「The n」に関連した英語例文の一覧と使い方(722ページ目) - Weblio英語例文検索

The invention relates to compounds of structural formulas (I), (VII) and (XI): or a pharmaceutically acceptable salt, solvate, clathrate, or prodrug thereof, wherein X_1, X_2, X_3, Y, Z, L, R_1, R_2, R_3, R_18 and n are defined herein.例文帳に追加

式（Ｉ）（ＶＩＩ）及び（ＸＩ）の化合物、又はその薬理学的に許容できる塩、溶媒和化合物、包接化合物若しくはプロドラッグであって、式中、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｘ_３、Ｙ、Ｚ、Ｌ、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_１８及びｎが本明細書で定義される。 - 特許庁

When small-size paper passes, a controller 4 allows a first heater 11 to generate heat, and also allows a heating unit 10 to rotate so that the first heater 11 may come closer to a center part of a nip N than a second heater 12 and a third heater 13.例文帳に追加

制御部４は、小サイズ紙の通紙時に、第１のヒータ１１を発熱させると共に、第１のヒータ１１が、第２のヒータ１２および第３のヒータ１３よりも、ニップ部Ｎの中心部に近くなるように、加熱ユニット１０を回転させる。 - 特許庁

To provide a complimentary MISFET which easily realizes threshold voltages required of each of a p-channel type MISFET and an n-channel type MISFET, using a high dielectric constant film as a gate insulating film, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

高誘電率膜をゲート絶縁膜として用い、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのそれぞれに要求されるしきい値電圧を容易に実現できる相補型ＭＩＳＦＥＴおよびその製造技術を提供する。 - 特許庁

Concentrations of P and N injected into the channel layer are controlled to optimize a band structure so that a two-dimensional electron gas improved in its mobility and concentrated in its carrier density is generated and ionization due to a ionization collision is suppressed when it is driven.例文帳に追加

チャネル層に導入するＰとＮの濃度を調節してバンド構造を最適化することにより、駆動時には従来よりも高い移動度が高く、キャリア濃度が高い二次元電子ガスを生じるとともに、電離衝突によるイオン化が抑制される。 - 特許庁

The topcoat consists of a composition including functionalized polyhedral oligomeric silsesquioxane derivatives of formulae T_m^R3, wherein m is equal to 8, 10 or 12 and Q_nM_n^R1, R2, R3, (wherein n is equal to 8, 10, 12).例文帳に追加

本発明のトップコートは、式Ｔ_ｍ^Ｒ３（ただしｍが８、１０、または１２に等しい）および式Ｑ_ｎＭ_ｎ^Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３（ただしｎが８、１０、または１２に等しい）の官能化多面体オリゴマー・シルセスキオキサン誘導体を含む組成物である。 - 特許庁

The unit coils 8', 9' form spirally wound flat structures and are arranged adjacently, and unit coils which are adjacently arranged side by side have current directions I set opposite to each other so as to have N and S magnetic poles reversely.例文帳に追加

各単位コイル８’，９’は、渦巻状に巻回された扁平フラット構造をなし、隣接配置されると共に、直に並んで隣接配置された相互間で、電流の向きＩが逆となる設定よりなり、磁極のＮ極とＳ極が逆となっている。 - 特許庁

The aqueous ink comprises a pigment, a 9C diol derivative, a self-emulsified water-dispersed polyester resin, and a component represented by general formula (I), wherein R_1 denotes a 8-22C alkyl group or an alkylphenyl group; M denotes any one selected from an alkali metal ion, quaternary ammonium, quaternary phosphonium, and alkanolamine; and n denotes an integer of 4-21.例文帳に追加

（式中、Ｒ_１は炭素数８〜２２のアルキル基またはアルキルフェニル基を表わし、Ｍは、アルカリ金属イオン、第４級アンモニウム、第４級ホスホニウム、及びアルカノールアミンから選択されるいずれかを表わし、ｎは４〜２１の整数を表わす。） - 特許庁

In this semiconductor laser element, an InGaP etching blocking layer 11 as an etching selection layer having etching selectivity relative to current block layers 10 is formed on the n-type AlInP current block layer 10 as a layer which does not absorb light.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、非光吸収層であるｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０の上に、電流ブロック層１０に対してエッチング選択性を有するエッチング選択層としてのＩｎＧａＰエッチング阻止層１１が形成されている。 - 特許庁

The aqueous suspension formulation comprises 4-chlorobenzyl=N-(2,4-dichlorophenyl)-2-(1H-1,2,4-triazol-1-yl)thioacetimidate, a naphthene-based solvent, a polyvinyl alcohol and water and has 100-1,000 mPa s preparation viscosity at 20°C.例文帳に追加

４−クロロベンジル＝Ｎ−（２，４−ジクロロフェニル）−２−（１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−１−イル）チオアセトイミダート、ナフテン系溶剤、ポリビニルアルコールおよび水よりなり，２０℃での製剤粘度が１００〜１０００ｍＰａ・ｓであることを特徴とする、水性懸濁製剤。 - 特許庁

In a semiconductor device, a gate electrode 109 of a p-channel type MISFET is created by laminating a tungsten film 107 on a titanium nitride film 106, and a gate electrode 110a of an n-channel type MISFET is created by laminating the tungsten film 107 on a titanium nitride film 106a.例文帳に追加

ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１０９は窒化チタン膜１０６にタングステン膜１０７が積層してなり、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１１０は窒化チタン膜１０６ａにタングステン膜１０７が積層してなる。 - 特許庁

To provide a camera system for compositing a plurality of images photographed under different exposure times so as to extend the dynamic range capable of suppressing line crawl occurred in a composite image caused by photographing objects in various colors and obtaining an image with excellent S/N.例文帳に追加

異なる露光時間で撮影した複数の画像を合成してダイナミックレンジを拡大するカメラシステムにおいて、様々な色の被写体撮影に起因して合成画像中に発生するラインクロールを抑制し、かつＳ／Ｎのよい画像を得る。 - 特許庁

To receive supply of information data without being affected by noise by outputting an output signal from a receiver only when the S/N of a reception signal is not less than prescribed.例文帳に追加

受信信号のＳ／Ｎが所定以上の場合にのみ受信機から出力信号を出力することにより、雑音の影響を受けずに情報データの提供を受けることができる送信機、受信機及び情報提供システムを提供する。 - 特許庁

The overvoltage protective function built-in MOS semiconductor apparatus includes an n-type region 17 which is deeper than a well 4 of a main IGBT or an MOSFET and is formed on a surface of a drain region 16 electrically connected to a Zener diode 16.例文帳に追加

ツエナーダイオード１６に電気的に接続されたドレイン領域１６表面に、主ＩＧＢＴもしくはＭＯＳＦＥＴのウェル４よりも深いｎ型領域１７を形成する過電圧保護機能内蔵型ＭＯＳ型半導体装置とする。 - 特許庁

A phase synchronizing circuit 10 is provided with a synchronizing loop circuit 12 equipped with a phase comparator 14, a voltage control oscillator 18 and a variable frequency-divider 20 for 1/n frequency-dividing and outputting a clock signal f_VCO output by the voltage controlled oscillator 18.例文帳に追加

位相同期回路１０は、位相比較器１４と、電圧制御発振器１８と、電圧制御発振器１８の出力したクロック信号ｆ_ＶＣＯを１／ｎ分周して出力する可変分周器２０とを備えた同期ループ回路１２を有する。 - 特許庁

The primer composition includes a film forming resin, and a urethane prepolymer obtained by reaction of a polyisocyanate having an isocyanurate ring and three or more isocyanate groups with a diol represented by HO-(CH_2)_n-OH (n: an integer from 2 to 8).例文帳に追加

造膜樹脂と、イソシアヌレート環と３個以上のイソシアネート基とを有するポリイソシアネートと、ＨＯ−（ＣＨ_2）_n−ＯＨ（ｎ：２〜８の整数）で表されるジオールとを反応させることによって得られるウレタンプレポリマーとを含有するプライマー組成物。 - 特許庁

To provide a solar cell having superior photoelectric conversion efficiency equipped with a bulk-heterojunction type organic thin film, having a pn junction interface of nanometer order which can be easily formed, regardless of the combination of a p-type material and an n-type material.例文帳に追加

ｐ型材料とｎ型材料の組み合わせにかかわらず容易に形成することができる、ナノメートルオーダーのｐｎ接合界面を有するバルクヘテロ接合型の有機薄膜を備える光電変換効率に優れた太陽電池を提供すること。 - 特許庁

For a voltage vector V(n) expressing a present operation state, if a norm |edq| of an error vector edq between a prediction current vector Idqe and a command current vector Idqr is larger than a threshold value eth, the series of processing are executed.例文帳に追加

現在の操作状態を表現する電圧ベクトルＶ（ｎ）について、予測電流ベクトルＩｄｑｅと指令電流ベクトルＩｄｑｒとの誤差ベクトルｅｄｑのノルム｜ｅｄｑ｜が閾値ｅｔｈよりも大きい場合、この一連の処理を実行する。 - 特許庁

To generate a reference current of an n-bit D/A converter, A/D converter or the like without circuit scale expansion by devising a compensation circuit of a current mirror circuit, and to enhance stability for a temperature of a residue amplifier.例文帳に追加

カレントミラー回路の補償回路を工夫して、回路規模増を伴うことなく、ｎビットのＤＡ変換器や、ＡＤ変換器等の基準電流を発生できるようにすると共に、残差アンプの温度に対する安定度を改善できるようにする。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element has an n-type clad layer 30 composed of AlGaN on a predetermined substrate 10, an active layer 40 composed of a quantum well of a nitride semiconductor thereon, and a p-type clad layer 50 composed of AlGaInN thereon.例文帳に追加

所定の基板１０上に、ＡｌＧａＮからなるｎ型のクラッド層３０を有し、その上に窒化物半導体の量子井戸で構成される活性層４０を有し、その上にＡｌＧａＩｎＮからなるｐ型のクラッド層５０を有する。 - 特許庁

To provide a half rate CDR circuit capable of using an N type voltage-controlled oscillator with low jitter by preventing a phase comparison polarity of a half rate phase detector from incurring complicated circuit configuration and increased circuit scale of the half rate phase detector.例文帳に追加

ハーフレートＣＤＲ回路において、ハーフレート位相検出器の位相比較極性が、ハーフレート位相検出器における回路構成の複雑化と回路規模の増大を招かずに、低ジッタのＮ型電圧制御発振器の使用を可能にする。 - 特許庁

To quickly measure, with a satisfactory S/N ratio, a change of reflectance or transmittance in a solid due to non-equilibrium carrier and non-equilibrium lattice vibration of the solid generated by laser pulse excitation.例文帳に追加

レーザパルス励起により生じた固体の非平衡キャリアおよび非平衡格子振動による固体の反射率または透過率変化を高速且つＳ／Ｎ比良く測定することのできる、物質の光応答を測定する方法および装置を提供する。 - 特許庁

In this embodiment, the semiconductor memory 1 is provided with bit lines 3 formed by injecting n-type impurity into a p-type semiconductor substrate 2 and word lines 5 formed on a semiconductor substrate 1 which are perpendicular to respective bit lines 3.例文帳に追加

本実施例の半導体記憶装置１は、ｐ型半導体基板２にｎ型不純物を注入して形成されたビット線３と、半導体基板１上に各ビット線３と直交するように形成されたワード線５とを備えてなる。 - 特許庁

To provide a radio communication apparatus capable of surely acquiring information from the radio wave of a communication target even in an environment bad in S/N, thereby enhancing a bit error rate.例文帳に追加

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、Ｓ／Ｎ比がよくない環境においても確実に通信対象の電波から情報を取得することができ、ビット誤り率を改善できる無線通信装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This binary polymer blend composition comprises a polyamide resin and a thermoplastic resin, and forms the both continuous phase structures, in which a surface tension upon melt blending ranges from 0.05×10^-3 to 20×10^-3 N/m.例文帳に追加

ポリアミド系樹脂と熱可塑性樹脂からなる二成分系ポリマーブレンドであって、溶融混練時の界面張力の大きさが0.05×10^-3〜20×10^-3Ｎ/ｍの範囲であることを特徴とする，両連続相構造が形成されている二成分系ポリマーブレンド組成物。 - 特許庁

This plaster consists essentially of 5-50 wt.% of a styrene- isoprene-styrene block copolymer, 0.05-20 wt.% of N-methyl-2-pyrrolidone, 0.1-20 wt.% of polyethylene glycol and 0.1-20 wt.% of the 4-biphenylacetic acid.例文帳に追加

スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体５〜５０重量％、Ｎ−メチル−２−ピロリドン０．０５〜２０重量％、ポリエチレングリコール０．1〜２０重量％、および４−ビフェニル酢酸０．１〜２０重量％を必須成分として含有する貼付剤である。 - 特許庁

Further, since the signal level of an image pickup signal can be improved in average by (+) exposure correction, an S/N sufficient rather than negative photographing under ordinary exposure control similar to general object or positive photographing can be provided.例文帳に追加

また、＋露出補正により撮像信号の信号レベルを平均的に高めることができるので、一般被写体やポジ撮影時と同様の通常露出制御でネガ撮影を行った場合よりも、十分なＳ／Ｎを得ることが可能となる。 - 特許庁

A differential pair constituting a variable gain amplifier control circuit comprises an n-channel transistor TR11 and a p-channel transistor TR12, and a common gain control voltage S1 is supplied to gates of the transistors TR11 and TR12.例文帳に追加

ゲイン可変増幅器制御回路を構成する差動対として、ｎチャネル型トランジスタＴＲ１１とｐチャネル型トランジスタＴＲ１２とを用い、共通のゲイン制御電圧Ｓ１をこれらトランジスタＴＲ１１およびＴＲ１２のゲートに供給する。 - 特許庁

A coated cutting tool has hard coating including at least one aluminum titanium nitride layer having a B1 cubic phase single layer structure and composition (Al_xTi_1-x)N wherein x is in the range of about 0.46 to about 0.52 mol.例文帳に追加

Ｂ１立方晶相の単層構造と組成（Ａｌ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｎとを有し、ｘが約０．４６〜約０．５２モルの範囲である、少なくとも１つの窒化アルミニウムチタン層を含むハードコーティングを有する、コーティングされた切削工具を開示する。 - 特許庁

A semiconductor thin film consisting of a ZnO series compound which doped nitrogen as a p-form layer 11 is formed on an n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 whose resistance is lowered by the doping of donor impurities, and is connected thereto through pn connection.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

The fluorine-containing thiophene polymer includes a component unit (I) represented by formula (I): (wherein Y is hydrogen or a fluorine atom, Rf^1 is a 1-9C fluoroalkylne group or perfluoroalkylne group, and n is an integer from 5 to 2,000).例文帳に追加

式（Ｉ）：（式中、Ｙは水素またはフッ素原子を示し、Ｒｆ^1は炭素数１〜９のフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキレン基を示し、ｎは５〜２０００の整数を示す）で表わされる構成単位（Ｉ）からなる含フッ素チオフェン重合体である。 - 特許庁

A multidimensional correlation determination means 120 uses a Lagrange relaxation method to solve an (N+1)-order allocation problem as a repetition of two-dimensional allocation problems from the track candidate matrix and cost arrays, thus extracting an optimum track combination.例文帳に追加

多次元相関決定手段１２０は、航跡候補行列とコスト配列とからＬａｇｒａｎｇｅ緩和法を用いて、Ｎ＋１次元割当問題を２次元割当問題の繰り返しとして解くことにより、最適航跡組み合わせを抽出する。 - 特許庁

To provide a method for enhancing a specific activity of an EPO composition by enhancing the EPO composition so as to have a high proportion of N-acetyl-lactosamine units and/or tetra-antenna branches in a carbon hydrate structure thereof.例文帳に追加

本発明は、ＥＰＯ組成物を、炭水化物構造内のＮ−アセチルラクトサミン単位及び／又は４アンテナ分枝を高い比率のものに強化することを特徴とする、ＥＰＯ組成物の比活性を増大する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a noise suppression type microphone by which an excellent narrow directional can be obtained, a S/N ratio of voice uttered in a noisy location at a distance is improved, the number of used microphones is reduced to be suitable for miniaturization.例文帳に追加

優れた狭指向性が得られ、離れた雑音の多い場所で発話された音声のＳ／Ｎ比を改善することができ、しかも使用するマイクロホンの数も少なくて済む小型化に好適な、雑音抑圧型マイクロホンを提供することになる。 - 特許庁

The floating resistor formed under a state that one end is floated electrically is formed in an isolated insular shape in an n-type semiconductor region 13 formed in a p-type semiconductor substrate 10 as a diffusion resistor 14 composed of a p-type semiconductor.例文帳に追加

一端が電気的に浮いた状態で設けられるフローティング抵抗を、ｐ型半導体からなる拡散抵抗１４として、ｐ型半導体基板１０内に形成されたｎ型半導体領域１３内に孤立した島状に形成する。 - 特許庁

The positive type photoresist composition contains a polysiloxane containing at least a structural unit of formula I [where L is a single bond or arylene, A is an aromatic ring or an alieyclic structure and (n) is an integer of 1-6] as a copolymerized component.例文帳に追加

少なくとも式(I）で示される構造単位（Ｌは単結合又はアリーレン基を表し、Ａは芳香環又は脂環構造を表し、ｎは１〜６の整数を表す）を共重合成分として含有するポリシロキサンを含有するポジ型フォトレジスト組成物。 - 特許庁

In the solar cell 10, an i-type amorphous semiconductor layer 12 includes an exposed portion 12A which is exposed in plan view and a coating portion 12B covered with a p-type amorphous semiconductor layer 13 and an n-type amorphous semiconductor layer 14.例文帳に追加

太陽電池１０において、ｉ型非晶質半導体層１２は、平面視において露出する露出部１２Ａと、ｐ型非晶質半導体層１３及びｎ型非晶質半導体層１４によって覆われる被覆部１２Ｂとを含む。 - 特許庁

Oscillation circuit cells 101, and so on comprise an amplifier having linear distortion and a resonator, and an (n is ≥2 integer) pieces of the oscillation circuit cells 101, and so on are connected mutually to another oscillation circuit cell via a capacitor 3 constituting respective resonator.例文帳に追加

発振回路セル１０１，・・・を、線形性歪みを有する増幅器と共振器とで構成し、ｎ（ｎは２以上の整数）個の発振回路セル１０１，・・・を、それぞれの共振器を構成するキャパシタ３を介して他の発振回路セルと相互に接続する。 - 特許庁

The unsaturated alicyclic polycarbonate is expressed by general formula (I) (wherein, R1 is independently selected from a substituted or unsubstituted alkyl, alkenyl, or aryl, respectively, x is an integer of 0-4, and n is an integer of 10-10,000).例文帳に追加

下記一般式（I）：（式中、Ｒ１はそれぞれ独立して、置換又は非置換の、アルキル基、アルケニル基又はアリール基から選択され、ｘは０〜４の整数であり、ｎは１０〜１００００の整数である。）で表される、不飽和脂環式ポリカルボナート。 - 特許庁

On this semiconductor substrate (more accurately, on the n-type GaAs contact layer 5), a source electrode 6 and a drain electrode 7 are made of an AuGe/Ni/Au alloy, and additionally, an insulation film 8 (concretely, a SiO2 insulation film) is formed.例文帳に追加

そして、この半導体基板上（より正確にはｎ型ＧａＡｓコンタクト層５）上に、ソース電極６及びドレイン電極７がＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金で形成され、さらに、絶縁膜（具体的にはＳｉＯ___2絶縁膜）８が形成されている。 - 特許庁

In the formula, R^1 represents hydrogen atom, halogen atom, substitutional or non-substitutional alkyl group, aryl group or heterocyclic ring group, alkoxyl group, carbonyl group, nitro group, amino group, or cyano group, R^2 represents substitutional or non-substitutional aromatic amine, and n is an integer of not less than 2.例文帳に追加

（式中、Ｒ^1は水素原子、ハロゲン原子、置換又は未置換のアルキル基、アリール基又は複素環基、アルコキシ基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基を表し、Ｒ^2は置換又は未置換の芳香族アミンを表す。ｎは２以上である。） - 特許庁

A nitride semiconductor quantum structure is formed which has an (n) or (i) type positive hole injection layer on a (p) type semiconductor substrate and includes at least indium and gallium at a long distance enough from the (p) type semiconductor substrate to inject positive holes.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上にｎ型あるいはｉ型の正孔注入層を備え、前記ｐ型半導体基板から正孔が注入されうる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体量子構造を形成する。 - 特許庁

The method for refining a hard-to-extract recombinant protein expressed in a recombinant plant by extraction using an extractive solution containing a reducing agent and a surfactant or an extractive solution containing n-propanol and β-mercaptoethanol, is provided.例文帳に追加

組換え植物で発現した難抽出化組換えタンパク質を、還元剤および界面活性剤を含有する抽出液またはｎ−プロパノールおよびβ-メルカプトエタノールを含有する抽出液用いて行う抽出により、精製する方法の提供。 - 特許庁

In the formulae, A is an optionally substituted phenyl group or an optionally substituted naphthyl group; X is a bivalent linking group; M is a hydrogen atom, an alkyl metal or a quaternary ammonium; and (m) and (n) are each independently an integer of 1-4.例文帳に追加

（式中、Ａは置換されていてもよいフェニル基または置換されていてもよいナフチル基を表し、Ｘは二価の連結基を表し、Ｍは水素原子、アルキル金属または四級アンモニウムを表し、ｍ、ｎはそれぞれ独立に１〜４の整数を表す。） - 特許庁

Thereafter, a resist 7 covering a logic forming region AreaL is formed, and then an SRAM n-type extension region 8 is formed by ion-implanting impurities into an SRAM forming region AreaS using the gate electrode 6a as a mask.例文帳に追加

その後、ロジック部形成領域ＡｒｅａＬを覆うレジスト７を形成した後、ＳＲＡＭ部形成領域ＡｒｅａＳにゲート電極６ａをマスクにして不純物をイオン注入してＳＲＡＭ用ｎ型エクステンション領域８を形成する。 - 特許庁

To provide a production method by which an N-spiro-quaternary ammonium salt useful as a phase transfer catalyst and having axial asymmetry is obtained in high purity and high yield by a shortened process; and to provide an intermediate used for the method.例文帳に追加

相関移動触媒として有用な、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を、短縮された工程で、より高純度かつ高収率で得ることのできる製造方法ならびにその方法に使用される中間体を提供する。 - 特許庁