「PAtterning」に関連した英語例文の一覧と使い方(75ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: preparing the semiconductor wafer; forming an etching groove by patterning the compound semiconductor epitaxial layer using an etching mask; and bonding the compound semiconductor epitaxial film, obtained by etching the peeling layer and peeling the compound semiconductor epitaxial layer, onto the substrate.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、化合物半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、化合物半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた化合物半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。 - 特許庁

The reticle 2 usable for EUV aligners comprises a super-invar substrate 20, a smoothed layer FL formed on the upside of the substrate, a multilayer film ML formed on the layer FL for reflecting EUV rays and a patterning layer AL having an exposure pattern on the multilayer film.例文帳に追加

本発明に係るレチクルは、ＥＵＶ露光装置に用いるレチクル２であって、スーパインバ基板２０と、このスーパインバ基板の上面に形成された平滑化層ＦＬと、この平滑化層上に形成された、ＥＵＶ光を反射するための多層膜ＭＬと、この多層膜上に形成された、露光パタンを有するパタニング層ＡＬと、を具備するものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the laminated inductor having a cavity between conductor patterns includes steps of patterning a ceramic green sheet having at least a conductive material, an insulator material and a vanishing material so that one or more surfaces of a conductor pattern made of the conductive material are brought into contact with the insulator material, laminating, pressing and vanishing the ceramic green sheet.例文帳に追加

少なくとも、導電材料、絶縁体材料、消失材料を有するセラミックグリーンシートを、導電材料からなる導体パターンの１面以上が絶縁体材料と接するようにパターンニングして積層、プレス、消失処理することを特徴とする、導体パターン間に空洞部を有する積層型インダクタの製造方法。 - 特許庁

To provide a new triarylmethane compound and a new rhodamine compound each having excellent light fastness and to provide a color conversion layer, a color conversion filter, and an organic EL display not suffering from detriments to patterning performance and the decomposition of a color conversion pigment due to reaction with active molecules by using the compounds.例文帳に追加

優れた耐光性を有する新規トリアリールメタン化合物およびローダミン化合物の提供、ならびにそれら化合物を用いて、パターニング性を損なうことなく、活性分子との反応による色変換色素の分解を起こすことなく、優れた色変換効率および耐光性を有する色変換層、色変換フィルタ、有機ＥＬディスプレイの提供。 - 特許庁

When a formed n-type amorphous silicon film 43 and an intrinsic amorphous silicon film 41 are subjected to patterning by dry etching using resist films 45a to 45d as a mask, the n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are left unnecessarily under a foreign matter 46 in the existence of the foreign matter 46 on the formed n-type amorphous silicon film 43.例文帳に追加

レジスト膜４５ａ〜４５ｄをマスクとして、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３および真性アモルファスシリコン膜４１のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３上に異物４６が存在すると、異物４６下にｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存される。 - 特許庁

To obtain an artificial marble product exhibiting rugged patterns of relief patterns and having excellent design value, designability and sophisticated feeling by a method in which a molded article is obtained by adding and mixing patterning materials having higher hardness than that of the compound into the material for forming the artificial marble, and the hardened portion of the matrix compound on the surface of the molded article is scraped out.例文帳に追加

人造大理石成形用材料にそのコンパウンドよりも硬度の高い柄材を添加配合して成形品を得て、成形品の表面のマトリックスコンパウンドの硬化物部分を掻き取るという方法により、浮作り模様の凹凸模様を表現し、意匠性やデザイン性の高い高級感のある人造大理石製品を得る。 - 特許庁

To provide an Ag alloy film in which a reflectance in a visible light range takes a fixed value while keeping a high reflectance and which has low electric resistance and combines heat resistance, corrosion resistance, adhesion to a substrate and patterning characteristics, and also to provide a sputtering target material for depositing the Ag alloy film and a planar display device having low power consumption.例文帳に追加

高い反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、かつ低い電気抵抗を有し、さらに耐熱性、耐食性、そして基板への密着性およびパタニング性を兼ね備えたＡｇ合金膜とそのＡｇ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材および低消費電力な平面表示装置を提供する。 - 特許庁

The laminate manufacturing apparatus comprises in the same vacuum tank 1 a dielectric layer forming device 7 for forming a dielectric layer on a substrate 2, a patterning device 11 for forming a metal thin layer pattern on the dielectric layer, and a metal film layer forming device 5 for forming a metal thin layer on the dielectric layer according to the metal thin layer pattern.例文帳に追加

積層体の製造装置は、同一真空槽１内に、基板上２に誘電体層を形成する誘電体層形成装置７と、誘電体層上に金属薄層パターンを形成する金属薄層パターン形成装置１１と、金属薄層パターンに従って誘電体層上に金属薄層を形成する金属薄層形成装置５とを備える。 - 特許庁

The method of patterning the conductive tin oxide film using a solution containing a tin compound and a dopant compound soluble in an organic solvent, dissolved in the organic solvent comprises drying a dry film within the range of retaining solubility in a developer, exposing it to a light containing a ultraviolet region to make it insoluble in part and etching a non- exposed portion with the developer.例文帳に追加

有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用い、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶にし、現像液で未露光部をエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法。 - 特許庁

A branch office server 4 functions as both a customer pattern ID creating means 155a for patterning customers into a plurality of types on the basis of at least one of customer data and business activity data obtained from business activities aimed at the customers and an advice processing means 155b for extracting and outputting business support information suited for the types.例文帳に追加

支部サーバ４は、顧客データと、顧客に対する営業活動により得られた営業活動データの少なくとも一つに基づき、顧客を複数の類型にパターン化する顧客パターンＩＤ生成手段１５５ａと、パターンこのパターン化された類型に適した営業支援情報を抽出して出力するアドバイス処理手段１５５ｂとして機能する。 - 特許庁

The exposure apparatus is equipped with: a pattering substrate supporting unit to support a patterning substrate; and an exposure unit which includes an energy irradiation unit having at least two or more fluorescent lamps emitting light in a 250 nm to 450 nm wavelength range and an outer frame supporting the energy irradiation unit.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、パターニング用基板を支持するパターニング用基板支持部と、２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内の波長の光を放出する蛍光ランプを少なくとも２以上有するエネルギー照射部と、前記エネルギー照射部を支持する外枠部とを含む露光ユニットを有することを特徴とする露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide an inorganic powder-containing resin composition capable of forming a black matrix with good sensitivity, a transfer film having an inorganic powder-containing resin layer comprising the inorganic powder-containing resin composition, and a method for manufacturing a flat panel display capable of forming a black matrix which is flat and smooth, has no warpage, and has good patterning performance.例文帳に追加

感度の良好なブラックマトリクスを形成することのできる無機粉体含有樹脂組成物、該無機粉体含有樹脂組成物からなる無機粉体含有樹脂層を有する転写フィルムならびに平滑で反りのない、パターニング性能の良好なブラックマトリクスを形成することのできるフラットパネルディスプレイの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A thermal shield 6 of the lithography projector has a particle propagation channel 9 which passes contamination particles produced by patterning means MT, MA or a projection means PM from the first side I to the second side O of it, and a cryopump 7 used for keeping a vacuum chamber 5 at the desired low pressure can also capture the particles coming out of these channel 9.例文帳に追加

このリソグラフィ投影装置の熱遮蔽体６には、パターニング手段ＭＴ、ＭＡや投影手段ＰＭが発生する汚染物粒子をその第１側Ｉから第２側Ｏへ通す粒子伝播チャンネル９があり、真空室５を所望の低圧に維持するためのクライオポンプ７がこれらのチャンネル９から出る粒子を捕捉することもできる。 - 特許庁

The cell transistor formation step is provided with a gate electrode formation step for forming a gate electrode 8, a source wiring layer formation step for forming the source wiring layer at a cell transistor part, and a peripheral transistor part and a source wiring formation step for patterning the source wiring layer and connecting the source wiring 12 to a source diffused layer 10.例文帳に追加

セルトランジスタ形成ステップは、ゲート電極８を形成するためのゲート電極形成ステップと、ソース配線用層をセルトランジスタ部と周辺トランジスタ部に形成するためのソース配線用層形成ステップと、ソース配線用層をパターニングしてソース配線１２をソース拡散層１０に接続するためのソース配線形成ステップとを備える。 - 特許庁

Although a deposit 18 that is made of reaction products between titanium and fluorine is generated, when forming the hard mask 17 by patterning the insulation film, washing is made by using washing liquid containing an inorganic acid which contains no fluorine, thus removing a deposit 19 and at the same time, suppressing the generation of a new deposit at the time of washing.例文帳に追加

絶縁膜をパターニングしてハードマスク１７を形成する際にチタンとフッ素との反応生成物からなる堆積物１８が生じるが、フッ素を含まない無機酸などを含む洗浄液を用いて洗浄することにより、堆積物１９を除去するとともに、洗浄の際に新たな堆積物が発生するのを抑制する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.例文帳に追加

プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

The method includes, after patterning the substrate to form at least one structure extending from the substrate in a direction substantially perpendicular to the plane of a major surface of the substrate, forming locally modified regions 6 at locations in the substrate which are not covered by the at least one structure, thus locally increasing etching resistance of these regions 6.例文帳に追加

基板をパターニングし、基板の第１主表面の平面に実質的に垂直な方向に、基板から延びた、少なくとも１つの構造を形成した後に、少なくとも１つの構造により覆われていない基板の位置に、部分的に変更された領域６を形成し、それらの領域６のエッチング抵抗を部分的に増加させる工程とを含む。 - 特許庁

In this patterning method, a donor substrate in which a photothermal conversion layer and a transfer material are formed and a device substrate are disposed face to face to transfer the transfer material to the device substrate by irradiating light to the photothermal conversion layer, and intensity of light irradiated in an irradiated region is unsymmetrically changed with the passage of time.例文帳に追加

基板上に光熱変換層と転写材料が形成されたドナー基板をデバイス基板と対向配置し、光を光熱変換層に照射することで転写材料をデバイス基板に転写するパターニング方法であって、照射領域において照射される光の強度を経時的に非対称に変化させることを特徴とするパターニング方法。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating owing to the freezing process and the formation of the second resist pattern, and also to provide a pattern formation method by use of it.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅とＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれおよびそれを用いたパターン形成方法を提供すること - 特許庁

The patterning apparatus has a vacuum chamber adjustable in pressure, a nozzle connected to a material feeding source and also arranged in the vacuum chamber, into which a material from the material feeding source is fed, and a substrate stage for holding to fix a substrate, arranged in the vacuum chamber.例文帳に追加

本発明に係るパターニング装置は、圧力を調整可能な真空チャンバーと、材料供給源に接続され、かつ前記真空チャンバーに取り付けられ、前記真空チャンバー内に前記材料供給源からの材料を供給するノズルと、前記真空チャンバー内に設けられた、基体を保持固定するための基体ステージと、を備えている。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having a high sensitivity, capable of obtaining a sufficient spacer form even by ≤1,200 J/m^2 exposure, excellent in flexibility, high recovery rate, rubbing resistance, close adhesion with a transparent substrate plate, heat resistance, etc., further excellent in developing property on spacer-patterning and capable of forming the spacer for a liquid crystal-displaying element.例文帳に追加

高感度で、１，２００Ｊ／ｍ^２以下の露光量でも十分なスペーサー形状が得られ、柔軟性と高回復率、ラビング耐性、透明基板との密着性、耐熱性等に優れ、さらにスペーサーパターニング時の現像特性にも優れた液晶表示素子用スペーサーを形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

An upper surface protective film 91 after patterning, NMOSFET gate formation mask 31a, and PMOSFET gate formation mask 31b are used as masks for etching, so that a gate electrode 33 of a transistor of a DRAM memory cell part Rm and lower part electrodes 34a and 34b of each transistor of a CMOS part Rc are formed at the same time.例文帳に追加

次に、パターニングした後の上面保護膜９１、ＮＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ａおよびＰＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ｂをマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、ＤＲＡＭメモリセル部Rmのトランジスタのゲート電極３３、ＣＭＯＳ部Rcの各トランジスタの下部電極３４ａ、３４ｂを同時に形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of improving brightness of display while improving adhesion between an organic transparent insulation film and an electrode formed on it, suppressing reduction in transmissivity of the organic transparent insulation film in the position wherein there is no electrode, and preventing patterning defective of the electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

有機系透明絶縁膜とその上に形成される電極との密着性を改善すると同時に、前記電極が存在していない箇所における前記有機系透明絶縁膜の透過率の低下を抑制し、もって前記電極のパターン化不良を防止しながら表示の明るさを向上できる液晶表示装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The color filter substrate 100 has a plurality of color filters through patterning processes, such as pattern exposure, by the use of exposure mask having the transflective region at the end of the transmissive region, development, and post baking so that an overlap step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a can be reduced to a height of 0.5 m or smaller.例文帳に追加

本発明のカラーフィルタ基板１００は、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像、ポストベーク等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成しているので、ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を０．５μｍ以下にすることができる。 - 特許庁

The mask blank having a thin film 12, 13 to form a pattern on a substrate 11 is to be subjected to a dry etching process applicable to the method of producing an exposure mask, the method including patterning the thin film by dry etching using an etching gas substantially containing no oxygen through a resist pattern 14a to be formed on the thin film as a mask.例文帳に追加

基板１１上にパターンを形成するための薄膜１２，１３を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン１４ａをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。 - 特許庁

The method for creating a pattern data of a photomask for multiple exposure techniques is to be applied for multiple patterning using a plurality of photomasks prepared by dividing a designed pattern; and the method is characterized in that the pattern is divided to render the area of each pattern set to be almost equal to others in each pattern set in the plurality of photomasks after dividing the pattern.例文帳に追加

設計パタンをパタン分割した複数のフォトマスクを用いて多重パターニングを行う多重露光技術用フォトマスクのパタンデータ作成方法であって、前記パタン分割後の複数のフォトマスクの各々のパタン集合において、前記各々のパタン集合の面積がほぼ等しくなるようにパタン分割することを特徴とする。 - 特許庁

This method of manufacturing display device includes a step of patterning a resist layer 2 having a thickness excluding the thickness of the thickest resist film of a plurality of resist films having different film thicknesses in an area 13 other than a display area in a photoengraving process in which the plurality of resist films are provided for forming the pattern of the display device on the surface of a substrate 5.例文帳に追加

基板５表面上に表示装置のパターンを形成するために、複数のレジスト膜厚を設ける写真製版工程において、表示領域以外の領域１３に、前記複数のレジスト膜厚のうち、最も厚いレジスト以外の厚さを有するレジスト層２をパターン形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 特許庁

The method includes: forming an opening portion in a first film; forming a phase-change substance on the first film and inside the opening portion; heating the phase-change substance at a first temperature at which the phase-change substance is reflowed into the opening portion; and patterning the phase-change substance after heating to define a phase-change element inside the first opening portion.例文帳に追加

この方法は、第１膜内に開口部を形成すること、第１膜上及び開口部内に相変化物質を形成すること、相変化物質が開口部内にリフローされる第１温度で相変化物質を加熱すること、及び相変化物質を加熱した後に相変化物質をパターニングして、第１開口部内に相変化要素を定義することを含む。 - 特許庁

The magnetic card comprises a first concealing layer 3 and a second concealing layer 4 to cover a magnetic recording layer 2 on the basic material for the card 1 provided with the magnetic recording layer 2, a solid ink layer 7 not having the same color as that of the concealing layer and a patterning layer 5 onto the first concealing layer 3 disposed partially, and a protective layer 6.例文帳に追加

磁気記録層２を設けたカード基材１上に、該磁気記録層２を被覆するように第一隠蔽層３と第二隠蔽層４とを設け、部分的に露出させた第一隠蔽層３上に、隠蔽層とは同一色ではないベタインキ層７と絵柄層５とを施し、さらに保護層６を設けたことを特徴とする磁気カード。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process that meets the requirement that (1) the line width of a first resist pattern does not fluctuate and (2) the line edge roughness (LER) of the first resist pattern does not deteriorate, by a freezing process in a freezing process that is applied to the first resist pattern in a double patterning method, and a pattern forming method using it.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、（１）第一のレジストパターンの線幅が変動しない、（２）第一のレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In a process of patterning a wiring 210 on a metal plug 206, when a photoresist 218 is removed, impurity is added to oxygen plasma 220 with a ratio of oxygen to impurity at about 1:1 or with the amount of oxygen decreased with respect to that of impurity, and then the photoresist 218 is removed by an oxygen plasma and then a substrate 200 is wet-cleaned with an alkaline solution.例文帳に追加

金属プラグ上に配線をパターニングする工程において、フォトレジストを除去する時に、酸素プラズマ中に不純物を添加し、かつ酸素と不純物との比率を約１：１または酸素含有量が不純物含有量よりも小さくしてから、酸素プラズマによりフォトレジストを除去し、アルカリ性溶液で基板に対する湿式洗浄を行う。 - 特許庁

A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.例文帳に追加

支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁

The laminate composed of the dielectric layer and the metallic tin-film layer is manufactured by using a process in which a resin material is attached and the dielectric layer is formed, a process in which a patterning material is attached on the dielectric layer in a beltlike manner, and a process in which the metallic thin-film layer is laminated as one unit and repeating the processes in fixed numbers.例文帳に追加

樹脂材料を付着させて誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上にパターニング材料を帯状に付着させる工程と、金属薄膜層を積層する工程とを一単位とし、これを所定の回数繰返すことにより、誘電体層と金属薄膜層とからなる積層体を製造する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: (a) forming a resin layer 20 on a semiconductor substrate 10 with an integrated circuit 12 by patterning; (b) curing the resin layer 20; (c) forming a resist layer 24 in a manner to cover the resin layer 20; and (d) dry-etching the resist layer 24 and the resin layer 20 until the resin layer 20 is exposed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）集積回路１２が形成された半導体基板１０に、樹脂層２０をパターニングして設けること、（ｂ）樹脂層２０を硬化させること、（ｃ）レジスト層２４を、樹脂層２０を覆うように設けること、（ｄ）レジスト層２４及び樹脂層２０を、樹脂層２０が露出するまでドライエッチングすること、を含む。 - 特許庁

The step of forming the trench etching pattern on the substrate substantially further includes depositing the silicon nitride film on the substrate on which a pad oxidation film is formed, patterning, and forming a thermal oxidation film on the inner wall surface by an annealing so as to repair etching damages between the step of forming the trench and the liner.例文帳に追加

本発明で、基板にトレンチエッチングパターンを形成する段階は、通常、パッド酸化膜が形成された基板にシリコン窒化膜を積層し、パターニングして実施され、トレンチを形成する段階とライナを形成する段階の間に、トレンチの内壁にエッチング損傷を修復するためのアニーリングによって熱酸化膜が形成される段階をさらに含むことができる。 - 特許庁

The phosphor-powder application process of the light-emitting diode comprises the steps of providing a chip, forming a photoresist layer so as to cover the chip, exposing a phosphor powder application area on the chip by patterning the photoresist by the optical lithography process, and filling phosphor powder containing resin to the area.例文帳に追加

チップを提供するステップと、前記チップを覆うようにフォトレジストの層を形成するステップと、光リソグラフ処理によって、前記フォトレジストをパターン化して、前記チップ上に蛍光粉を塗布する区域を露出させるステップと、蛍光粉入り樹脂を前記区域に充填するステップと、を備える発光ダイオードの蛍光粉塗布工程を提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.例文帳に追加

半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁

A molten ink 4 in a molten condition is coated on a printed wiring board, having at least a conductive layer 2 on an insulative base; an absorptive sheet 5 capable of absorbing the heat melting ink is overlaid on the printed wiring board; and a non-patterning part is heated in accordance with data to heat transfer it, thereby forming a resist pattern.例文帳に追加

絶縁性基材上に少なくとも導電性層２を設けてなるプリント配線板上に、熱溶融インク４を溶融状態でプリント配線板にコーティングし、次に熱溶融インクを吸収しうる吸収シート５をプリント配線板に貼り合わせ、データに従って非画像部を加熱し、吸収シートに熱転写することによりレジスト画像を形成する。 - 特許庁

A resist layer 2 is formed on a surface 1A of a work 1 with the very small groove to be formed thereon, the patterning corresponding to the required very small groove is performed, an electrolyte 5 is interposed between the work 1 and a machining electrode 3, the pulse voltage is applied from a pulse voltage generator 6, and the work 1 is electrolytically etched using this resist layer 2.例文帳に追加

微小溝を形成しようとする被加工物１の表面１Ａにレジスト層２を形成して所要の微小溝に相応したパターニングを行い、被加工物１と加工用電極３との間に電解液５を介在させてパルス電圧発生器６からパルス電圧を印加し、このレジスト層２を用いて被加工物１を電解エッチングする。 - 特許庁

The resist removing composition is used to remove resist for patterning of a metal film for an electronic circuit or metal wiring of a display device, has excellent power to remove resist remaining on a patterned metal film, ensures a slight composition change due to volatilization at high temperature and a low fatigue degree of the liquid chemicals, and minimizes corrosion of the patterned metal film.例文帳に追加

本発明のレジスト除去用組成物は電子回路又は表示素子の金属配線をパターンするレジスト除去に使用されて、パターン化された金属膜の上部に残留するレジストを除去する除去力が優れており、高温で揮発に応じた組成変化及び薬液疲労度が微細で、パターン化された金属膜の腐食を最少化できる。 - 特許庁

To provide a method for removing a silicon-containing two-layer resist comprising a first resist layer containing an organic high molecular compound and a photosensitive silicon-containing second resist layer for reworking after the patterning of the second resist layer while suppressing the occurrence of defects on a wafer in removal in a process for producing a device using the two-layer resist on a substrate.例文帳に追加

基板上に有機高分子化合物を含む第１レジスト層と感光性シリコン含有第２レジスト層からなるシリコン含有２層レジストを用いるデバイス製造工程において、第２レジスト層をパターニングした後で、リワーク等のために、レジスト剥離時のウェハ上の欠陥の発生を著しく低減しつつ、上記２層レジストを剥離する方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of forming a resin layer 4a, getting round the electrodes, patterning the conductive layer 5 on the electrodes and on the resin layer 4a in correspondence with the projections 4, and forming the projections 4 by removing the resin layer 4a located between the conductive layers 5, with the patterned conductive layer 5 as a mask.例文帳に追加

半導体装置１に電極を避けて樹脂の層４ａを形成する工程と、電極上及び樹脂の層４ａ上に導電層５を突起体４に応じてパターニングする工程と、パターニングされた導電層５をマスクとし、導電層５の間に位置する樹脂の層４ａを除去して突起体４を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the ferroelectric memory device comprises processes of (a) forming a ferroelectric layer 214a over a first conductive layer 212a, (b) patterning the ferroelectric layer 214a, and (c) forming an insulation layer 222 so as to fill in spaces formed in the ferroelectric layer 214a by a method which allows no hydrogen to be generated.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置の製造方法は、（ａ）第１導電層２１２ａの上に、強誘電体層２１４ａを形成する工程、（ｂ）強誘電体層２１４ａをパターニングする工程、（ｃ）強誘電体層２１４ａの相互間を充填するように、水素を発生させない方法により絶縁層２２２を形成する工程を含む。 - 特許庁

The micro movable element manufacturing method includes a step of forming the movable part 10, the frame 20 and the connecting part 40 on a material substrate, and a step of sticking a film material to the surface of the material substrate during the forming step and patterning the film material to form the support structure member 71 for bridging the movable part 10 and the frame 20.例文帳に追加

本発明は、材料基板に可動部１０、フレーム２０、および連結部４０を作り込む成形工程と、成形工程の途中において、材料基板の表面にフィルム材料を貼り合せ、当該フィルム材料をパターニングすることにより、可動部１０およびフレーム２０を架橋するためのサポート構造体７１を形成する工程とを含む。 - 特許庁

This resin composition for artificial marble is obtained by compounding additives such as a filler, a patterning material, an inner mold release agent, and a hardening agent into a thermosetting resin, and is used for manufacturing artificial marble by pouring the resin composition into a casting mold to be hardened and molded, where glass micro-balloons are added and compounded in the resin composition.例文帳に追加

熱硬化性樹脂に充填材、柄材、内部離型剤、硬化剤等の添加物を配合した樹脂組成物を得て、これを注型用金型に注入して成形硬化させることにより人造大理石を製造するのに用いる人造大理石用の樹脂組成物であって、この樹脂組成物中にガラス微小中空球を添加配合した。 - 特許庁