memory deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24671件
In the nonvolatile semiconductor memory device, a floating gate 8 is formed on a semiconductor substrate 4 through a gate insulating film 12, and has a first portion 8a contacting the gate insulating film 12 and a second portion 8 extending upwardly from a part of a surface of the first portion 8a.例文帳に追加
ゲート絶縁膜12を介して半導体基板4上に形成され、ゲート絶縁膜12と接する第1部分8aと、その第1部分8aの上面の一部から上方に延伸する形状を有する第2部分8bとを有するフローティングゲート8を備える不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁
The corresponding device includes a memory unit 123 constituted so that identification authentication related with the field exchangeable unit 110 can be stored and a communication interface 1,048 constituted so that the identification information from the identification authentication can be transmitted through a network 1,080 to the remote facility 1,022.例文帳に追加
対応する装置は、現地交換可能ユニット(110)に関連付けられた識別認証を記憶するように構成されたメモリ・ユニット(123)と、この識別認証からの識別情報をネットワーク(1080)を介して遠隔の施設(1022)に伝達するように構成された通信インタフェース(1048)とを含む。 - 特許庁
A semiconductor memory device is provided with a first gate electrode 105 which is formed in removed parts 102A of the active side and is surrounded by a device separating insulating film 102 which directly insulates it and forms difference in level and the height of which is equal to or smaller than that of the device separating insulating film 102 and a second gate electrode 107 which is further selectively formed on the first gate electrode 105.例文帳に追加
半導体記憶装置において、アクティブ側の一部102Aが除去されるとともに、ゲート電極を直接絶縁する素子分離絶縁膜102と、前記アクティブ領域と前記素子分離絶縁膜102により形成される段差部分に埋設されるとともに、その高さが前記素子分離絶縁膜102の高さと同一以下に形成される第1のゲート電極105と、この第1のゲート電極105上に更に選択的に形成される第2のゲート電極107とを具備する。 - 特許庁
The portable electronic device relating to an embodiment retrieves an identifier of a second data representation form obtained by specifying a plurality of bits of a high order or a low order of an identifier as a partial part by a command received from the outside, and outputs the identifier of the second data representation form with the partial part specified in a portable electronic device having a memory storing nest structure data.例文帳に追加
実施形態に係る携帯可能電子装置は、入れ子構造データを記憶するメモリを有する携帯可能電子装置において、外部から受信したコマンドにて当該識別子の上位あるいは下位の複数ビットを一部分として指定された第2データ表現形式の識別子をメモリ内の第2データ表現形式のデータから検索し、当該一部分を指定された第2データ表現形式の識別子を出力する。 - 特許庁
To provide an information display device and an information display method for mounting a portable recording medium such as a memory card to perform display based on content recorded in the portable recording medium, and for automatically recording the content recorded in the mounted portable recording medium in an external mass recording medium, and for making it easy for a user to deal with this information display device to make it suitable for practical use.例文帳に追加
この発明は、例えばメモリカード等の携帯型記録媒体を装着してそこに記録されたコンテンツに基づく表示を行なうもので、装着された携帯型記録媒体に記録されているコンテンツを外部の大容量記録媒体に自動的に記録することができ、ユーザにとっての取り扱いを容易化して実用に適するようにした情報表示装置及び情報表示方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
A mobile communication device 1 with an automatic transmission function for transmitting the current location information to a notification destination upon reception of an inquiry mail includes a location information acquire 15 to acquire the current location information of the mobile communication device 1, a parameter memory 13 to store a transmission schedule specifying the transmission timing, and an automatic transmitter 12 to transmit the current location information to a notification destination at the transmission timing specified by the transmission schedule.例文帳に追加
問い合わせメールを受信した場合に、通知先に現在位置情報を送信する自動送信機能付き移動通信装置1において、移動通信装置1の現在位置情報を取得する位置情報取得手段15と、送信タイミングを規定する送信スケジュールを記憶するパラメータ記憶手段13と、送信スケジュールで規定された送信タイミングで、現在位置情報を通知先に送信する自動送信手段12を備える。 - 特許庁
A node device determines the number of other node devices to be connected for acquiring prescribed content data, and inquires a management device which manages locations of node devices, to acquire the determined number of network address information for connection and acquires a plurality of partial data and reproduces them in accordance with a reproduction order while storing them into a buffer memory.例文帳に追加
ノード装置は、所定のコンテンツデータを取得するために接続対象となる他のノード装置の数を決定し、ノード装置の所在を管理している管理装置に問い合わせることにより、接続するためのネットワークアドレス情報を、決定数分取得し、該ネットワークアドレス情報に基づいて他のノード装置に接続し、前記複数の部分データの夫々を、分散して取得し、バッファメモリに蓄積させつつ再生順序にしたがって再生させる。 - 特許庁
This editing method is provided for editing unedited video by utilizing a system provided with a storage means for recording the unedited video onto a random access memory and a computer for controlling the storage means and includes a step of displaying a user interface for a plurality of editing operations on a display device of the computer and a step of using the user interface displayed on the display device to apply editing operations to the unedited video.例文帳に追加
未編集ビデオをランダムアクセス可能な記録媒体に記録する記憶手段と、上記記憶手段を制御するコンピュータとを備えたシステムを利用して、上記未編集ビデオを編集するための編集方法であって、複数の編集オペレーションのためのユーザインターフェースを、上記コンピュータのディスプレイに表示するステップと、上記ディスプレイに表示されているユーザインターフェースを使用して、上記未編集ビデオに対して編集オペレーションを施すステップを含む。 - 特許庁
The semiconductor device with the plurality of semiconductor storage devices mounted thereon for using test input data for inspection having a bit length of the divided data bit width, and the inspecting method thereof are constituted so that memory selection signals can be enabled for the all of the semiconductor storage devices or the arbitrary plurality of semiconductor storage devices, to write the plurality of semiconductor storage device simultaneously by one write operation.例文帳に追加
複数の半導体記憶装置を搭載し、データビット幅を分割したビット長のテスト入力データを用いて検査を行う半導体装置およびその検査方法であって、メモリ選択信号を全ての半導体記憶装置あるいは任意の複数の半導体記憶装置に対してイネーブルにすることが可能な構成にし、1度の書き込み動作で、同時に複数の半導体記憶装置に書き込みを可能とするものである。 - 特許庁
In the semiconductor integrated circuit device including an OTPROM, each memory cell transistor 101 has a drain 102 electrically connected to a projecting part 107 formed integrally with a bit line 105 at directly under the projecting part 107, and the device is programmed by fusing the bases 106 of the predetermined projecting parts 107 selected for the bit line 105.例文帳に追加
本発明のOTPROMを含む半導体集積回路装置は、各メモリセルトランジスタ101のドレイン102が、ビット線105と一体に形成された突出部107の直下で突出部107に電気的に接続されており、選択された所定の突出部107のビット線105に対する付け根106がレーザ112で溶断されプログラムされたことを特徴とするOTPROMを含む半導体集積回路装置である。 - 特許庁
The endoscope is provided with a signal input terminal 16 which is connected to a signal output terminal of the endoscope cleaning device 30 when the endoscope is cleaned by the endoscope cleaning device 30, cleaning done memory means 18 which stores 'cleaning done' when the signal inputted from the signal input terminal 16 signifies 'cleaning end' and display means 19 which displays the 'cleaning done' in a position visible from outside.例文帳に追加
内視鏡洗浄装置30によって洗浄される際に内視鏡洗浄装置30の信号出力端子と接続される信号入力端子16と、信号入力端子16から入力された信号が「洗浄終了」を意味するものであるときに、「洗浄済」であることを記憶する洗浄済記憶手段18と、「洗浄済」であることを外部から見える位置に表示する表示手段19とを設けた。 - 特許庁
The integrated circuit comprising a switching device which is a switching device connected to at least one line pair to which dual rail signals are applicable, can be controlled by the signal applied to a control terminal and can be used for transmitting the dual rail signals (applied to the line pair) to the further line pair and a memory cell which is connected to a supply potential connection by the controllable switch.例文帳に追加
本発明は、デュアルレール信号が印加され得る少なくとも1つのラインペアに接続されたスイッチングデバイスであって、制御端子に印加された信号によって制御され得、かつ、(ラインペアに印加された)デュアルレール信号をさらなるラインペアに伝送するために用いられ得る、スイッチングデバイスと、さらなるラインペアに接続され得るメモリセルであって、制御可能スイッチにより供給電位接続に接続される、メモリセルとを特徴とする集積回路を提示する。 - 特許庁
A microprocessor 18 of the control device 13 determines a read request from a host computer 11, when its transfer size is equal to a preset pre-read determination size, as a read request with sequential access property, transmits data for the read request to the host computer 11, and further reads data of a subsequent storage area continued to the read request from the storage device 12 to a cache memory 20 in advance.例文帳に追加
制御装置13のマイクロプロセッサ18は、ホスト計算機11からのリード要求の転送サイズが予め設定された先読み判定サイズと同じである場合には、シーケンシャルアクセス性のあるリード要求であると判断し、そのリード要求に対するデータをホスト計算機11に送信すると共に、そのリード要求と連続した後続の記憶領域のデータを記憶装置12からキャッシュメモリ20へ先行して読み込んでおく。 - 特許庁
An AV amplifier 100 determines a correspondence relation between a source device preset by the user and a plurality of input terminals constituting an input terminal group 102A by making the user instruct whether an output from an output device is a desired one while making a SW 106A switch the plurality of input terminals constituting the input terminal group 102A by processing of a microcomputer 118, and stores the determined correspondence relation in a memory.例文帳に追加
AVアンプ100は、マイコン118の処理により、SW106Aに入力端子群102Aを構成する複数の入力端子を切り替えさせながら、ユーザーに出力機器からの出力が所望のものであるか否かを指示させることで、ユーザーに予め設定させたソース機器と入力端子群102Aを構成する複数の入力端子との対応関係を決定し、決定した対応関係をメモリに記憶する。 - 特許庁
This invention provides the editing method for editing unedited video by utilizing a system provided with a storage means for recording the unedited video onto a random access memory and a computer for controlling the storage means and includes a step of displaying a user interface for a plurality of editing operations on a display device of the computer and a step of using the user interface displayed on the display device to apply editing operations to the unedited video.例文帳に追加
未編集ビデオをランダムアクセス可能な記録媒体に記録する記憶手段と、上記記憶手段を制御するコンピュータとを備えたシステムを利用して、上記未編集ビデオを編集するための編集方法であって、複数の編集オペレーションのためのユーザインターフェースを、上記コンピュータのディスプレイに表示するステップと、上記ディスプレイに表示されているユーザインターフェースを使用して、上記未編集ビデオに対して編集オペレーションを施すステップを含む。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device is provided with the memory array structure.例文帳に追加
縞状に配置された、直線形状を有するドレイン拡散層およびソース拡散層10,12と、縞状に配置された、直線形状を有する素子分離領域14と、拡散層10,12、素子分離領域14に直交し、縞状に配置された、直線形状を有する制御ゲート18と、制御ゲート18と平行に、かつ、縞状に配置された、直線形状を有するソース配線用金属配線層20aと、ドレイン拡散層10それぞれと接続する、孤立する島形状を有するドレイン接続用金属配線層20bとから成るメモリセルアレイ構造を備えた不揮発性半導体メモリである。 - 特許庁
In a picture processor, when a picture plotting instruction received from a host device 10 through a host I/F2, a memory 3 temporarily stores the picture plotting instruction, and an instruction dividing/distributing part 4 reads the picture plotting instruction from the memory 3, and analyzes the picture plotting instruction.例文帳に追加
画像処理装置は、ホストI/F2を介してホスト装置10から画像描画命令が送られてくると、一旦メモリ3に蓄積し、命令分割配分部4がメモリ3から画像描画命令を読み込んで、当該画像描画命令を解析して、画像描画命令が、イメージオブジェクトに関する処理であり、かつ、処理対象面積あるいは対応するイメージオブジェクトのデータ量が予め設定された基準値より大きい場合は、当該画像描画命令を、複数の画像描画命令に分割して、当該分割した画像描画命令を各画像作成処理部6a〜6nに分担処理させる。 - 特許庁
The multifunctional printer 3 is provided with an inner memory 33 for receiving and storing the recording file, a large capacity memory 34 and a device control means 35 for continuously executing respective functions of the multifunctional printer 3 on the basis of the procedure recorded in the recording file.例文帳に追加
複数の機能を有する多機能プリンタ3と該多機能プリンタに接続される端末装置1とから構成される多機能プリンタシステムにおいて、端末装置1は、前記多機能プリンタの各機能を連続して実行する手順を記録した記録ファイルを作成するファイル編集手段14と、前記記録ファイルを多機能プリンタに出力するインタフェイス部11とを備え、多機能プリンタ3は、記録ファイルを受信して保存する内部メモリ33、大容量メモリ34と、記録ファイルに記録された手順に基づいて多機能プリンタの各機能を連続して実行する装置制御手段35とを備えた。 - 特許庁
A method of using stored digital images transferred from an imaging device includes receiving and storing images from the imaging device in a memory associated with a computer, receiving at least one control file from the imaging device which indicates a prior intention for subsequent use of the stored images, and the computer responding to the control file to create and display a list of tasks selectable by a computer user in accordance with the prior intention.例文帳に追加
画像装置から画像を受信し且つコンピュータに関連するメモリに画像を格納し、画像装置から格納された画像を後に使用するための事前の意思を示す少なくとも1つの制御ファイルを受信し、事前の意思に従ってコンピュータユーザにより選択可能なタスクのリストを生成し且つ表示するために、コンピュータが制御ファイルに応答し、リストからタスクをコンピュータユーザが選択し、選択されたタスクにより示された画像の使用を開始するために、コンピュータが画像装置から転送された格納されたディジタル画像を使用する方法により達成する。 - 特許庁
To provide a device and a method capable of outputting the finite difference between two pieces of tree structure data so as to be recognizable in a data editing system which dynamically constructs tree structure data obtained by making plural unit data in which mutually hierarchical connection conditions are defined a node for a tree structure in a memory from the highest by a means such as menu inquiry.例文帳に追加
相互間の階層的な連結条件が定義された複数の単位データを木構造のノードとする木構造データを、メニュー問い合わせ等の手段により、メモリ内に最上位から動的に構築するデータ編集システムにおいて、2つの木構造データの差分を認識できるように出力可能とする装置及び方法の提供。 - 特許庁
During a reproducing of the automatic recording, a signal processing device 5 reads the codes from the memory 13, reproduces first band voice signals having sampling frequencies of 8 kHz and 16 kHz and wide band voice signals having a sampling frequency of 16 kHz and outputs these signals by switching them.例文帳に追加
留守録時、メモリ13にはサンプリング周波数が8KHzの音声パラメータ符号が記録され、信号処理装置5は留守録再生時、上記メモリ13から上記音声パラメータ符号を読み出し、サンプリング周波数が8KHz,16KHzの第1の帯域の音声信号と、サンプリング周波数16KHzの広帯域音声を再生し、切り換えて出力する。 - 特許庁
A controller 19 registers, into a local music management table in a memory 20, tag information of the music of audio files and audio tracks which an on-board audio system 1 can access from local locations such as an HDD 13, connected portable storage device 2, connected portable audio player 3, and removable media of mounted CD and DVD.例文帳に追加
制御部19は、車載オーディオ装置1がHDD13や、接続されたポータブル記憶装置2や、接続されたポータブルオーディオプレイヤ3や、装着されたCDやDVDなどのリムーバブルメディアなどの、ローカルなロケーションからアクセス可能なオーディオファイルやオーディオトラックの楽曲のタグ情報を、メモリ20のローカル楽曲管理テーブルに登録する。 - 特許庁
The information display device is configured to perform the collation of the display data from a shift register stored by a period prior to every changing over and the display data of the display memory 21 by changing over a transfer direction at each dynamic lighting period with respect to the display unit 1 mounted with a bidirectionally shiftable shift register 12a.例文帳に追加
双方向にシフト可能なシフトレジスタ12aを搭載した表示ユニット1に対してダイナミック点灯周期毎に転送方向を切り換え、切り換える毎に前の周期によって記憶されたシフトレジスタからの表示データと表示メモリ21の表示データとの照合を表示素子を点灯させながら行うようにした情報表示装置である。 - 特許庁
A program method of a nonvolatile memory device of the present invention comprises the steps of: programming a first page flag having information related to operability of a first page program during a first page program operation; and programming a second page flag having information related to operability of a second page program during a second page program operation.例文帳に追加
本発明による不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、第1ページプログラム動作の時、前記第1ページプログラムの可否に関連された情報を有する第1ページフラッグをプログラムする段階及び第2ページプログラム動作の時、前記第2ページプログラムの可否に関連された情報を有する第2ページフラッグをプログラムする段階を含む。 - 特許庁
This device is provided with a movable part 214 moved integrally with a movable terminal member 208 to a holder 210 to drive a target lock lever 82 when first and second shape-memory alloy members 200 and 202 are caused to apply forces by power conducted between a positive electrode terminal member 204 and a negative electrode terminal member 206.例文帳に追加
プラス電極端子部材204とマイナス電極端子部材206との間で通電して第1形状記憶合金部材200と第2形状記憶合金部材202が力を発揮すると、ホルダー210に対して可動端子部材208と一体になって移動することで対象物であるロックレバー82を駆動する可動部214を備える。 - 特許庁
The record carrier 1 is provided with a substrate 2, a counter electrode 3 deposited on the substrate 2 and intended to cooperate with the electrode of a data reading and/or writing device, and at least one ferroelectric memory layer 4 capable of storing these data and exhibiting a first face 4a adjacent to the counter electrode 3.例文帳に追加
記録担体1は、基板2と、前記基板2上に堆積されかつデータ読取り及び/又は書込みデバイスの電極と共に動作するように意図される対向電極3と、これらデータを格納することができかつ前記対向電極3と隣接する第1の面4aを提示する少なくとも1つの強誘電メモリ層4と、を備える。 - 特許庁
As for a patient who is unable to move the fingers freely because of contracture etc. and needs rehabilitation for moving the fingers again by moving the fingers with external force, the function of finger operation is restored by the rehabilitation apparatus which has a driving device 2 using shape memory alloy and automatically operates the finger motion.例文帳に追加
拘縮などの原因によって手の指を自由に動かせない病状で、外力によって指を動かして、指が再び動くようにリハビリを行う必要のある患者に対して、形状記憶合金を用いた駆動装置2を有し、自動的に指の曲げ伸ばし動作を行うことができるリハビリ装具によって、指動作の機能を回復させるようにする。 - 特許庁
To improve the reliability and robustness against characteristic degradation factors such as Vt variations and disturbing noises in the built-in MOS transistors in a semiconductor memory device which compares and reads the resistances of an electric fuse which is a 1st resistor element before and after it is blown out and the resistance of the reference resistor which is a 2nd resistor element.例文帳に追加
第1の抵抗素子である電気ヒューズが溶断する前後の抵抗と第2の抵抗素子であるリファレンス抵抗の抵抗との比較読み出しを行う半導体記憶装置において、内蔵するMOSトランジスタのVtバラツキや外乱ノイズ等の特性劣化要因に対する耐性の向上および信頼性の向上を図ること。 - 特許庁
In a semiconductor memory device 100 wherein a plurality of capacitance elements 112 are formed on a semiconductor substrate 101, each of the plurality of capacitance elements 112 has a bottom electrode 109, a metal oxide film 110 formed on the bottom electrode 109, and a top electrode 111 formed on the metal oxide film 110.例文帳に追加
半導体記憶装置は、半導体基板101上に複数の容量素子112が形成された半導体記憶装置100において、複数の容量素子112は、それぞれ、下部電極109と、下部電極109上に形成された金属酸化膜110と、金属酸化膜110上に形成された上部電極111とを備える。 - 特許庁
When a new application program cannot be downloaded from a server device due to the residual capacity of storage means, a system automatically retreats and moves the application program stored in the storage means to an external recording medium to ensure the memory area, than makes the new application program able to be downloaded from the server to the storage means.例文帳に追加
記憶手段の残り容量によりサーバ装置から新規なアプリケーションプログラムをダウンロードできないような場合は、システムが自動的に記憶手段に記憶されているアプリケーションプログラムを外部記録媒体に退避移動させて記憶領域を確保し、その上でサーバ装置から記憶手段に新規なアプリケーションプログラムがダウンロードされるようにする。 - 特許庁
An ultrasonic observation device 4 comprises a characteristic waveform extraction part 17 for extracting the characteristic waveform of a histogram stored in the time series in a histogram memory 16, and a waveform comparing part 19 for comparing the reference waveform stored in a reference waveform storage part 18 with the characteristic waveform and outputting the result of comparison to an image processing part 14.例文帳に追加
超音波観測装置4は、ヒストグラムメモリ16に時系列に記憶させたヒストグラムの特徴波形を抽出する特徴波形抽出部17と、参照波形格納部18に格納されている参照波形と前記特徴波形を比較し比較結果を画像処理部14に出力する波形比較部19を有して構成される。 - 特許庁
The selection signal generation circuit activates one of selection signals corresponding to each of word line in accordance with an external command signal indicating a test operation mode and an external selection code signal for specifying word line voltage used for the memory device, during the test operation mode for discriminating whether the word line voltage is a desired level or not.例文帳に追加
選択信号発生回路は、ワードライン電圧が要求するレベルを有するか否かを判別するためのテスト動作モードの間に、テスト動作モードを示す外部命令信号及び前記メモリ装置に使用されるワードライン電圧を指定するための外部選択コード信号に応じてワードライン電圧の各々に対応する選択信号のうちの1つを活性化する。 - 特許庁
This electronic apparatus is provided with a CPU 11 to execute a prescribed processing according to a program, a memory 13 in which an application processing program to be executed by the CPU 11 and a debug processing program to debug the application processing program are stored and a logical device 12 having plural logical modules and wiring areas to connect the respective logical modules.例文帳に追加
プログラムに従って所定の処理を行うCPU11と、CPU11が実行するアプリケーション処理プログラム、当該アプリケーション処理プログラムに対するデバックをするデバック処理プログラムが格納されるメモリ13と、複数の論理モジュール及び各論理モジュールを接続する配線領域とを有する論理デバイス12とを備える。 - 特許庁
The ferroelectric memory device has a lower electrode 109, a capacitive insulating film 112 consisting of a ferroelectric film, and an upper electrode 113, which are sequentially formed on a first interlayer insulating film 105 on a semiconductor substrate 100, and is also provided with a plurality of ferroelectric capacitors arranged in the word line direction and the bit line direction.例文帳に追加
強誘電体メモリ装置は、半導体基板100上の第1の層間絶縁膜105の上に順次形成された下部電極109、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及112び上部電極113を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えている。 - 特許庁
To provide an information recording device which is adapted to efficiently facilitate high-speed information processing by selecting a memory to which information requested can be written at the highest speed from a plurality of semiconductor memories provided as caches to a disk-like storage medium, and a control method therefor.例文帳に追加
この発明は、ディスク状記録媒体に対するキャッシュとして備えられた複数の半導体メモリの中から、書き込み要求を受けた情報を最も速く書き込むことが可能なメモリを選択して、情報処理速度の高速化を効果的に促進させるようにした情報記録装置及びその制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus having a highly convenient output function that can form an image obtained by laying out image data in an image file and information embedded in the image file according to a structure of form data stored in a memory section during the direct printing by connection with an image supply device.例文帳に追加
画像供給装置との接続によるダイレクトプリント時において、予め記憶部に記憶されている帳票データの構成に従って画像ファイル内の画像データと画像ファイルに埋め込まれた情報とをそれぞれ配置した画像を生成することができる利便性の高い出力機能を持った画像形成装置を提供する。 - 特許庁
The magnetic memory device sets a frequency of a high-frequency current Ia supplied from a synthetic magnetic field generation current conducting circuit 8 higher than a maximum magnetic resonance frequency highest among a plurality of maximum ferromagnetic resonance frequencies set for each of a plurality of magnetic storage cells 1 when a DC current Iw flows through a first writer conductor line 6.例文帳に追加
合成磁場発生用電流通電回路8から供給する高周波電流Iaの周波数を、第1の書き込み導体線6に直流電流Iwが流れているときに、複数の磁気記憶セル1ごとに定まる複数の最大強磁性共鳴周波数の中で最も高い最大強磁性共鳴周波数よりも高く設定する。 - 特許庁
A semiconductor device comprises a memory cell including a first transistor 160, a second transistor 162, and an insulation layer 128 provided between a source region or a drain region 120 of the first transistor 160 and a channel formation region 144 of the second transistor 162.例文帳に追加
第1のトランジスタ160と、第2のトランジスタ162と、第1のトランジスタ160のソース領域またはドレイン領域120と、第2のトランジスタ162のチャネル形成領域144との間に設けられた絶縁層128と、を含むメモリセルを有し、第1のトランジスタ160と、第2のトランジスタ162とは、少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置である。 - 特許庁
The MRAM device is provided with electrodes (first electrodes) TA1, TA2 of memory cell access transistors on a substrate 51, magnetic tunnel junction elements 86a, 86b electrically connected to the first electrodes TA1, TA2, and a bit line (a second electrode) 91 electrically connected to the first electrodes TA1, TA2 through the magnetic tunnel junction elements 86a, 86b.例文帳に追加
前記MRAM装置は、基板51上のメモリセルアクセストランジスタの電極(第1電極)TA1,TA2、該第1電極TA1,TA2に電気的に連結された磁気トンネル接合要素86a、86bおよび該磁気トンネル接合要素86a、86bを通じて第1電極TA1,TA2に電気的に連結されたビットライン(第2電極)91を備える。 - 特許庁
The current pattern data of a power supply body 10 controlled based on a signal which a current pattern generator 1 receiving the input of a signal from a current pattern control device 20 outputs is created as reference data stored in a reference data memory unit 5 and a predetermined constant stored in a constant register 4 are read and multiplied with each other.例文帳に追加
電流パターン制御装置20からの信号を入力する電流パターン発生器1の出力する信号を基に、制御される電源本体10の電流パターンデータが、基準データメモリ部5に格納されている基準データと、定数レジスタ4に格納されている所定の定数が読み出され乗算されることによって作成される。 - 特許庁
Further, the semiconductor storage device includes a memory control section, which includes a control section which instructs to form one symbol, which is data held in said storage cell controlled by the same said cell peripheral circuit and a unit for creating an error correction code and an encoding section that creates an error correction code for the symbol formed based on an instruction from said control section.例文帳に追加
さらに、同一の前記セル周辺回路により制御される前記記憶セルに保持されるデータで、誤り訂正符号を生成する単位である1シンボルを形成するよう指示する制御部と、前記制御部の指示に基づいて形成したシンボルに対する誤り訂正符号を生成する符号化部と、を備えるメモリ制御部、を備える。 - 特許庁
Accordingly, even the conventional or general-purpose personal computers 61,..., 6n or 6x each generally having an only low-capacity memory and only a low-speed CPU compared to the display device 3D/WS 5 can display the three-dimensional image and allows its observation when installing the recording medium M in recording/reading devices 61a,..., 6na or 6xa.例文帳に追加
したがって、上記3D・WS5に比べて一般に低速のCPU及び低容量のメモリしか有さない通常ないし汎用のパソコン61、…、6n又は6xにおいても、その記録・読出装置61a、…、6na又は6xaに、前記記録媒体Mを装着することによれば、三次元画像の表示ないし観察を実施することができる。 - 特許庁
When abnormal behavior, such as slipping of a vehicle, is detected and corresponding control action is performed, a control device 5 acquires the vehicle control state at that point in time as correction data, also acquires the road condition data and the weather information, and stores a driving point at the time of the operation in an external memory 11 as a driving point with care.例文帳に追加
制御装置5は、車両のスリップなどの異常挙動が検出されて対応制御動作を行なうと、その時点での車両制御状況を補正データとして取得し、さらに、道路状況データ及び天候情報を取得し、当該動作時点での走行地点を走行注意地点として外部メモリ11に記憶する。 - 特許庁
In a driving method for a semiconductor device in which writing with multiple values is performed, a signal line for controlling on/off of a writing transistor for writing is disposed along a bit line in a memory cell including a transistor including an oxide semiconductor layer, and the voltage applied to a capacitor at the readout operation is also utilized at the writing, thereby performing writing with multiple values.例文帳に追加
多値書き込みを行う半導体装置の駆動方法において、酸化物半導体層を含むトランジスタを用いたメモリセルに、書き込みを行う書き込みトランジスタのオンオフを制御する信号線を、ビット線に沿うように配置し、読み出し動作時に容量素子に与える電圧を書き込み時にも利用して、多値書き込みを行う。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which Vpp can be transferred without voltage drop of Vth (threshold voltage) of a transfer transistor, also processes are decreased and a cost is reduced by using normal LVP (low voltage P type transistor), in a transfer circuit for transferring Vpp selectively or a decode circuit.例文帳に追加
Vppを取捨選択的に転送するための転送回路あるいはデコード回路において、転送トランジスタのVth(スレッシュホルド電圧)の電圧降下なくVppを転送することができ、かつ、通常のLVP(ロウボルテージP型トランジスタ)を使用することによってプロセスを削減しコストを低減した不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
This resistance memory element is formed of a resistive layer 22, including the metal oxide and the metal ion dopant, and an upper electrode 23 on a lower electrode 21 in the order, wherein an electrode material usually used for semiconductor device can be used for the lower electrode 21 and the upper electrode 23, and the resistive layer 22 includes a metal oxide and the metal ion dopant.例文帳に追加
抵抗メモリ素子は、下部電極21上に金属酸化物及び金属イオンドーパントを含めた抵抗層22と、上部電極23が順次に形成されており、下部電極21及び上部電極23は、通常的に半導体素子に使われる電極物質を使用でき、抵抗層22は、金属酸化物及び金属イオンドーパントを含む。 - 特許庁
The data storage device comprises: a storage medium having two or more physical memory locations referenced through a logical block address; and a secure section which has a table including at least one range of the logical block address and which specifies one or more functions applied to the logical block address by an authorized entity.例文帳に追加
データ記憶装置は、論理ブロックアドレスを介して参照される複数の物理メモリ位置を有する記憶媒体と、論理ブロックアドレスの少なくとも一つの範囲を含むテーブルを有し、承認された対象により論理ブロックアドレスに適用される一つあるいはそれ以上の数の機能を特定するセキュア区画とを含むことを特徴としている。 - 特許庁
The computer 100 fetches the recording information for which the presentation condition is recorded in a video device 10, analyzes output time display information recorded in the recording information to acquire the output time of the presentation information, and synchronizes the output time of the presentation information in the memory 102 with the output time of the recording information.例文帳に追加
コンピュータ100は、このプレゼンテーション状況を映像装置10で収録した収録情報を取り込んで、該収録情報に収録されている出力時間表示情報を解析してプレゼンテーション情報の出力時間を取得し、メモリ102のプレゼンテーション情報の出力時間と収録情報の出力時間とを同期させる。 - 特許庁
The optical information reader 1 has a function to optically read an information code and is provided with a memory 20 that stores the prescribed parameter, a control circuit 15 that converts the prescribed parameter into an information code and a display device 6 that displays the information code converted by the control circuit 15.例文帳に追加
本発明の光学的情報読取装置1は、情報コードを光学的に読み取る機能を備えたものにおいて、所定のパラメータを記憶するメモリ20と、所定のパラメータを情報コードへ変換する制御回路15と、この制御回路15により変換された情報コードを表示する表示装置6とを備えたところに特徴を有する。 - 特許庁
When the abnormality detection means C detects the abnormality, a data storage means D for analyzing an abnormality erases programs and data on a rewritable nonvolatile memory 13 where programs and data for operating the electronic device are stored, and writes and stores the data for analyzing an abnormality required for analyzing the abnormality detected in the erased region.例文帳に追加
異常検出手段Cが異常を検出すると、異常解析用データ保存手段Dが、電子装置を動作させるためのプログラムやデータが格納されている書き換え可能な不揮発性メモリ13上のプログラムやデータを消去し、その消去した領域に検出された異常を解析するために必要な異常解析用データを書き込み保存する。 - 特許庁
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