「atomic density」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To obtain a high quality film body by feeding an atomic gas obtained by a plasma cell to a reaction system in a high density and utilizing the activity of the atomic gas.例文帳に追加

プラズマセルで得た原子状ガスを高密度に反応系に供給し、前記原子状ガスの活性を利用して高品質の膜体を得る。 - 特許庁

Furthermore, the ratio of atomic number of the catalyst to a catalyst carrier carrying the catalyst is made the carrying density of the catalyst.例文帳に追加

なお、触媒を担持する触媒担持体に対する触媒の原子数比を触媒の担持密度とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, having a metal insulator field effect transistor(MISFET) where a gate insulating film having high nitrogen atomic density can be surely peeled in a region, on which a gate insulating film having low nitrogen atomic density is to be formed, when gate insulating films having different nitrogen atomic densities are formed.例文帳に追加

異なる窒素原子密度を有するゲート絶縁膜の形成に際し、窒素原子密度の低いゲート絶縁膜を形成する領域で、窒素原子密度の高いゲート絶縁膜を確実に剥離することができる、MISFETを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On a silicon substrate 1, the high-density silicon oxide film 3 having a density of 2.25 g/cm^3 or higher is formed via a sub-oxide layer 2 formed of not more than several atomic layers.例文帳に追加

シリコン基板１上に数原子層以下のサブオキサイド層２を介して密度が2.25ｇ／ｃｍ^３以上の高密度シリコン酸化膜３を設ける。 - 特許庁

To easily measure atomic radical density in plasma with high accuracy and high sensitivity by making gas of specified pressure containing atoms in gas, into plasma in a micro hole of a negative electrode plate to generate atomic beams, and irradiating the atomic beams to raw material gas made into plasma.例文帳に追加

測定される反応性プラズマ中における機能ガス原子ラジカル密度に基づいてプロセス処理を高い再現性で、高精度及びリアルタイムに制御することができる原子状ラジカル測定方法及びその装置の提供。 - 特許庁

Since the graphene has the defect at the number density, the oxygen concentration of the graphene is 0.3-30 atomic%.例文帳に追加

また、上記の数密度で欠陥を有するため、グラフェンの酸素濃度は０．３原子％以上３０原子％以下である。 - 特許庁

Concretely, the structure of an electronic device is designated by atomic arrangement 3 and electrode arrangement 4, the behavior of the electronic device is regulated by Hamiltonian of atomic arrangement, an electronic field and electromagnetic field, and the condition of the electronic device is described by density matrix of the atomic arrangement, electron field and electromagnetic field.例文帳に追加

具体的には、電子デバイスの構造を原子配置３・電極配置４により指定し、その振る舞いを原子配置・電子場・電磁場のハミルトニアンで規定し、その状態を原子配置・電子場・電磁場の密度行列で記述する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus which can form a thin film having higher density by using a plasma ALD method.例文帳に追加

プラズマＡＬＤ法を用いた場合により高密度の薄膜を形成することができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

Further, in the metal coating layer 16, an atomic density of at least part containing the surface of the metal coating layer 16 is enhanced.例文帳に追加

さらに、金属被覆層１６において、この金属被覆層１６の表面を含む少なくとも一部の原子密度を高める。 - 特許庁

X-ray diffraction is influenced by the electron density distribution of the atomic shell and electron diffraction (is influenced) by the screened Coulomb potential of the nuclei. 例文帳に追加

X線回折は、原子殻の電子密度分布に支配され、そして電子回折は、原子核の遮蔽されたクーロン電位に支配される。 - 科学技術論文動詞集

In the porous carbon material, preferably, the atomic ratio (H/C) between hydrogen and carbon is 0.05 to 0.4, and bulk density is 0.75 to 1.7 g/cm^3.例文帳に追加

この多孔質炭素材は、水素と炭素との原子比（Ｈ／Ｃ）が、０．０５〜０．４、バルク密度が０．７５〜１．７ｇ／ｃｍ^３であることが好ましい。 - 特許庁

a metal of relatively high density (specific gravity greater than about 5) or of high relative atomic weight (especially one that is poisonous like mercury or lead) 例文帳に追加

比較的高い密度（約5より比重の大きい）の、または、高い相対原子量の金属（特に水銀または鉛など、有毒であるもの） - 日本語WordNet

To provide a method of accurately determining the effective atomic number and electron density of a subject to be tested even when a single radiation source is used for one CT measurement.例文帳に追加

１つの放射線源を用いて１回のＣＴ測定を行う場合にも、精度よく被検体の実効原子番号と電子密度とを求める方法を提供する。 - 特許庁

The oxygen molecule density in the mixed gas is reduced so as to accelerate decomposition of ozone gas, thereby improving oxidization efficiency and allowing atomic oxygen to effectively reach the substrate surface.例文帳に追加

混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。 - 特許庁

The images of each basis material can then be properly combined to give monochromatic images, density and effective atomic number images, or photoelectronic and Compton processes images.例文帳に追加

各基礎物質の画像を適切に組み合わせて、単色画像、密度及び実効原子番号画像、又は光電子及びコンプトンプロセス画像を提供することができる。 - 特許庁

The scintillator comprises using a tungstate single crystal and arranging the single crystal for crystalline bearings to make a crystal face having dense atomic density and incidence direction of the radiation to parallel.例文帳に追加

タングステン酸塩単結晶を使用し、その単結晶を原子密度が稠密である結晶面と放射線の入射方向が平行となる結晶方位で配置させる。 - 特許庁

In the case of making raw material gas into plasma to form a thin film, to etch, and the like, atomic beams are irradiated to the raw material gas made into plasma, and atomic radical density in plasma is measured from the difference of atomic beam intensity before and after penetrating plasma to control plasma.例文帳に追加

原料ガスをプラズマ化して被処理体に原料ガス成分の薄膜を成膜したり、被処理体をエッチング処理する際に、プラズマ化した原料ガスに対して原子光発生装置から原子光を照射し、プラズマ透過前の基準原子光の強度とプラズマを透過した原子光線の強度に基づいてプラズマ中における原子状ラジカル密度を測定する。 - 特許庁

In an atom reflecting optical element of atom waves (de Broglie waves), that is, an atom reflection optical element, apparent atomic density on a reflection surface needs to be reduced to raise the reflection index.例文帳に追加

原子波（ドブロイ波）の反射型光学素子である原子反射光学素子において、その反射率を上げるためには、反射表面の見かけの原子密度を少なくすればよい。 - 特許庁

To accurately and efficiently predict oxygen deposit density, being generated by heat treatment from an atomic void concentration that is introduced by RTA heat treatment before prescribed heat treatment.例文帳に追加

ＲＴＡ熱処理により導入された原子空孔濃度から、所定の熱処理前にこの熱処理にて生成される酸素析出物密度を精度良くかつ効率的に予測する。 - 特許庁

In the case where a silicon nitride of which the content of nitrogen exceeds 6 atomic percent, the increase in optically induced refractive index due to a high density becomes larger in accordance with the increase in the content of nitrogen.例文帳に追加

窒素の含有率が６原子％を超えるシリコン酸窒化物では、窒素の含有率の増加に伴って高密度化による光誘起屈折率の増加量が大きくなる。 - 特許庁

Further, a metal density in a range from the surface of the electron emission film to the depth of 10 nanometers is set up to be 0.1 to 40 atom% against the carbon atomic number included in the electron emission film.例文帳に追加

さらに、電子放出膜の表面から１０ｎｍまでの範囲における金属の濃度を、電子放出膜中に含まれる炭素原子数に対し０．１原子％以上４０原子％以下とする。 - 特許庁

This target is a sintered body consisting of indium and molybdenum, in which molybdenum exists at the rate of 0.003-0.20 by atomic ratio against indium, and of which the relative density of the sintered body is 90% or more.例文帳に追加

インジウムとモリブデンと酸素とからなる焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で０．００３〜０．２０の割合で存在し、焼結体相対密度が９０％以上のものである。 - 特許庁

To provide a scintillator crystal sufficiently suitable for photomultiplier tubes when used as a scintillator without lowering a crystal density and an effective atomic number, and a radiation detector using the same.例文帳に追加

結晶の密度や実効原子番号を小さくすることなく、しかもシンチレータとして用いると光電子増倍管に十分適したものとなるシンチレータ用結晶及びこれを用いた放射線検出器を提供する。 - 特許庁

To provide a method using an atomic layer deposition method in order to grow an extremely homogeneous thin-film whose surface density is favorable, which has an extremely high purity and whose surface properties are controlled with high precision.例文帳に追加

良好な表面密度、極めて高い純度を有し、表面特性を高精度で制御された非常に均一な薄膜を成長するために、原子層堆積法を用いた方法を提供することである。 - 特許庁

The method for manufacturing a molecular device which comprises a step of using a molecular structure having an atomic density higher in the peripheral part than in the inner part and bondable residues in the peripheral part to allow the above bondable residues to crosslink and the like are disclosed.例文帳に追加

内部よりも周囲部分の原子密度が高く、周囲部分に結合性残基を有する分子構造体を用い、前記の結合性残基を架橋させる工程を含む、分子デバイスの製造方法など。 - 特許庁

The zinc oxide-based sintered target contains 0.2 to 3 mass% aluminum, sintered density is ≥5.5 g/cm^3, and also, ≥8 atomic% of the aluminum is present in a solid-soluted form.例文帳に追加

アルミニウムを０．２〜３質量％含有する酸化亜鉛系ターゲットであって、焼結密度５．５ｇ／ｃｍ^３以上、且つアルミニウムの内の８原子％以上が、固溶した形態で存在している酸化亜鉛系焼結ターゲットである。 - 特許庁

The first electrode is formed on a support, and a cold cathode is laminated which has needle particles at least as constituents wherein the atomic density of impurities is heterogeneously distributed from the surface toward inside on the first electrode.例文帳に追加

支持部材の上に第１の電極を形成し、第１の電極上に表面より内部に向かって前記不純物原子密度が不均一に分布している針状粒子を少なくとも構成要素とする冷陰極部材を積層する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer group, comprising the group III nitride with the Ga content of 50 atomic % or higher to all group III elements, having a carrier density of 1×10^16/cm^2or more is formed on the group III nitride base layer.例文帳に追加

次いで、前記III族窒化物下地層の上方において、全III族元素に対するＧａ含有量が５０原子％以上であるIII族窒化物からなるキャリア密度１×１０^16／ｃｍ^2以上のｐ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

For example, with a porous surface structure, a structure supporting a very thin film or a structure with narrowed island part (reflection surface) of a reflection diffraction grating, the apparent atomic density on the reflection surface can be reduced.例文帳に追加

例えば、多孔質表面構造や、極薄の薄膜を支持する構造、又は、反射回折格子の島状部（反射面）を狭くした構造などによって、反射表面の見かけ上の原子密度を少なくすることができる。 - 特許庁

The separation preventive layer 19 is formed of SiO_2 with an atomic density of ≥6.1×10^22 atoms/cm^3, and the thickness thereof is sufficiently small, for example, ≤1/2, preferably ≤1/10 of the thickness of the dielectric layer 20.例文帳に追加

剥離防止層１９は、例えば原子密度が６．１×１０^22ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3 以上であるＳｉＯ_2 からなり、その厚みは誘電体層２０の厚みの２分の１以下、好ましくは１０分の１以下と十分に薄く形成される。 - 特許庁

The atomic density% A of a specific element constituting the laminar inorganic mineral when the toner is measured by XPS and the atomic density% B of the specific element when the toner is measured by XPS after melt kneading, satisfy the relationship: A>B.例文帳に追加

少なくともトナー組成物及び／又はトナー組成物前駆体を含む油相を水系媒体に分散及び／又は乳化して造粒するトナーにおいて、前記トナーは、層間のイオンの少なくとも一部を有機物イオンで変性した層状無機鉱物を有し、かつ該トナーをＸＰＳで測定した際の層状無機鉱物を構成する特定元素の原子濃度％をＡとし、該トナーを溶融混練後ＸＰＳで測定した際の前記特定元素の原子濃度％をＢとしたとき、Ａ＞Ｂとなることを特徴とするトナーである。 - 特許庁

This single crystal silicon carbide substrate 50 has a crystal structure of a polytype of 4H, has nitrogen atoms added thereto as a conductive type impurity at the atomic density exceeding 1×10^16/cm^3, and has a main surface involving a circle having a diameter of 5 cm.例文帳に追加

本発明の単結晶炭化珪素基板５０は、４Ｈのポリタイプの結晶構造を有し、１×１０^16個／ｃｍ^3を超える原子濃度で導電型不純物として添加された窒素原子を有し、直径５ｃｍの円を包含する主面を有する。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a plasma-discharge processing apparatus and method therefor whereby the density of atomic oxygen radicals is improved properly and the control of a plasma-discharge processing is made at a low cost, in the plasma-discharge processing performed under a nearly atmospheric pressure by using the mixed gas of nitrogen and oxygen gases.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で窒素ガスと酸素ガスとが混合された混合ガスを用いて行うプラズマ放電処理で、原子状酸素ラジカルの密度を的確に高めることができ、かつ安価に制御を行うことが可能なプラズマ放電処理装置およびプラズマ放電処理方法を提供する。 - 特許庁

The backcoat layer has an average surface roughness ranging from 15 to 25 nm, as measured by an atomic force microscope, and a density of protrusions equal to or greater than 50 nm in height ranges from 1 to 50 pieces/mm^2 on the backcoat layer surface, as measured by a three-dimensional surface roughness meter with a contact needle.例文帳に追加

原子間力顕微鏡で測定したバックコート層表面の平均表面粗さは１５〜２５ｎｍの範囲であり、かつ触針式三次元表面粗さ計により測定したバックコート層表面の高さ５０ｎｍ以上の突起密度は１〜５０個／ｍｍ^2の範囲である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can attain improvement of a capacitance equivalent thickness and a leakage current characteristic through the formation of an amorphous high-dielectric insulating film with a high density using a precursor which can be vapor-deposited by means of an atomic layer vapor-deposition process at a temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

400℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a scanning type probe microscope for stabilizing the measurement of a force gradient and a displacement current, for example, in an atomic force microscope for improving accuracy, and at the same time to provide a high-density information-reproducing apparatus using the configuration of the scanning-type probe microscope.例文帳に追加

原子間力顕微鏡などにおける力勾配の測定と変位電流の測定を安定させ、精度を高めることを可能にする走査型プローブ顕微鏡を提供するとともに、この走査型プローブ顕微鏡の構成を用いた高密度の情報再生装置を提供する。 - 特許庁

In the process for depositing the Co containing oxide film, magnetron sputtering is performed by using of a metallic target where the magnetic flux density in the inner part is ≤0.2 T and the total content of Co and Fe is ≥80 atomic % to the whole metal when an external magnetic field is applied at 7.96 kA/m intensity.例文帳に追加

外部磁界を７．９６ｋＡ／ｍの強度で印加したときの内部の磁束密度が０．２Ｔ以下であり、ＣｏおよびＦｅの合計含有量が全金属に対して８０ａｔ％以上である金属ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリングを行うＣｏ含有酸化物膜の成膜方法。 - 特許庁

Also, under the conditions that a spattering speed becomes 3.6 nm/min in the case of spattering of SiO_2 as a standard sample by the X ray photoelectron spectroscopy using an argon beam, the spattering of the wire surface reveals that the average oxygen density is 20 atomic % or below when detected during the spattering time between 6 minutes and twelve minutes.例文帳に追加

また、アルゴンビームを使用したＸ線光電子分光法により、標準試料としてのＳｉＯ_２をスパッタリングした場合にスパッタリング速度が３．６ｎｍ／分となる条件で、ワイヤ表面をスパッタリングしたときに、スパッタリング時間が６分から１２分までに検出された酸素の濃度の平均値が２０原子％以下である。 - 特許庁

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer.例文帳に追加

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b.例文帳に追加

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁

Deuterium is solid-dissolved into an ultramicro metal nanoparticle, and a deuterium aggregate is formed to obtain the super-high density deuterated nanoparticle having 200% or more of atomic ratio(deuterium/metal), energy is imparted thereafter to the particle and/or the deuterium aggregate, and the nuclear fusion reaction is set up to create the large quantity of heating and the helium.例文帳に追加

金属ナノ超微粒子に重水素を固溶させ、かつ、重水素の凝縮体を形成させることにより原子比（重水素／金属）２００％以上の超高密度重水素化ナノ粒子を得、次いで、該粒子及び／又は上記重水素凝縮体にエネルギーを加え、核融合反応を惹起せ、多量の発熱とヘリウムとを造出する。 - 特許庁