「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(240ページ目) - Weblio英語例文検索

In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist.例文帳に追加

１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁

The laminated body is provided with a plurality of thin films having an average film thickness of each layer that is equal to or less than 0.2μm, are formed on a constituting layer that is formed on the surface of a base material and has projecting and recessing parts.例文帳に追加

基材表面に形成された凹凸を有する構成層上に、各層の平均膜厚が０．２μｍ以下である複数の薄膜を設けた積層体において、該基材表面の凹凸を有する構成層の中心線平均粗さをＲａ１、該形成された薄膜の最表面の中心線平均粗さをＲａ２としたとき、Ｒａ１とＲａ２とが下記式（１）の関係にあることを特徴とする積層体。 - 特許庁

A base film 602 and an amorphous silicon film 603 are formed on a substrate 601, a silicon oxide film of thickness 10 to 100 Å is formed on the amorphous silicon film 603, then a very thin nickel acetate layer 604 is formed thereon through a spin coating method, and the amorphous silicon film 603 is crystallized to serve as an active layer of a semiconductor device.例文帳に追加

基板６０１上に、下地膜６０２、非晶質珪素膜６０３を形成し、この非晶質珪素膜６０３の表面に厚さ１０〜１００Åの酸化珪素膜を形成した状態で、スピンコーティング法によって極めて薄い酢酸ニッケル層６０４を形成し、非晶質珪素膜６０３を結晶化し、これを活性層とする半導体装置を作製する。 - 特許庁

In a developing device possessing the developing roller 12 to supply a photoreceptive drum 2 with the developer in the developer storing part 16 and a doctor blade 25 to regulate the layer thickness of the developer layer formed on the outer peripheral surface of the developing roller, a protective plate 31 to protect the doctor blade from the pressing force of the developer in the developer storing part is provided near the doctor blade.例文帳に追加

現像剤収容部１６内の現像剤を感光体ドラム２に供給する現像ローラ１２と、この現像ローラの外周面上に形成される現像剤層の層厚を規制するドクターブレード２５とを有する現像装置において、ドクターブレードの近傍に、現像剤収容部内の現像剤の押圧力からドクターブレードを防護する防護板３１を設ける。 - 特許庁

The microwave susceptor is provided with a dimensionally stable base material, a plastic film supported by the base material, and a metal layer covered on the plastic film and having a thickness converting microwave energy to heat by absorbing microwave radiation, and a plurality of apertures, a plurality of microwave transparent areas or a plurality of microwave inactive areas are formed in the metal layer.例文帳に追加

寸法的に安定な基材と、その基材によって支持されたプラスチックフィルムと、プラスチックフィルム上に被着され、マイクロウエーブ放射を吸収してマイクロウエーブエネルギーを熱に変換する厚さを有する金属層を備えており、前記金属層内に、複数の開口、複数のマイクロウエーブ透明領域、あるいは複数のマイクロウエーブ不活性領域が形成されている。 - 特許庁

In the sound wave generator 10 having a thermally-conductive substrate 12, a thermal insulation layer 14 with prescribed thickness formed on one surface of the substrate and a heating element thin film 16 comprised of a resistor formed on the thermal insulation layer and electrically driven by AC signal current, a Helmholtz resonator 18 is provided on the heating element thin film.例文帳に追加

熱伝導性の基板１２と、該基板上の一方の面に形成された所定の厚さの熱絶縁層１４と、該熱絶縁層上に形成されて交流の信号電流により電気的に駆動される抵抗体よりなる発熱体薄膜１６と、を有する熱励起型の音波発生装置１０であって、前記発熱体薄膜上にヘルムホルツ共鳴器１８を備える。 - 特許庁

In the image forming apparatus equipped with a photoreceptor and a semiconductor laser having the oscillation wavelength of a 370 to 500 nm range as an exposure light source for the photoreceptor, the photoreceptor has a surface layer constituting the outermost surface in which a lubricant is dispersed by ≤1.3 mg per 1 mm^2×(film thickness of the surface layer).例文帳に追加

感光体と、該感光体の露光用光源として３７０〜５００ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーと、を具備する画像形成装置において、最外表面を構成する表面層を有する感光体を、表面層に潤滑剤の含有量が前記表面層膜厚×１ｍｍ^２に１．３ｍｇ以下となるように分散させたものを用いる。 - 特許庁

To increase the surface area of a phosphor to increase an emission quantity and thereby provide a bright and high chroma image plane by forming a phosphor layer having a generally equal thickness throughout the bottom face and barrier rib side surfaces of a plasma display board having barrier ribs and expanding the application range of the phosphor layer on the barrier rib side surfaces to the entire height of the barrier ribs.例文帳に追加

隔壁を有するプラズマディスプレイ用基板の底面及び隔壁側面の全面にほぼ同じ厚さの蛍光体層を形成し、隔壁側面の蛍光体層の塗布範囲を隔壁の高さ全体に広げることで、蛍光体の表面積を大きくして発光量を大きくし、明るく且つ高彩度の画面を与えるプラズマディスプレイの製造方法を提供すること。 - 特許庁

If at least a part of the n-type contact layer located underneath an resonator is left with film thickness δ, since a contact with a negative electrode can be well secured even beneath the resonator, the mutilation of FFP caused by the light leaking from the n-type contact layer can be sufficiently suppressed based on an effective light containment action, and simultaneously, a semiconductor laser is stably oscillated.例文帳に追加

少なくとも共振器の真下に位置するｎ型コンタクト層の一部分をδ程度の膜厚で残しておけば、共振器直下においても負電極とのコンタクトが良好に確保できるので、効果的な光の閉じ込め作用に基づいてｎ型コンタクト層から漏れ出る光に依るＦＦＰの乱れを十分に抑制することができると同時に、半導体レーザが安定して発振する。 - 特許庁

Further, the optical compensation film has a first optical anisotropic layer and a second anisotropic layer which respectively contain liquid crystal compounds and, in the first and the second anisotropic layers, molecules of the liquid crystal compound are fixed in such a hybrid alignment state that an oblique angle with respect to a film flat surface is different in the thickness direction.例文帳に追加

また、各々が液晶化合物を含有する第１の光学異方性層と第２の光学異方性層とを有する光学補償フィルムであって、該第１および第２の光学異方性層において、前記液晶化合物の分子が、フィルム平面に対する傾斜角が厚さ方向において異なるハイブリッド配向状態に固定化されている光学補償フィルムである。 - 特許庁

The developing device has a developing roller and a blade which is brought into contact with the developing roller and is capable of forming the layer of a developer on the developing roller with a prescribed layer thickness, wherein the developer has a toner and inorganic fine particles, and the blade has a part which has a higher hardness than the inorganic fine particles and comes into contact with the developer.例文帳に追加

本発明の現像装置は、現像ローラと、前記現像ローラに当接されて前記現像ローラ上に現像剤の層を所定の層厚で形成することができるブレードとを有する現像装置であって、前記現像剤はトナーと無機微粒子とを有し、前記ブレードは前記無機微粒子よりも高い硬度を有して前記現像剤に接触する部分を有する。 - 特許庁

At least one of the gas diffusion layer arranged on the anode side and the gas diffusion layer arranged on the cathode side changes its in-plane thickness such that the thermal resistance between the electrolyte membrane and the fuel gas flow path is smaller than that between the electrolyte membrane and the oxidation gas flow path in a region near an inlet where the fuel gas flows into the fuel gas flow path.例文帳に追加

アノード側に配置されたガス拡散層とカソード側に配置されたガス拡散層の少なくとも一方は、燃料ガス流路に対して燃料ガスが流入する入り口部近傍領域において、電解質膜と燃料ガス流路との間の熱抵抗が、電解質膜と酸化ガス流路との間の熱抵抗よりも小さくなるように、面内で厚さが変化している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated electronic component by which a thinned internal electrode layer is planarized, the thickness thereof can be uniformed, and further, the internal electrode layer is highly densified, and as a result, stack strength and peel strength in a laminate and density of a green chip are improved, and further, electrode coverage in a capacitor can be improved.例文帳に追加

薄層化した内部電極層を平滑化し、その厚みを均一にすることができ、さらには、内部電極層を高密度化することができ、その結果、積層体におけるスタック力、剥離強度、およびグリーンチップの密度を向上させることができ、さらには、コンデンサにおける電極被覆率を向上させることができる積層型電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a support substrate 13, buried insulation film 14 having a thickness of 5-10 nm which is formed on the support substrate, silicon layer 15 formed on the buried insulation film, MOSFET 11 formed on the silicon layer, and triple well regions 17 and 18 which are locally formed in the support substrate 13 below the MOSFET 11.例文帳に追加

半導体装置１０は、支持基板１３と、前記支持基板上に設けられ、５−１０ｎｍの厚さを有する埋め込み絶縁膜１４と、前記埋め込み絶縁膜上に設けられたシリコン層１５と、前記シリコン層に設けられたＭＯＳＦＥＴ１１と、前記ＭＯＳＦＥＴ１１の下部にあって前記支持基板１３中に局所的に設けられたトリプルウエル領域１７、１８とからなる。 - 特許庁

In the electrode having the active material layer 13 formed by a vapor deposition method and comprising spaces and zigzag columnar particles 15, carried on a projecting part of a current collector 14 having a recessed and projecting pattern on the surface, the thickness of a layer forming the zigzag is made wider in the lower part than the upper part of the columnar particles 15 to secure spaces in the electrode surface part.例文帳に追加

蒸着法により製造され、表面に凹凸のパターンを有する集電体１４の凸部上に担持された空間とジグザグ形状の柱状粒子１５から成る活物質層１３を有する電極において、ジグザグ形状を形成する層の厚みが柱状粒子１５の上部より下部で広い形状とすることで、電極表面部分での空間を確保する。 - 特許庁

By utilizing property in which hardness near a compound surface layer is decreased when nitrosulphurizing is changed to gas nitriding treatment to increase the thickness of compound generated in a first layer, the generation of chip of a vane corner part in the final barrel treatment, and initial fitting property in mechanical sliding property during operation of a compressor is increased so as to provide a highly reliable refrigerant compressor.例文帳に追加

浸硫窒化処理からガス窒化処理に変更し、第１層に生ずる化合物厚さを大きくすることで、化合物表面層近傍の硬度が低下する特性を利用して、最終バレル処理時でのベーン角部のカケ発生を低減させ、更には圧縮機運転時のメカ摺動性初期なじみ性を増大させることで信頼性の高い冷媒圧縮機を提供する。 - 特許庁

At least two layers, that is, a layer of a heat-shrinkable film comprising a polyamide resin containing an aromatic diamine polymer or an aromatic diamine copolymer and a layer of a heat-shrinkable film comprising a polypropylene resin or a polyethylene resin are laminated by dry lamination to form a heat-shrinkable laminate for packaging food with the total thickness of 60 μm or less.例文帳に追加

芳香族系ジアミン重合体または芳香族系ジアミン共重合体を含むポリアミド系樹脂からなる熱収縮性フィルムの層とポリプロピレン系樹脂またはポリエチレン系樹脂からなる熱収縮性フィルムの層の少なくとも２層がドライラミネーションで積層されており、全体の厚さが６０μｍ以下である食品包装用熱収縮性積層フィルム。 - 特許庁

The film thickness of the surface layer having the filler dispersed is measured by making thermal excitation light modulated intermittently in specific cycles determined by a film thermal property value incident on the surface of the surface layer having the dispersed filler and detecting the phase delay behind the modulation frequency of a generated sound wave.例文帳に追加

本発明に係る電子写真感光体における表面層の膜測定方法は、フィラーを分散した表面層の表面に、膜熱物性値より決定される所定の周期で断続的に変調した熱励起光を入射させ、発生する音響波の変調周波数に対する位相遅れを検出することにより、フィラーを分散した表面層の膜厚を測定することを特徴とする。 - 特許庁

The positive current collector 10 is composed of a conductive layer 14 with conductivity laminated on a base material 12 made of aluminum or aluminum alloy, and the base material 12 has a surface oxidized film 16 on an interface between the base material body and the conductive layer 14 and the thickness of the surface oxidized film 16 is 3 nm or less.例文帳に追加

本発明によって提供される正極集電体１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の基材１２上に、導電性を有する導電層１４を積層してなる正極集電体１０であって、該基材１２は基材本体と導電層１４との界面に表面酸化膜１６を有し、この表面酸化膜１６の厚さが３ｎｍ以下である。 - 特許庁

The first and the second outer electrodes 4 and 5, where rectangular dielectric ceramic layers 1a, 1b..., the first inner electrode layer 2 arranged between the dielectric ceramic layers and the second inner electrode layer 3 arranged between the layers adjacent to the thickness direction, are arranged on a pair of edge faces of the laminated body in this ceramic capacitor.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサにおいて、矩形状の誘電体セラミック層１ａ、１ｂ・・と、該誘電体セラミック層の層間に配置された第１内部電極層２と、該層間に厚み方向に隣接する層間に配置された第２内部電極層３とが積層した積層体の一対の端面に第１及び第２外部電極４、５を形成しなる積層セラミックコンデンサである。 - 特許庁

The method of subjecting the acoustic resonator to batch processing includes a process step of depositing a first electrode on the surface of a substrate, a process step of depositing a layer of a dielectric material on the first electrode and depositing a second electrode on the layer of the piezoelectric material and a process step of reducing the thickness of the substrate (200) by removing the material from the base surface of the substrate (200).例文帳に追加

本発明による音響共振器をバッチ処理するための方法は、基板の表面上に第１の電極を堆積させる工程と、第１の電極上に圧電材料の層を堆積させ、圧電材料の層上に第２の電極を堆積させる工程と、基板（２００）の底面から材料を除去して基板（２００）の厚さを少なくする工程を含む。 - 特許庁

The flexible printed circuit board includes: a first insulating section forming an insulating layer on one side; a second insulating section forming the insulating layer on the other side; and a conductive section having a neutral plane at a position, where a deformation ratio substantially reaches zero by a bending between the first insulating section and the second insulating section, within a fixed range having a specified thickness for transmitting an electric signal.例文帳に追加

一側の絶縁層を形成する第１絶縁部と、他側の絶縁層を形成する第２絶縁部と、所定の厚さを有してその厚さの所定範囲内に、前記第１絶縁部及び第２絶縁部の間で屈曲により変形率が実質的に零（Ｚｅｒｏ）になる位置である中立面が設けられ、電気的信号を伝達する導電部を含むフレキシブル印刷回路基板。 - 特許庁

In the method of manufacturing an information recording medium having a dye recording layer 204 on which information can be recorded on a substrate 202, when a dye solution for forming the dye recording layer 204 is applied onto the substrate 202 while the substrate 202 is rotated, the thickness of the ejection nozzle 406 for ejecting the dye solution is formed so as to be at least 0.3 mm.例文帳に追加

基板２０２上に、情報を記録することができる色素記録層２０４を有する情報記録媒体の製造方法において、基板２０２を回転させながら色素記録層２０４を形成するための色素溶液を基板２０２上に塗布する場合に、色素溶液を吐出するための吐出ノズル４０６の肉厚を少なくとも０．３ｍｍ以上の厚肉に形成する。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor element is provided with a GaN layer 3 formed on a prescribed region on a sapphire substrate 1 and provided with a prescribed thickness, the element-forming region 6 where an element is formed, and an element non-forming region 7, formed in a region other than the element-forming region 6 on the sapphire substrate 1 where the GaN layer 3 is not formed or is formed thin.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子は、サファイア基板１上の所定領域に形成され、所定の厚みを有するＧａＮ層３を含むとともに、素子が形成される素子形成領域６と、サファイア基板１上の素子形成領域６以外の領域に形成され、ＧａＮ層３が形成されないかまたは薄い厚みで形成される素子不形成領域７とを備えている。 - 特許庁

A module semiconductor device is constituted by bonding an insulating board 57 of a structure that semiconductor chips 51 are respectively bonded to the surface and rear of an insulative ceramic board 53 via conducting layers 55a and 55b to a base substrate 63 with a solder layer 6, and spacers 3 for making uniform the thickness of the layer 61 are provided between the board 57 and the substrate 63.例文帳に追加

半導体チップ５１が絶縁性セラミックス板５３の表裏面に導電層５５ａ、５５ｂを介して接合されている絶縁基板と、ベース基板６３とをハンダ層６１により接合したモジュール型半導体装置において、絶縁基板５７とベース基板６３との間に、ハンダ層６１の厚さを均一にするためのスペーサ３を設けたことを特徴とするモジュール型半導体装置。 - 特許庁

This dicing sheet is formed by providing an organic solvent- solution coating layer 2, consisting of a heat fusable solid bonding agent in a post-drying film thickness of 5 to 300 μm on a plastic film base material 1 and is of a constitution, where easily peelable parts 4 are provided at places corresponding to the work-sized end parts between the base material 1 and the layer 2.例文帳に追加

本発明のダイシングシートは、プラスチックフィルム基材上に、加熱溶融型固形接着剤の有機溶剤溶液塗布層を５μｍ〜３００μｍの乾燥後膜厚で設けたものであり、また、プラスチックフィルム基材と加熱溶融型固形接着剤の有機溶剤溶液塗布層間であって、ワークサイズ端部に対応した箇所に易剥離性部を設けたものである。 - 特許庁

In the abrasion resistant resin laminate 11, a hard coat layer 13 of 1-5 μm thickness is laminated on a substrate layer 12 constituted of the acrylic resin as a thermoplastic matrix resin containing the hard dispersed phase of a thermosetting resin such as a phenol resin, amino resin, epoxy resin, silicone resin, thermosetting polyimide resin, thermosetting polyurethane resin, or the like.例文帳に追加

本発明の耐擦傷性樹脂積層体１１は、フェノール樹脂、アミノ系樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド系樹脂、熱硬化性ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂を一例とする硬質性の分散相を含む熱可塑性マトリクス樹脂としてのアクリル系樹脂から構成される基材層１２上に厚さ１〜５μｍのハードコート層１３が積層されている。 - 特許庁

In the organic photoreceptor having a coating layer on a cylindrical substrate, deviation in the film thickness of the coating layer in a substantial image forming region is 0.2 to 2.0 μm.例文帳に追加

円筒状基体上に被覆層を備えた有機感光体において、該被覆層の実質的な画像形成領域の膜厚偏差が０．２〜２．０μｍであり、且つ像露光光の露光波長λｍで測定した空間周波数０〜２ｍｍ^-1の範囲の反射光量パワースペクトルの平均値ＰＷＳと、反射光量の平均値Ｐとの間に下記式１の関係を有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

The honeycomb structured body includes a porous silicon carbide honeycomb fired body juxtaposed in longitudinal direction with a large number of cells separatedly by cell walls, a silicon-containing oxide layer is formed on a surface of the silicon carbide honeycomb fired body, and a thickness of the oxide layer measured using an X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is 5 to 100 nm.例文帳に追加

多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された多孔質の炭化ケイ素質ハニカム焼成体を含んで構成されたハニカム構造体であって、前記炭化ケイ素質ハニカム焼成体の表面にはケイ素を含む酸化物層が形成されており、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて測定した前記酸化物層の厚さは、５〜１００ｎｍであるハニカム構造体。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having the semiconductor epitaxial growth layer of silicon carbide or nitride gallium as a semiconductor layer on a semiconductor substrate composed of the silicon carbide, capable of maintaining the strength of the semiconductor substrate even when the thickness of the semiconductor substrate is reduced in order to realize small on-state resistance and reducing wafer breaking in a wafer process, and its manufacturing method.例文帳に追加

炭化珪素からなる半導体基板上に炭化珪素または窒化ガリウムの半導体エピタキシャル成長層を半導体層として備える半導体装置であって、小さなオン抵抗を実現するため前記半導体基板の厚さを薄くしても、半導体基板の強度を維持し、ウエハプロセスにおけるウエハ割れを少なくできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical information recording medium having three or more recording layers which can be inexpensively manufactured without wasting its material, can suppress thickness unevenness of each layer to the minimum and has a structure wherein a leaked signal from an adjacent layer can be reduced when the three or more recording layers exist and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

記録層を３層以上有する光情報記録媒体を、材料を無駄にすることなく安価に作製し、また、各層の厚みムラを最小限に抑えることができ、さらに記録層が３層以上の場合には隣接する層からの洩れこみ信号を低減させることのできる構造を有する光情報記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The composite nonwoven fabric for patch comprises a polyester film with at least 6 μm of thickness and a fiber web comprising undrawn polyester fibers thermally bonded on at least one side of the film to form the nonwoven fabric layer, wherein the nonwoven fabric layer has not more than 3.0×10^-2(J/cm^2) of heat of crystallization per unit area.例文帳に追加

この目的は、ポリエステルからなる厚さが６μｍを超えるフィルムの少なくとも一方の表面に、未延伸ポリエステル繊維を含む繊維ウェブを熱接着してなる不織布層が形成された貼付剤用複合不織布であって、前記不織布層の単位面積当たりの結晶化熱が３．０×１０^−２（Ｊ／ｃｍ^２）以下とすることによって達成し得る。 - 特許庁

A semiconductor near-field light source is constituted by laminating a compound semiconductor layer constituted in a triangular pyramid structure using the regular triangular exposed surface of a compound semiconductor substrate 11 as one face on the exposed surface of the substrate 11 and the triangular pyramid structure has a surface emission type laser structure 12 containing at least a pair of multilayered semiconductor film reflecting mirrors and an active layer laminated in the thickness direction.例文帳に追加

半導体近接場光源は、化合物半導体基板１１表面の正三角形の基板露出面上に、その露出面を１面として有する三角錐構造の化合物半導体層が積層され、三角錐構造が、層厚方向に積層された一対の半導体多層膜反射鏡及び活性層を少なくとも含む面発光レーザ構造１２を有する。 - 特許庁

The mechanical strength of the diffraction grating 8 is improved, and aberration measurement accuracy is improved, by forming a protective layer 22 adjusting a refractive index and thickness on the diffractive grating 8; and furthermore, the device composition can be significantly simplified and stable lens measurements in with stabilized accuracy can be achieved by possessing spherical aberration correction mechanism using a refractive index difference of the protective layer 22.例文帳に追加

回折格子８上に屈折率と厚みを調整した保護層２２を形成することにより、回折格子８の機械的強度を向上するとともに、収差測定精度を向上させ、さらに保護層２２の屈折率差を利用した球面収差補正機能を持たせることで、装置構成を大幅に簡略化することを可能とし、精度が安定したレンズ測定が実現できる。 - 特許庁

The light control film 20 is used for the liquid crystal display device and comprises a thermoplastic resin with 30-350 μm thickness as a substrate 21 and is characterized by having a light absorption function at a specified wavelength in a visible ray region composed of a dispersed organic pigment layer 23 and having ≤75% transmittance at the maximum absorption wavelength of the dispersed organic pigment layer 23.例文帳に追加

液晶ディスプレイ装置に用いられ、厚み３０μｍ〜３５０μｍなる熱可塑性樹脂を基材２１とする調光フィルム２０であって、有機色素分散層２３からなる可視光線域における特定波長の光吸収機能を有し、かつ有機色素分散層２３の最大吸収波長における透過率が７５％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the aluminum hollow optical fiber having an aluminum thin film formed on an inner surface of a thin glass capillary with high flexibility, a layer of a metal other than aluminum is formed between the glass capillary and the aluminum thin film and thereby the thickness of the metallic layer is increased without increasing the surface roughness, and the durability at emission of the high power laser is improved while maintaining high transmission efficiency.例文帳に追加

高い可撓性を有する肉薄のガラス細管の内面にアルミニウム薄膜を形成したアルミニウム中空光ファイバにおいて，ガラス管とアルミニウム薄膜の間にアルミニウムとは異なる金属層を設けることにより，表面の粗さを増大させることなしに金属層の厚さを増加させ，高い伝送効率を保持したまま高出力レーザ照射時の耐久性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for quantitatively measuring the surface potential distribution of a solid, especially a semiconductor with high space dissolving capacity using a scanning type tunnel microscope by solving the conventional technical problem that the distance between a probe and the surface of a sample and the thickness of the depleted layer of the surface of the sample are unclear and the measurement in the depleted layer region is difficult, and an apparatus therefor.例文帳に追加

探針／試料表面距離が不明、試料表面の空乏層 厚が不明、空乏層領域での計測が困難、という従来技術の問題点を解決し、固体表面、特に半導体表面の表面電位分布を、走査型トンネル顕微鏡を用いて高い空間分解能で定量的に計測する方法とそのための装置を提供する。 - 特許庁

The composite material containing layers A of one or more layers containing at least one solid electrolyte A1, at least one adhesion promoting layer B having <100 μm layer thickness and at least one component C imparting electrochromic properties to the composite material is especially suitable to the use for the electrochromic window.例文帳に追加

本発明は、少なくとも１種の固体電解質Ａ１を含む１層以上の層Ａ、層厚が１００μｍ未満である１層以上の接着促進層Ｂ、及び複合材料にエレクトロクロミック特性を付与する１種以上の成分Ｃを含む複合材料であって、該複合材料はエレクトロクロミック・ウインドウでの使用に特に適当であることを特徴とする複合材料に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of simplifying the manufacture process and reducing the manufacture cost by varying the thickness of a cap layer immediately above a window region arbitrarily in order to facilitate control of the diffusion depth of a diffusion source thereby controlling the distance from the diffusion source to an active layer and controlling the diffusion depth of the diffusion source, and to provide a wafer for semiconductor laser employing it.例文帳に追加

拡散源の拡散深さの制御を容易に行うために、窓領域を形成する直上のキャップ層厚を任意に変えることにより、拡散源から活性層までの距離を制御し、拡散源の拡散深さを制御し、製造プロセスを簡易にし、製造コストを低下させることができる、半導体レーザ素子およびそれを用いた半導体レーザ用ウェハを提供すること。 - 特許庁

The color filter is characterized by comprising coloring pixels 14 disposed on a transparent substrate 10 and patterned with a plurality of colors and having a dot pattern with a number of parts where no coloring part constituting the coloring pixel exist (transparent non-coloring parts 16) formed inside at least a certain segment in the pixel in the layer thickness direction or in the layer formation direction of the coloring pixel.例文帳に追加

透明基板１０上に設けられた複数色パターン化されている着色画素１４中の一画素内の少なくとも一部の領域内に、着色画素の層厚み方向又は層形成面方向に着色画素を構成する着色部が存在しない部分（透明無着色部１６）を多数有する網点状パターンが形成されていることを特徴とするカラーフィルター。 - 特許庁

Processes are performed: a process of measuring the film thickness distribution of a metal film 11 formed on a piezoelectric substrate 2; and an electrode-forming process for forming a mask layer 13 having forming patterns of interdigital transducers 3 on the metal film 11, etching a portion where the metal film 11 and the substrate 2 are not covered with the mask layer 13, thereby forming the interdigital transducers 3.例文帳に追加

圧電性基板２上に成膜された金属膜１１の膜厚分布を測定する工程と、櫛形電極３の形状パターンを有するマスク層１３を金属膜１１上に形成し、金属膜１１及び圧電性基板２のうちマスク層１３に覆われていない部分をエッチングすることにより櫛形電極３を形成する電極形成工程とを行う。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, slit shaped opening parts 94 and protruding parts 37 to control alignment of liquid crystal molecules are formed on electrodes 9, 31 to drive the liquid crystal and furthermore an insulating film 26 to construct liquid crystal layer thickness of the transmissive display region T larger than that of the reflective display region R is formed between a substrate 10A and the liquid crystal layer 50.例文帳に追加

ここで、液晶を駆動する電極９，３１には、液晶分子の配向を規制するためのスリット状開口部９４、凸状部３７が形成され、さらに透過表示領域Ｔの液晶層厚を反射表示領域Ｒの液晶層厚よりも大きく構成するための絶縁膜２６が、基板１０Ａと液晶層５０との間に形成されている。 - 特許庁

In the multilayer optical recording medium of a reproducing only type, a WORM (write once read many) type, and a rewritable type in which an information recording layer is laminated in a thickness direction, the material of the intermediate reflective layer is constituted of a material which is reversibly changeable between transparent and nontransparent states, and the driving device for this multilayer optical recording medium is provided.例文帳に追加

情報記録層を厚み方向に積層した再生専用型、追記型、書き換え型の多層光記録媒体において、中間反射層の材質は、光エネルギー以外の物理的変化に対応して、透明、不透明が可逆的に変化し得る物質から構成されていることを特徴とする多層光記録媒体および該多層光記録媒体用ドライブ装置。 - 特許庁

A plurality of (first to third) light receiving pn junction diodes D1 to D3 are formed by providing a plurality of (first to third) p-type regions 31 to 33 at different depths from the surface of an n-type semiconductor layer 2 at different positions of the n-type semiconductor layer 2 which is provided on a p-type semiconductor substrate 1 with substantially uniform thickness.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１上にほぼ均一な厚さのｎ型半導体層２が設けられ、そのｎ型半導体層２の異なる場所に、ｎ型半導体層２の表面から複数個（第１〜第３）のｐ型領域３１〜３３が異なる深さで設けられることにより、複数個（第１〜第３）の受光用ｐｎ接合ダイオードＤ１〜Ｄ３が形成されている。 - 特許庁

The absolute value of a stress exerted in a direction to peel bumps off from wiring patterns formed on the top and bottom of a layer insulation film composed of an organic insulation film on a multilayer printed board with layers interconnected with use of a conductive resin compound for bumps in the condition of keeping the temperature during coating or mounting can be reduced by decreasing the thickness of the layer insulation film.例文帳に追加

導電性樹脂化合物をバンプとして層間接続を行う多層プリント配線板の有機絶縁膜からなる層間絶縁膜の厚みを減らすことによって、はんだコート時や実装時の温度を維持した状態でバンプが層間絶縁膜の上下に形成した配線パターンから引き剥がされる方向にかかる応力の絶対値を減少させることができる。 - 特許庁