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element methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 36054



例文

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for achieving the suppression of thermal resistance and the suppression of large size in the case of integrally bonding a structure including a semiconductor element to its support, and for suitably achieving the suppression of stress immanent in the structure and the support after the completion of junction.例文帳に追加

半導体素子を含む構造体をその支持体に一体に接合するに際し、熱抵抗の抑制や大型化の抑制はもとより、接合完了後にそれら構造体及び支持体に内在する応力についても、その好適な抑制を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To technically easily and inexpensively provide a liquid crystal display comprising a film base material of high display quality in a method of manufacturing the liquid crystal display panelizing the film liquid crystal display comprising at least a color filter, a TFT element and a liquid crystal by supplying two roll film base materials.例文帳に追加

少なくともカラーフィルター、TFT素子、液晶とからなるフィルム液晶表示装置を、2本のロールフィルム基材を供給することでパネル化する液晶表示装置の製造方法において、表示品位の高いフィルム基材からなる液晶表示装置を技術的容易に且つ安価に提供することである。 - 特許庁

In the formation method for forming the plurality of resistance elements on a wiring circuit board using the metal film, different treatment is made to the plurality of specific resistance elements formed by the same metal film, thus forming the resistance element having a different resistance value depending on the presence or absence of treatment.例文帳に追加

金属膜を用いた配線回路基板上に、複数の抵抗素子を形成する形成方法において、前記同一の金属膜で形成した複数の特定の抵抗素子に異なる処理を施し、処理の有無により異なる抵抗値の抵抗素子を形成することにより解決することができた。 - 特許庁

This method comprises steps of adding a precipitate containing a compound of lanthanide element to the plating bath containing nickel sulfamate, of which the concentration of the azo disultonic acid has reached the predetermined value; obtaining a precipitate by reacting at least a part of the azo disultonic acid with the above precipitant; and removing the above precipitate from the plating bath.例文帳に追加

アゾジスルホン酸の濃度が所定値に達したスルファミン酸ニッケルを含むめっき浴に、ランタニド元素の化合物を含む沈殿剤を添加する工程と、前記アゾジスルホン酸の少なくとも一部を、前記沈殿剤と反応させて沈殿物を得る工程と、前記沈殿物を前記めっき浴から取り除く工程とを有する。 - 特許庁

例文

The method of manufacturing the cold cathode field electron emission element comprises a step of forming the cathode electrode on the support, a step of disposing the conductive mask on this cathode electrode, and a step of forming the electron emitting part having the tube-shaped or fiber-shaped structure in the opening of this conductive mask.例文帳に追加

支持体上にカソード電極を形成する工程と、このカソード電極上に、導電性マスクを配する工程と、この導電性マスクの開口部内にチューブ状又は繊維状の構造からなる電子放出部を形成する工程とを有する、冷陰極電界電子放出素子の製造方法。 - 特許庁


例文

The method for manufacturing the angular velocity sensor element has the steps of: pasting a film tape 36 to a top surface of an Si wafer 34; peeling the film tape 36 from the Si wafer 34; and simultaneously eliminating the machining debris 37 produced at the time of laser irradiation by adsorbing the debris onto the film tape 36.例文帳に追加

本発明の角速度センサ素子の製造方法は、Siウエハ34の上面にフィルムテープ36を貼付した後、前記フィルムテープ36をSiウエハ34から剥離すると同時に、レーザ照射時に発生した加工屑37をフィルムテープ36に吸着させることにより除去する工程を設けたものである。 - 特許庁

This manufacturing method of a bimorph element comprises a metal layer formation step of forming a metal layer on a sacrifice layer; an annealing step of annealing the metal layer formed in the metal layer formation step; and a silicon oxide layer formation step of forming a silicon oxide layer on the metal layer annealed in the annealing step.例文帳に追加

バイモルフ素子の製造方法は、犠牲層の上に金属層を形成する金属層形成段階と、金属層形成段階で形成した金属層を焼き鈍しする焼き鈍し段階と、焼き鈍し段階において焼き鈍しされた金属層の上に酸化シリコン層を形成する酸化シリコン層形成段階とを備える。 - 特許庁

A liquid crystal element manufacturing method provided with a process for injecting a liquid crystal comprises a process for pressurizing the liquid crystal cell into which the liquid crystal is injected from one side of the liquid crystal cell by a roller 7 and a process for overheating the roller 7, thermally dissolving the flexible substrate and sealing the liquid crystal cell.例文帳に追加

液晶を注入する工程を備えた液晶素子の製造方法において、液晶を注入した液晶セルに対して、液晶セルの一辺側からローラー7で圧力をかける工程と、ローラーを過熱して、フレキシブル基板を熱溶解させ、液晶セルを封口する工程とを有すること特徴とする。 - 特許庁

To provide a gear manufacturing machine which actually shortens idle time while a device for use is small-scale, basically protecting a loading element from a cooling/oiling medium or chips, and preventing a finished component from being tainted by oil before discharged from the machine; and a method of operating the machine.例文帳に追加

使用される装置が小規模であるにもかかわらず、遊休時間が実質的に短縮され、積載要素を基本的に冷却/注油媒体や削りくずから保護し、完成部品が機械から排出される前に油まみれにならない歯車製造機械およびその機械の作動方法を提供する。 - 特許庁

例文

Namely, the assembling tolerance can be relieved and the productivity can be improved because the sizes of apparent spots become large in the case of performing focus detection with a knife edge method by forming a plurality of spots on the photodetector 6 for focus detection divided into two with the diffraction element 2 divided into the plurality of areas.例文帳に追加

すなわち複数領域に分割された回折素子2により2分割されたフォーカス検出用受光素子6に複数のスポットを形成することにより、ナイフエッジ法でフォーカス検出を行う場合において見かけのスポットの大きさが大きくなるために組付け公差が緩和され、生産性を向上できる。 - 特許庁

例文

To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus of a thin film photoelectric conversion element, and a deposition apparatus which can obtain a thin film having improved flatness on all over the surface and stabilized uniform film thickness distribution, even for a flexible substrate of large area, by inhibiting generation of wrinkles in a width direction and a length direction of a flexible substrate.例文帳に追加

可撓性基板の幅方向及び長手方向の皺の発生を防止して、大面積の可撓性基板でも、全面に亘って平坦性が向上し、均一な膜厚分布の安定化した薄膜が得られる薄膜光電変換素子の製造方法及び製造装置、並びに成膜装置を提供することにある。 - 特許庁

In the protection method of an electrical communication terminal including a personal element to be needed for electrical communication network access of a chip card type, the terminal T includes a processing device, at least one operation memory including information to be needed for an operation of the terminal, i.e. an operation program of the terminal, and data to be needed for the program.例文帳に追加

チップカードタイプの電気通信ネットワークアクセスに必要な個人的な構成要素を含む電気通信端末の保護方法に関するものであり、端末Tは、処理装置、端末の作動に必要な情報すなわち端末の作動プログラムを含む少なくとも一つの作動メモリ、およびこのプログラムに必要なデータを含む。 - 特許庁

To provide a molding die for an optical element and a method for manufacturing the die in which peeling of films especially due to repeated molding is improved by improving the adhesion property between the die material and a film and by decreasing the contact area between the molding face and glass and which has excellent release property of the molding face for the glass and high durability.例文帳に追加

型母材と膜との密着性を向上させるとともに、成形面のガラスとの接触面積を少なくすることで、特に繰り返し成形に伴う膜の剥離を改善し、成形面のガラスに対する離型性に優れ、耐久性の高い光学素子成形用型およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the optical element by irradiating a femtosecond laser at the inside of an optical polymer structure to change the refractive index of the irradiated part is provided with that the optical polymer structure consists of a mixture containing a parent material and an additive, and the difference of the refractive indices between the parent material and additive is ≥0.07.例文帳に追加

フェムト秒レーザを光学高分子構造体の内部に照射することにより、照射部の屈折率を変化させる光学素子の製造方法であって、光学高分子構造体は、母材と添加材とを含む混合物からなり、母材と添加材の屈折率の差が0.07以上である。 - 特許庁

To provide a method and a device for manufacturing a seal of a rotating shaft, which shortens the time for temperature rise and fall of a mold and easily controls a temperature of the mold, in manufacturing the seal of the rotating shaft by adhering and integrating a seal element mainly composed of PTFE and a metallic case by adhesives.例文帳に追加

PTFEを主体とするシールエレメントと金属ケースとを接着剤で接着、一体化した回転軸シールを製造するに際し、金型の昇温および降温時間を短縮でき、しかも、金型の温度管理も簡単になる回転軸シールの製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the wavelength conversion element wherein an electrode 12 is formed on one surface of a nonlinear optical member 10, the formed electrode 12 is film-deposited corresponding to light passing regions 11a to 11c and constituted of a wiring part 12a and a bonding part 12b bonding wirings.例文帳に追加

非線形光学部材10の一方の面に電極12を形成した波長変換素子の製造方法であり、形成された電極12は光通過領域11aから11cに対応して成膜されており、それぞれ、配線部12aと配線を結合する結合部12bから構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device and its manufacturing method which are capable of forming a fluorescent layer into a desired shape, when the fluorescent layer formed on and around the light emitting surface of the semiconductor light emitting element is formed by filling a fluorescent layer forming mold with a fluorescent substance-containing material.例文帳に追加

本発明は、半導体発光素子の発光面を含む周囲に形成された蛍光体層を、蛍光体層形成用型に蛍光体含有材料を充填して形成する場合、蛍光体層を所望とする形状に形成することが可能な半導体発光装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the rare earth magnet manufacturing method, reactive chemical species formed from gas molecules which are generated by contacting at least one kind of gas molecules with a solid catalyst are contacted with the surface of a magnet elemental body containing a rare earth element, thereby, a protective layer formed of the reactive chemical species is formed on the surface of the magnet elemental body.例文帳に追加

希土類磁石の製造方法は、1種以上の気体分子を固体触媒に接触させて生成した気体分子に由来する反応性化学種を、希土類元素を含有する磁石素体の表面に接触させて、磁石素体の表面上に、反応性化学種に由来する保護層を形成するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display element is provided with steps: to prepare inkjet equipment on which a mixed solution of a BM resin and the ball spacers is placed; and to simultaneously form the BM layers and the ball spacers by applying the mixed solution to predetermined regions on the substrate by using the inkjet equipment.例文帳に追加

BMレジンとボールスペーサ混合溶液が装着されたインクジェット装備を用意する工程と、前記インクジェット装備を用いて基板上の所定領域に前記混合溶液を塗布してBM層及びボールスペーサを同時に形成する工程と、を備えてなる液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a component incorporated board in which an electronic component such as a semiconductor element is incorporated, the component incorporated board being high in reliability such that the incorporated electronic component is not damaged and an excellent electric connection between the electronic component and an internal-layer circuit electrode of the board is made, and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

半導体素子等の電子部品が内蔵される部品内蔵基板であって、内蔵された電子部品の損傷を招くことなく、且つ、電子部品と当該基板の内層回路電極との良好な電気的接続を得ることができる信頼性の高い部品内蔵基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing for a hydrogen storage alloy for Ni/MH secondary battery, in which, in order to reduce the price of a hydrogen storage alloy as a cathode active material for Ni/MH secondary battery, inexpensive zirconium alloy scrap is used instead of zirconium as an element accounting for high price ratio among the elements in the hydrogen storage alloy.例文帳に追加

Ni/MH二次電池用負極活物質である水素貯蔵合金の価格を節減するために水素貯蔵合金元素中から高い価格比を占める元素であるジルコニウムの代わりに低価のジルコニウム合金スクラップを使用したNi/MH二次電池用水素貯蔵合金の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor integrated element structure for avoiding problems in the structure such as overhanging growth over a mask due to a dielectric mask area and surface orientation dependency of growth speed of a buried regrowing layer and an increase in the growth speed at a mask end, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

光半導体集積素子構造において問題となる、誘電体マスク面積や埋め込み再成長層の成長速度の面方位依存性に起因するマスク上への張り出し成長や、マスク端での成長速度増大を回避する光半導体集積素子構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a connection method for preventing peeling of a conductive adhesive due to thermal stress while maintaining satisfactory conductivity in a semiconductor device, wherein a semiconductor element which is subjected to surface roughening is fixed to a substrate or a lead frame by using the conductive adhesive.例文帳に追加

粗面加工を施した半導体素子を導電性接着剤を用いて基板またはリードフレームに固着した半導体装置において、充分な導通性を維持しつつ、熱ストレスによる導電性接着剤の剥離を防止する半導体装置の接続方法および半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、H_2とO_2の雰囲気でISSG酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and device of an electroluminescent element in which the constituting layer in the emission region that is almost impossible of patterning is formed uniformly and in high quality membrane and the patterning is performed in a wide viscosity range and in wide selections of use of solvent, and which can be implemented in a short time.例文帳に追加

パターニングが不可能とされる発光領域の構成層を均一かつ高膜質にパターン化して形成する上に、そのパターン化を幅広い粘度範囲及び広範囲の溶剤の選択使用下で行える短時間に実施可能な電界発光素子の製造方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁

In the method for producing an organic-inorganic composite film by a plasma CVD process under the atmospheric pressure or under the pressure in the vicinity thereof, a metal element-containing compound and an organic compound are decomposed and excited under different plasma conditions, and then are mixed on a base material, thereby performing a film deposition.例文帳に追加

大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマCVD法による有機無機複合膜の製造方法において、金属元素含有化合物と有機化合物を異なるプラズマ条件で分解・励起した後、基材上で混合して成膜することを特徴とする有機無機複合膜の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the end part of the silicon carbide heating element formed by joining a heating part to the end part is carried out by heating and reaction-sintering a compacted body of mixed powder of silicon carbide, carbon and silicon nitride in the presence of silicon under reduced pressure of 150-1,500 Pa at 1,450-1,700°C.例文帳に追加

発熱部と端部を接合してなる炭化珪素発熱体の端部を製造する方法において、炭化珪素、炭素および窒化珪素の混合粉末の成形体を、珪素の存在下で、且つ圧力が150〜1500Paの減圧下で、1450〜1700℃の温度に加熱して反応焼結することを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a two pole one element type earth leakage breaker easy to assemble, without changing such a component disposition structure in which an voltage pole and a neutral pole is housed in one housing, a leakage detecting part is housed in the other housing respectively, and a member relating to an arc travelling method is also disposed in the neutral pole.例文帳に追加

電圧極および中性極を一方の筐体に、漏電検出部分を他方の筐体にそれぞれ収納し、かつ中性極にもアーク走行方式に係わる部材を配設する、といった部品配置構成を変更することなく、組立が容易な2極1素子形の漏電遮断器を得る。 - 特許庁

After a buried insulating film 111 of a film thickness full to fill this groove 110 is formed, the film 111 or the film 104 is polished by a CMP method using the film 103 as a stopper film and after that, the film 103 is removed by ashing and moreover, the film 102 is removed to form a grooved element isolation structure.例文帳に追加

この溝を埋込むのに十分な膜厚の埋込み絶縁膜111を形成後、埋込み絶縁膜または灰化保護膜104を、DLC膜をストッパー膜としたCMP法により研磨した後、DLC膜を灰化除去し、さらに第1のSi酸化膜を除去して溝型素子分離構造を形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the semiconductor element, which comprises at least one group III nitride-based compound semiconductor layer where the p-type dopant is doped, the group III nitride-based compound semiconductor layer, where the p-type dopant is doped, is annealed at a temperature of 600°C or higher and then quenched, and thus the p-type dopant is activated.例文帳に追加

少なくとも1層のp型ドーパントをドープしたIII族窒化物半導体層を有する半導体素子の製造方法において、前記p型ドーパントをドープしたIII族窒化物半導体層を600℃以上の温度でアニールした後、急冷して、前記p型ドーパントを活性化させる。 - 特許庁

To provide an electrostatic discharge detecting element such that if a dielectric breakdown due to an electrostatic discharge occurs to an IC chip in a manufacturing process of manufacturing electronic equipment such as a control unit of an engine by mounting the IC chip on a substrate, the occurrence of the dielectric breakdown can be detected with high precision, and to provide an electrostatic discharge detecting method.例文帳に追加

ICチップを基板上に実装し、エンジンの制御ユニット等の電子機器を製造する製造工程において、当該ICチップで静電気放電による絶縁破壊が発生した場合に、その旨を高い確度で検出可能な静電気放電検出素子及び静電気放電検出方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a card position detection method and a card reader for detecting a position of an inserted card without installing a component (mechanical sensor) leading to cost up even if inconvenience to detect the position of the inserted card on the basis of a light emitting and light receiving element is generated, and consequently performing appropriate transmission and reception of data.例文帳に追加

発光素子と受光素子とに基づく挿入カードの位置検出に不都合が生じた場合であっても、コストアップに繋がる部品(機械式センサ)を設置することなく挿入されたカードの位置を検出でき、ひいてはデータの適切な送受信を行うことが可能なカード位置検出方法およびカードリーダを提供する。 - 特許庁

To provide a novel injection mold capable of well performing the injection- compression molding of a molded product such as the light guide plate of a liquid crystal display element or the like without generating a short shot, the reproduction failure of a fine processed surface, the distortion of the molded product and burr, and an injection molding method capable of smoothly taking out the molded product after molding.例文帳に追加

液晶表示素子の導光板などの成形品を、ショートショット、微細加工面の再現不良、成形品の歪み、並びにバリなどを生じることなく良好に射出−圧縮成形しうる新規な射出金型と、成形後の成形品をスムースに取り出すことのできる射出成形方法とを提供する。 - 特許庁

To perform a high-accuracy measurements which takes into consideration lens aberrations and properties of pixel of an imaging element or the like, at the measurement of a displacement amount of a surface, when deformations occurs due to external force and the temperature change or the like, in a common structure such as a heater block or the like, using digital image correlation method.例文帳に追加

デジタル画像相関法を利用してヒータブロック等の一般構造物が外力や温度変化等の要因により変形した場合のその表面の変位量を計測するに際して、レンズの収差や撮像素子の画素の特性等を考慮した高精度な計測を行うことを可能にする。 - 特許庁

The manufacturing method of a photovoltaic element has a step of heating the catalytic wire 4 at a prescribed temperature or higher, and a step of forming a semiconductor film 10 by introducing a material gas after heating the catalytic wire 4 at the prescribed temperature or higher and decomposing the material gas with the heated catalytic wire 4.例文帳に追加

この光起電力素子の製造方法は、触媒線4を所定の温度以上に加熱する工程と、触媒線4が所定の温度以上に加熱した後に、材料ガスを導入するとともに、加熱した触媒線4により材料ガスを分解して半導体膜10を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる3価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層105を形成する段階を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the plastic optical element comprises irradiation of laser with the pulse width of 10^-6 second or lower in one luminous flux or in multi-luminous flux interference and formation of plural refractive index modulation parts parallel to each other with modulated refractive index.例文帳に追加

プラスチック光学素子の製造方法は、感光性色素を含有するプラスチック材料に、パルス幅が10^−6秒以下のレーザーを1光束又は多光束干渉で照射することにより、屈折率が変調した互いに平行な複数の屈折率変調部を形成して、前記プラスチック光学素子を作製することを特徴とする。 - 特許庁

In the photographed image, its producing method and equipment, each spectral color image constituted of aggregation of pixel values of light- receiving elements is made into a partial image; the light-receiving element is provided with a color filter of each spectral color, arrangement phases in the respective spectral color filters which are arranged in the single plate type color image sensor are identical.例文帳に追加

単板式カラーイメージセンサにおいて配列する各々の分光色のカラーフィルタにおける配列位相が同一である各々の分光色のカラーフィルタを有する受光素子の画素値の集合からなる各々の分光色画像を部分画像とするようにした撮像画像、その生成方法および装置、等。 - 特許庁

To prevent a serious loss such as element destroy by variably setting the on-width and off-width of a switching time digitally so as to enhance control property, and stipulating proper relation between the on-width and the off-width concerning a fixing device for an electronic photograph image forming apparatus using an inductive heating method.例文帳に追加

誘導加熱方式を用いた電子写真画像形成装置の定着装置において、デジタル的にスイッチング時間のオン幅とオフ幅を可変に設定可能とし制御性を高めるとともに、オン幅とオフ幅において適切な関係を規定することで、素子破壊といった重大な損失を防止することを目的とする。 - 特許庁

There are provided the method for producing the hydrogenolysis product of the polyhydric alcohol, comprising reacting the polyhydric alcohol with hydrogen in the presence of a catalyst comprising a copper component (a) and at least one element component (b) selected from the 5 and 6 periodic elements in the groups 8-10 of the periodic table; and the hydrogenolysis catalyst used therefor.例文帳に追加

銅成分(a)、並びに周期表第8〜10族の第5及び第6周期の元素から選ばれる少なくとも一種の元素成分(b)を含む触媒の存在下に、多価アルコールと水素とを反応させる多価アルコールの水素化分解物の製造方法、及びそれに用いる水素化分解触媒である。 - 特許庁

This method comprises a step for forming an element separating film which demarcates the active region and the field region by forming a trench in a specified region on a semiconductor substrate, and then burying an insulating film; and a step for etching the semiconductor substrate in the active region into a specified depth, so that the surface becomes a curved surface.例文帳に追加

半導体基板上の所定の領域にトレンチを形成した後、絶縁膜を埋め込むことにより、アクティブ領域とフィールド領域を画定する素子分離膜を形成する段階と、前記アクティブ領域の半導体基板を所定の深さにエッチングするが、表面が曲面となるようにエッチングする段階とを含む。 - 特許庁

Heat shrinkage can be analyzed using non-linear FEM (finite element method) analysis software, by inputting a rate of creep strain for the base resin layer and a rate of volumetric strain for shrinkage of the skin layer, so as to allow estimating change of heat distortion of the layered resin material with time.例文帳に追加

また、基材樹脂層についてはクリープ歪み速度を用いて予測し、表皮材の収縮については体積歪み速度として入力することによって、熱収縮を非線形FEM解析ソフトウエアを用いて解析することが可能となり、これによって被層樹脂材の熱変形の経時変化の推測を可能とする。 - 特許庁

To provide an electronic control unit and an idling stop control method thereof capable of inhibiting complication of controllability and keeping a supply electric current to a starter main body and a relay element within a predetermined range even when power supply operation is made in false timing in run-return of idling stop control.例文帳に追加

制御性の複雑化を低く抑えつつ、アイドリングストップ制御のラン復帰に際して誤ったタイミングで給電操作がなされた場合であれ、スタータ本体やリレー素子への供給電流量を規定範囲に収めることのできる電子制御装置およびそのアイドリングストップ制御方法を提供する。 - 特許庁

For the method of manufacturing the semiconductor element, more specifically, a technique is disclosed in which a reflection preventing film containing silicon is formed, and then, coating of a hard mask layer and an etching processes are executed only once by performing an O_2 plasma process to simplify processes, thereby reducing time and cost.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくはシリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、O_2プラズマ工程を行なうことによりハードマスク層のコーティング及び食刻工程は1回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる技術を示す。 - 特許庁

In forming the GaN thin film for thin films of the fluorophor and communication element by the sputtering method, the sputtering target is composed of a white GaN sintered body which is obtained by sintering a white GaN raw material powder, and has oxygen concentration of 1.5% or less and Zn content of 0.1% or less.例文帳に追加

蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のGaN薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色GaN原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が1.5%以下であり、Zn含有量が0.1%以下である白色GaN焼結体により構成する。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the organic EL element including a process of forming a first electrode at a flexible base body, a process of forming a spacer on a light emitting face after the process of forming the first electrode, a process of forming an organic layer after the process of forming the spacer, and a process of forming a second electrode.例文帳に追加

フレキシブル基体に第1の電極を形成する工程と、第1の電極を形成する工程の後に、発光面にスペーサを形成する工程と、スペーサを形成する工程の後に、有機層を形成する工程と、第2の電極を形成する工程とを含む有機EL素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a different element-introduced tubular inorganic substance, by which a wide variety of different elements can be introduced into the tubular inorganic substance without damaging the tubular inorganic substance and the amounts of the respective ions of the different elements to be injected can be controlled properly and which is extremely advantageous in industry.例文帳に追加

チューブ状物質に損傷を与えることなく多種多様の異種元素の導入が可能となり、かつ当該異種元素のイオン注入量も適正に制御することができる工業的に極めて有利な、異種元素が導入されたチューブ状無機物質の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive in sheet form or paste form, usable when adhering electronic component elements to a supporting element or the like, hardly causing sideward protrusion of the adhesive and capable of providing electronic component devices excellent in reliability, and to provide a method for producing electronic component devices using the adhesive.例文帳に追加

電子部品素子を支持部材等に接合する際に用いられ、側方への接着剤のはみ出しが生じ難く、信頼性に優れた電子部品装置を提供することを可能とするシート状もしくはペースト状接着剤、並びに該接着剤を用いた電子部品装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL element with its performance improved by the use of a fluorocarbon system (CFx) as a material for a hole injection layer, particularly, with the improvement of a sealing property of a sealing cap which becomes a problem when the CFx is used, its manufacturing method, and an organic EL display device.例文帳に追加

正孔注入層の材料にフルオロカーボン系(CFx)を用いて有機EL素子の性能の向上を図るとともに、特にCFxを用いたときに問題となる封止キャップの封止性を向上させた有機EL素子およびその製造方法並びに有機EL表示装置を提供する。 - 特許庁

例文

This manufacturing method is characterized by having a deposition process for forming, by deposition, a layer formed of one metal material out of at least one or more metal layers constituting at least one-side electrode 50 within a pair of electrodes 23 and 50 catching the organic EL element 60; and by carrying out the deposition process by changing deposition conditions.例文帳に追加

有機EL素子60を狭持している一対の電極23、50のうち少なくとも一方の電極50を構成する少なくとも一つ金属層のうち一の金属材料からなる層を蒸着により形成する蒸着工程を有し、蒸着工程を蒸着条件を変化させて行うことを特徴とする。 - 特許庁




  
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