「fluoric acid」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Next, fluoric acid vapor 6 is sprayed on the surface of the silicon wafer 4.例文帳に追加

次に、フッ酸蒸気６をシリコンウェーハ４の表面に吹き付ける。 - 特許庁

The 1st washing liquid contains liquid chemicals, such as fluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia, and pure water.例文帳に追加

第１の洗浄液は、フッ酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニアなどの薬液、および純水を含む。 - 特許庁

Thereafter, the first metal layer 6 is etched with nitric fluoric acid via the second metal layer 6.例文帳に追加

その後、フッ硝酸で第２金属層１０を媒介して第１金属層６をエッチングする。 - 特許庁

Fluoric acid vapor is generated by a fluoric acid generation container 10, and is supplied to a substrate treatment chamber 10 via a treatment gas supply path 40.例文帳に追加

ふっ酸蒸気発生容器１０でふっ酸蒸気を発生させ、これをキャリアガスにより、処理ガス供給路４０を介して基板処理室１０に供給する。 - 特許庁

A first mixing section 14 mixes a fluoric acid undiluted solution (for example, having a concentration of 49 wt.%) supplied from a fluoric acid tank 30 and DIW supplied from a DIW supply source to generate a rare-hydrofluoric acid (for example, having a concentration of 2.3 wt.%).例文帳に追加

第１混合部１４は、ふっ酸タンク３０から供給されるふっ酸原液（濃度がたとえば４９ｗｔ％）と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して、希ふっ酸（濃度がたとえば２．３ｗｔ％）を生成する。 - 特許庁

As this oxidation treatment, flame irradiation, coating of an aqueous hydrogen peroxide solution, coating of fluoric acid or ultra-violet light irradiation is preferred.例文帳に追加

この酸化処理としては、火炎の照射、過酸化水素水の塗布、フッ酸の塗布又は紫外線照射が好ましい。 - 特許庁

To obtain a flowmeter that can accurately measure the flowrate of fluid with a high corrosion property such as fluoric acid.例文帳に追加

フッ酸等の腐食性の高い流体の流量を精度良く計測することができる流量計を提供すること。 - 特許庁

The oxide film 4a is decomposed by the fluoric acid vapor 6 and the surface of the silicon wafer 4 becomes hydrophobic.例文帳に追加

フッ酸蒸気６によって酸化膜４ａが分解し、シリコンウェーハ４の表面は疎水性となる。 - 特許庁

After that, the ground surface is subjected to wet etching by a fluoric nitric acid, and the thickness of the silicon wafer 1 is set to 300 μm.例文帳に追加

次に、研削面をフッ硝酸によりウエットエッチングして、シリコンウエハ１の厚さを３００μｍにする。 - 特許庁

The thermally oxidized SiO_2 film 22 which becomes unnecessary is etched and removed using fluoric acid to obtain the shadow mask 24.例文帳に追加

不要となった熱酸化ＳｉＯ_2膜２２を、弗酸を用いて蝕刻除去することでシャドウマスク２４を得る。 - 特許庁

Crystallized silicon 3 is etched with a fluoric acid or hydrochloric, and an unrequired metal element is removed to form an active layer.例文帳に追加

結晶化したシリコンをフッ酸や塩酸でエッチングして、不要な金属元素を除去し、活性層を形成する。 - 特許庁

A wafer W is rotated by a wafer-rotating section 10, fluoric acid is supplied onto surfaces Wa and Wb of the wafer W as washing liquid from upper and lower nozzles 64 and 14, and the wafer W is cleaned by the fluoric acid (a cleaning process).例文帳に追加

ウエハ回転部１０によってウエハＷが回転させられ、上ノズル６４および下ノズル１４より洗浄液としてのふっ酸がウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給されて、ふっ酸によるウエハＷの洗浄が行われる（洗浄工程）。 - 特許庁

A mixed liquid of nitric acid of ≤70 g/l and fluoric acid of ≤30 g/l is used for the pickling liquid and the temperature of the acid liquid is defined as ≤70°C and pickling time as ≤40 s.例文帳に追加

酸洗液には硝酸が７０ｇ／リットル以下と沸酸が３０ｇ／リットル以下の混合液を用い、酸液の温度を７０℃以下、酸洗時間を４０秒以下にする。 - 特許庁

In the overcurrent protection element in which the metal foils are provided on both surfaces of the sheet-shaped conductive composition, the metal foil is a rolling foil and its surface is roughened by a chemical treatment using a chemical solution of at least one or more of phosphoric acid, chromic acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrogen peroxide, and fluoric acid.例文帳に追加

シート状の導電性組成物の両面に金属箔を設けてなる過電流保護素子において、該金属箔が圧延箔であって、その表面をリン酸、クロム酸、硫酸、硝酸、塩酸、過酸化水素、フッ酸の少なくとも１以上の薬液による化学的処理により粗面化したことを特徴とする。 - 特許庁

Ozone water from an ozone water supply source 43A, and hydrofluoric acid from a fluoric acid supply source 43B are alternately supplied to the upper and lower surfaces of the wafer W.例文帳に追加

基板Ｗの上下面に対して、オゾン水供給源４３Ａからのオゾン水と、フッ酸供給源４３Ｂからのフッ酸とが交互に供給される。 - 特許庁

The soln. contains 0.05-30 g/l silver ion, 0.1-200 g/l hydantoin compd. and 0.01-10 g/l fluoric surfactant and further contains an inorg. acid, an org. acid or both as the pH buffer salt.例文帳に追加

銀イオン０．０５〜３０ｇ／ｌ、ヒダントイン化合物０．１〜２００ｇ／ｌ、フッ素系界面活性剤０．０１〜１０ｇ／ｌ含有し、ＰＨバッファー塩として無機酸または有機酸若しくは両方を含む。 - 特許庁

Then, a recess groove 8 is formed by a citric acid base etchant, a metal 9 used as the gate electrode is deposited, the SiO2 is etched by fluoric acid for removing unwanted metal, and recess gate structure is formed.例文帳に追加

そいてクエン酸系のエッチャントでリセス溝８を形成し、ゲート電極となる金属９を蒸着し、フッ酸でＳｉＯ_2をエッチングして不要な金属を除去し、リセスゲート構造を形成する。 - 特許庁

In the method for wet etching by using a liquid essentially comprising fluoric acid and nitric acid, a sufficient etching selection ratio to the insulating film 14 can be obtained so that formation of a protective insulating film or the like which increases the cost is not required.例文帳に追加

フッ酸と硝酸とを主成分とする液を用いたウエットエッチング法では、絶縁膜１４とのエッチング選択比を充分にとることができ、コストアップとなる保護絶縁膜等を形成する必要はない。 - 特許庁

Before the fluoric acid vapor is supplied to a substrate treatment chamber 20, valves 71 and 81 are closed, and a carrier gas is supplied to a substrate treatment chamber 20 via a bypass path 75 and a treatment gas supply path 40.例文帳に追加

ふっ酸蒸気を基板処理室２０に供給する前に、バルブ７１，８１を閉じ、バイパス経路７５および処理ガス供給路４０を介して、基板処理室２０へとキャリアガスが供給される。 - 特許庁

First, the plate is dipped into a fluoric acid solution and then into pure water to remove an oxygen atom from silicon oxide for covering the surface of the silicon particle for composing the plate before drying.例文帳に追加

そしてこのプレートを先ずフッ酸溶液に浸漬し、次に純水に浸漬してプレートを構成するシリコン粒の表面を覆う酸化シリコンから酸素原子を取り除き、しかる後乾燥を行う。 - 特許庁

Then only the front-surface oxide film 301 is removed from the semiconductor wafer 101 using diluted fluoric acid, leaving the nitride film 201 only on the front surface of the semiconductor wafer 101.例文帳に追加

続けて、希弗酸を用いて半導体ウェハ１０１表面の酸化膜３０１のみを除去し、半導体ウェハ１０１の表面にのみ窒化膜２０１を残す。 - 特許庁

To provide a gate electrode, that can prevent corrosion due to buffer fluoric acid solution and alkaline-based developer, and to provide a semiconductor device having the gate electrode.例文帳に追加

緩衝フッ酸溶液及びアルカリ系現像液により腐食を防止出来るゲート電極、及びこのゲート電極を有した半導体装置を提供する。 - 特許庁

Fluoric acid vapor is supplied onto the surface of the substrate W by a fluid umbrella nozzle 22 in the etching treatment of an oxide film formed on the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗ上に形成された酸化膜のエッチング処理において、流体傘ノズル２２によりフッ酸蒸気が基板Ｗの表面に供給される。 - 特許庁

Next, the upper surface of the SOI layer 3 is exposed by removing the silicon oxide film 6aa in the first and second element forming regions by wet etching using fluoric acid, etc.例文帳に追加

次に、フッ酸等を用いたウェットエッチング法により、第１及び第２の素子形成領域におけるシリコン酸化膜６ａａを除去してＳＯＩ層３の上面を露出する。 - 特許庁

In more practical, a pre- process to form a surface oxide layer 6s on the amorphous silicon film 6a with a solution including ozone and a post-process to remove the surface oxide layer 6s with a solution including fluoric acid are performed.例文帳に追加

具体的には、オゾンを含む溶液でアモルファスシリコン膜６ａに表面酸化層６ｓを形成する前処理と、フッ酸を含む溶液で表面酸化層６ｓを除去する後処理を行なう。 - 特許庁

An inlet port 2a and a discharge port 2b are provided to the glass plate 2 by a sand blasting method and the processed glass plate 2 is bonded to the silicon substrate 3 by fluoric acid.例文帳に追加

一方、ガラス板２に導入口２ａと排出口２ｂをサンドブラスト法で加工し、加工したガラス板２を前記シリコン基板３上にフッ酸で接合する。 - 特許庁

An etching protection film 17 comprising a silicon nitride film is formed on the side wall of the silicon oxide film 15, thus the side wall of the silicon oxide film 15 is prevented from being etched in a fluoric acid rinsing process after a gate electrode is worked.例文帳に追加

また、酸化シリコン膜１５の側壁に窒化シリコン膜からなるエッチング防止膜１７を形成し、ゲート電極加工後のフッ酸洗浄工程で酸化シリコン膜１５の側壁がエッチングされるのを防止する。 - 特許庁

The opening of the pressure adjustment valve 50 is controlled by a controller 53 so that pressure at the upstream side turns into a pressure for satisfying azeotropic conditions in the fluoric acid generation container 10.例文帳に追加

この圧力調整バルブ５０の開度は、これよりも上流側の圧力がふっ酸蒸気発生容器１０における共沸条件を満たす圧力となるように、コントローラ５３によって制御される。 - 特許庁

Fluoric acid is supplied to the nearly entire area on the top surface Wa of the wafer from the processing liquid nozzle 31, and liquid drops are supplied from the liquid drop nozzle 21 to the wafer top surface Wa.例文帳に追加

処理液ノズル３１からウエハ上面Ｗａのほぼ全域に弗酸が供給されつつ、液滴ノズル２１からウエハ上面Ｗａに向けて液滴が供給される。 - 特許庁

A wafer W is heated to a specific temperature on a hot plate 45, fluoric acid vapor is supplied onto the surface of the wafer W in that state, and an oxide film on the surface of the wafer W is removed.例文帳に追加

ホットプレート４５上でウエハＷを所定温度に加熱し、その状態で、ウエハＷの表面にふっ酸蒸気を供給し、ウエハＷの表面の酸化膜を除去する。 - 特許庁

Further, the bonding surface of the glass substrates 1, 2 and the inner surface of the flow channel groove 6 are covered with SiO2 films 4, 5 formed by a sputtering method and a fluoric acid aqueous solution is interposed between the glass substrates 1, 2 to bond the substrates.例文帳に追加

さらに、ガラス基板１、２の接合面および流路溝６内面をスパッタ法により成膜したＳｉＯ_２膜４、５で覆い、フッ酸水溶液を界面に介在させてガラス基板１、２を接合する。 - 特許庁

To provide a novel agent for removing scale from the welded portion of stainless steel, which can attain a high scale removing effect without using fluoric acid, and to provide a novel method for removing scale.例文帳に追加

フッ素酸を使用せずに、高いスケール除去効果が得られる、新規のステンレス鋼溶接部のスケール除去剤とスケールの除去方法を提供する。 - 特許庁

Then, HFE used as rinse liquid is supplied onto both the surfaces Wa and Wb of the wafer W from the upper and lower nozzles 64 and 14, and the fluoric acid on the surface of the wafer W is cleaned away (a rinsing process).例文帳に追加

次に、上ノズル６４および下ノズル１４よりリンス液としてのＨＦＥのウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給されて、ウエハＷ表面のふっ酸が洗い流される（リンス工程）。 - 特許庁

Then, after anisotropically etching the Al film 5 by using a fluoric-nitric-acid, the triggering portions 5a are so advanced largely in the interfacial direction and are so made taper-form as to subject them again to an isotropic etching to a final depth.例文帳に追加

次に、Ａｌ膜５をフッ硝酸を用いて異方性エッチングして、トリガ部５ａを界面方向に大きく進行させてテーパ状にし再び等方性エッチングして最終深さまで食刻する。 - 特許庁

The copper contained in the silicon wafer is diffused by heating the wafer 400°C, collected on the wafer surface, dissolved in the fluoric acid containing recovery liquid dropped on the wafer surface, and removed from the surface.例文帳に追加

シリコンウェーハを４００℃で加熱してウェーハ内部の銅を拡散し、これでウェーハ表面に集められた銅を、ウェーハ表面にフッ酸を含む回収液を滴下してこの液に溶かし、銅を回収除去する。 - 特許庁

The laminated structure film on the first Mo, MoOx, and second Mo films 10, 10A, and 11 is formed on the Al film 9, thus preventing corrosion, due to buffered fluoric acid solution and alkaline- based developer in the gate electrode.例文帳に追加

第１Ｍｏ膜１０／ＭｏＯ_ｘ膜１０Ａ／第２Ｍｏ膜１１の積層構造膜を、Ａｌ膜９上に形成することにより、ゲート電極の緩衝フッ酸溶液及びアルカリ系現像液による腐食を防止出来る。 - 特許庁

In the wafer treatment equipment, a hydro fluoric acid supply pipe 5 and an evacuation pipe 4 are connected to a vessel 1 for storing a wafer 2 to carry out a prescribed treatment.例文帳に追加

ウェハ処理装置において、ウェハ２を収容して所定の処理を施すための容器１に、フッ酸ガス供給管５と真空排気管４が接続されている。 - 特許庁

The alkali-free glass substrate for the liquid crystal panel includes a Haze value of ≤7.0% after being immersed in a buffered fluoric acid solution comprising 5.3 mass% of hydrofluoric acid (HF), 35.8 mass% of ammonium fluoride (NH_4F) and the balance water for 20 min at 25°C.例文帳に追加

液晶パネル用の無アルカリガラス基板において、フッ酸（ＨＦ）：５．３質量％、フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）：３５．８質量％、残部：水からなるバッファードフッ酸の溶液中に２５℃、２０分間浸漬した後のヘイズ値が７．０％以下である。 - 特許庁

To lower the residual ratio of fluorine ions in a waste soln. after treatment by charging alkaline earth metal hydroxide in an acidic waste soln. to selectively precipitate a fluoric acid component and charging alkali metal hydroxide in the waste soln. so as to raise the pH value thereof to neutralize a residual sulfuric acid component in a form dissolved in the waste soln.例文帳に追加

弗酸成分と硫酸成分とを含有する酸性廃液の中和処理において、処理後の廃液中の弗素イオン残留率が低く、しかも不溶性の硫酸塩系スラッジの発生量を劇的に削減できる処理方法を提供する。 - 特許庁

After the ferroelectric film is formed on the semiconductor substrate by using a CVD method, the back of the semiconductor substrate is substrate-etched down to a specific depth by using a mixed solution of a nitric acid and a fluoric acid, to remove the contamination components included in the back of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にＣＶＤ法等を用いて強誘電体膜を形成した後、半導体基板の裏面を、硝酸とフッ酸の混合液を用いて所定の深さまで基板エッチングして、半導体基板の裏面に含まれる汚染成分を除去する。 - 特許庁

Thus, in a method of obtaining a crystal by cooling a saturated potassium tantalate fluoride solution under a controlled condition to form a recrystallized crystal, filtering and drying the recrystallized crystal in a dryer, the concentration of fluoric acid of the saturated potassium tantalate fluoride solution, which essentially contains fluoric acid, is regulated to be 0.5-10 mol/l.例文帳に追加

フッ酸を必須成分とする飽和フッ化タンタル酸カリウム溶液を制御冷却することで、これらの再結晶を生成し、生成した当該再結晶を濾別採取して、濾別採取した当該再結晶を乾燥装置内で乾燥して結晶を得る方法において、フッ酸を必須成分とする飽和フッ化タンタル酸カリウム溶液は、フッ酸濃度が０．５ｍｏｌ／ｌ〜１０ｍｏｌ／ｌの溶液とすることを特徴とする低酸素フッ化タンタル酸カリウム結晶の製造方法等による。 - 特許庁

To provide an electric desalting apparatus efficiently performing desalting treatment for raw water containing fluoric acid or high concentration of chlorine ions without incuring troubles such as deterioration/damages of an ion exchange membrane and an ion exchange body caused by corrosion of the electrode and generation of free chlorine.例文帳に追加

フッ酸や高濃度の塩素イオンを含む原水を、電極の腐食や遊離塩素の発生に起因するイオン交換膜及びイオン交換体の劣化／破損といった問題を引き起こすことなく、有効に脱塩処理を行うことができる電気式脱塩装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, if the oxygen sensor is exposed to a high temperature, nickel fluoride which is a compound of fluorine of fluoric acid and nickel of the nickel plating 71 is formed to form a sealing layer in the gaps between the sealing member 17 and a plurality of the lead wires.例文帳に追加

このため、ガスセンサが高温下に晒されると、このフッ酸のフッ素とニッケルメッキ７１のニッケルとの化合物であるフッ化ニッケルなる化合物が形成され、これがシール部材１７と複数のリード線との隙間に封着層を形成する。 - 特許庁

To perform stable and efficient treatment over a long period of time by preventing the deterioration of and damage to the electrode plate of an electric regeneration type deionizing apparatus caused by fluoric acid, in a method for making pure water by applying deionizing treatment to fluorine ion-containing water in the electric regeneration type deionizing apparatus.例文帳に追加

フッ素イオン含有水を電気再生式脱イオン装置で脱イオン処理する純水の製造方法において、フッ酸による電気再生式脱イオン装置の電極板の劣化、損傷を防止して、長期に亘り安定かつ効率的な処理を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which possesses a light reflection film hard to be molten by fluoric acid in the case of using a silicon oxide for a light reflection film, while providing a light reflection film of 0.5 μm in the semiconductor device using an SOS wafer with a light reflection film advanced in film thinning, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

薄膜化が進む光反射膜を有するＳＯＳウェハを用いた半導体装置において、０．５μｍ以下の光反射膜を提供するとともに、光反射膜にシリコン酸化物を用いた場合にフッ酸によって融解しにくい光反射膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁