「electron- source」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

A lithographic projection apparatus has an alignment sensor comprising an electron beam supply source 10 for supplying an electron beam 12 for impinging on an alignment mark 14 on a substrate W, and a back- scattered electron detector 16 for detecting electrons being back-scattered from the alignment marker 14.例文帳に追加

リソグラフィ投影装置は、基板Ｗ上のアライメント・マーク１４に当たる電子ビーム１２を供給するための電子ビーム供給源１０、およびアライメント・マーク１４から後方散乱された電子を検出するための後方散乱電子検出器１６を備えるアライメント・センサを備える。 - 特許庁

When at least a target is arranged in a room and the incident angle of an electron beam to the surface of the target is β, the surface of the target is irradiated with an electron beam from an electron beam source disposed in the room or on the outside of the room to satisfy a relation β≤60 degrees.例文帳に追加

室内に少なくともターゲットを配置し、前記ターゲットの表面に対する電子線の入射角をβとした場合に、前記ターゲットの表面に、前記室内又は前記室外に配置された電子線源よりβ≦６０度を満足するようにして電子線を照射する。 - 特許庁

The advanced encryption standard (AES) analyzing apparatus comprises an electron gun 4 for emitting a specific electron beam against the insulating material sample 10, an electron energy analyzer 5 for analyzing the energy of an Auger electron emitted from the sample 10 and a vapor deposition source 6 for forming a lithium conductive film on the sample 10.例文帳に追加

本発明のＡＥＳ分析装置は、真空槽２内に、絶縁性試料１０に対して所定の電子ビームを照射するための電子銃４と、絶縁性試料１０から放出されたオージェ電子のエネルギーを分析する電子エネルギー分析器５と、絶縁性試料１０に対してリチウム導電膜を形成するための蒸着源６とを有する。 - 特許庁

To obtain a high quality long life display device which is a field emission type display device of a structure in which one picture element is composed of a combination of a plurality of small apertures and a plurality of small electron sources, and in which reduction of undesired electron flow into a control electrode and improvement of heat resistance of carbon nanotubes of the electron source are realized and which has a high electron emission performance.例文帳に追加

１画素を複数の小開孔と複数の小電子源の組合せで構成する構造の電界放射型表示装置で、制御電極への不要電子流の軽減と、電子源のカーボンナノチューブの耐熱性の向上とを図り、高性能の電子放出性能をもつ高品質、長寿命の表示装置を得る。 - 特許庁

Upon using a scanning electron microscope which is loaded with a spin-polarized electron source having a laser 201 and a semiconductor 202, a chirality structure and magnetized vector of polymer inside a testpiece 208 can be visualized by measuring intensity and the degree of spin-polarization of reflected electrons 209 from the testpiece 208 which is irradiated by a spin-polarized electron beam 203 by using a reflected electron detector 210.例文帳に追加

レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 - 特許庁

An electron supply layer 17 consisting of a nitride semiconductor, and an electron transit layer 19 consisting of a nitride semiconductor are laminated, in order, on the (0001) plane of an underlying layer 15 consisting of a nitride semiconductor, and a gate electrode 21, a source electrode 23, and a drain electrode 25 are provided on the surface of the electron transit layer 19 opposite from the electron supply layer 17.例文帳に追加

窒化物半導体からなる下地層１５の（０００１）面上に、窒化物半導体からなる電子供給層１７、窒化物半導体からなる電子走行層１９の順に積層され、電子走行層１９における電子供給層１７と反対の面上に、ゲート電極２１、ソース電極２３、及びドレイン電極２５が設けられている。 - 特許庁

A lightness adjusting means 110 draws the initial value of a lightness control value, based on the contents of electric control supplied from an LSI tester 101 to a semiconductor element 106 to be tested and image observing conditions drawn from the contents of control supplied from an electron beam system control means 108 to an electron beam system (a electron beam generating source 104 and a secondary electron detector 105).例文帳に追加

明度調整手段１１０は、ＬＳＩテスタ１０１から被試験半導体素子１０６へ供給される電気的制御内容と、電子ビーム系制御手段１０８から電子ビーム系（電子ビーム発生源104、2次電子検出器１０５）への制御内容から導出される像観測条件とに、基づき明度の制御値の初期値を導出する。 - 特許庁

The electron emission source emits electrons from an electron emission section 3 located between a cathode electrode 5 and a gate electrode, and comprises: an insulating layer 4 made of a silicon ladder polymer 4 which is interposed between the cathode electrode 5 and electron emission section and the gate electrode; and an aperture section 8 which is provided at the insulating layer and the gate electrode so that the electron emission section may be exposed.例文帳に追加

カソード電極５とゲート電極との間に位置する電子放出部３から電子を放出する電子放出源であって、カソード電極５および電子放出部３と、ゲート電極とに挟まれるシリコーンラダーポリマーの絶縁層４と、電子放出部が露出するように絶縁層およびゲート電極に設けられた開口部８とを備える。 - 特許庁

An image display device provided with a vacuum vessel has a first base plate having an electron source and a second base plate on which an image display part is placed facing the electron source, and a spacer having the above antistatic film is arranged between the first base plate and the second base plate.例文帳に追加

また、電子源が配置された第１の基板と、電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置において、第１の基板と第２の基板との間に上記帯電防止膜を有するスペーサを配置する。 - 特許庁

To provide an anodic oxidation and an electrochemical oxidation method for reducing the intra-plane fluctuation of the characteristics of an electronic device such as an electric field emission type electron source, the electric field emission type electron source having small intra-plane fluctuation of emission current, and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

電界放射型電子源のような電子デバイスの特性の面内ばらつきを小さくすることができる陽極酸化方法および電気化学酸化方法、エミッション電流の面内ばらつきが小さい電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The case 20 is provided with a rectangular-shaped window hole 21 in a portion opposed to the electron source, and two gas introducing ports 22 for introducing dry gas (for example, dry air, dry oxygen, inert gas or the like) supplied to a space between the window hole 21 and the electron source 10.例文帳に追加

ケース２０には、電子源に対向する部位に矩形状の窓孔２１が設けられるとともに、窓孔２１と電子源１０との間の空間へ供給する乾燥ガス（例えば、乾燥空気、乾燥酸素、不活性ガスなど）を導入する２つのガス導入口２２が設けられている。 - 特許庁

To provide an anodic oxidation and an electrochemical oxidation method for reducing the intra-plane fluctuation of the characteristics of an electronic device such as an electric field emission type electron source, the electric field emission type electron source having small intra-plane fluctuation of emission current and insulation tolerance, and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

電界放射型電子源のような電子デバイスの特性の面内ばらつきを小さくすることができる陽極酸化方法および電気化学酸化方法、さらには、エミッション電流、絶縁耐圧の面内ばらつきが小さい電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum device having a structure capable of converging electrons without any restrictions such as a thickness and material of a magnet in a vacuum device provided with an electron emitting source, a gate electrode and an anode electrode and further provided with a magnet for inhibiting spreading of electrode emitted from the electron emitting source.例文帳に追加

電子放出源、ゲート電極、アノード電極を備え、電子放出源から放出された電子の広がりを抑制する磁石を備えた真空デバイスにおいて、磁石の厚さや材料等の制限を受けずに電子を集束できる構造の真空デバイスを提供すること。 - 特許庁

When the voltage is impressed on the high dielectric constant insulating region 5 as the anode voltage is impressed, dielectric polarization is brought about, thereby electrons existing at the cathode substrate 1 and the electron emission source 2 are attracted to the tip part 2a of the electron emission source 2 that contacts the high dielectric constant insulating region 5.例文帳に追加

アノード電圧が印加されることにより高誘電率絶縁領域５に電圧が印加されると、誘電分極が起こるため、陰極基板１および電子放出源２に存する電子が高誘電率絶縁領域５に接している電子放出源２の尖端部２ａに引き寄せられる。 - 特許庁

To provide: a high performance electron source electrode for field emission having a uniformly erected needle-like projection product material, having high adhesion with a substrate, and manufactured by a few process; a method of manufacturing the same; and an electron source electrode element for field emission.例文帳に追加

本発明の目的は、均一に直立した針状突起生成物を有し、基板との密着性が高く、少ない工程で製造される、高性能の電界放出用電子源電極およびその製造方法ならびに電界放出用電子源電極素子を提供する。 - 特許庁

The light emitting device has in a vacuum container a cathode electrode having a cold-cathode electron emitting source and an anode electrode 15 having a light emitter layer 16 which is mixed and formed of a plurality of kinds of phosphors that are excited and emit light by electrons field emitted from the cold-cathode electron emitting source.例文帳に追加

発光装置は、冷陰極電子放出源を有するカソード電極と、冷陰極電子放出源から電界放出された電子により励起発光する複数種類の蛍光体により混成された発光体層１６を有するアノード電極１５と、を真空容器内に備える。 - 特許庁

This display device is equipped with the data signal wiring DL to supply a display signal to the thin film electron source ELS, and the scan signal wiring GL crossing the data signal wiring DL through the interlayer insulating layers INS1, INS2 to impress a scan signal on the thin film electron source on the inner surface of a cathode substrate SUB1.例文帳に追加

カソード基板SUB1の内面に、薄膜電子源ＥＬＳに表示信号を供給するデータ信号配線ＤＬと、このデータ信号配線DLとは層間絶縁層ＩＮＳ1,ＩＮＳ2を介して交叉し、薄膜電子源ＥＬＳに走査信号を印加する走査信号配線ＧＬとを備える。 - 特許庁

If values are higher than the reference levels, emitted electric charge from a cold cathode electron source is large and set values for R, G, and B gains of a D/A (P14) are decreased so as to decrease contrast voltages of analog processors P3, thereby reducing the amount of entire electric charge of the cold cathode electron source.例文帳に追加

この値が基準レベルより高い場合、冷陰極電子源からの放出電荷量が大きいので、Ｄ／Ａ（Ｐ１４）のＲ、Ｇ、Ｂゲインの設定値を下げ、アナログ処理部Ｐ３のコントラスト電圧を下げることにより冷陰極電子源の総電荷量を減少させる。 - 特許庁

The film formation device is provided with: a vacuum tank 11 having an N2 gas introduction means; hearths 31, 31 for M (M denotes Ti or Cr) or for Al; hollow cathode-shaped electron guns 20, 20; an electron beam source; a bias source for workpieces W, W, ...; a mass analyzer 50; and a compositional ratio control system.例文帳に追加

Ｎ2 ガスの導入手段を有する真空槽１１と、Ｍ（Ｍは、Ｔi またはＣr ）用、Ａl 用のハース３１、３１と、ホローカソード形の電子銃２０、２０と、電子ビーム電源と、ワークＷ、Ｗ…用のバイアス電源と、質量分析計５０と、組成比制御系とを設ける。 - 特許庁

In scan of the electron beam on the sample, blanking is periodically given to an electron beam, and simultaneously, a high voltage applying timing signal synchronized with a blanking signal from an excimer beam source control circuit 22 is supplied to the excimer beam source 21, so that the excimer beam is generated in a period within a blanking period.例文帳に追加

電子ビームの試料上走査において定期的に電子ビームにブランキングを掛けると同時に、エキシマ光源制御回路２２からブランキング信号に同期した高電圧印加タイミング信号をエキシマ光源２１に供給して、ブランキング期間以内の期間にエキシマ光を発生させる。 - 特許庁

To provide a structure allowing the formation of a thin-film transistor on a support board for imparting a current-limiter to an electron source array comprising fine particles of an electron emission material and to provide a cold-cathode light source and a thin image formation device capable of X-Y matrix drive.例文帳に追加

電子放出材料の微粒子からなる電子源アレイに電流制限機構を付与するために支持基板上の薄膜トランジスタの形成を可能にした構成を提供すると共に、ＸＹマトリクス駆動可能な冷陰極光源及び薄型画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The electric field emission type electron source is manufactured by using a scan (33) of an energy beam (32), changing scanning conditions of the scan of the energy beam on the center and fringe parts of the electronic source element, and accumulating electron emitting substances with sharp top ends on a substrate (31).例文帳に追加

エネルギビーム（３２）の走査（３３）を利用し、該エネルギビームの走査を電子源素子の中心部と周辺部とで走査条件を変化させ、基板（３１）の上に先端が先鋭化された電子放出物質を堆積することにより作製された電界放出型電子源。 - 特許庁

This is an electron source wherein plural electron discharge elements are wired in a matrix form by row and columnar wiring, and a pulse signal (Fig. 4 (b)) thinned out in a slot-like form is adopted as a signal waveform to be applied to each of the columnar wiring.例文帳に追加

行及び列配線により複数の電子放出素子をマトリクス状に配線した電子源であって、列配線のそれぞれに印加する波形信号をスロット状に間引いたパルス信号（図４（ｂ））とする。 - 特許庁

To provide an electron beam irradiator which does not cause unnecessary discharge in an accelerating tube, has a long life and can more uniformly irradiate an object with an electron beam, whose power source is compact and which is fabricated easily.例文帳に追加

加速管内で不用な放電を発生させず、長寿命で、被処理物に対して電子線をより均一に照射することができ、電源がコンパクトで、製作の容易な電子線照射装置を提供する。 - 特許庁

The light source 10A has a light emission part 14 formed by two-dimensionally arranging a plurality of electron emission elements 12, and a driving circuit 16 impressing driving voltage Va on respective electron emission elements 12 of the light emission part 14.例文帳に追加

光源１０Ａは、複数の電子放出素子１２が二次元的に配列された発光部１４と、該発光部１４の各電子放出素子１２に対して駆動電圧Ｖａを印加する駆動回路１６とを有する。 - 特許庁

To manufacture an electron source with high electron emission characteristics, enhancing stability of voltage applied to an element formed on a substrate, miniaturizing the device, simplifying operativeness, increasing manufacturing speed, and suitable for mass production.例文帳に追加

基板上に形成された素子への印加電圧の安定性の向上を図り、小型化と操作性の簡易化を可能にし、製造スピードが向上し量産性に適し、電子放出特性の優れた電子源を製造する。 - 特許庁

Liquid drops containing substance for conductive thin film are injected from an inkjet head 33 of the exhaust bed unit 11 and coated on a predetermined position on the electron source substrate 14 to from an electron emission element group.例文帳に追加

吐出ヘッドユニット１１のインクジェットヘッド３３からは、導電性薄膜の材料を含有する液的４３が噴射され、電子源基板上１４上の所定位置に塗布されて電子放出素子群が形成される。 - 特許庁

In an electron gun provided with a hermetic part insulating and protecting a cathode part as an electron emission source with a hermetic glass 21, connector pins 25a, 25b1, 25b2, 25c embedded in the hermetic glass 21 and extending through the hermetic glass 21 are provided.例文帳に追加

電子の放出源であるカソード部品をハーメガラス２１によって絶縁保持するハーメ部品を備えた電子銃において、上記ハーメガラスに埋め込まれ、上記ハーメガラスを貫通して延在するコネクタピン２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃを設ける。 - 特許庁

This electron emitting source is a field electron emitter comprising iron oxide whiskers, and has a structure in which an iron based substrate is oxidized in an oxidizing atmosphere to directly grow the iron oxide whiskers on the substrate.例文帳に追加

酸化鉄ウィスカーからなる電界電子放出体であり、中でも鉄系基板を酸化雰囲気中で酸化させてその基板上に酸化鉄ウィスカーを直接成長させた構造であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a display device capable of excellently maintaining electron emitting characteristics while intending to simplify its manufacturing process, in the manufacturing method of the display device having a cold cathode in which a carbon based material is used as an electron source.例文帳に追加

電子源として炭素系材料が用いられる冷陰極アレイを有する表示装置の製造方法において、製造工程の簡素化を図りつつ、電子放出特性を良好に維持し得る表示装置を得る。 - 特許庁

The support substrate has the first surface 24a contacted with the first substrate, the second surface 24b opposed at a gap to the second substrate, and the plurality of electron beam passing holes 26 opposed to the electron discharge source.例文帳に追加

支持基板は、第１基板に当接した第１表面２４ａ、第２基板と隙間を置いて対向した第２表面２４ｂ、およびそれぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有している。 - 特許庁

A source electrode 151 is buried in a semiconductor substrate in which a two-dimensional electron gas layer 137 at a hetero interface 135 is formed, down to a depth in which a contact part 171 with the two-dimensional electron gas layer 137 is formed.例文帳に追加

ヘテロ界面１３５において２次元電子ガス層１３７を生じている半導体基体に、ソース電極１５１を、２次元電子ガス層１３７との接触部１７１が生じる深さまで埋め込む。 - 特許庁

To provide a stable electron emission material composed by forming an adsorption structure in a semiconductor material and having a small work function because performance enhancement (increase of current density and reduction of power consumption) of an electron source is demanded.例文帳に追加

電子源の高性能化（高電流密度化、低消費電力化）が求められており、半導体材料に吸着構造を設けた仕事関数が小さく、安定な電子放出材料を提供すること。 - 特許庁

To provide an electron discharge element enabled to have high efficiency, high reliability, a high speed driving, a low consumption electric power, and a high process yield, to cope with a large area substrate and to cope with high precision, and provide an electron source and an imaging device.例文帳に追加

高効率、高信頼性、高速駆動可能、低消費電力、高プロセス歩留まり、大面積基板対応可能、高精細に対応可能な電子放出素子、電子源、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electron emitting device which can make a metal layer arranged at the upper side of an electron-emitting means turn into an alloy layer surely containing cesium, when cesium atoms are emitted from a cesium source through heating.例文帳に追加

加熱によってセシウム源からセシウム原子を放出させたとき、電子放出手段の上方に配設された金属層を確実にセシウムを含む合金層とするができる電子放出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for conducting electric-discharge machining to a metal electrode disposed near a field-emission cold cathode element in a method for manufacturing an electron tube using the field-emission cold cathode element for an electron source.例文帳に追加

電界放出冷陰極素子を電子源として使用した電子管の製造方法について、電界放出冷陰極素子近傍に配置された、金属電極の放電加工を行う技術を提供する。 - 特許庁

To enable manufacturing of electron source of excellent electron emission characteristics without damage of a board aiming at miniaturization, simplification of operability, and improvement of manufacturing speed, mass production, durability and conductivity performance of a probe.例文帳に追加

小型化と操作性の簡易化、製造スピードと量産性の向上、及びプローブの耐久性と導通性能の向上を図り、基板の破損等がなく、電子放出特性の優れた電子源の製造を可能にする。 - 特許庁

To enable performing characteristic evaluation in high frequency by allowing unnecessary display not to be performed on a display screen at the time of evaluating electron emitting characteristics of individual electron source for correcting luminance of respective pixels.例文帳に追加

各々の画素の輝度を補正するための個々の電子源の電子放出特性を評価を行なうにあたり、表示画面に不要な表示を行なわないようにすることにより、高い頻度での特性評価を可能にする。 - 特許庁

An electrode structure having a convergence effect is arranged proximity to the vicinity of an extraction electrode of a cold cathode electron source array part, whereby the convergence effect of emitted electron beams is enhanced to provide a satisfactory low-emittance characteristic.例文帳に追加

冷陰極電子源アレイ部の引き出し電極近傍に、収束効果を有する電極構造体を近接配置することにより、放出電子ビームの収束効果を高め、良好な低エミッタンス特性を得る。 - 特許庁

When the electron beam is applied on a screen center part, a voltage exceeding a threshold value is applied between cathode electrodes Ca5-Ca11 and extraction electrodes Ex5-Ex11 in this field emission type electron source element 10.例文帳に追加

スクリーン中央部に電子ビームを照射する場合には、電界放出型電子源素子１０における、カソード電極Ｃａ５〜Ｃａ１１と、引出し電極Ｅｘ５〜Ｅｘ１１との間で閾値を超える電圧を印加する。 - 特許庁

A source electrode 10 and a drain electrode 11 are formed on the second electron supply layer 7, and a gate electrode 12 is formed on the semiconductor growth stopping mask layer 6 in a recess 9 of the second electron supply layer 7.例文帳に追加

第２の電子供給層７の上にソース電極１０及びドレイン電極１１を形成し、第２の電子供給層７の凹部９の中の半導体成長阻止マスク層６の上にゲート電極１２を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method for the electron emission source emitting electrons by field emission, a positive electrode and a negative electrode connected with a power source are inserted in a solution containing a conductive polymer and the carbon nanotubes, and the conductive polymer and the carbon nanotube are deposited on the negative electrode to form the electron emission source.例文帳に追加

電界放出により電子を放出させる電子放出源の製法であって、導電性高分子とカーボンナノチューブとを含む溶液に、電源に接続された陽極と陰極とを挿入し、陰極に、導電性高分子とカーボンナノチューブとを堆積させるカーボンナノチューブと高分子を用いた電子放出源の製法を採用する。 - 特許庁

A radiation source 17 having one electric field discharge type electron source 20 for producing electrons by the application of an electric field and an anode 22 for discharging radiation by the incidence of electrons is used to constitute the electric field discharge type electron source 20 and the anode 22 so as to discharge radiation from first and second focal positions F1 and F2.例文帳に追加

電界をかけることによって電子を発生する１つの電界放出型電子源２０と、電子の入射によって放射線を放出する陽極２２とを有する放射線源１７を用い、電界放出型電子源２０と陽極２２とを、第１の焦点位置Ｆ１と第２の焦点位置Ｆ２とから放射線を放出可能なように構成する。 - 特許庁

A plurality of electron-source images of each multi-source module 1 are projected on a wafer 4 by four magnetic-field lenses ML1, ML2, ML3, ML4 corresponding to a plurality of magnetic-field lens arrays 21, 22, 23, 24.例文帳に追加

各マルチソースモジュール１の複数の電子源像は、複数の磁界レンズアレイ２１、２２、２３、２４の対応する４つの磁界レンズＭＬ１、ＭＬ２、ＭＬ３、ＭＬ４によってウエハ４上に投影される。 - 特許庁

To provide a cold cathode electron source of which the life can be prolonged by reducing burden on the insulating membrane that constitutes the cold cathode electrode source.例文帳に追加

冷陰極電子源を構成する絶縁膜における負担を軽減することによって、寿命を延ばすことができるとともに、安定性を向上させることができる冷陰極電子源を提供する。 - 特許庁