「inter second」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A gap is formed between the inter-layer insulating film 22 and the second dummy gate electrode 26, by selectively removing the dummy side spacer 24, and then by implanting N-type impurity ions into the Si substrate 12 through the gap almost vertically, a second pocket region 27 is formed.例文帳に追加

選択的にダミーサイドスペーサー２４を除去することにより層間絶縁膜２２と第２ダミーゲート電極２６との間隙を形成した後、ほぼ垂直方向からこの間隙を通じてＳｉ基板１１内にＮ型不純物イオンを注入することにより、第２ポケット領域２７を形成する。 - 特許庁

The connection structure 331 has a dielectric film 314 formed on a side wall of a recessed portion 309 bored in a second inter-layer insulating film 307, and on the bottom surface of the second recessed portion 309, the first conductive film 315 is electrically connected to the first contact plug 306.例文帳に追加

該接合構造体３３１は、第２層間絶縁膜３０７に設けられた第２凹部３０９の側壁に形成された誘電体膜３１４を備え、第２凹部３０９の底面において、第１導電膜３１５は、第１コンタクトプラグ３０６と電気的に接続する。 - 特許庁

In non-overlapping parts 7 and 9 wherein the electrode layers of the first electrode 2 and the electrode layers of the second electrode 3 are not mutually overlapped when the multi-layer structure is formed, inter- later connection is formed between electrode layers of the first electrode 3 and between electrode layers of the second electrode 4 respectively to form the first electrode 2 and the second electrode 3.例文帳に追加

第１電極２の電極層及び第２電極３の電極層は、多層構造を形成する際にそれぞれ互いに重なり合わない非重なり部７、９おいて第１電極３の電極層間、第２電極４の電極層間をそれぞれ層間接続して第１電極２及び第２電極３を形成する。 - 特許庁

The optical path length of the optical path length variable member 17 is calculated based on the first mechanical flange back, the second mechanical flange back and an inter-mount distance in an optical axis direction from the front mount surface to the rear mount surface.例文帳に追加

光路長可変部材１７の光路長は、第１の機械的フランジバックと、第２の機械的フランジバックと、前マウント面から後マウント面までの光軸方向のマウント間距離とに基づいて算出される。 - 特許庁

At least one of the first power supply voltage feeder VSS and the second power supply voltage feeder VSS is composed of a groove wiring obtained by filling the inside of a through groove of an inter-layer insulating layer with a conductive material.例文帳に追加

第１の電源電圧供給線ＶＳＳと第２の電源電圧供給線ＶＳＳの少なくとも一方が、層間絶縁層の貫通溝内を導電材料で埋め込んだ溝配線からなる。 - 特許庁

A first select transistor 22, one end of which is connected to one end of a cell transistor column, comprises a stack of a first conductive film 52, inter-electrode insulating film 53, and second conductive film 54, and source/drain diffusion layers 55.例文帳に追加

第１選択トランジスタ２２は、一端がセルトランジスタ列の一端と接続され、積層された第１導電膜５２と電極間絶縁膜５３と第２導電膜５４と、ソース／ドレイン拡散層５５と、を有する。 - 特許庁

By bringing a probe into contact with the first and second pads 11 and 12 for external input/output and measuring the impedance between the pads, the quality of the state of inter-chip connection between the common wires 13 and 14 is determined.例文帳に追加

この第１及び第２の外部入出力用パッド１１、１２にプローブを当てて、そのパッド間のインピーダンスを測定することにより、共通配線１３、１４間のチップ間接続状態の良否を判定する。 - 特許庁

The method includes monitoring network traffic among virtual machines that are allocated to a plurality of compute nodes, and identifying first and second virtual machines having inter-virtual machine communication in an amount that is greater than a threshold amount of the network traffic.例文帳に追加

複数の計算ノードに割り当てられる仮想マシンの間のネットワーク・トラフィックを監視し、ネットワーク・トラフィックの閾値量を上回る量の仮想マシン間通信を有する第１及び第２の仮想マシンを識別する方法。 - 特許庁

An inter-layer insulating layer 20 laminated on an element formation surface 11a covers a plurality of switching elements Sw and has a contact hole H1 at a position opposed to the second upper electrode P2 of each switching element Sw.例文帳に追加

素子形成面１１ａに積層される層間絶縁層２０は、複数のスイッチング素子Ｓｗを覆い、各スイッチング素子Ｓｗの第二上部電極Ｐ２と対向する位置にコンタクトホールＨ１を有する。 - 特許庁

The inter-resonator coupling capacitor conductor layer 33 is disposed on the dielectric layer, between the first and second strip line conductor layers 16, 17 and the dielectric layer between the third and fourth strip line conductor layers 19, 20.例文帳に追加

共振器間結合容量導体層３３は第１及び第２のストリップライン導体層１６、１７と第３及び第４のストリップライン導体層１９、２０との間の誘電体層に配置されている。 - 特許庁

In an inter-CCD charge transfer period of delivering the signal charge from the first CCD column (4) to the second CCD column (5), the signals (GND) of a fixed level are supplied as adjustment signals (ϕ1', ϕ2').例文帳に追加

その第１ＣＣＤ列（４）からその第２ＣＣＤ列（５）へ、その信号電荷を受け渡すＣＣＤ間電荷転送期間において、一定レベルの信号（ＧＮＤ）を、調整用信号（φ１’、φ２’）として供給する。 - 特許庁

A part of the wiring metal layer outside the plurality of groove portions is removed to form first and second inter-interconnect regions IW1 and IW2 and first to third interconnects WR1 to WR3.例文帳に追加

配線金属層のうち複数の溝部の外側の部分を除去することによって、第１および第２の配線間領域ＩＷ１，ＩＷ２と第１〜第３の配線ＷＲ１〜ＷＲ３とが形成される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device capable of supplying power to a first substrate and a second substrate with a small amount of members even when an inter-substrate conduction material is not used, and to provide an electronic apparatus with the liquid crystal device.例文帳に追加

基板間導通材を用いなくても、少ない部材によって第１基板および第２基板に対する給電を行うことのできる液晶装置および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

The artificial satellite 2 is formed integrally with the fairing 6, and the artificial satellite 2 is mounted to the upper part of a first stage solid motor 3 via a second stage solid motor 4 and an inter-stage section 5, thereby constituting a two-stage type rocket 1.例文帳に追加

人工衛星２を、フェアリング６と一体的に形成し、該人工衛星２を、第１段固体モータ３の上部に、第２段固体モータ４及び段間部５を介して搭載し、２段型ロケット１を構成する。 - 特許庁

An inter-master-slave switch 3 selects whether to output the high-impedance (Hi-Z) signal or to output the data signal output from the master flip-flop section 1 in response to the second control clocks N1 and N2.例文帳に追加

マスタ−スレーブ間スイッチ３は、第２制御クロックＮ１、Ｎ２に応じて、ハイインピーダンス信号（Ｈｉ−Ｚ）を出力するか、マスタフリップフロップ部１から出力されたデータ信号を出力するかの選択をする。 - 特許庁

Then the pad formed at the upper end part of the second inter-layer insulating layer is so wide that the upper conductive layer that the pad comes into contact with does not come into contact with another adjacent upper conductive layer.例文帳に追加

そして、第２層間絶縁層の上端部に形成されたパッドは、それ自体が接触する上部導電層と隣接する他の上部導電層には接触しないほどの幅を有するように構成する。 - 特許庁

An inter-valve passage 32c is provided between the first valve chest 31S and the second valve chest 35S so as to increase the internal pressure in a fuel tank FT when the first float 51 closes the first connection passage 32a.例文帳に追加

第１弁室３１Ｓと第２弁室３５Ｓの間には、第１フロート５１が第１接続通路３２ａを閉じたときに燃料タンクＦＴのタンク内圧を上昇させるように弁間通路３２ｃを備える。 - 特許庁

As the second roller 32 (rotation axis line O2) is turned further, advancing to a top dead center in (d), a radial-directional pressing force (normal force Fa) between the rollers 31, 32 is increased gradually and a tangential force Fc is increased gradually, thus increasing inter-roller transmission capacity.例文帳に追加

第2ローラ32（回転軸線O2）を更に旋回させると、(d)の上死点へと進むにつれ、ローラ31,32間の径方向押圧力（法線力Fa）が漸増すると共に接線力Fcが漸増して、ローラ間伝動容量が大きくなる。 - 特許庁

A target acceleration/deceleration command value is selected from a first target acceleration/deceleration command value for setting target inter-vehicle time and a second target acceleration/deceleration command value for achieving a target inter-vehicle distance, based on at least one of a travel state of an own vehicle and a travel state of other vehicles around the own vehicle.例文帳に追加

目標車間時間とするための第１目標加減速度指令値、または目標車間距離を達成するための第２目標加減速度指令値のいずれかの目標加減速度指令値を、自車の走行状態及び自車周囲の他車両の走行状態の少なくとも一方の走行状態に基づき選択する。 - 特許庁

To prevent a stress at wire bonding, etc. to be applied to a minute wiring pattern in a first multilayer wiring structure, in a semiconductor integrated circuit device comprising a first multilayer wiring structure using a low dielectric constant inter-layer insulating film and a second multilayer wiring structure using an inter-layer insulating film of larger dielectric constant formed thereon.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜を使った第１の多層配線構造とその上に形成されたより誘電率の大きい層間絶縁膜を使った第２の多層配線構造とを有する半導体集積回路装置において、ワイヤボンディングなどの際の応力が第１の多層配線構造中の微細な配線パターンに印加されるのを抑制する。 - 特許庁

Each of semiconductor chips constituting the laminated semiconductor integrated circuit device having a laminate structure constituted by laminating four or more semiconductor chips in the same outward appearance includes a first transmission/reception coil for long-range inter-chip communication, and a second transmission/reception coil for short-range inter-chip communication which has a smaller size than the first transmission/reception coil.例文帳に追加

同一外観形状の半導体チップを４枚以上積層した積層構造を有する積層半導体集積回路装置を構成する前記各半導体チップに長距離チップ間通信用の第１の送受信用コイルと、前記第１の送受信用コイルよりサイズの小さな近距離チップ間通信用の第２の送受信用コイルとを備える。 - 特許庁

A page error inspection device 12 inspects inter-page matching based on original image data and a control signal from a print controller 11 (first inspection processing), and inspects inter-page matching based on print image data obtained by picking up a printed matter printed based on the original image data and the initial original image data (second inspection processing).例文帳に追加

ページ誤り検査装置１２では、印刷コントローラ１１からの原稿画像データと制御信号とに基づいてページ間の整合性を検査するとともに（第１の検査処理）、この原稿画像データに基づいて印刷された印刷物を撮像した印刷画像データと、元の原稿画像データとに基づいてページ間の整合性を検査する（第２の検査処理）。 - 特許庁

A copying unit 72 generates a corresponding part model by copying a part, in which an inter-parts constraint is set with another part, in a solid unit by removing a setting of the inter-parts constraint (constrain condition), and stores the generated part model in a second storage location different from a first storage location in which parts are stored, within a CAD data storage unit 61.例文帳に追加

複写部７２は、別パーツとの間にパーツ間拘束が設定されているパーツを、当該パーツ間拘束（拘束条件）の設定を外してソリッド単位で複写することによって、対応する部品モデルを生成し、ＣＡＤデータ記憶部６１のうち、パーツが記憶されている第１の場所とは別の第２記憶場所に記憶させる。 - 特許庁

In a step S37, with respect to the respective apexes of the intermediate surface data, original data having correspondent polygon with the apexes and inter-polygon distance within a second reference value are selected and the respective apexes of the intermediate surface data are moved so that the apexes of correspondent polygon in the selected original data and the sum of inter-polygon distances can be less than a minimum of fixed value.例文帳に追加

ステップＳ３７で、中間サーフェースデータの各頂点に対し、その頂点，ポリゴン間距離が第２の基準値以内の対応ポリゴンを有するオリジナルデータを選択し、選択したオリジナルデータの対応ポリゴンの頂点，ポリゴン間距離の和が最小値あるいは一定値以下になるように、中間サーフェースデータの各頂点を移動する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first barrier layer 21 is provided in the state of covering the inner wall of a connection hole 15 provided on a first interlayer insulating film 13 on a substrate 11, and of a wiring groove 16 provided on a second inter-layer insulating film 14.例文帳に追加

基板１１上の第１の層間絶縁膜１３に設けられた接続孔１５および、第２の層間絶縁膜１４に設けられた配線溝１６の内壁を覆う状態で第１のバリア層２１が設けられている。 - 特許庁

In the method, at first, an area dividing part 110 compares the inter- movement compensating frame difference absolute value of a decoding object small block with a threshold at every pixel and the areas are divided into a first area with the pixels being smaller than the threshold and a second one with the larger pixels.例文帳に追加

まず領域分割部１１０により、復号対象小ブロックの動き補償フレーム間差分絶対値を画素毎に閾値と比較し、閾値より小さい画素の第１の領域と大きい画素の第２の領域に分割する。 - 特許庁

In two-stage configuration of FETs 42, 62 for amplification, a source of the FET 62 for amplification on the second stage is connected to a ground by wire bonding or the like, and an inter-stage matching circuit Mm is made common for signals of a plurality of kinds of frequency bands.例文帳に追加

増幅用ＦＥＴ４２，６２の２段構成にし、２段目の増幅用ＦＥＴ６２のソースは、ワイヤーボンディングなどで接地と接続し、段間整合回路Ｍｍは、複数種類の周波数帯域の信号に対して共通化する。 - 特許庁

An inter-site monitoring server monitors the current first DB access part and second DB access part, and the like, and if detecting that the current first DB access part is down, switches the standby first DB access part to the current DB access part.例文帳に追加

サイト間監視サーバが、現用の第一ＤＢアクセス部及び第二ＤＢアクセス部等を監視し、現用の第一ＤＢアクセス部のダウンを検出した場合には、待機用の第一ＤＢアクセス部を現用のＤＢアクセス部に切り替える。 - 特許庁

In a storage cell 100, a structure is installed, in which an inter-electrode substance layer 13 is clamped between an electrode 11 (first electrode) and an electrode 12 (second electrode), and data are stored by variation of resistance value between the electrode 11 and the electrode 12.例文帳に追加

記憶セル１００は、電極１１（第１電極）と電極１２（第２電極）との間に電極間物質層１３を挟持した構造を有し、電極１１と電極１２との間の抵抗値の変化によりデータを記憶する。 - 特許庁

To provide a foldable mobile phone wherein an upper case circuit board and a lower case circuit board act like a second antenna in addition to a first antenna, inter-component mutual coupling between the antennas is eliminated to prevent deterioration in the characteristic.例文帳に追加

折り畳み式携帯電話機において、第一のアンテナの他に、上部筐体回路基板と下部筐体回路基板とを第二のアンテナとして動作させ、これらアンテナ間の素子間相互結合を無くし、特性劣化を防ぐ。 - 特許庁

A device for detecting abnormal variations of an inter-cylinder air-fuel ratio is provided for a multi-cylinder internal combustion engine including first and second cylinder groups and an injector for air intake passage injection and an injector for direct injection which are provided in each of cylinders.例文帳に追加

第１および第２の気筒群と、各気筒に設けられた吸気通路噴射用インジェクタおよび筒内噴射用インジェクタとを有する多気筒内燃機関の気筒間空燃比ばらつき異常検出装置が提供される。 - 特許庁

A gate electrode 8 of a selective gate transistor ST is formed of the first layer gate electrode L1 and the second and the third layer gate electrode material films L2, L3 laminated on the first layer film L1 via an inter-layer insulation film 5.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴのゲート電極８は、第１層ゲート電極材料膜Ｌ１とこれに層間絶縁膜５を介して積層された第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３により形成される。 - 特許庁

An encoder device encodes a first portion of a piece of multimedia data using inter-coding to generate a first version, and encodes the first portion of the multimedia data using intra-coding to generate a second version.例文帳に追加

符号器装置は、第１のバージョンを生成するためにインター符号化を使用してマルチメディアデータの第１の部分を符号化し、第２のバージョンを生成するためにイントラ符号化を使用してマルチメディアデータの第１の部分を符号化する。 - 特許庁

The inter- turbine frame 60 includes outer first and inner second structural rings 86 and 88 disposed co-axially about a centerline 8 and connected by a plurality of circumferentially spaced apart struts 90.例文帳に追加

タービン間フレーム６０は、中心線８の周りに同軸に配置され、周方向に間隔をおいて配設された複数のストラット９０によって連結された、外側の第１構造リング及び内側の第２構造リング８６、８８を含む。 - 特許庁

A first supporting plug 22 is arranged in the first region so that the gas is charged or the first inter-layer insulation film is arranged between the first supporting plug 22 and the first connection plug, and reaches from the wiring layer to the base part, and further has a second Young's modulus.例文帳に追加

第１支持プラグ２２は、第１接続プラグとの間に、気体が充填されるかまたは第１層間絶縁膜が配設されるように第１領域内に配設され、配線層から下地部分に達し、且つ第２ヤング率を有する。 - 特許庁

An object area is set with traffic information obtained thereon (step S10), and the second vehicle capable of inter-vehicle communication with the own vehicle is inquired of about whether or not it possesses traffic information on the set object area (step S30).例文帳に追加

交通情報を取得する対象地域を設定し（ステップＳ１０）、設定された対象地域の交通情報を有しているか否かを、自車両との間で車々間通信が可能な他車両に問い合わせる（ステップＳ３０）。 - 特許庁

The display 8 outputs the signals relating to the game condition input from the game machine 2 to an inter-game-unit machine (game medium dispenser) 1 from the first signal output portion 82 and outputs the same to a whole computer from a second signal output portion 84.例文帳に追加

表示装置８は、遊技機２から入力された遊技状態に関する信号を、第１信号出力部８２から台間機１に出力するとともに、第２信号出力部８４からホールコンピュータに出力する。 - 特許庁

This enables focus control to be performed stably in a state in which the spherical aberration correction has been carried out with respect to the second recording layer so as to prevent the focus control from failing owing to an unsuccessful inter-layer jump.例文帳に追加

これにより、新に焦点を合わせる第２の記録層に対して球面収差補正が行われた状態で安定した焦点制御を行うことができ、層間ジャンプの失敗によって焦点制御がはずれることを防止できる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of subjecting an inter-layer insulating layer 61 to dry etching using a mask having a plurality of first openings and a plurality of second openings arranged more closely than the first openings, and forming first holes reaching a ground layer 10 below the first openings and second holes 41 reaching the ground layer 10 below the second openings.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。 - 特許庁

The printing apparatus 200 includes a controller 250 configured to control the printing apparatus 200 to reduce an inter-copy gap distance between a first media sheet 211 and a second media sheet 212 to prevent a first rotational flattener member 231 from contacting a second rotational flattener member 232 between the first media sheet 211 and the second media sheet 212.例文帳に追加

印刷装置２００は第１の媒体シート２１１と第２の媒体シート２１２の間のコピー間ギャップの距離を減少させて第１の回転式フラットナ部材２３１が第１の媒体シート２１１と第２の媒体シート２１２の間に第２の回転式フラットナ部材２３２に接触するのを防止する目的で印刷装置２００を制御するように構成されたコントローラ２５０を含むことができる。 - 特許庁

An image encoder 100 comprises: a first block division part 101 which divides an input image into first blocks; a second block division part 111 which further divides each of the first blocks into plural second blocks; and predictive image generating parts 112 and 113 which generate predictive images of the first blocks or the second blocks by intra-display prediction or inter-display prediction.例文帳に追加

画像符号化装置１００は、入力画像を第１のブロックに分割する第１のブロック分割部１０１と、第１のブロックを更に複数の第２のブロックに分割する第２のブロック分割部１１１と、第１のブロックまたは第２のブロックに対し、画面内予測または画面間予測により予測画像を生成する予測画像生成部１１２，１１３を備える。 - 特許庁

The number of element increasing part converts a first signal with predetermined components following the first image format into a second signal with the predetermined components following a second image format with the large number of pixels, and the component quality improving part acquires a third signal with predetermined components whose component quality is improved by operating inter-image compensation processing to the second signa with predetermined components relating to continuous images.例文帳に追加

要素数増大部は、第１の画像フォーマットに従う所定成分の第１の信号を、要素数が多い第２の画像フォーマットに従う所定成分の第２の信号に変換し、成分品質向上部は、連続する画像に係る所定成分の第２の信号に対する画像間補間処理により、成分品質を向上させた所定成分の第３の信号を得る。 - 特許庁

In the optoelectronic device 1, the inter-substrate continuity is performed at the center part in the width direction by utilizing a first terminal 81 regarding first electrodes 40 of a first transparent substrate 10, extended in one direction from a signal inputted side and signal is directly inputted from a second terminal 82 regarding second electrodes 50 of a second transparent substrate 20, which are outwardly drawn.例文帳に追加

電気光学装置１において、信号入力される側から一方的に延びる第１の透明基板１０の第１の電極４０については第１の端子８１を用いて基板間導通を幅方向の中央で行い、外側に引き回された第２の透明基板２０の第２の電極４０については、第２の端子８２から直接、信号入力を行う。 - 特許庁

When replacing a first rack 10 with a third rack 30 among the first rack 10 and a second rack 20 connected with an inter-rack cable 60, a fifth rack 50 addition to a forth rack 40 is temporarily installed, the change-over switch 90 annexed to that is manually operated and the change over between the first connection state and the second connection state is performed.例文帳に追加

架間ケーブル６０で接続された第一架１０と第二架２０とのうち第一架１０を第三架３０で置き換えるに際して、第四架４０に加えて第五架５０も一時設置するとともに、それに付設された切換スイッチ９０を手動操作して第一接続状態と第二接続状態との切換を行う。 - 特許庁

A plug electrode reaching an upper face of an inter-layer insulating film from a semiconductor substrate is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13, and the first plug electrode 5 and the second plug electrode 13 are connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and is used as an etching stop layer.例文帳に追加

半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁