erasing are made possible, a region 101, in which no writing is made possible (always erasing), and a region 102, in which an erasing is made impossible (always writing).例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置におけるメモリセルアレイ１は、電気的に書込と消去とが可能なメモリセル領域１００と、書込不可能な（常時消去）領域１０１と、消去不可能な（常時書込）領域１０２とを含む。 - 特許庁

The memory cell array of the non-volatile semiconductor memory comprises a plurality of gate electrodes arranged in rows, bit lines D1, D2, D3, and D4 and source lines S1, S2, S3, and S4 which are arranged in columns, and memory cells having a floating gate.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイは、行方向に配置された複数のゲート電極と、列方向に配置されたビット線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４とソース線Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と、フローティングゲートを有するメモリセルとを備えている。 - 特許庁

To provide a inexpensive semiconductor storage by enabling replacing a defective memory cell of a memory cell array by a redundant memory cell having small scale, and increasing the number of redundant relievable addresses, in a semiconductor storage provided with redundant relieving function.例文帳に追加

冗長救済機能を備えた半導体記憶装置において、小さな規模での冗長メモリセルでメモリセルアレイの不良メモリセルの置き換えを可能とすると共に、冗長救済可能アドレス数を増加させて、安価な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes the sense amplifier, a plurality of memory cell arrays, a shared MOS transistor for connecting or disconnecting bit lines provided in the sense amplifier and the memory cell array, and a control circuit for controlling the operation of shared MOS transistor.例文帳に追加

半導体記憶装置は、センスアンプと、複数のメモリセルアレイと、センスアンプとメモリセルアレイが備えるビット線間を接続または切断するためのシェアードＭＯＳトランジスタと、シェアードＭＯＳトランジスタの動作を制御するための制御回路とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a plurality of memory cells each composed of a memory transistor having a floating gate electrode FG and a control transistor connected to the memory transistor in series are arranged in an array shape in X and Y directions on the main surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

フローティングゲート電極ＦＧを有するメモリトランジスタとこのメモリトランジスタに直列に接続された制御トランジスタとで構成されたメモリセルを、半導体基板の主面にＸ方向およびＹ方向にアレイ状に複数配列させる。 - 特許庁

The semiconductor memory has a memory array constituted of two or more piled-up middle memory column units MM constituted of a column unit M group consisting of two or more adjoining column units, and units of Y decoder means K connected to this column unit M group.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、隣接する複数のコラム単位から成るコラム単位Ｍ群と、このコラム単位Ｍ群に接続するＹデコーダ手段Ｋの単位とで構成する中メモリコラム単位ＭＭが複数積み重なって構成するメモリアレイを有する。 - 特許庁

In the peripheral section of the MTJ memory cell array 10 in which formal MTJ memory cells MC for storing data are arranged in a queue, shape-dummied cells SDC which are designed to have the same dimension and structure as the memory cells MC have are further provided.例文帳に追加

データ記憶を実行する正規のＭＴＪメモリセルＭＣが行列状に配置されるＭＴＪメモリセルアレイ１０の周辺部において、ＭＴＪメモリセルの同様の寸法および構造で設計された形状ダミーセルＳＤＣがさらに設けられる。 - 特許庁

The memory cell array that can reduce the influence of the signals of nonselected memory cells connected to the readout-side bit line of a selected memory cell can be provided by providing a plurality of bit lines which are connected conventionally to the source regions without making the bit lines common.例文帳に追加

従来、ソース領域に接続されているビット線を共通化せず複数設けることにより、選択したセルの読み出し側のビット線に接続されている非選択セルの信号の影響を小さくすることができるセルアレイを提供できる。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit for a memory cell array arranged in a matrix, capable of accurately reading a data value stored in each memory cell even when noise is applied, and to provide a semiconductor memory device including the sense amplifier.例文帳に追加

ノイズが印加されたとしても各メモリセルに記憶されているデータ値を的確に読み出して出力することができるマトリクス状に配列されたメモリセルアレイに対するセンスアンプ回路及びそれを有する半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes word lines WLj and bit lines BLi which are formed to cross each other, and a memory cell array including memory cells MC disposed at crossing sections of these lines and configured by connecting diodes DI and variable resistors VR in series.例文帳に追加

互いに交差するように形成されたワード線ＷＬｊ及びビット線ＢＬｉと、これら配線の各交差部に配置され、ダイオードＤＩと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

A data input circuit 4 writes the data into the nonvolatile memory cell of the memory cell array 1 to be selected by an address decoder 2, and at this time, the input data D0-D7 from the writing data control circuit 3 or the aforementioned fixed data are written into the nonvolatile memory cell.例文帳に追加

データ入力回路４は、アドレスデコーダ２で選択されるメモリセルアレイ１の不揮発性メモリセルにデータを書き込むが、その際に書き込みデータ制御回路３からの入力データＤ０〜Ｄ７または上記の固定データを書き込む。 - 特許庁

This device is provided with a memory cell array 1 in which memory cells storing fuse data are arranged, a register 8 for fuse storing fuse data read out from the memory cell and a reference voltage circuit 9 consisting of a differential amplifier for generating reference voltage.例文帳に追加

ヒューズデータが記憶されているメモリセルが配置されているメモリセルアレイ１と、メモリセルから読み出したヒューズデータを格納するヒューズ用レジスタ８と、差動増幅器を有して構成された、基準電圧を発生する基準電圧回路９とを具備する。 - 特許庁

Consequently, the wiring length of a bit line in a memory array is shortened and load capacity is reduced, and at the same time, the current consumption can be made constant in data reading or writing from/to memory cells of a variety of addresses within the memory.例文帳に追加

このようにすることで、メモリアレイにおけるビット線の配線長を短縮し、負荷容量を軽減すると同時に、メモリ内のあらゆるアドレスのメモリセルに対するデータ読み出しもしくは書き込みにおいて、消費電流を一定にできる。 - 特許庁

The memory cell array is provided with a first memory cell area where data are written according to whether or not electrons 90 are injected into a floating gate 29 of a memory transistor 23 and a second memory cell area where data are written according to whether or not a p-type impurity area 55 functioning as a channel area is formed in a memory transistor 43.例文帳に追加

メモリセルアレイは、メモリトランジスタ２３のフローティングゲート２９に電子９０が注入されるか否かでデータの書き込みが行われる第１のメモリセル領域と、メモリトランジスタ４３にチャネル領域として機能するｐ型の不純物領域５５が形成されるか否かでデータが書き込まれる第２のメモリセル領域とを有している。 - 特許庁

A data holding characteristic is improved by providing a non- volatile memory group 40 for reference of which a characteristic is inferior to a non-volatile memory in a memory cell array, and rewriting data accumulated in a non-volatile memory by a control circuit 44 based on a referred result of the non-volatile memory group 40 for reference.例文帳に追加

メモリセルアレイ内の不揮発性メモリ（７）に比して特性の劣る参照用の不揮発性メモリ群（４０）を設けて、前記参照用の不揮発性メモリ群（４０）の参照結果に基づいて、制御回路（４４）により前記不揮発性メモリ（７）に蓄積されたデータを再書き込みすることで、データ保持特性の向上を図るものである。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory circuit includes a write-in control part in which when input data provided from a memory cell array and the outside are compared with cell data written in the memory cell array and write-in operation is controlled, voltage of the cell data is varied by adjusting respectively voltage distributed in accordance with a level of the input data.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体メモリ回路は、メモリセルアレイ及び外部から提供された入力データ及び該当メモリセルアレイに書き込まれているセルデータを比較して書き込み動作を制御する時、前記入力データのレベルに応じて分配される電圧を異に調整することによって前記セルデータの電圧を可変させる書き込み制御部を備える。 - 特許庁

The NAND flash memory is provided with: a memory cell array 11 comprised of first, second, and third NAND blocks BK1, BK2, BK3 disposed in order in a first direction; first and second transfer transistor blocks 21 disposed in order in the first direction at a second direction crossing the first direction of the memory cell array 11.例文帳に追加

本発明の例に係わるＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、第１方向に順番に配置される第１、第２及び第３ＮＡＮＤブロックＢＫ１，ＢＫ２，ＢＫ３から構成されるメモリセルアレイ１１と、メモリセルアレイ１１の第１方向に交差する第２方向の一端において第１方向に順番に配置される第１及び第２転送トランジスタブロック２１とを備える。 - 特許庁

This memory includes an array of magnetic memory cells 40 to 43, each containing a data memory layer (data layer) having an easy axis and an array of conductors 20, 21, 30, 31, each having an orientation angle with respect to the easy axis selected in advance, so as to increase a semi- selection margin HM in the magnetic memories 10, 40.例文帳に追加

磁化容易軸を有するデータ記憶層（データ層６２）を各々が含んでいる磁気メモリセル（４０〜４３）のアレイと、磁気メモリ（１０，４０）における半選択マージンＨ_Mを増大するように予め選択されている前記磁化容易軸に対する配向角度を各々が有している導体（２０，２１、３０，３１）のアレイとをそれぞれ具備する。 - 特許庁

In this refresh control method of a graphics memory provided with a memory cell array 50 which is separated into a frame buffer area 40 performing a screen refresh operation and a DRAM refresh data storage area 42 performing a DRAM refresh operation, the memory array of the DRAM refresh data storage area 42 other than the frame buffer area 40 is refreshed in accordance with a DRAM refresh control signal REF.例文帳に追加

スクリーンリフレッシュ動作を行うフレームバッファ領域４０とDRAMリフレッシュ動作を行うDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２に分離されたメモリセルアレイ５０を具備したグラフィックメモリ装置のリフレッシュ制御方法であって、DRAMリフレッシュ制御信号ＲＥＦに応じてフレームバッファ領域４０を除いたDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２のメモリセルアレイをリフレッシュする。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with: a memory cell array 1100 in which signal sampling data continuous in time is selectively inverted and stored in advance; and data inversion processing section 1300 for inverting and outputting one of the plurality of data based on the plurality of data read from the memory cell array over a plurality of continuous cycles in a predetermined address sequence.例文帳に追加

時間的に連続した信号のサンプリングデータが予め選択的に反転されて記憶されたメモリセルアレイ（１１００）と、所定のアドレスシーケンスにおける連続した複数のサイクルにわたって前記メモリセルアレイから読み出された複数のデータに基づき該複数のデータの何れかを反転して出力するデータ反転処理部（１３００）とを備える。 - 特許庁