「element method」に関連した英語例文の一覧と使い方(705ページ目) - Weblio英語例文検索

The wearing state of the contact lens is calculated by applying a numerical value analysis technique, such as a finite element method, by taking the physical change rate by the external force assumed in wearing the contact lens into consideration and the shape and properties of the contact lens are selected in such a manner that the desired characteristics of the contact lens in wearing can be obtained in accordance with the results of such calculation.例文帳に追加

コンタクトレンズの装用時に想定される外力による物理的な変化量を考慮して、コンタクトレンズの装用状態を、有限要素法等の数値解析手法を適用して算出し、かかる算出結果に基づいて、装用時に目的とするコンタクトレンズの特性が得られるように、コンタクトレンズの形状や物性を選定するようにした。 - 特許庁

With a projection 106a, remaining at the upper end part of the boarder part between the insulation separation groove 104 and an active element 105 region, a second insulation film 108 formed by the bias ECR-CVD method is deposited by a film-thickness of equal almost to the height of the projection 106a, so that the projection 106a is eliminated for complete planarization over the entire wafer surface.例文帳に追加

この時絶縁分離溝１０４とアクティブ素子１０５領域の境界部に上端部に突起１０６ａが残留するが、さらにバイアスＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成された第２の絶縁膜１０８を、突起１０６ａの高さと同程度の膜厚で堆積させることにより、突起１０６ａを無くしウェハー全面を完全平坦化する。 - 特許庁

This method for manufacturing the capacitor of a semiconductor element comprises a step for forming a lower electrode 33 on a semiconductor substrate 21, a step for forming a dielectric film configured of a dual dielectric film formed of an Al_2O_3 thin film 37a and a Ta_2O_5 thin film 37b on the lower electrode, and a step for forming an upper electrode 39 on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板２１上に下部電極３３を形成する段階と、前記下部電極上にＡｌ_２Ｏ_３薄膜３７ａとＴａ_２Ｏ_５薄膜３７ｂの二重誘電体膜で構成された誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極３９を形成する段階とを含んで構成される。 - 特許庁

When focus detection (phase difference AF) by a phase-difference detection method is performed during rapid-fire shooting in the imaging device, reading R1 of signals generated at the focus-detection pixel line by main exposure P1 to the imaging element is performed, a calculation process M1 for phase-difference AF is performed, and lens driving D1 to an in-focus position is performed.例文帳に追加

このような撮像装置において連写撮影時に位相差検出方式の焦点検出（位相差ＡＦ）を行う場合には、撮像素子への本露光Ｐ１により上記の焦点検出画素列で生成された信号の読出しＲ１および位相差ＡＦの演算処理Ｍ１を実行して合焦位置へのレンズ駆動Ｄ１が行われる。 - 特許庁

To provide a method of forming wirings of a semiconductor element which enables prevention of contamination by the aging of wiring materials resulting from ordinary high temperature surface reaction and thermal diffusion by reducing or substantially eliminating chemical reaction with the circumferential atmosphere and/or movement by thermal diffusion of atoms of wiring materials after formation of electronic circuit wirings.例文帳に追加

電気回路配線形成後の配線材料構成原子の周囲雰囲気との化学反応、及び又は、熱拡散による移動を低減又は、事実上阻止し、通常の高温表面反応や熱拡散に起因する配線材料の経時的な劣化を防止することを可能とする半導体素子の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

The technology of the semiconductor element manufacturing method includes a process, especially, of burying the insulating film between gate patterns in place of the photo-sensitive film when implanting the ions into the semiconductor substrate of lower portion of the bit line contact area, etching it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, preventing the leakage current of the cell transistor.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる技術である。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical element by molding the resin composition containing a polymer having an alicyclic structure by using the mold, there is formed a layer of ≥3 nm and ≤20 nm of a fluorine containing compound on the contact surface between at least either of a first mold member and a second mold member which constitute the mold and a member molding space.例文帳に追加

脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂組成物を成形型で成形する光学素子の製造方法において、成形型を構成する第１型部材及び第２型部材の少なくとも一方の部材成形空間との接触面に３ｎｍ以上２０ｎｍ以下のフッ素含有化合物層を設ける。 - 特許庁

For the manufacturing method of an organic LED element interposed between a pair of electrodes formed on a base plate by depositing an organic layer by using a transfer film, the pair of electrodes interposing the organic layers are laminated on the transfer film, and conductive adhesive is applied on the base plate, and the pair of electrodes and the organic layer are transferred from the transfer film to the base plate.例文帳に追加

一対の電極の間に挟まれた有機層を基板上に堆積させた有機ＬＥＤ素子を転写フィルムを用いて製造する方法であって、転写フィルム上に、有機層を挟んだ一対の電極を積層し、基板上に導電性接着剤を塗布し、転写フィルムから基板へ一対の電極と有機層とを転写する方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor element operating in the normally-off mode and in a high-breakdown voltage and high-current state by forming a Schottky electrode in a source region of an FET, including an ohmic pattern electrode therein, and forming a gate electrode in a part of a source electrode region and a part of a nitride semiconductor region, and provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

ＦＥＴのソース領域にショットキー電極を形成し、内部にオミックパターン電極を備え、ゲート電極をソース電極の一部領域と窒化物半導体領域の一部に形成することによって、ノーマリ−オフ動作すると共に高耐圧及び高電流で動作可能な、半導体素子及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises inserting the center-core composed of a synthetic quartz doped with germanium, a rare earth element and aluminum wherein the doping amount of aluminum is 5 to 10wt.% into a quartz tube for the side-core composed of a synthetic quartz doped with germanium, heating at about 2,000°C, preferably ≥2,000°C, for jacketing, and quenching.例文帳に追加

本発明の製造方法は、ゲルマニウムと希土類元素およびアルミニウムをドープした合成石英よりなり、アルミニウムのドープ量が５〜10重量％であるセンターコアを、ゲルマニウムをドープした合成石英よりなるサイドコア用石英管中に挿入し、約2000℃、特には2000℃以上に加熱してジャケッティングした後急冷することを特徴としている。 - 特許庁

To provide an electrolytic capacitor allowing the formation of an electrolyte having the desired characteristics in a gap formed between an anode chemical conversion foil and an opposing cathode foil, the electrolytic capacitor including a capacitor element constituted by winding the anode chemical conversion foil and the opposing cathode foil without provision of a separator, and also to provide a method of manufacturing the electrolytic capacitor.例文帳に追加

陽極化成箔と対向陰極箔とを、セパレータを介さずに巻回して構成されるコンデンサ素子を備える電解コンデンサであって、陽極化成箔と対向陰極箔との間に形成された隙間に、所望の特性を有する電解質を形成することができる電解コンデンサ、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope or a sample inspection method using the scanning electron microscope which is high in reliability of an element spectrum of a sample or accuracy of quantification thereof by means of suppression of a system peak by regulating an amount of electrons scattering on an objective lens diaphragm to control electrons which deviate from a main electron beam trajectory and are irradiated beyond analysis points.例文帳に追加

本発明は対物レンズ絞り上で散乱する電子の量を制限し、主電子線軌道から外れ、分析点以外に照射される電子を制御することでシステムピークを抑制し、試料の元素スペクトルの信憑性または定量精度の高い走査電子顕微鏡または走査電子顕微鏡による試料検査方法を提供することである。 - 特許庁

In the method for controlling the power conversion apparatus, even when multiple switching elements with different characteristics are used in controlling pressure rising, the temperature increase in switching element can be made by shifting timing for switching on and off the switching elements 14 and 15, and swapping the order of the switching.例文帳に追加

本発明は、電力変換装置の昇圧制御において特性にばらつきのある複数のスイッチング素子を使用した場合でも、スイッチング素子１４、１５のオンタイミングとオフタイミングをずらし、かつスイッチングの順序を入れ替えることにより、それぞれのスイッチング素子の温度上昇を均一にすることが可能な電力変換装置の制御方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element with higher reliability that has excellent characteristics of adhesion, heat dissipation, light emission efficiency and/or ripple reduction etc., by securing an optimal material as a protective film to be arranged on the side surface of a nitride semiconductor layer and arranging it, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒化物半導体層の側面に配置される保護膜として最適な材料を確保して、配置することにより、密着性、放熱性、光出射効率及び／又はリップル低減等において良好な特性を与えることができる、より信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the electrochemical element has steps of: welding a metal ring formed on the edge of a container and a sealing plate for sealing the container by laser welding while leaving one portion or more of the periphery of the sealing plate; and welding the one portion or more which is not welded by the laser welding in the periphery of the sealing plate by resistance welding.例文帳に追加

容器の縁部に形成された金属リングと容器を封止する封口板とを、封口板の周辺部の一箇所以上を残してレーザー溶接法により溶接する工程と、封口板の周辺部で、レーザー溶接法により溶接されていない一箇所以上を、抵抗溶接法により溶接する工程とを有する。 - 特許庁

A band pass filter 3 includes a substrate 11 and a band pass filter element X1 which is a conductive structure being formed on the substrate 11, On the surface of the substrate 11, an oxide film 12 is formed which comprises a SiO_2 film formed with a surface resistivity of 40 KΩ/square or higher by using a TEOS-CVD method.例文帳に追加

基板１１および基板１１上に形成された導電性構造体である帯域通過フィルタ素子Ｘ１を備える帯域通過フィルタ３であり、基板１１の表面には、ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法を用いて成膜されたＳｉＯ２膜からなる酸化膜１２が形成されており、その表面抵抗率が４０ＫΩ／□以上である。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor element includes: a semiconductor forming step of forming a semiconductor on a principal surface of a substrate; and a groove portion-forming step of forming a groove portion on a first principal surface side of the substrate; and a substrate separating step of removing a part of the substrate to open the groove portion on a second principal surface side, and separating the substrate.例文帳に追加

基板の第１の主面上に半導体を形成する半導体形成工程と、前記基板の第１の主面側に溝部を形成する溝部形成工程と、を具備し、前記基板を一部除去し、第２の主面側で前記溝部を開口させて基板を分離する基板分離工程を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing an electrode for an electrochemical element includes the steps of: forming the active material layer having a clearance on a long current collector; forming a wound body 10 by winding up the current collector to which the active material layer is formed; and forming coatings of resin materials on the side faces 10a and 10b of the wound body 10.例文帳に追加

電気化学素子用電極の製造方法は、長尺の集電体上に空隙を有する活物質層を形成する工程と、活物質層が形成された集電体を巻回して巻回体１０を形成する工程と、巻回体１０の側面１０ａおよび１０ｂに樹脂材料でできた被膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the light receiving element array 1 having a plurality of light receiving regions 21, includes the steps of: growing the light receiving layer 7 on an n-type InP substrate 3; growing an InP window layer on the light receiving layer 7; and diffusing a p-type impurity in regions, in the window layer 11, corresponding to the plurality of light receiving regions 21.例文帳に追加

複数の受光領域２１を備える受光素子アレイ１を製造する方法であって、ｎ型ＩｎＰ基板３上に受光層７を成長させる工程と、受光層７上にＩｎＰ窓層１１を成長させる工程と、窓層１１における複数の受光領域２１に相当する領域にｐ型不純物を拡散させる工程とを含む。 - 特許庁

To provide a device and method for power-saving driving of a same-load pattern device which can minimize the amount of loss in consideration of loss characteristics of all components, without obtaining loss characteristics data by conducting preliminary tests on the electrical characteristics of wiring, presence/absence of an electromagnetic noise eliminating element, loss characteristics and temperature change of each motor, etc.例文帳に追加

配線の電気的特性、電磁ノイズ除去用素子の有無、モータごとの損失特性及び温度変化、等を予め実験して損失特性のデータを取得することなく、すべての構成要素の損失特性を考慮して損失量を最小化することができる同一負荷パターン装置の省電力駆動装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a peelable polyimide film laminate includes: a process of subjecting surfaces of polyimide films having benzoxazole skeleton in the molecule to plasma treatment so as to control the surface element ratio O/C to the range of 0.45 to 0.65; and a process of laminating the polyimide films subjected to plasma surface treatment by heating and pressing the films without allowing an adhesive layer to intervene between the films.例文帳に追加

分子中にベンゾオキサゾール骨格を有するポリイミドフィルムの表面をプラズマ処理して、表面元素比率Ｏ／Ｃを０．４５より大きく、０．６５以下に制御し、プラズマ表面処理された当該ポリイミドフィルム同士を、接着剤層を介することなく加熱加圧して積層することを特徴とする剥離性ポリイミドフィルム積層体の製造方法。 - 特許庁

In the moving method and mobile body by a pair of rotators 1, moving components in opposite directions of a resultant force produced by reversely rotating orbital movements of the pair of rotators 1 in a circular movement or centrifugal center-of-gravity movement by the rotator 1 and a rotary element to obtain self-movement by moving components in the same direction.例文帳に追加

回転体１および回転要素による円弧移動又は遠心力による重心移動を、回転体１を対の互いの逆転する公転移動で発生する合力の、互いに逆方向の移動成分を相殺して、同一方向の移動成分で、自己移動を得ることを特徴とする対の回転体１による移動方法および移動体。 - 特許庁

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal.例文帳に追加

溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々［Ｎ］および［Ａｌ］で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、１≦［Ｎ］／［Ａｌ］≦５０として融液に添加し、ＳｉＣ種結晶を浸漬することにより、ｎ型ＳｉＣ単結晶を成長させる。 - 特許庁

In the method for controlling the fuel injection valve which controls a lift height as a distance between a valve element and a valve seat, after the start of fuel injection and before the end of the fuel injection, after the lift height is controlled to a first height, a period for controlling the lift height to a second height lower than the first height is provided for a predetermined period.例文帳に追加

弁体と弁座との距離であるリフト高さを制御可能な燃料噴射弁の制御方法において、燃料噴射の開始後かつ終了前に、前記リフト高さを第一の高さに制御した後、前記第一の高さよりも低い第二の高さに制御する期間を所定期間設けることを特徴とする制御方法である。 - 特許庁

Alternatively, the method of manufacturing a semiconductor light emitting device having a process of manufacturing a package for mounting a semiconductor light emitting element thereon by using a resin material includes a process of irradiating the specific ultraviolet curable resin (A) with an ultraviolet ray in an environment of 50-100°C during a process of manufacturing the package using the resin material.例文帳に追加

または、半導体発光素子を搭載するパッケージを樹脂材料を用いて製造する工程を有する半導体発光装置の製造方法において、前記パッケージを樹脂材料を用いて製造する工程中、（Ａ）特定の紫外線性樹脂を５０℃以上１００℃以下の環境下で紫外線照射する工程を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical semiconductor element includes a step of forming a protection layer 4 by applying the protection layer forming composition on the surface of semiconductor layers 2, 3 formed on a substrate 1, a step of forming an isolation groove 6 by irradiating laser from above the protection layer 4, and a step of removing attachments generated when the isolation groove 6 is formed.例文帳に追加

光半導体素子の製造方法は、基板１上に形成された半導体層２、３の表面に保護層形成用組成物を塗布して保護層４を形成する工程と、保護層４の上方からレーザーを照射して、分離溝６を形成する工程と、分離溝６の形成時に生じた付着物を除去する工程を含む。 - 特許庁

This method for producing a conjugated diene polymer is characterized by polymerizing a conjugated diene compound by using a catalyst obtained from (A) an yttrium compound having a bulky ligand including an aromatic ring; (B) an ionic compound comprising a non-coordinating anion and cation; and (C) an organometallic compound of an element selected from groups 2, 12 and 13 of the periodic table.例文帳に追加

（Ａ）芳香環を含む嵩高い配位子を有するイットリウム化合物、（Ｂ）非配位性アニオンとカチオンとからなるイオン性化合物、（Ｃ）周期律表第２族、１２族及び１３族から選ばれる元素の有機金属化合物から得られる触媒を用いて共役ジエン化合物を重合させることを特徴とする共役ジエン重合体の製造方法。 - 特許庁

The method and the device for removing emboli during a formation of a blood vessel, a stenting or a surgical procedure involve an occlusion element, a suction tube and a catheter having a blood outlet port connected to the tube, a guide wire having a balloon, a venous return catheter having a blood inlet port and tubing for connecting the blood outlet port to the blood inlet port.例文帳に追加

血管形成術、ステンティングまたは外科手順の間に塞栓を除去するための方法および装置であって、閉塞要素、吸引管腔、および該管腔と連絡した血液出口ポートを有するカテーテル、バルーンを有するガイドワイヤ、血液入口ポートを備える静脈還流カテーテル、ならびに該血液出口ポートを該血液入口ポートに連結するチュービングを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN-based LED element includes: a step of forming a first metal film containing a specified metal on a portion of an upper surface of the TCO film; and the step of partially increasing the resistance between the p-type contact layer and the TCO film in the region below the first metal film by thermally processing a semiconductor wafer.例文帳に追加

特定の金属を含有する第１金属膜をＴＣＯ膜の上面の一部に形成する工程と、半導体ウェハを熱処理することによって、ｐ型コンタクト層とＴＣＯ膜との間の抵抗を前記第１金属膜の下方の領域において部分的に増加させる工程と、を含むＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。 - 特許庁

The element manufacturing method includes a process of forming a nanotube-coating film on the surface of a conductive substrate and a process in which the nanotubes are made to nap, by making a roller relatively move and the conductive substrate, in a state where the nanotube-coating film is placed, in contact with or in proximity to the surface of the roller having unevenness on the surface.例文帳に追加

本発明では、導電性基板の表面にナノチューブ塗布膜を形成する工程と、表面に凹凸を有するローラの前記表面に、前記ナノチューブ塗布膜を当接または近接させた状態で前記ローラと前記導電性基板とを相対移動させることで前記ナノチューブを起毛させる工程と、を有する素子製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photosensitive resin composition, a photosensitive element and a print circuit board which can obtain a sufficient geometric followability and strippability when a resist is formed on a surface resin layer with a plating resist to be used in gold plating on a circuit of a circuit formation board and the like having a surface resin layer such as a solder resist.例文帳に追加

ソルダレジスト等の表面樹脂層を備える回路形成基板の回路等に金めっきを行うときに用いるめっきレジストで、表面樹脂層上にレジストを形成させる際、十分な形状追従性やはく離性を得ることが可能な感光性樹脂組成物、感光性エレメント、プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes: a step of sequentially forming a metal-containing film 108 and polysilicon film 109; a step of patterning the metal-containing film and polysilicon film to be shaped to the resistive element; and a step of forming a hollow region 119 under the polysilicon film by removing a portion of the metal-containing film.例文帳に追加

基板上に金属含有膜１０８及びポリシリコン膜１０９を順次形成する工程と、前記金属含有膜及び前記ポリシリコン膜を抵抗素子形状にパターニングする工程と、前記金属含有膜の少なくとも一部分を除去することにより、前記ポリシリコン膜の下に中空領域１１９を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting display device capable of protecting a pixel zone and minimizing contact resistance between an upper electrode and an upper electrode power source line by effectively removing an organic layer outside the pixel zone upon connecting the upper electrode with the upper electrode power source line and improving light-emitting characteristics of an organic light-emitting element, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、画素領域を保護すると共に、画素領域の外側の有機物層を効果的に除去して、上部電極及び上部電極電源ラインの接続時にこれらの間の接触抵抗を最少化し、有機発光素子の発光特性を向上させることができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image inspection device, an image inspection method, and an image recording device having the image inspection device for performing inspection including a region, where a preprint element exists, in image inspection of an additional printing result when additional printing is carried out on a preprinted sheet, and for preventing occurrence of huge erroneous detection as a whole of an image.例文帳に追加

事前印刷紙への追い刷りを行う場合の追い刷り結果の画像検査において、事前印刷要素の存在する領域も検査対象とすることができるとともに、画像全体で大きな誤検出が生じることを防止した、画像検査装置および画像検査方法、当該画像検査装置を有した画像記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a base substrate with a transparent conductive oxide film which has low resistance, high transparency, excellent light scattering performance over the entire wavelength range of sunlight, and especially, has sufficiently small variance in C-light-source haze ratio even when used for a transfer type CVD device; a method for producing the base substrate; and a photoelectric conversion element using the base substrate.例文帳に追加

低抵抗、高透明で、太陽光の全波長域で良好な光散乱性能を有し、特に、搬送型のＣＶＤ装置に用いた場合であってもＣ光源ヘイズ率のばらつきが十分に小さい、透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法ならびに該基板を用いた光電変換素子の提供。 - 特許庁

The method of marking on the image projected on a surface includes taking in a second image from the surface, detecting presence of a marking point in the second image, and changing of a first image by arranging a graphic element on a location corresponding to the location of the marking point in the second image.例文帳に追加

本開示の実施形態によれば、表面上に投影されたイメージにマーキングする方法は、前記表面から第２のイメージを取り込むこと、前記第２のイメージ内のマーキングポイントの存在を検出すること、および第２のイメージ内のマーキングポイントのロケーションに対応するロケーションにグラフィック要素を配置することにより、第１のイメージを変更することを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a pyroelectric infrared detector element capable detecting infrared rays using a pyroelectric which raises the dimensional accuracy of an orientated thin film pyroelectric for constituting an infrared photodetector, and realizes the improvement of the design quality/ yield to make a high power device.例文帳に追加

焦電体を用いて赤外線の検出が可能な焦電型赤外線検出素子の製造方法に関するもので、赤外線受光部を構成する配向性薄膜焦電体の寸法精度を高め、同時に高出力化に向けて設計品質・歩留の向上を実現できる焦電型赤外線検出素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing the conductive particulates containing a complex tungsten oxide described in a general formula M_xW_yO_z, a tungsten compound as a raw material of the conductive particulates or the tungsten compound and the M element compound above are subjected to reaction with the solvothermal synthesis in alcohol or alcohol aqueous solution.例文帳に追加

一般式ＭｘＷｙＯｚで表記される複合タングステン酸化物を含む導電性粒子の製造方法であって、当該導電性粒子の原料となるタングステン化合物またはタングステン化合物と上記Ｍ元素化合物とを、アルコールもしくはアルコール水溶液中でソルボサーマル合成反応処理する導電性粒子の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the titanium oxide photocatalyst comprises mixing a compound of formula TiX (wherein, X is at least one nonmetallic element selected from P, N, S_2 and C) with a titanium compound in a solvent and heating and crystallizing the mixture to obtain the titanium oxide photocatalyst and enables uniform doping of nonmetallic elements in the resultant titanium oxide photocatalyst.例文帳に追加

この発明に係る酸化チタン光触媒体の製造方法は、TiX（X=P、N、S_2、Cなど非金属元素）化合物をチタン化合物に溶媒中で混合して加熱結晶化して酸化チタン光触媒体を得る方法であり、この方法により、得られる酸化チタン光触媒体中に非金属元素を均一にドープすることができる。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a gas barrier film having high gas barrier properties without causing irregularity by improving coating properties and adhesion at the time when a coating type barrier layer is formed on a base material or film containing an organic resin component, the gas barrier film, and an organic photoelectric conversion element having the gas barrier film.例文帳に追加

本発明の目的は、有機樹脂成分を含有する基材又は膜上に塗布型バリア層を形成する際の塗布性及び密着性を改良し、安定にバラツキなく、高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを製造する方法及びガスバリアフィルムを提供し、かつ、該ガスバリアフィルムを有する有機光電変換素子を提供することである。 - 特許庁

To provide an inexpensive bulk type manganese silicide single crystal or polycrystal doped with Ga or Sn that is effectively used as a thermoelectric conversion material, an optical sensor, an optical element, etc., expected to have a high performance index at an intermediate temperature of approximately 300 to 600°C, and to provide a method of manufacturing the same in which the manufacture is easily and safely achieved in a short time.例文帳に追加

約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a coating applicator and a manufacturing method of an organic electronic element using this coating applicator which enables to maintain, in application while supporting and carrying on a back roll a support medium and the support medium on whose surface a film is patterned, their flatness by preventing fluctuate of the support medium in the application, and thereby, capable of performing formation of the coating film with stable uniformity.例文帳に追加

支持体及び表面にパターン化された膜を有する支持体をバックロールで支持、搬送しながらの塗布において、塗布時の支持体の揺れを防止し平面性を維持することができ、これにより、安定した均一の塗膜の形成を行うことができる塗布装置、及びこの塗布装置を用いた有機エレクトロニクス素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of assembling the battery includes a process in which a second lead 12 coupled to a circuit board 6 is connected to a sealing panel 2b functioning as another electrode, which is different from a protruding electrode surface 2a, with a protection element 9 disposed on a protruding electrode surface 2A of a thin battery 2, and with the circuit board 6 disposed on the protruding electrode surface 2A of the thin battery 2.例文帳に追加

薄型電池２の凸部電極面２Ａ上に保護素子９を配置した状態、薄型電池２の凸部電極面２Ａ上に回路基板６を配置した状態で、回路基板６に連結している第２リード１２を凸部電極２ａと異なる他方の電極である封口板２ｂに、接続する工程とを備える。 - 特許庁

A method of manufacturing the surface emitting laser element includes: laminating a transparent dielectric layer 111a with an optical thickness of λ/4 on an upper surface of a laminated body; forming, on an upper layer thereof, a first resist pattern 120a defining an outer shape of a mesa structure and a resist pattern 120b protecting a region corresponding to a low reflection rate part included in an emitting region; and etching the dielectric layer 111a.例文帳に追加

積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, satisfactory line width roughness and satisfactory density distribution dependency in microfabrication of a semiconductor element using actinic rays or radiation, particularly KrF excimer laser light, electron beams or EUV light, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、良好なラインウィズスラフネス、及び良好な疎密依存性を同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁