「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(259ページ目) - Weblio英語例文検索

The fine particle used in the reflection plate for an automobile comprises a base particle and a metal layer 0.5 μm or larger in thickness formed on the surface of the base particle, where the fine particle is 5 to 500 μm in diameter and 20% or less in CV value.例文帳に追加

自動車用反射板に用いられる自動車部品用微粒子であって、基材粒子と前記基材粒子の表面に形成された厚さ０．５μｍ以上の金属層とからなり、粒子径が５〜５００μｍであり、かつ、ＣＶ値が２０％以下であることを特徴とする自動車部品用微粒子。 - 特許庁

The diffusive resistance layer 12 is set to a minimum thickness necessary for completing the reaction of the combustible gas with oxygen before the gas to be measured reaches the surface of the electrode 13a, for example, about 1000 μm, so that the fluctuation of oxygen concentration on the surface of the electrode 13a to stabilize the output.例文帳に追加

拡散抵抗層１２は、被測定ガスが電極１３ａの表面に到達する以前に、可燃性ガスと酸素の反応を完了させるに必要な最低厚さ以上、例えば、１０００μｍ程度の厚さとしてあり、電極１３ａ表面上の酸素濃度の変動を抑制して出力を安定化させる。 - 特許庁

The DDR type zeolite membrane composite 1 is constituted of a porous substrate 2 and a DDR type zeolite layer 5, deposited in a substrate, of the thickness of of 5-50 times the average pore diameter of the porous substrate made of a DDR type zeolite arranged in the pore 3 of one side surface of the porous substrate 2.例文帳に追加

多孔質基体２と、多孔質基体２の一方の表面の細孔３内に配設された、ＤＤＲ型ゼオライトからなる、多孔質基体の平均細孔径の５〜５０倍の厚さの基体内析出ＤＤＲ型ゼオライト層５とを備えてなることを特徴とするＤＤＲ型ゼオライト膜複合体１。 - 特許庁

The developing device includes: a stirring-and-conveying section that conveys developer stored in a housing while stirring it; the developer carrier that holds developer conveyed by the stirring-and-conveying section; a regulating member that regulates the layer thickness of developer held on the developer carrier; and a heat receiving section that is brought into contact with the developer.例文帳に追加

本発明の現像装置は、筐体内に収納された現像剤を攪拌しながら搬送する攪拌搬送部と、該攪拌搬送部によって搬送されてくる現像剤を担持する現像剤担持体と、該現像剤担持体に担持された現像剤の層厚みを規制する規制部材と、現像剤と接触する受熱部とを有している。 - 特許庁

Thus, if the source-drain distance is reduced, the source and drain electrodes 14b, 14a are distant from the gate electrode 12 by at least the thickness of the active layer 13, the gate- drain and gate-source fringe capacitances are reduced and the off-capacitance can be reduced.例文帳に追加

これにより、ソース・ドレイン間の距離を小さくした際でも、ゲート電極１２と、ソース電極１４ｂ及びドレイン電極１４ａとの間の距離を少なくとも活性層１３の厚さ分だけ離し、ゲート・ドレイン間及びゲート・ソース間におけるフリンジング容量を低減し、オフ容量を低減することができる。 - 特許庁

To provide a thin film evaluation method capable of evaluating the thickness and/or the optical constant of a thin film in a sample more accurately with a smaller dispersion than hitherto, even when using a sample wherein the thin film is formed on a transparent polymer film having a layer functioning as an optical film.例文帳に追加

光学膜として作用する層を有する透明高分子フィルム上に薄膜が成膜された試料を用いた場合であっても、試料中の薄膜の膜厚および／または光学定数を従来よりも正確かつ少ないばらつきで評価することが可能な薄膜評価方法を提供する。 - 特許庁

In a hole penetrating semiconductor substrates and insulating films 31 of semiconductor chips 11 and 12, a substantially cylindrical metal plug 22 extending in the thickness direction of the semiconductor chips 11 and 12 is arranged, and a cylindrical insulation layer 23 of organic resin is arranged on the outer circumference of the metal plug 22 thus constituting a through electrode structure.例文帳に追加

半導体チップ１１，１２の半導体基板および絶縁膜３１を貫通する孔内に、半導体チップ１１，１２の厚み方向に延在する略円筒形の金属プラグ２２と、この金属プラグ２２の外周に配置されて有機樹脂からなる筒状の絶縁層２３とを配置して、貫通電極構造を構成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a substrate for an electrophotographic photoreceptor, which is manufactured by forming a photosensitive layer on a surface of the substrate, a substrate is manufactured by using an extruded tube having a thickness deviation of 0.2 mm or smaller formed, by extruding a metallic material for a substrate.例文帳に追加

表面に感光層が形成されて電子写真感光体が製造される電子写真感光体用基体の製造方法において、基体用金属材料を押出加工処理し偏肉が０．２ｍｍ以下である押出管を用いて基体を製造することを特徴とする電子写真感光体用基体の製造方法。 - 特許庁

In the electrical double-layer capacitor which is provided with a positive electrode and a negative electrode formed of activated charcoal, and a non-aqueous electrolyte; thickness Lc(002) of maximal single crystal of the plane d002 of the activated charcoal used as the positive electrode is set larger than that of the plane d002 of the activated charcoal used as the negative electrode.例文帳に追加

活性炭からなる正極及び負極と、非水電解液とを具備する電気二重層キャパシタにおいて、正極に用いられる活性炭のｄ００２面の結晶子厚さＬｃ（００２）を、負極に用いられる活性炭のｄ００２面の結晶子厚さＬｃ（００２）よりも大きくする。 - 特許庁

The method for manufacturing the compound semiconductor device comprises the steps of acquiring a lower electrode resist pattern 21 of a T-shaped gate electrode, then forming a pattern shrink material 1 in thickness of 3,000 to 40,000 Å on the entire surface, diffusing an acid from the lower layer resist pattern 21 in the shrink material 1, and mixing and baking 7 to crosslink the shrink material 1.例文帳に追加

図１（ロ）に示すように、Ｔ型ゲート電極の下部電極部レジストパタン２１を得た後、パタンシュリンク材１を３０００〜４０００オングストロームの膜厚で全面に形成して、下層レジストパタン２１からの酸をパタンシュリンク材１に拡散させ、パタンシュリンク材１が架橋するミキシングベーク７を行う。 - 特許庁

On an n-type clad layer 11 of a thickness of T2 which is mode of a C component, quantum dots 1 mode of an A component are formed in a cylindrical shape of a diameter Dqd and height Tqd in a form of being embedded in a matrix made of a D component by a lithography or etching method with the size, position, and distribution density being controlled.例文帳に追加

Ｃ成分からなる厚さＴ２の１１ｎ型クラッド層の上に、Ｄ成分からなる、２マトリックス中に埋った形態で、Ａ成分からなる１量子ドットを、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、直径Ｄ_qd、高さＴ_qdの円柱体の形状で、サイズ、位置および分布密度を制御して形成する。 - 特許庁

The deviation ratio of thickness of the resin layer 22 is always ≤80%, and a line connecting two different points on an axial line of the glass fiber 21 crosses an axial line of the coated optical fiber or is present in a twisted position in an arbitrarily selected area being ≤500μm long in the lengthwise direction of the coated optical fiber 20.例文帳に追加

樹脂層２２の偏肉率が常に８０％以下であり、任意に選択された光ファイバ心線２０の長手方向長さが５００μｍ以下の領域において、ガラスファイバ２１の軸線上の異なる２点を結んだ直線が光ファイバ心線の軸線Ｚと交わるか、または、ねじれの位置になるように存在してなる。 - 特許庁

The surface treatment metallic material includes on at least a part of the metallic material surface: a layer which includes a magnetic body and has a thickness being ≥1 μm and ≤100 μm; and a frequency area where a reflection attenuation amount RL is ≤-10 dB and a frequency is within a range being ≥100 MHz and ≤80 GHz.例文帳に追加

金属材表面の少なくとも一部に、磁性体を含有しかつ厚さが１μｍ以上１００μｍ以下の層を有し、反射減衰量ＲＬが−１０ｄＢ以下となる周波数領域を、周波数１００ＭＨｚ以上８０ＧＨｚ以下の範囲内に有する金属材である。 - 特許庁

The quartz substrate with the zinc oxide thin film is characterized by containing Zn, Si and oxygen on the quartz substrate, forming an intermediate layer comprised of an amorphous thin film of which the Zn/Si atomic ratio is 0.22-3.7 and preferably the thickness is about 10-80nm, and then forming the crystalline zinc oxide thin film preferentially oriented to the c axis direction thereon.例文帳に追加

石英基板上に、ＺｎとＳｉと酸素を含み、Ｚｎ／Ｓｉ原子比が０．２２〜３．７ の非晶質薄膜からなる、好ましくは厚みが約１０〜８０ ｎｍ の中間層を形成した後、その上に、ｃ軸方向に優先配向した結晶質のＺｎＯ薄膜を形成した、ＺｎＯ薄膜付き石英基板とする。 - 特許庁

A ceramic paste containing an antistatic agent in addition to ceramic powder, an organic solvent, and an organic binder, is used for forming a ceramic green layer 5 for step absorption on a main surface of a ceramic green sheet 2 to substantially eliminate the step caused by the thickness of inner electrodes 1.例文帳に追加

内部電極１の厚みによる段差を実質的になくすためにセラミックグリーンシート２の主面上に段差吸収用セラミックグリーン層５を形成するようにし、この段差吸収用セラミックグリーン層５の形成のために、セラミック粉末、有機溶剤および有機バインダに加えて、帯電防止剤を含む、セラミックペーストを用いる。 - 特許庁

The polyester fiber is formed out of a polyester composition comprising a treated laminar compound obtained by stirring and mixing a laminar compound having ≤500Å average layer thickness with a dispersion medium, and adding a water-soluble or water-miscible phosphorus-based flame retardant to the product, and a thermoplastic polyester resin.例文帳に追加

平均層厚が５００Å以下である層状化合物と分散媒を撹拌混合した後、水溶性または水混和性のリン系難燃剤を添加することにより得られる処理された層状化合物と、熱可塑性ポリエステル樹脂、とからなるポリエステル組成物より形成されるポリエステル系繊維である。 - 特許庁

On the surface of a slide part of the movable scroll 3, an anodized layer 36 is formed, and prescribed thickness is eliminated from the surface of the anodized surface 36.例文帳に追加

可動スクロール３の摺動部表面において、陽極酸化層３６を形成処理した後に、陽極酸化層３６表面から所定の厚みを除去することで、可動スクロール３の摺動部表面の表面粗さを向上させることを可能とし、摺動部摩擦抵抗の低減と更なる耐磨耗性の向上を図った。 - 特許庁

In a developer regulating means 1 having an elastic blade 2 that regulates the thickness of a layer of developer on a developing sleeve 4 holding thereon toner supplied from a developer container 6, the elastic blade 2 has a projection 2a formed of an elastic body which longitudinally abuts on the developer container 6.例文帳に追加

現像剤容器６から供給されるトナーを担持する現像スリーブ４上の前記現像剤層厚を規制する弾性ブレード２を有する現像剤規制手段１において、弾性ブレード２は、長手方向に渡って現像剤容器６に当接する弾性体からなる凸部２ａを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the three-dimensional shaped article for successively repeating a process for forming a powdery material on a support as a layer having a predetermined thickness and a process for bonding a powdery material layer by a binder so as to have a cross-sectional shape formed by cutting a shaping object by a parallel cross section, the colored binder contains a polymerizable compound and an oil soluble dye.例文帳に追加

支持体上に粉末材料を所定の厚さを有する層に形成する工程、及び造形対象物を平行な断面で切断した断面形状になるように粉末材料層を結合剤により結合させる工程を順次繰り返すことを含む三次元造形物の製造方法において、着色された結合剤が重合性化合物と油溶性染料を含むことを特徴とする三次元造形物の製造方法。 - 特許庁

The optical compensation film comprises an optical anisotropic layer, made of a composition containing at least a liquid crystalline compound on a plastic film, wherein both the change amounts of in-plane retardation Re and retardation Rth in the thickness direction of the optical anisotropic layer, after dipping the optical compensation film in an aqueous solution of sodium hydroxide 1.5 mol/L at 55°C for two min are smaller than 5 nm.例文帳に追加

プラスチックフィルム上に、少なくとも液晶性化合物を含有する組成物からなる光学異方性層を有する光学補償フィルムであって、該光学補償フィルムを、１．５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液中に５５℃で２分間浸した後に、該光学異方性層の面内レターデーションＲｅ及び厚み方向のレターデーションＲｔｈのいずれの変化量も５ｎｍ未満であることを特徴とする光学補償フィルムである。 - 特許庁

The epitaxial substrate and its manufacturing method comprises: a step to form an epitaxial substrate by growing an epitaxial layer on a silicon substrate added with carbon; and a heat treatment step to apply a first heat treatment and second heat treatment to the epitaxial substrate so that an oxygen precipitate density at a surface layer part of the silicon substrate which constitutes the epitaxial substrate becomes larger than an oxygen precipitate density at a thickness center part after the step to form the epitaxial substrate.例文帳に追加

炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程と、該エピタキシャル基板を形成する工程後に、該エピタキシャル基板を構成する前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、前記エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The light guide plate 20 arranged for use between a layer of the key switches and a layer of a dome switch for carrying out illumination by guiding light incident in a thickness from a light source 40 and scattering it at a position corresponding to each key switch 10 has a light scattering and transmitting means formed for partly scattering and partly transmitting light and raising the elastic flexibility of the part at a site positioned under each key switch 10.例文帳に追加

キースイッチの層とドームスイッチの層との間に配置して用いられ、光源４０から肉厚内に入射した光を導光しながら各キースイッチ１０に対応する位置で散乱させて照光を行う導光板２０であって、各キースイッチ１０の下方に位置する部分に、光を一部散乱、一部透過させると共に、その部分の弾性撓み性を上げる光散乱透過手段を形成したことを特徴とする導光板である。 - 特許庁

This manufacturing method of a stacked polishing pad includes processes of: preparing bubble dispersed urethane composition 14 by mechanical froth method; delivering a cushion layer 9 and simultaneously continuously discharging bubble dispersed urethane composition thereon; a adjusting the thickness to be uniform and also hardening the bubble dispersed composition to form a polishing layer made of polyurethane foamed body and manufacture a long stacked sheet 17; and cutting 19 the long stacked sheet.例文帳に追加

メカニカルフロス法により気泡分散ウレタン組成物１４を調製する工程、クッション層９を送り出しつつその上に気泡分散ウレタン組成物を連続的に吐出する工程、厚さを均一に調整しつつ気泡分散ウレタン組成物を硬化させることによりポリウレタン発泡体からなる研磨層を形成して長尺積層シート１７を作製する工程、及び長尺積層シートを裁断１９する工程を含む積層研磨パッドの製造方法。 - 特許庁

In the substrate for semiconductor device having embedded wiring, the embedded wiring is composed of a metal polycrystalline material and has a region of at least two layers having different average crystal grain sizes in the thickness direction of the substrate, and the average crystal grain size of a layer including the aperture plane of the embedded wiring is smaller than that of the other layer of the embedded wiring.例文帳に追加

本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも２層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a stage where a source electrode 20 and a drain electrode 30 separated by a specified distance are formed on an insulating substrate 10, a stage where a metal layer 40 of several nm thickness is formed between them, and a stage where a specified voltage is applied to them so that moving of metal atom/ion of the metal layer 40 forms a quantum point between them.例文帳に追加

絶縁基板１０上に所定間隔で離隔されたソース電極２０とドレイン電極３０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０との間に数ｎｍ厚さの金属層４０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０に所定電圧を印加して金属層４０の金属原子／イオンの移動によりソース電極２０とドレイン電極３０との間に量子点を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device mounting a semiconductor chip on a multilayer substrate comprises an inner layer conductor pattern formed in the multilayer substrate, an extending conductor portion formed in the thickness direction on the inner layer conductor pattern in a chip mounting region for mounting the semiconductor chip, and a counterbore portion formed in the chip mounting region by shaving the multilayer substrate to contain the semiconductor chip.例文帳に追加

本発明は、積層基板に半導体チップを実装してなる半導体装置において、前記積層基板内に形成された内層導体パターンと；前記半導体チップが搭載されるチップ搭載領域において、前記内層導体パターン上に厚さ方向に延出成形された延出導体部と；前記チップ搭載領域において、前記積層基板を削ることによって形成され、前記半導体チップが収容される座繰り部とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of etching an aluminum foil, a step of anodic-oxidating the surface of the aluminum foil to form a dielectric oxide film layer, and a step of compressing the aluminum foil with the formed dielectric oxide film layer in the thickness direction, thereby obtaining an electrode foil for electrolytic capacitors which is greatly improved about the capacitance, the leakage current characteristics and high frequency range characteristics.例文帳に追加

アルミニウム箔をエッチング処理する工程と、このアルミニウム箔の表面に陽極酸化により化成処理して誘電体酸化皮膜層を形成する工程と、上記誘電体酸化皮膜層が形成されたアルミニウム箔を厚み方向に圧縮する工程とからなる製造方法とすることにより、静電容量および漏れ電流、高周波領域の特性を大幅に向上させた電解コンデンサ用電極箔を得ることができるものである。 - 特許庁

The plate type catalytic reactor comprises a reaction zone composing a catalyst layer by filling a space formed between two heat transmission plates with a pellet type or spherical catalyst, installing a couple of these two heat transmission plates each having a heat medium flow channel in the outside where a heat medium is supplied; and changing the thickness of the catalyst layer in the reaction zone by adjusting the distance of the couple of the heat transmission plates.例文帳に追加

２枚の伝熱プレートに挟まれた空間内にペレット状或いは球状の触媒を充填して触媒層を構成する反応帯域を形成し、当該伝熱プレートの外側に熱媒体が供給される熱媒体流路を有した２枚の伝熱プレートが一対を形成するプレート型触媒反応装置において、一対の伝熱プレートの間隔を調整し反応帯域内の触媒層厚さを変化させることを特徴とするプレート型触媒反応装置。 - 特許庁

This heat mirror film containing a visible light transmitting and infrared reflective film including a birefringent dielectric multilayer support 15 reflecting at least 50% of light in a band at least 100 nm wide in a wavelength region of interest, a metal or metal alloy layer 18 whose thickness is such that the film is visible light-transmissive and its reflection band is broadened, and a crosslinked polymeric layer 16, has improved infrared reflecting properties.例文帳に追加

対象となる波長領域で少なくとも幅１００ｎｍの帯域の光の少なくとも５０％を反射する複屈折性誘電体多層支持体１５と、フィルムが可視光透過性であるようにかつその反射帯域が拡張されるように設定された厚さを有する金属もしくは金属合金の層１８と、架橋高分子層１６と、を含む可視光透過性かつ赤外線反射性のフィルムを含有するヒートミラーフィルムは、改良された赤外線反射性を有する。 - 特許庁

The photodetector incorporated semiconductor device having a photodetector and a signal processing circuit for the insulated and separated photodetector formed on the same semiconductor is constituted by laminating a 1st semiconductor layer having a 1st photodetector; an insulating layer which varies in reflection factor with the wavelength of light, transmits light, and has a specified film thickness; a 2nd photodetector; and the signal processing circuit in order on the semiconductor substrate.例文帳に追加

受光素子と該受光素子の信号処理回路とが同一半導体基板上に絶縁分離して形成された受光素子内蔵半導体装置において、第１の受光素子を備える第１の半導体層と、光の波長により反射率が変わり、かつ光透過性を有する所定の膜厚の絶縁層と、第２の受光素子及び信号処理回路を備える第２の半導体層とが、順に半導体基板上に積層して形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the mold for continuous casting, used for the production of the steel material, one or more of ions among chromium, molybdenum and tungsten, are poured so that desirably the thickness of the ion poured layer is 0.01-1.0 μm and the ion pouring amount becomes ≥1×10^16 ion/cm^2 to form the iron poured layer on the mold for continuous casting.例文帳に追加

鉄鋼材料を製造するために用いる連続鋳造用鋳型において、鋳型内面側表面の少なくとも鋳型上端から高さ３００ｍｍまでの範囲に、クロム、モリブデン及びタングステンのいずれか一種以上のイオンを、好ましくはイオン注入層の厚みが０．０１〜１．０μｍであると共に、イオン注入量が１×１０^１６イオン／ｃｍ^２以上となるように注入してイオン注入層を形成したことを特徴とする連続鋳造用鋳型。 - 特許庁

The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid.例文帳に追加

基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記ＩｎＧａＡｌＰ層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Iron oxide flakes for the microwave absorber has a flat shape while having the ratio of a longest diameter to a maximum thickness of 5 or more and contains the total quantity of Fe of 50 mass % or more as the composition in iron oxide flakes obtained by peeling an oxide layer generated on the surface of a wire rod made of steel by hot processing.例文帳に追加

熱間加工により鋼製線材の表面に生成した酸化物層を剥離させて得られる酸化鉄粉であって、その形状が扁平状を有すると共にその最長径と最大厚みの比が５以上で且つその組成としてトータルＦｅ量を５０質量％以上含有することを特徴とする電磁波吸収体用扁平状酸化鉄粉。 - 特許庁

To provide an electro-optical device capable of shortening the manufacturing process, and reducing the cost by finishing channel doping only once even when a monocrystalline semiconductor layer is changed in thickness in TFTs for switching the same conductive type pixels and those for peripheral circuits, to provide a manufacturing method therefor, and to provide a projection type display device.例文帳に追加

同一導電型の画素スイッチング用のＴＦＴと周辺回路用のＴＦＴとにおいて単結晶半導体層の膜厚を変えた場合でも、チャネルドープを１回で済ませることにより、製造工程を短縮し、低コスト化を図ることのできる電気光学装置、その製造方法、および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

The invention relates to the optical element comprising the dispersion of layered minute particulate materials in a binder, and the layered materials have a layer thickness, concentration of particulate materials in the binder, and a basal plane spacing sufficient to provide the element having light transmissivity of at least 50%.例文帳に追加

本発明は、バインダー中に層状の微小な粒子状物質の分散体を含んで成る光学要素であって、前記層状物質が、少なくとも５０％の光透過率を有する要素を提供するのに十分な層厚さ、バインダー中の粒子状物質濃度及び基底面間隔を有することを特徴とする光学要素に関する。 - 特許庁

A silicon based electric insulation film containing a second element with respect to silicon is formed beneath an isolation trench between adjacent power generating regions formed by shaping a second electrode layer and the content of the second element in the silicon based electric insulation film is made uneven in the film thickness direction thus obtaining a multilayer thin film solar cell.例文帳に追加

第２電極層の形状加工により形成される隣接する発電領域間の分離溝下に、シリコンに対し第２の元素を含むシリコン系電気絶縁膜が形成され、このシリコン系電気絶縁膜における第２の元素の含有量がその膜厚方向に不均一である集積型薄膜太陽電池により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

This antistatic floor material used in constructing the working floor having antistatic performance, is configurated by a floor material body made of an aluminum material composed of aluminum or an aluminum alloy, and an anodic oxide coating layer formed on a surface of the floor material body and having a film thickness of 3-50 μm.例文帳に追加

帯電防止性能を有する作業床を形成するために用いられる帯電防止床材であり、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材で形成された床材本体と、この床材本体の表面に設けられた膜厚３〜５０μmの陽極酸化被膜層とにより形成されることを特徴とするアルミニウム製帯電防止床材である。 - 特許庁

By using a photomask or a reticle provided with an auxiliary pattern made of a diffraction grating pattern or a semi-permeable membrane and having a function of light intensity reduction, a partition wall having portions with different film thickness is formed on a pixel electrode (also called first electrode) in a display region and around a pixel electrode layer without any increase of processes.例文帳に追加

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、工程を増やすことなく、表示領域における画素電極（第１の電極とも呼ぶ）上、及び画素電極層周辺に膜厚が異なる部分を有する隔壁を形成する。 - 特許庁

In the packing method for the image recording material, two or more pieces of the packaging bodies, in which image recording materials each having the image recording layer including a thermoplastic resin at least on one side of the base body are piled by a predetermined number and packaged with the packaging material, are stored in the package so that the thickness direction of the package is nearly vertical to the gravity direction.例文帳に追加

支持体の少なくとも一面に熱可塑性樹脂を含む画像記録層を有する画像記録材料を、所定の枚数重ねて包装材で包装してなる包装体を、その厚み方向が重力方向に対し略垂直となるように梱包体内に複数個収納する画像記録材料の梱包方法である。 - 特許庁

The objective lens 16 which condenses the laser beam emitted from the dual-wavelength laser beam source 11 on the information recording surfaces of the optical recording media 1a and 1b and forms reading spots, includes a lens having positive power and a hologram with a shape of a concentric orbicular zone, and corrects a spherical aberration caused by the thickness of the protective layer of each optical recording medium 1a and 1b.例文帳に追加

２波長レーザ光源１１から放射されたレーザ光を光記録媒体１ａ，１ｂの情報記録面に集光して読み取りスポットを形成する対物レンズ１６は、正のパワーを有するレンズと同心円輪帯状のホログラムとを有しており、各光記録媒体１ａ，１ｂの保護層の厚みで生ずる球面収差を補正する。 - 特許庁

To provide a composite structural part between a metallic material and a non-metallic material in which the non-metallic material of large layer thickness is covered on the metallic material in a consistently adhered condition and in a less-sensitive manner to the impact effect, the heat conductivity is less than that of a prior art, and a small metal area exposed to oxidation is obtained.例文帳に追加

一方では、非金属性の材料の大きな層厚さが、安定して付着した状態でかつ衝突作用に対して敏感でないように金属性の材料に被着されるようになっており、他方では、公知先行技術に比べて、より僅かな熱伝導と、酸化にさらされるより僅かな金属表面とが得られるようにする。 - 特許庁

To provide a light diffusion plate having high total-light transmittance, not notably deteriorated in diffusion ability even if another layer is laminated while making a light source position invisible through the light diffusion plate even if using a light source of strong directivity and high luminance, particularly the light diffusion plate having a thin thickness and making the light source invisible even if installed in a position close to the light source.例文帳に追加

指向性が強く輝度の高い光源を用いても光拡散板を通して光源の位置を視認できなくすると共に、全光線透過率の大きく、他の層を積層しても拡散能が著しく低下しない光拡散板、特に、厚さが薄く、光源に近い位置に設置しても光源が視認できない光拡散板の提供。 - 特許庁

An Ni or Ti barrier metal layer 2 in the range of 50-150 nm thickness which is not directly reactive with Cu is formed by vapor deposition or sputtering film forming method on regions 4 times as wide as the area of a surface for laminating a semiconductor light emitting element 5 at the surface for laminating the light emitting element 5 and a light emitting surface.例文帳に追加

その後、半導体発光素子５を接着する面および光出射される側の面に、半導体発光素子５の接着面の面積の４倍に値する領域に、蒸着およびスパッタ成膜法により、銅と直接反応しないNiまたはTiからなるバリア金属層２を50ｎｍ以上150ｎｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an optical disk, by which a light transmission layer which is thin and has uniform thickness can be formed and a large capacity optical disk can be easily manufactured by using a film and UV curing resin, in a manufacturing method for obtaining a medium wherein a light transmitting part of an optical information medium is made thin and recording density can be heightened.例文帳に追加

光情報媒体の光透過部分を薄型化し高記録密度化が可能な媒体を得る製造方法において、フィルムと紫外線硬化樹脂を使用することにより、均一な厚さの薄い光透過層を形成することができ、大容量の光ディスクを容易に製造することが可能な光ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor DBR mirror formed on an active layer is formed divided as a 1st DBR mirror and a 2nd DBR mirror, and a current stricture is provided only at the part of the 1st DBR mirror to reduce the thickness of a narrow area of a current path, thereby obtaining an element which can operate with both high and low voltages.例文帳に追加

活性層の上部に形成する半導体ＤＢＲミラーを、第１のＤＢＲミラーと第２のＤＢＲミラーに分けて形成し、電流狭窄は第１のＤＢＲミラーの部分にのみ設けることにより、電流経路の狭い領域の厚さを薄くすることが可能で、低電圧動作と高温動作が可能な素子を得ることができる。 - 特許庁