「Memory Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a display apparatus which enables a cabinet having the same shape to be commonly used among display apparatus having functions different from each other, and the availability of a voice memory to be immediately recognized, and the mounting position of a card type recording medium to be immediately found even from the front face.例文帳に追加

装置の機能が異なっても同形状のキャビネットを共通に使用でき、しかもボイスメモリが可能であることがすぐわかり、カード型記録媒体の装着位置が正面からでもすぐわかる表示装置を提供する。 - 特許庁

A HUB controller and a flash memory connected thereto are included as standard-equippment in an inside of a casing, a second slot is provided in a position opposed to the slot provided in the existing EXPRESS card, and a substrate type USB storage device is composed to be inserted and extracted.例文帳に追加

カード筐体内部にHUBコントローラとそれに接続されたフラッシュメモリを標準装備しておくとともに、既存のEXPRESSカードが有するスロットと対抗する位置に第2のスロットを設けて、基板型USBストレージデバイスを挿抜可能に構成する。 - 特許庁

To provide a test circuit capable of confirming whether desired TDM data is normal or not without rearranging the TDM data stored in a memory in a multiplexed format, such as a concentrated arrangement type and a distributed one.例文帳に追加

集中配置型及び分散配置型などの多重化形式でメモリ内に格納されているＴＤＭデータを配置し直すことなく、所望のＴＤＭデータが正常であるか否かを確認することが可能な試験回路を提供する。 - 特許庁

At the time of mounting the damping force control type hydraulic buffer 5 on a suspension control system, the damping force characteristic data are read from the attached recording medium 10 by a data reading and transferring device, and recorded in the non-volatile memory of a controller.例文帳に追加

減衰力調整式油圧緩衝器5をサスペンション制御システムに装着する際、データ読込転送装置によって、添付された記録媒体10から減衰力特性データを読込み、コントローラの不揮発メモリに記憶する。 - 特許庁

To provide a headphone type video camera that realizes a small-sized camera imposing little burden on a user carrying the camera by making full use of a small-sized semiconductor memory card and that can pick up a video image of an object and reproduce the video image while the user wears the camera on its head.例文帳に追加

半導体メモリカードのサイズの小ささを十分に生かし、携帯するにも負担のない小型であって、頭に装着したまま被写体の映像を撮影し再生できるヘッドホン型ビデオカメラを提供する。 - 特許庁

The image input device 10 can automatically send the specified image to the empty space memory of the pocket telephone 25 by recognizing automatically a type of the pocket telephone 25 when a connector 28 is connected to the pocket telephone.例文帳に追加

また、画像入力装置１０は、コネクタ２８が携帯電話器２５に接続されると、携帯電話器２５の機種を自動認識して指定された画像データを携帯電話器２５のメモリの空きスペースに自動的に転送することができる。 - 特許庁

To provide a synchronous type semiconductor memory in which the current consumption of a write-in data input circuit in a receiving state of each instruction at the time of active state of a device can be reduced without changing a command system and without increasing the number of terminals.例文帳に追加

デバイスのアクティブ時における各命令受け付け状態での書き込みデータ入力回路消費電流の削減を、コマンド体系の変更や端子増加なしに可能にする同期型半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To employ a low-cost reading method, in relation to a magnetic wall movement type storage device equipped with a memory wire formed of a ferromagnetic material, storing information by presence of a magnetic wall, and moving the magnetic wall by being supplied with a movement current.例文帳に追加

本件は、強磁性材料からなり、磁壁の有無による情報を記憶するとともに移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線を備えた磁壁移動型ストレージデバイスに関し、低コストの読出方式を採用する。 - 特許庁

To attain the high speed of a synchronous DRAM(dynamic type random access memory) or the like by suppressing the generation of hot carriers in a data input buffer and a data output buffer or the like without incurring an access delay especially at the munimum side of an external power source voltage VDD.例文帳に追加

特に外部電源電圧ＶＤＤのミニマム側でのアクセス遅延を招くことなく、データ入力バッファ及びデータ出力バッファ等におけるホットキャリアの発生を抑制し、シンクロナスＤＲＡＭ等の高速化を図る。 - 特許庁

The memory control part 123 is equipped with an LED type judgment part 243 which switches a generation pattern of a write address used in a write address generating part 205, and a generation pattern of a read address used in a read address generating part 247.例文帳に追加

メモリ制御部１２３は、書込アドレス生成部２０５において用いる書込アドレスの生成パターンおよび読出アドレス生成部２４７において用いる読出アドレスの生成パターンを切り換えるＬＥＤタイプ判断部２４３を備える。 - 特許庁

A voltage monitoring IC 45 reads the current-voltage characteristics of any one kind of a glow-start, a rapid-start, or an inverter type fluorescent lamp from a memory 44, determines a corresponding amount of current, and instructs an LED driver IC 34.例文帳に追加

電圧監視用IC４５は、グロースタート形、ラピッドスタート形、インバーター形蛍光灯のいずれか１種類について、その電流電圧特性をメモリ４４から読み出し、これに相当する電流量を求めLEDドライバーIC３４に指示する。 - 特許庁

To read the stored data of a memory cell transistor 10 having a floating gate, this device is provided with a single gate-type reference transistor 20, a differential sense amplifier 30, and a gate voltage generating circuit 40 for generating the gate voltage of the reference transistor 20.例文帳に追加

浮遊ゲートを有するメモリセルトランジスタ１０の記憶データをリードするために、シングルゲート型のリファレンストランジスタ２０と、差動センスアンプ３０と、リファレンストランジスタ２０のゲート電圧を生成するためのゲート電圧発生回路４０とを設ける。 - 特許庁

Each sector of an AND type flash memory 1 is divided into data sector DS to be accessed when no defect occurs, spare sector SS for substituting a defective sector and table sector TS showing the correspondence of both the sectors DS and SS.例文帳に追加

ＡＮＤ型のフラッシュメモリ１の各セクタは、不良が発生していない場合にアクセスされるデータセクタＤＳと、不良セクタを代替するスペアセクタＳＳと、両セクタＤＳ・ＳＳの対応を示すテーブルセクタＴＳとに分けられる。 - 特許庁

To enable sharing a row decoder decoding an address of a bock being an object of write-in and erasure of data by a plurality of memory cell arrays, in a NAND type EEPROM.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭにおいて、データの書き込みおよび消去の対象となるブロックのアドレスをデコードするロウデコーダを、複数のメモリセルアレイで共有できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

The split gate type memory device is provided with a gate insulating film formed on a semiconductor substrate, and a spacer-like floating gate and a spacer-like dummy pattern which are formed on the gate insulating film with their curved surfaces on the outside and are separated from each other.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリ素子は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、曲面が外側に向き、互いに離隔されているスペーサ状浮遊ゲート及びスペーサ状ダミーパターンとを備える。 - 特許庁

This absolute value calculating circuit of difference is incorporated in a all parallel type associative memory as a unit comparison circuit UC, and all output of the absolute value calculating circuit of difference of W pieces are inputted to a weight comparing circuit and processed.例文帳に追加

そこで、この差の絶対値計算回路をユニット比較回路ＵＣとして全並列型連想メモリに組み込み、Ｗ個の差の絶対値計算回路の出力を全て重み比較回路ＷＣに入力し処理する。 - 特許庁

Delivery slip handling and the temperature recording are performed by a single slip necorder 2 having a temperature data input-output part joined to a botton type memory and a bar code reader for reading a bar code of a delivery slip.例文帳に追加

配送伝票のバーコードを読み取るバーコードリーダーとボタン型メモリと接合する温度データ入出力部を有する伝票読取装置２によって、配送伝票処理と温度記録を１台のひとつの伝票読取装置２で行う。 - 特許庁

A CPU 22 extracts information sets whose transmission destination and type are in common among the information sets stored in the memory 18 and collectively transmits the information for the number of calling times less than the number of the extracted information items.例文帳に追加

ＣＰＵ２２は、メモリ１８に蓄積された複数の情報の中から、送信相手先と、情報の種類とが共通するものを抽出し、抽出した情報の数よりも少ない発呼回数にて、情報を一括送信する。 - 特許庁

Further, by suppressing error current components at the time of reading inherent to the cross point type memory cells, and by setting the potential of all of the sub bit lines in an unselected state in the same state as that of the main bitlines, a reading operation is accelerated.例文帳に追加

また、クロスポイント型メモリセル固有の読み出し時の誤差電流成分を抑制し、且つ非選択状態にある全ての副ビット線の電位を主ビット線と同一に設定することで読み出し動作の高速化を図れる。 - 特許庁

To provide a dynamic type semiconductor memory device which is small in layout area, high in redundancy relieving rate and can secure a redundancy relieving while devising measures for a standby current defect caused by a short circuit of a bit line and a word line.例文帳に追加

ビット線とワード線のショート欠陥によるスタンバイ電流不良を対策しながら、小さなレイアウト面積で、高い冗長救済率、かつ確実な冗長救済可能にするダイナミック型半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

To provide an impurity doping method and a fabrication method for memory device, insulated gate type semiconductor device and semiconductor device in a process for fabricating a semiconductor device such as semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路等の半導体装置を作製する工程における不純物ドープ方法、メモリ装置の作製方法、および絶縁ゲート型半導体装置の作製方法並びに半導体装置の作製方法に関する。 - 特許庁

In a liquid crystal panel driver circuit for driving first and second liquid crystal panels of driver monolithic type having different sizes, external image data given from the outside is temporarily stored in an image memory 23 through a host interface section 22.例文帳に追加

サイズの異なるドライバモノリシック型の第１および第２の液晶パネルを駆動するための液晶パネル駆動回路において、外部から与えられる画像データはホストインタフェース部２２を介して画像メモリ部２３に一旦格納される。 - 特許庁

A NAND type flash memory is used as a CGROM for storing performance images, and the refreshing processing of the CGROM is performed in a performance establishing period of not accessing the CGROM during the operation of the Pachinko game machine.例文帳に追加

演出画像を記憶するＣＧＲＯＭとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用すると共に、パチンコ遊技機の動作中においてＣＧＲＯＭにアクセスしていない演出確定期間に、ＣＧＲＯＭのリフレッシュ処理を行うようにした。 - 特許庁

A control gate portion (b) has a floating gate 7b which is formed in an N well layer 23 formed in a P-type semiconductor layer common to the memory cell portion (a) and capacity-coupled to the N well layer 23 via the gate oxide film 6b.例文帳に追加

コントロールゲート部ｂは、メモリセル部ａと共通のＰ型の半導体層内に形成されるＮウェル層２３内に形成され、ゲート酸化膜６ｂを介してＮウェル層２３に容量結合されるフローティングゲート７ｂを備える。 - 特許庁

To provide an information recording medium which is high in visibility, has repeating durability, and writable necessary information in a liquid crystal display part of a memory high molecular distributed type with a reader/ writer for the information recording medium.例文帳に追加

視認性が高く高い繰り返し耐性を有し、情報記録媒体用のリーダー／ライターで、該メモリ性高分子分散型液晶表示部に必要な情報を書き込むことが出来る機能を有する情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

In addition, low-concentration n-type impurity regions (extension region) 152 which become parts of the bit lines BL are formed on the substrate 10 by performing ion implantation by again using the regions including the regions of the memory gates MG and control gates CG as masks.例文帳に追加

そして、再びＭＧ及びＣＧの領域を含めた領域をマスクとしてイオン注入することにより、基板１０上にビット線ＢＬの一部となる低濃度Ｎ型不純物領域（エクステンション領域）１５２を形成する。 - 特許庁

Access points of the DDMA interfaces 132 and 143 are switched to a data transfer path 33 in the system LSI 10 prior to booting, and a boot program is transmitted from the NAND type flash memory 41 to the dual port RAM 42.例文帳に追加

システムＬＳＩ１０では、ブートに先立って、ＤＤＭＡインターフェース１３２及び１４３の接続先がデータ転送路３３に切り替えられ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ４１からデュアルポートＲＡＭ４２へブートプログラムが転送される。 - 特許庁

To provide a facsimile terminal that can surely transfer transmission information by ring-type multiple address transmission to a corresponding destination and effectively utilize a storage means used for memory reception at a sender.例文帳に追加

リング型同報送信による送信情報を確実に対応する宛先に転送することができるとともに、送信元におけるメモリ受信に使用される記憶手段の有効利用を図ることができるファクシミリ装置を提供する。 - 特許庁

A user sets in advance the contents of a character type (character expression form defined by font sets, character size, the existence/absence of character decoration, etc.), that varies in accordance with the level of a key depression pressure and stores the set information into a memory 20.例文帳に追加

ユーザは、予め、キー押下圧力レベルの段階に応じて可変する文字タイプ（フォント種、文字サイズ、文字飾りの有無などによって規定される文字の表現形態）の内容を設定し、その設定情報をメモリ２０に記憶しておく。 - 特許庁

The processing operation of a CE(Chip Enable) signal is changed according to an operating state so that it is possible to forcedly stop the sequential read operations of the NAND type flash memory, and to prevent unauthorized access due to continuous page read operations.例文帳に追加

動作状態に応じてＣＥ（Ｃｈｉｐ Ｅｎａｂｌｅ）信号の処理動作を変えることでＮＡＮＤ型フラッシュメモリメモリのシーケンシャルリード動作を強制的に停止し、連続ページリード動作による不正アクセスを防止する。 - 特許庁

To eliminate display irregularity in the periphery of a display region caused by external force without providing a dummy electrode or the like in a non-display region of especially a full dot display type liquid crystal display element having a liquid crystal layer with a memory capability.例文帳に追加

特にメモリ性の液晶層を有するフルドット表示型液晶表示素子において、非表示領域にダミー電極などを設けることなく、外力などにより表示領域周辺に生じた表示ムラを解消する。 - 特許庁

In this communication system, the mobile terminal 1 stores satisfaction information generated in the mobile terminal 1 when satisfying a prescribed condition, into an open memory area that is a free area of a noncontact type IC chip.例文帳に追加

本発明に係る通信システムでは、移動端末１は、所定の条件を満たした場合に移動端末１において生成される充足情報を、非接触型ＩＣチップのフリー領域であるオープンメモリ領域に格納する。 - 特許庁

UMID defined in SMPTE339M being buried in video and audio material signals recorded on a magnetic tape 30 or the UMID generated from the information other than the material signals are written into a noncontacting type memory tag 37.例文帳に追加

磁気テープ３０に記録される映像音声素材信号に埋め込まれているＳＭＰＴＥ３３９Ｍに定義されたＵＭＩＤ、或いは、素材信号以外の情報から生成したＵＭＩＤを、非接触型メモリタグ３７に書き込む。 - 特許庁

Between a first source line connected with the sources of first conductivity type MOSFETs constituting first and second CMOS inverter circuits constituting the static type memory cells and a first power line corresponding to it, a switch MOSFET which is turned off in a first operation mode and turned on in a second operation mode different from the first operation mode and diode-type first and second conductivity type MOSFETs are provided in parallel.例文帳に追加

上記メモリセルアレイは、複数のスタティック型メモリセルを構成する第１及び第２ＣＭＯＳインバータ回路を構成する第１導電型ＭＯＳＦＥＴのソースが接続された第１ソース線とそれに対応した第１電源線との間に、第１動作モードのときにはオフ状態にされ、上記第１動作モードとは異なる第２動作モードのときにはオン状態にされるスイッチＭＯＳＦＥＴと、ダイオード形態にされた第１導電型と第２導電型のＭＯＳＦＥＴを並列形態に設ける。 - 特許庁

To provide an on-vehicle type electronic equipment useful without requiring complicated operation and capable of reducing redundancy caused in each control application equipped for plural connection devices respectively without requiring large memory capacity for the connection devices when the on-vehicle type electronic equipment is constituted by combination of various kinds of the connection devices.例文帳に追加

多種多用な接続機器を組み合わせて車載型電子機器を構成した場合に、繁雑な操作を必要とせず、使い勝手が良好で、かつ、その接続装置に大きなメモリ容量を必要とすることなく、複数の接続機器のそれぞれに備えられた制御アプリケーションに生じる冗長性を少なくできる車載型電子機器を提供する。 - 特許庁

A control part 511, a communication part 512, an information transmitting part 513, a power source part 514 and a memory part 515 are installed and information pertaining to the control state of an implantation type human body function controller 100 transmitted therefrom 100 is displayed by the information transmitting part 513 of a portable type information processor 110.例文帳に追加

制御部５１１と、通信部５１２と、情報発信部５１３と、電源部５１４と、記憶部５１５とを備え、植込型人体機能制御装置１００より送信された植込型人体機能制御装置１００の制御状態に関する情報を携帯型情報処理装置１１０の情報発信部５１３により表示する。 - 特許庁

In a hollow part 34 of a body 31 of the oil jet 30A, there are provided a hydraulic pressure responsive type first valve mechanism having a first spherical valve element 42, a valve seat 43 and a first spring 46, and a thermosensitive type second valve mechanism having a second spring 48 formed of a shape memory alloy, a closing member 49 and a biasing spring 51.例文帳に追加

オイルジェット３０Ａの本体部３１の中空部３４内には、球形の第１弁体４２と弁座４３と第１ばね４６とを有する油圧応動式の第１バルブ機構と、形状記憶合金からなる第２ばね４８と閉止部材４９と付勢ばね５１とを有する感熱式の第２バルブ機構とが設けられている。 - 特許庁

A plurality of front keys installed in a front panel include a shift key 4d, and when any front key 4a and 4b is depressed, the type of the depressed front key is determined based on a voltage value in a digital form outputted from an A-D converter 23 according to the type of the depressed front key and the value of a shift flag 26 stored in a memory 24.例文帳に追加

フロントパネルに設けられた複数のフロントキーには、シフトキー４ｄが含まれ、いずれかのフロントキー４ａ、４ｂが押下されたときに、押下されたフロントキーの種類に応じてＡ／Ｄコンバータ２３から出力されるディジタル形式の電圧値と、メモリ２４に記憶されたシフトフラグ２６の値とに基づいて、押下されたフロントキーの種類を判定するようにした。 - 特許庁

A cache memory is divided into cache blocks 201 consisting of plural addresses and the update frequencies of the cache blocks 201 are measured, and the cache protocol for maintaining the consistency of data is dynamically switched from a protocol for a update type to a protocol for an invalidation type and vice versa according to the measurement results.例文帳に追加

キャッシュメモリを複数アドレスから成る複数のキャッシュブロックに分割し、各キャッシュブロックの更新頻度を計測し、その計測結果に基づいてデータの一貫性を保つためのキャッシュプロトコルを更新型向きから無効化型向きへ、または無効化型向きから更新型向きへ動的に変化させるように動的にキャッシュプロトコルを切り替える。 - 特許庁

A halftone processing means 24 for carrying out a halftone process selects a quantization threshold value depending on whether object type information of a target pixel stored in an object type information memory 23 emphasizes the sharpness or the granularity and the gradation and carries out quantization processing by taking a quantization error from pixels around the target pixel into account.例文帳に追加

中間調処理手段２４における中間調処理では、オブジェクト種類情報メモリ２３に記憶されている注目画素のオブジェクト種類情報が鮮鋭性を重視するか、または粒状性・階調性を重視するかに応じて量子化閾値を切り替えるとともに、注目画素周辺画素からの量子化誤差を加味した量子化処理を行なう。 - 特許庁

A simplified structure and lower cost in phase change memory can be achieved by arranging an intermediate layer 20, which contains silicon and at least one kind of element constituting a phase change material, between a recording layer 18 comprising the phase change material and an n^+ type polysilicon film 15 and reducing a contact resistance between the recording layer 18 and the n^+ type polysilicon film 15.例文帳に追加

相変化材料からなる記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との間に、相変化材料を構成する元素の少なくとも一種とシリコンとを含有する中間層２０を配置し、記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との接触抵抗を低減することにより、相変化メモリの構造の簡素化と低コスト化を実現する。 - 特許庁

In n-type embedded well DNW of a semiconductor substrate 1S in a formation region of a flash memory, p-type wells HPW1-HPW3 are provided while separated from one another, and further a capacitor C, a data writing/erasing capacitor CWE and a data reading-out MIS-FETQR are arranged in the wells HPW1-HPW3, respectively.例文帳に追加

フラッシュメモリの形成領域の半導体基板１Ｓのｎ型の埋込ウエルＤＮＷ内にｐ型のウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３を互いに分離した状態で設け、そのウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３にそれぞれ容量部Ｃ、データ書き込み・消去用の容量部ＣＷＥおよびデータ読み出し用のＭＩＳ・ＦＥＴＱＲを配置した。 - 特許庁

To provide a DRAM with a memory cell portion and a peripheral circuit portion both installed together, which can integrates on the same substrate a first insulated gate type transistor, capable of forming a minute contact hole with self-alignment to a gate electrode and a second insulated gate type transistor, capable of fully reducing the parasitic resistance, while suppressing short-channel effect.例文帳に追加

本発明は、メモリセル部とその周辺回路部とを混載させてなるＤＲＡＭにおいて、ゲート電極に対して自己整合的に微細なコンタクトホールの開孔が可能な第１の絶縁ゲート型トランジスタと、短チャネル効果を抑制しつつ、寄生抵抗を十分に緩和することが可能な第２の絶縁ゲート型トランジスタとを同一基板上に集積できるようにする。 - 特許庁

A memory cell 1 is equipped with an N-type drain region 17 formed in a region which is located at the upper part of a semiconductor substrate 10, adjacent to a floating gate electrode 16, and apart from a control gate electrode 13 and an N-type source region 18 formed in a region which is located adjacent to the control gate electrode 13 and apart from the floating gate 16.例文帳に追加

メモリセル１は、半導体基板１０の上部であって、制御ゲート電極１３に対する浮遊ゲート電極１６側の領域に形成されたｎ型のドレイン領域１７と制御ゲート電極１３に対する浮遊ゲート電極１６と反対側の領域に形成されたｎ型のソース領域１８とを有している。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes; an n-channel type MOSFET1 whose drain and gate are connected to an external power supply (VEXT) and whose source is connected to a back gate; and a detection part which detects the application of external power supply based on a node connected to the source and back gate of the n-channel type MOSFET and the electric potential of the node.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、外部電源（ＶＥＸＴ）にドレインおよびゲートが接続されるとともに、ソースをバックゲートに接続したｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１と、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのソースおよびバックゲートに接続されたノードと、ノードの電位をもとに外部電源の投入を検出する検出部とを具備する。 - 特許庁