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「PAtterning」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索


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PAtterningを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 3921



例文

In this method for manufacturing the sheet building material 5 by supplying a self-hardening material 3 into a mold 1 and releasing the material 3 from the mold 1 after its curing, a roughened surface is formed on the upper surface of the material 3 in the mold 1 by pressing a patterning material to the main region 3m of the upper surface of the material 3.例文帳に追加

成形型1内に自硬性材料3を供給し、該自硬性材料が硬化した後、脱型して板状建材5を製造する方法において、該自硬性材料が硬化する前に、成形型内の自硬性材料の上面の主領域3mに型押し材を押し付けて該上面に粗面を形成する。 - 特許庁

After dry etching is performed for patterning the tungsten film 20 and a barrier metal 18, the impurities adhering to the surface of the substrate 10 can be removed, while the etching of the tungsten film 20 and barrier metal 18 exposed on the surface of the substrate 20 is suppressed, when the substrate 10 is cleaned by dipping the substrate 10 in either one or both of liquid chemicals, HCl and NH4OH.例文帳に追加

タングステン膜およびバリアメタルをパターニングするドライエッチング後、HC1、NH_4OHの一薬液または複数の薬液にシリコン基板を浸漬して洗浄することにより、シリコン基板の表面に露出したタングステン膜およびバリアメタルのエッチングを抑制しつつ、シリコン基板に付着した不純物を除去できる。 - 特許庁

An etching blocking film 7, a first insulating film 8, a second insulating film 9, and first, second and third mask forming layers, are successively formed on a substrate 1; a third mask 12' having a wiring groove pattern is formed by patterning the third mask forming layer; etching is performed from the third mask 12' to the second insulating film 9; and the connection hole 13 is opened.例文帳に追加

基板1上にエッチング阻止膜7、第1絶縁膜8、第2絶縁膜9、第1、第2、第3マスク形成層を順次成膜し、第3マスク形成層をパターンニングして、配線溝パターンを有する第3マスク12'を形成し、第3マスク12'から第2絶縁膜9までをエッチングし、接続孔13を開口する。 - 特許庁

To suppress the characteristics variation of MOS transistors due to charging by a plasma to lessen the influence causing the characteristics deterioration of an analog circuit on both gate electrodes of the MOS transistors paired in the analog circuit of a MOS type semiconductor integrated circuit device in a process of patterning a metal wiring layer by plasma etching.例文帳に追加

MOS型半導体集積回路装置におけるアナログ回路の互いにペアとなるMOSトランジスタ対の双方のゲート電極への金属配線層をプラズマ・エッチングによりパターニングする工程で、プラズマの帯電によるMOSトランジスタの特性変動を抑制し、アナログ回路の特性の悪化の原因となる影響を軽減する。 - 特許庁

例文

To provide a surface treatment agent for a freezing process, which can suppress variations in the line width of a first resist pattern and LWR (line width roughness) which may be caused by freezing treatment applied to the first resist pattern and the formation of a second resist pattern in a double patterning method, and to provide a resist pattern formation method using the surface treatment agent.例文帳に追加

ダブルパターニング法において、第一のレジストパターンに対して行うフリージング処理及び第二のレジストパターンの形成による、第一のレジストパターンの線幅並びにLWRの変動を抑制することができるフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁


例文

The light L', P' passed through the target substrate 60 or the light L'', P'' reflected by the target substrate 60 are detected by an optical sensor 10 and, on the basis of a signal from the optical sensor 10, a discriminating section 51 discriminates whether or not patterning is normally performed by the laser beam L for the thin film 62 of the target substrate 60.例文帳に追加

被加工基板60を透過した光L’, P’または被加工基板60で反射された光L”,P”は光センサ10によって検知され、当該光センサ10からの信号に基づいて、被加工基板60の薄膜62のレーザ光Lによるパターニングが正常に行われているか判断部51によって判断される。 - 特許庁

To improve productivity by removing contaminant in high degree in such a manner that a vacuum chamber is kept at a desired low pressure in a lithography projector in which super-ultraviolet rays are used, patterning or projection means are equipped inside the vacuum chamber, and a thermal shield is equipped in order to thermally adjust components in the chamber.例文帳に追加

超紫外線を使うリソグラフィ投影装置であって、パターニング手段や投影手段が真空室内にあり、この室内の部品をを熱的に状態調節するために熱遮蔽体を備える装置に於いて、この真空室を所望の低圧に維持しながら高度に汚染物質を除去して生産性を向上すること。 - 特許庁

An image processing device includes: a color mosaic filter 201 and a single-plate color imaging element having a patterning polarizer 202 formed by a plurality of polarization units having transmittance polarization planes of at least three different angles arranged in a plurality of pixels of the same color (G) in the color mosaic filter 201.例文帳に追加

本発明の画像処理装置は、カラーモザイクフィルタ201、および、異なる少なくとも3種の角度の透過偏波面を有する複数の偏光子単位がカラーモザイクフィルタ201内の同一色(G)の複数の画素に設けられたパターン化偏光子202を有する単板カラー撮像素子をを備えている。 - 特許庁

To provide a gravure roll which prevents a deterioration in printing quality by preventing oscillation of doctor blades when conducting gravure printing, and furthermore to provide a method of manufacturing an electromagnetic wave shielding light transmission window material with high precision patterning formed thereon by gravure printing and the electromagnetic wave shielding light transmission window material.例文帳に追加

グラビア印刷においてドクターブレードの振動を防止すること等により、印刷品位の低下を防ぐことができるグラビアロールを提供し、更に、グラビア印刷によって高精度なパターニングを形成した電磁波シールド性光透過窓材の製造方法及び電磁波シールド性光透過窓材を提供すること。 - 特許庁

例文

The method of manufacturing the solar cell 100 includes a cleaning step of cleaning an exposure area R2 out of a backside of an n-type crystalline substrate 10n, before an i-type amorphous semiconductor layer 12i forming step, after a patterning step of the i-type amorphous semiconductor layer 11i and a p-type amorphous semiconductor layer 11p.例文帳に追加

太陽電池100の製造方法は、i型非晶質半導体層11i及びp型非晶質半導体層11pのパターニング工程の後、i型非晶質半導体層12iの形成工程前に、n型結晶シリコン基板10nの裏面のうち露出領域R2のクリーニング工程を備える。 - 特許庁

例文

To provide a method for mounting components and apparatus for mounting components which can shorten mounting time by reducing a suction preparation operation of suction nozzles in such a manner that the number of replacement times of the suction nozzles is suppressed, or intervals of the suction nozzles on a moving head are adjusted when components are mounted on a multiple patterning substrate.例文帳に追加

多面取り基板に対する部品実装時に、吸着ノズルの交換回数を抑制し又は移載ヘッドでの吸着ノズルの間隔を調整するといった吸着ノズルの吸着準備動作を軽減することで、実装時間の短縮化を図ることができる部品実装方法及び部品実装装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit board device manufactured by applying a manufacturing technique of multiple patterning, which improves operation reliability and product life cycle by preventing an abnormal signal voltage or corrosion of a wiring layer caused by contaminants sticking to the end face of each circuit board.例文帳に追加

多数個取りの製造技術を適用して製造される回路基板装置において、各回路基板の端面に付着した汚染物質による信号電圧の異常や配線層の腐食を防止して、動作の信頼性や製品寿命を向上させることができる回路基板装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The gate pattern is formed by patterning a gate electrode pattern 57b covering the peripheral circuit region, a second gate interlayer insulating film 64b which is formed on the gate electrode pattern and thicker than the first gate interlayer insulating film 64a and a second conducting film 69 formed on the second gate interlayer insulating film.例文帳に追加

又、ゲートパターンは周辺回路領域を覆うゲート電極パターン57b、ゲート電極パターンの上に形成され、第1ゲート層間絶縁膜64aより厚い第2ゲート層間絶縁膜64b、及び第2ゲート層間絶縁膜の上に形成された第2導電膜69をパターニングして形成する。 - 特許庁

The method includes the process of placing the molded material 3 on the surface of the mat material 2 and pressin an object to be molded onto the surface of the patterning material 3 to mold the object, the process of hardening the molded material 3 after molded and the process of removing the hardened molded material 3 from the mat material 2.例文帳に追加

マット材2の表面に型取り材3を載置し、この型取り材3の表面に型取り対象を押し当てて、型取り対象の型を取る工程と、型を取った型取り材3を硬化させる工程と、硬化させた型取り材3をマット材2から取り外す工程とを含む型取り方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element capable of easily adding contrast, lowering a production cost and at the same time applying a material other than a chemical compound having an arylamine skeleton in a hole injection layer as an organic electroluminescent element for patterning, and expanding a range of choices for materials.例文帳に追加

容易にコントラストをつけることができ、かつ製造コストを下げることができると同時に、パターン化に用いる有機電界発光素子として正孔注入層にアリールアミン骨格を有する化合物以外の材料をも適用することが可能であり、材料選択の幅を広げることができる有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a wiring board comprises a step for partially making thin a conductive foil 20 formed on a base substrate 10 by etching, a step for patterning the conductive foil 20 by etching, and a step for forming a wiring 30 having a thin part 32 on the base substrate 10 in an area being bonded to the electrode of an electronic component.例文帳に追加

配線基板の製造方法は、ベース基板10に形成された導電箔20の一部をエッチングによって薄くすること、及び、導電箔20をエッチングによってパターニングすることを含み、ベース基板10に、電子部品の電極との接合領域に薄肉部32を有する配線30を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a polymer compound, having a high sensitivity, a high degree of resolution, a good pattern configuration after exposure, and in addition an excellent etching resistance, suitable as a base resin for a positive resist material, especially for a chemically amplified positive resist material; a positive resist material using the polymer compound; and a patterning process.例文帳に追加

高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

On the film, a titanium oxide film 8, a metal film 9 containing aluminum , a cap film 15 made up of a second titanium 13 and a second titanium film 14, and an anti-reflection film 16, are laminated in order; patterning is carried out by lithography and etching to form wiring; and the wiring is then heat-treated at some temperature of 385 to 415°C.例文帳に追加

その上に酸化チタン膜8、アルミニウムを含む金属膜9、第二チタン膜13および第二窒化チタン膜14からなるキャップ膜15、反射防止膜16を順次積層し、リソグラフィおよびエッチングによりパターニングして配線を形成した後、この配線を385〜415℃程度の温度で熱処理する。 - 特許庁

In a process of manufacturing the diffraction optical element through full plate exposure and dry etching by means of an exposure device, an exposure wavelength used upon the patterning of the diffraction optical element is approximately equal to the wavelength used upon the usage of the finished diffraction optical element.例文帳に追加

回折光学素子を露光装置による一括露光とドライエッチングにより作製するプロセスにおいて、回折光学素子にパターンニングを行う際に使用される露光波長と、出来上がった回折光学素子を使用する際に用いられる波長とが、ほぼ同一であることを特徴とする回折光学素子の作製方法である。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive composition which is excellent in display qualities such as burn-in and voltage retention rate, electrical reliability, sensitivity and patterning characteristics in the formation of a projection for liquid crystal alignment control in an MVA-LCD, while having a transmittance sufficient to block light from a backlight.例文帳に追加

MVA型LCDでの液晶配向制御用突起の形成において、焼き付き、電圧保持率などの表示品位及び電気的信頼性、並びに、感度、パターニング特性に優れ、且つバックライトからの光を遮光するのに充分な透過率を持つことも可能なネガ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

This gas for dry etching that is used, when performing the dry etching of a body to be etched with a resist film that is subjected to patterning as a mask containing a fluorine compound, where a C/F value (the ratio of the number of atoms between C and F elements in the fluorine compound) is larger than 0.5.例文帳に追加

パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはC/F値(フッ素化合物中のC元素とF元素との原子数の比)が0.5より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。 - 特許庁

In dry etching using a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, introduction defects in growth in the silicon substrate 10, which cause conical-pattern defects, are removed by digging a surface part of a separation groove forming region of the silicon substrate 10 at overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜12及びシリコン酸化膜11をパターン化するためのレジストパターン13を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板10における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板10中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern and a method for manufacturing a semiconductor device by which a light source such as an ArF excimer laser in a conventional exposure apparatus can be used as it is on patterning a resist pattern with excellent mass-productivity and a resist cut-out pattern can be finely formed exceeding the exposure limit of the light source.例文帳に追加

レジストパターンのパターニング時に既存の露光装置におけるArFエキシマレーザー光等の光源をそのまま使用可能であり量産性に優れ、レジスト抜けパターンを前記光源の露光限界を超えて微細に形成可能なレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法等の提供。 - 特許庁

The method comprises: establishing a power spectral density (PSD) indicative of the spatial frequency of the stray radiation produced by the projection system; and determining, from the PSD, a modulation transfer function (MTF) relating the PSD to the pattern applied by the patterning device in such a way that the effect of flare on the pattern image is taken into account.例文帳に追加

投影システムが生成する迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度(PSD)を確立し、フレアがパターン像に及ぼす効果を考慮に入れる方法で、パターニングデバイスが適用するパターンにPSDを関連づける変調伝達関数(MTF)を、PSDから決定する。 - 特許庁

In this half-tone phase-shifting photomask 108 having a pattern of a half-tone phase-shifting film 102 which includes at least chromium and fluorine on a transparent substrate 101, the optical characteristic variation due to the excimer laser irradiation for exposure is reduced by patterning the film which is subjected to heat treatment with the half-tone phase-shifting film 102.例文帳に追加

透明基板101上に少なくともクロムとフッ素とを含むハーフトーン位相シフト膜102のパターンを有するハーフトーン位相シフトフォトマスク108において、ハーフトーン位相シフト膜102により熱処理を施した膜をパターニングすることにより、露光用エキシマレーザー照射における光学特性変化を低減した。 - 特許庁

The thin-film transistor manufacturing method includes a process for so patterning a source electrode 3 and a drain electrode 4 on a substrate 2 by the optical use of a charging controlling agent absorbed in the substrate as to form them thereafter by a selective electroless plating; and includes a process for forming an organic semiconductor, a gate insulator, and a gate electrode.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板2上に、ソース電極3とドレイン電極4とを、基板に吸着させた帯電制御剤を光を使ってパターニングした後、選択的無電解メッキにより形成する工程と、有機半導体、ゲート絶縁体、ゲート電極とを形成する工程を含むものである。 - 特許庁

The patterning apparatus has a laser irradiating device 30 for so irradiating a laser light L on the predetermined place of the processing object material S as to remove the processing object material S present in the predetermined place, a plasma generating device 40 for gasifying by a plasma the removed processing object material S, and a discharging device 50 for discharging the gasified processing object material S.例文帳に追加

処理対象材Sの所定箇所にレーザ光Lを照射して、所定箇所の処理対象材Sを除去するレーザ照射装置30と、除去された処理対象材Sをプラズマによりガス化するプラズマ発生装置40と、ガス化された処理対象材Sを排出する排出装置50とを備える。 - 特許庁

In order to provide the patterning device 32, which has the material layer 31 and the patterned layer of the opaque material, on the surface of the material layer and form the PFPE liquid layer 40, the PFPE liquid which covers the surface is applied to the surface, and at least a part of the PFPE liquid layer is removed.例文帳に追加

素材層31および不透明材料のパターン状層を有するパターニング・デバイス32を素材層の表面に設けることと、PFPE液層40を形成するため、表面に表面を覆うPFPE液を塗布することと、PFPE液層の少なくとも一部を除去することとを含む。 - 特許庁

To provide a mask material for dry etching, which is suitable for fine patterning of thin magnetic films of about several nanometers such as NiFe and CoFe composing a TMR film, and furthermore, which can simplify a manufacturing process of a TMR element and reduce a manufacturing cost concerned with facilities and materials例文帳に追加

TMR膜を構成するNiFeやCoFeのように数nm程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、TMR素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提供する。 - 特許庁

The method for forming a reticle includes a process of providing a reticle blank having a quartz layer, attenuation phase change layer and metal layer, a process of coating the reticle blank with a resist, a process of patterning the resist into a plurality of levels, and a process of etching the reticle blank in accordance with the multilevel resist pattern.例文帳に追加

本発明のレチクル形成方法は、石英層、減衰位相変化層および金属層を有するレチクルブランクを提供する工程と、該レチクルブランクをレジストで覆う工程と、該レジストを複数レベルにパターンニングする工程と、該マルチレベルレジストパターンに従って該レチクルブランクをエッチングする工程とを包含する。 - 特許庁

A laser beam radiated in the shape of a circular cross section from a laser oscillator 4 is shaped into almost a rectangle by placing, in the laser beam, a set of two cylindrical lenses 5a and 5b arranged orthogonally to each other, when the tin oxide film applied onto a glass substrate 9 is subjected to the electrode patterning process by the irradiation of the laser beam.例文帳に追加

ガラス基板9上に被覆された酸化錫膜にレーザービームの照射により電極パターニング加工をするとき、レーザー発振器4から出射したビームの断面円形状をシリンドリカルレンズを互いに直交方向に配置した2個のレンズ5a、5bを2個1組としてレーザービーム中に配置して略矩形に整形する。 - 特許庁

Thus, since the accumulated capacitance electrode is formed on the layer different from that of the thin film transistor, the spot defect due to the short circuit between the accumulated capacitance electrode and the transistor is suppressed and, also, the display unevenness is suppressed by making smaller the fluctuation of an offset voltage by the fluctuation of an area when patterning the accumulated capacitance electrode.例文帳に追加

蓄積容量電極を薄膜トランジスタと異なる層に形成するため、蓄積容量電極とトランジスタの短絡による点欠陥を抑制し、また、蓄積容量電極のパターニング時の面積変動によるオフセット電圧の変動を小さくして表示むらを抑制することができる。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit.例文帳に追加

メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the flash memory device comprises the steps of forming the dielectric film 25, and then forming an amorphous silicon layer 31 to alleviate a topology generated by patterning a first polysilicon layer 24 in a cell region so that the silicon layer 31 conducts a role of a dielectric film protective layer of the cell region at the time of forming the gate oxide film 26 of the peripheral circuit region.例文帳に追加

誘電体膜25を形成した後、アモルフォスシリコン層31を形成してセル領域で第1ポリシリコン層24のパターニングで発生したトポロジーを緩和させ、アモルフォスシリコン層31が周辺回路領域のゲート酸化膜26形成の時にセル領域の誘電体膜保護層の役割をするようにする。 - 特許庁

Means for imparting the mutually different designs to both the decorative sheets may include a means for patterning both the decorative sheets differently from each other, a means for coloring both the decorative sheets differently from each other, a means for shaping both the decorative sheets differently from each other by forming a groove in one or both of surfaces of the floor plate.例文帳に追加

両化粧シートに互いに異なる意匠を付与する手段としては、両化粧シートを互いに異なる模様とする手段、両化粧シートを互いに異なる色とする手段、床板の片面あるいは両面に溝を設けて両化粧シートを互いに異なる形状とする手段等が挙げられる。 - 特許庁

The method of forming a polycrystalline silicon film comprises steps of forming an electrically insulating thermally conductive layer on a substrate, forming an amorphous silicon layer on the thermally conductive layer, patterning the amorphous silicon layer to form an amorphous silicon island, and annealing the amorphous silicon island to crystallize amorphous silicon.例文帳に追加

基板に電気絶縁性熱伝導層を形成する工程と、熱伝導層上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層をパターニングして非晶質シリコンアイランドを形成する工程と、アイランドをアニーリングして非晶質シリコンを結晶化する工程と、を含む多結晶シリコンフィルムの製造方法である。 - 特許庁

The method for producing the black matrix of the color filter includes a stage of forming a black matrix layer of a hydrophobic organic material on one surface of a transparent substrate, a stage of forming a black matrix by patterning the black matrix layer, and a stage of making side surfaces of the black matrix hydrophilic by irradiating the other surface of the transparent substrate with ultraviolet rays while heating the black matrix.例文帳に追加

透明基板の一の面に疎水性有機物からなる遮光層を形成する段階と、遮光層をパターニングしてブラックマトリックスを形成する段階と、ブラックマトリックスを加熱しながら透明基板の他の面側に紫外線を照射してブラックマトリックスの側面を親水化させる段階とを含む。 - 特許庁

By utilizing a residue-film-thickness distribution (a pattern-ratio distribution for CMP) which is the assumed-value distribution of residue-film thicknesses after a CMP process; and by using a computer, there is extracted a first region A in a patterning mask, which corresponds to an region X having higher values for the residue-film-thickness distribution than a first threshold.例文帳に追加

CMP工程後の残膜厚の推定に関する値の分布である残膜厚分布(CMP用パターンレシオ)分布を利用して、コンピュータを用いて、この残膜厚分布の値のうち当該値が第1の閾値よりも高い領域Xに対応する、パターニング用マスク内における第1領域Aを抽出する。 - 特許庁

In addition, since the protective insulator film 17 is provided between the top 11t of the recording layer 11 and the interlayer insulator film 16, damage to the recording layer 11 can be reduced at the time of patterning of the recording layer 11 or forming of a through hole 16a by which a part of the recording layer 11 is exposed.例文帳に追加

しかも、記録層11の上面11tと層間絶縁膜16との間に保護絶縁膜17が設けられていることから、記録層11のパターニング時や、記録層11の一部を露出させるスルーホール16aの形成時において、記録層11に与えるダメージを低減することが可能となる。 - 特許庁

To provide a fabric-fulling or tie-patterning method by which a fabric to be processed can efficiently be treated in processes for sticking the fabric to a thermally shrinkable film and then thermally shrinking the film to full and compact the fabric or draw a tie-pattern on the fabric, while omitting a process for drying an adhesive applied on the thermally shrinkable film and the fabric.例文帳に追加

熱収縮性フイルムを被加工布帛に貼り合わせて加熱収縮させて被加工布帛を縮絨緻密化し、或いは、被加工布帛に絞り模様を描出する過程において、熱収縮性フイルムと被加工布帛に塗着した接着剤の乾燥工程を省き、効率的に被加工布帛を処理する。 - 特許庁

This patterning base plate has the base material and a cell adhesion layer, wherein the cell adhesion layer is formed on the base material, contains a cell adhesion material having adhesiveness to the cells and decomposed or denatured by action of a photocatalyst due to energy irradiation, and further contains a binder.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、細胞と接着性を有しかつエネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解または変性される細胞接着材料、およびバインダを含有する細胞接着層とを有することを特徴とするパターニング用基板を提供する。 - 特許庁

In addition, since the manufacturing method is based on such a unique idea that thermocouples are not combined, but many thermocouples are produced by patterning a sheet obtained by sticking different kinds of conductive materials to each other by etching, the semiconductor technology can be applied and fine thermocouples can be mass-produced inexpensively with a high productive efficiency.例文帳に追加

さらに、熱電対を組み立てるのではなく、異なる導電性材料を貼り合わせたシートから多数の熱電対をエッチングでパターン化するという独特の発想に基づいているため、半導体技術を応用でき、微細な熱電対を高い生産効率と低いコストで大量に生産できる。 - 特許庁

The package of the fabric semiconductor device comprises a fabric printed circuit board which has textile fabrics, and a lead part formed by patterning a conductive material on the textile fabrics; a semiconductor device which has an electrode connected to the lead part of the fabric printed circuit board; and a molding part which seals the fabric printed circuit board and the semiconductor device.例文帳に追加

布製半導体素子のパッケージは、織布と、前記織布上に導電材をパターニングして形成されたリード部(lead)と、を有する布製印刷回路基板と、前記布製印刷回路基板のリード部に接続された電極部を有する半導体素子と、前記布製印刷回路基板と、前記半導体素子とを密封する成形部(molding)と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flexible wiring circuit board which causes no deterioration of patterning accuracy and less pattern fault, and is relatively easy to downsize its production equipment and its lead time can be relatively shortened and can be cut out by laser cutting method, even if the pattern pitch of the flexible wiring circuit board is made extremely small.例文帳に追加

フレキシブル配線回路基板のパターンピッチが非常に小さくなった場合であっても、パターニング精度が低下せず、パターン不良も生じにくく、製造設備の小型化も比較的容易であり、リードタイムを比較的短くすることができ、レーザーカッティング法で抜き加工を実施することもできるフレキシブル配線回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor etching method has a process of forming a metal fluoride layer at a temperature of not less than 150°C as at least one part of an etching mask 3 to be formed on a semiconductor layer 2; a process of patterning the metal fluoride layer; and a process of etching the semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer 3 as a mask.例文帳に追加

半導体層2上に形成されるエッチングマスク3の少なくとも一部として、金属フッ化物層を150℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層3をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

The method for manufacturing elements on flexible substrates includes a step of holding a plurality of flexible substrates 14 on a supporting substrate 10 having less dimensional variation than the flexible substrates in a divided state and a step of patterning elements on respective flexible substrates held on the supporting substrate.例文帳に追加

可撓性基板上に素子を製造する方法であって、前記可撓性基板よりも寸法変化率の小さい支持基板10上に複数の前記可撓性基板14を分割した状態で保持する工程と、前記支持基板上に保持された各可撓性基板上に素子をパターニングする工程と、を含むことを特徴とする素子の製造方法。 - 特許庁

The patterning apparatus has a vacuum chamber adjustable in pressure, a nozzle connected to a material feeding source and also arranged in the vacuum chamber, into which a material from the material feeding source is fed, and a substrate stage arranged in the vacuum chamber for holding and fixing a substrate.例文帳に追加

本発明に係るパターニング装置は、圧力を調整可能な真空チャンバーと、材料供給源に接続され、かつ前記真空チャンバーに取り付けられ、前記真空チャンバー内に前記材料供給源からの材料を供給するノズルと、前記真空チャンバー内に設けられた、基体を保持固定するための基体ステージと、を備えている。 - 特許庁

In a manufacturing method for an active matrix substrate used for a reflective liquid crystal display device, for forming unevenness on a surface of a pixel electrode (reflection electrode) to scatter light, convex parts 701 and 702 are formed through patterning using the same photomask as that used for forming a TFT, thereby forming unevenness on a surface of a pixel electrode 169.例文帳に追加

本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極(反射電極)の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部701、702の形成をTFTの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極169の表面に凸凹を形成する。 - 特許庁

The amorphous semiconductor film is doped with a catalytic element, a crystal semiconductor film is formed by a first heat treatment, the catalytic element is transferred to an n-type dopant layer formed on the crystal semiconductor film by a second heat treatment, and the first/second island-like crystal semiconductor films are formed on the first/second gate electrodes by patterning.例文帳に追加

非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、第1の加熱処理により結晶性半導体膜を形成し、第2の加熱処理により、結晶性半導体膜に設けられたN型不純物層に、触媒元素を移動させ、パターニングして第1/第2のゲイト電極上に第1/第2の島状の結晶性半導体膜を形成する。 - 特許庁

例文

To provide a surface finish method which enables the range worked with patterning to be designed easily and to be carried out efficiently with a satisfactory finish condition not depending on a grinding method by handyman's hands or machines, when making the concrete surface of exposed concrete or a precast product express the ballast of aggregate and attaching concave-convex patterns.例文帳に追加

打ち放しコンクリートやプレキャスト製品のコンクリート表面に骨材の砂利を表出させて凹凸模様を付ける際に、職人の手や機械によってハツル方法によらず、仕上がり状態が良好で、模様付けする範囲を容易にデザインすることができ、かつ効率的に行うことができる、表面仕上げ方法を提供する。 - 特許庁




  
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