「memory materials」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Also, the first conductive layer and the second conductive layer of the memory element are formed using different materials.例文帳に追加

なお、メモリ素子の第１の導電層と第２の導電層とは異なる材料で形成されている。 - 特許庁

An image editing apparatus 10 creates a photo movie using frame images read from a memory card 12 as materials.例文帳に追加

画像編集装置１０は、メモリカード１２から読み出したコマ画像を素材としてフォトムービーを作成する。 - 特許庁

The write circuit 102 supplies a signal to the target memory cell to crystalize a part of the phase change materials, thereby a resistance value of the target memory cell is lowered.例文帳に追加

書き込み回路１０２は、ターゲットメモリセルへ信号を供給して相変化材料の一部を結晶化し、これによってターゲットメモリセルの抵抗値を下げる。 - 特許庁

In this case, the shape memory materials (shape memory metals) of fixed lengths are used as the bending/stretching guiding members 17; 18(19; 20), and the energizing control means 30 is provided.例文帳に追加

ここで、屈伸誘導線条部材17;18(19;20)として固定長の形状記憶性素材（形状記憶メタル）を用い、その通電制御手段30を設けている。 - 特許庁

To provide a phase change type nonvolatile memory operated surely and easily as a storage device by solving a basic problem of a phase change type nonvolatile memory (Ovonic-memory) using phase change materials as a storage cell.例文帳に追加

相変化材料を記憶セルとして用いる相変化型不揮発性記憶装置（Ovonic-memory）の原理的問題点を解決し、記憶装置として確実且つ容易に動作する相変化型不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a phase change type nonvolatile memory operated surely and easily as a storage device by solving a basic problem of a phase change type nonvolatile memory (Ovonic memory) using phase change materials as a storage cell.例文帳に追加

相変化材料を記憶セルとして用いる相変化型不揮発性記憶装置（Ovonic-memory）の原理的問題点を解決し、記憶装置として確実且つ容易に動作する相変化型不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In addition, since use efficiency of materials and yield are improved, the memory device is provided at low cost.例文帳に追加

また、材料の利用効率、さらには歩留まりも上がるため安価に記憶素子を提供することが可能となる。 - 特許庁

To provide an improved method for etching magnetic materials for manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM) device.例文帳に追加

抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造のために磁性材料をエッチングする改善された方法を提供する。 - 特許庁

Flash memory cells are provided with high-k dielectric materials interposed between a floating polysilicon gate and a control gate.例文帳に追加

フラッシュメモリセルに、フローティングポリシリコンゲートとコントロールゲートとの間に位置するｈｉｇｈ−ｋ誘電材料が提供される。 - 特許庁

The shape memory alloy composite body 1 is composed in one body in such a manner that the shape memory alloy material 2 involves one or more other shape memory alloy materials 3 with different phase transformation temps. from each other.例文帳に追加

形状記憶合金複合体１は、形状記憶合金材料２が、それぞれ相変態温度が異なる１個以上の他の形状記憶合金材料３を内包し一体として構成されている。 - 特許庁

A polycrystalline memory structure is described for improving reliability and yield of devices employing polycrystalline memory materials comprising a polycrystalline memory layer, which has crystal grain boundaries forming gaps between adjacent crystallites overlying a substrate.例文帳に追加

基板上の隣接する晶子間にギャップを形成する結晶粒界を有する、多結晶メモリ層を備える、多結晶メモリ材料を用いたデバイスの信頼性および歩留りを改善する多結晶メモリ構造を記載する。 - 特許庁

In the memory of the controller 40, the function data of the send-out amount of the respective coloring materials CPs and the driving amount of the respective suppliers 2A to 2E are stored.例文帳に追加

コントローラ40のメモリには、各着色材CPの送出量と各供給機2A〜2Eの駆動量との関数データが記憶される。 - 特許庁

A memory (RAM) 600 is stored with a food material table wherein food materials B1 to Bm of respective menus are registered corresponding to the menus.例文帳に追加

メモリ（ＲＡＭ）６００には、メニューに対応づけて各メニューの食材Ｂ１〜Ｂｍが登録された食材テーブルが格納される。 - 特許庁

To provide a technique for achieving a memory cell structure in which the temperature of a diode does not easily rise even when the temperature of phase change materials rises in a non-volatile storage device having a phase change memory configured of cross point type memory cells obtained by combining storage elements made of phase change materials with selection elements made of diodes.例文帳に追加

相変化材料からなる記憶素子とダイオードからなる選択素子とを組み合わせたクロスポイント型のメモリセルによって構成される相変化メモリを備えた不揮発性記憶装置において、相変化材料を高温にしてもダイオードが高温になりにくいメモリセル構造を実現することのできる技術を提供する。 - 特許庁

The fasteners 14 may be staples, metal loops, coils, springs, or hooks formed of biocompatible materials, including shape memory alloys such as NiTi.例文帳に追加

固定具１４は、NiTiのような形状記憶合金を含む生体適合性材質のステープル、金属ループ、コイル、スプリング、またはフックであってよい。 - 特許庁

This rewritable data storage medium 100 is provided with dielectric materials 104 constituting a plurality of columnar channels 108 in which a plurality of memory cells are logically distributed, and filler materials 106 filling the plurality of columnar channels to realize the plurality of memory cells.例文帳に追加

書き換え可能データ記憶媒体（１００）は複数のメモリ・セルが論理的に分布する複数の柱状チャネル（１０８）を構成する誘電体材料（１０４）と、前記複数のメモリ・セルを実現するための前記複数の柱状チャネル内に充填された充填材料（１０６）とを備える。 - 特許庁

To easily reconstruct divided materials (clip) into the original long time material when dividing and recording the long time material (clip) in a memory card.例文帳に追加

長時間の素材（クリップ）をメモリカードに分割して記録する場合に、分割した素材（クリップ）を元の長時間素材へ容易に再構築すること。 - 特許庁

To make the gradation of a table memory necessary for actual density regulation securable and to make the resolution of images maintainable even when high-sensitivity photosensitive materials are used.例文帳に追加

実際の濃度調整に必要なテーブルメモリの階調を確保し、高感度な感光材を用いた場合にも画像の分解能を維持できる。 - 特許庁

PMOS transistors P1 and P2, which constitute an SRAM memory cell have their gate insulating films formed by using high dielectric materials.例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルを構成するＰＭＯＳトランジスタＰ１およびＰ２において、そのゲート絶縁膜を、高誘電体材料を用いて形成する。 - 特許庁

To form PGO films useful for memory cells of 1T type FeRAMs by MOCVD using organic materials to obtain c-axis oriented films.例文帳に追加

１Ｔ型ＦｅＲＡＭのメモリセルに有用なＰＧＯ膜を、有機原料を用いたＭＯＣＶＤで形成し、ｃ軸配向の膜を得ること。 - 特許庁

Each food material quantity read from each RFID pasted on the food materials in the home appliance 5 is stored in a food material meta-data memory means 57.例文帳に追加

家電５内の食材に貼付されているＲＦＩＤから読み取った食材の数量が食材メタデータ記憶手段５７に記憶してある。 - 特許庁

By the reset operation, the phase change materials of the target memory cells are heated beyond the melting point, and by rapidly cooling them, an amorphus state is attained.例文帳に追加

リセット動作は、ターゲットメモリセルの相変化材料を、その融点を超えて加熱し、そして急速に冷却することによって、アモルファス状態を達成する。 - 特許庁

To provide a material server and a material accumulation method for more quickly reading materials from an NAND type semiconductor memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型半導体メモリから素材をより高速に読み出すことができる素材サーバおよび素材蓄積方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The controller 8 is provided with a memory 80 for ports, wherein information relating to ports of audio materials is stored, and a display part 84 of the ports.例文帳に追加

このコントローラ８には音声素材のポートに関する情報を記憶するためのポート用メモリ８０と、そのポートの表示部８４とが設けられている。 - 特許庁

To enable mass-production of a large-scale phase change memory device by establishing between good electricity characteristics and good thermal characteristics in the phase change memory device and by improving the degree of freedom of selecting materials for an electrode and a wiring.例文帳に追加

相変化メモリ装置における良好な電気特性と良好な熱特性を両立させ、電極や配線の材料選択の自由度も高めて、大規模な相変化メモリ装置の量産を可能とすること。 - 特許庁

The radio IC part is configured of the memory 11 and the signal processing circuit 12, and the memory 11 and the signal processing circuit 12 are configured by a semiconductor circuit using organic semiconductor materials.例文帳に追加

このうちメモリ１１及び信号処理回路１２によって無線ＩＣ部が構成され、例えば有機半導体材料を用いた半導体回路によってメモリ１１及び信号処理回路１２が構成される。 - 特許庁

Thus, for example, cobalt nanoparticles of which the characteristics are excellent and the use in a wide range of areas, such as catalysts, memory materials, light-emitting materials, and optoelectronics, are anticipated can be inexpensively and stably produced by using a simple method.例文帳に追加

これにより、触媒、記憶材料、発光材料、オプトエレクトロニクスなどの広範な分野での利用が期待されている、例えば、性状の優れたコバルトナノ粒子を、簡単な手法で、低コストに且つ安定的に製造できる。 - 特許庁

The product easy to dismantle has a plurality of components fastened by using two or more shape memory materials different by shape recovery temperatures, and an electronic tag where information about shape recovery temperatures of respective shape memory materials is recorded is attached to at least one component of the product.例文帳に追加

複数の部品を形状回復温度が異なる２以上の形状記憶材料を用いて締結した製品において、その製品の少なくとも１つの部品に各々の形状記憶材料の形状回復温度に関する情報が記録された電子タグを取り付けていることを特徴とする易解体製品を提供する。 - 特許庁

The actuator 32 employs first and second shape memory materials 32a, 32b placed on the same plane of the part 22 of the wall while storing different shapes and the part 22 of the wall is deformed by driving the first and second shape memory materials 32a, 32b individually.例文帳に追加

さらに、アクチュエータ３２として、壁の一部２２の同一平面上に配置されるとともに、互いに異なる形状を記憶した第１及び第２の形状記憶材料３２ａ、３２ｂを用い、これら第１及び第２の形状記憶材料３２ａ、３２ｂを別々に駆動させることによって上記壁の一部２２を変形する。 - 特許庁

To allow a slide memory mechanism to assuredly function without receiving a restriction of movement by foreign materials in a slide seat device having the slide memory mechanism which can select a memory state which stores previous slide position of an upper rail to a lower rail and an ordinary slide state which does not store the slide position.例文帳に追加

ロアレールに対するアッパレールのスライド前位置を記憶するメモリ状態と、該記憶を行わない通常スライド状態を選択可能なスライドメモリ機構を備えたスライドシート装置において、スライドメモリ機構が異物による移動制限を受けずに確実に機能するようにする。 - 特許庁

To provide a memory study system, having high efficiency in which an operator can perform memory study, corresponding to the progress of memory and the taste of the operator by setting freely hidden parts, without selecting the kinds of teaching materials, while making preparation for an examination or the like a target and setting plural answers corresponding to respective hidden parts.例文帳に追加

試験勉強等を対象に、教材の種類を選ばず、自由に隠蔽箇所を設定し、各隠蔽箇所に対応する解答を複数設定し、記憶進度と操作者の好みに応じた暗記学習が可能な、効率の高い暗記学習システムの提供。 - 特許庁

The recorder 10 records guidance information previously recorded in an external auxiliary recording medium 30 in a memory 11 and converts the guidance information read out from the memory 11 and raw materials of voice, image, or the like to a MXF file.例文帳に追加

記録装置１０は、外部補助記録媒体３０に予め記録されるガイダンス情報をメモリ１１に記録し、メモリ１１から読み出されるガイダンス情報と音声・映像等の素材データとをＭＸＦファイルに変換する。 - 特許庁

A shape memory alloy composite body 1 is composed of a plurality of shape memory alloy materials with different phase transformation temps. from each other, particularly of Ni-Ti alloys contg. 49.0 to 52.0 at% Ni.例文帳に追加

本発明の形状記憶合金複合体１は、相変態温度が互いに異なる複数の形状記憶合金材料、とくに、Ｎｉの組成が４９.０ａｔ％ないし５２.０ａｔ％を有するＮi−Ｔi系合金から構成される。 - 特許庁

Insulated dielectric materials or insulated layers 70 are arranged, around the side surface of the magnetic memory cells 110 or between the upper conductor 112 and lower conductor 114 of the side surface, and the magnetic memory cells 110 are insulated.例文帳に追加

絶縁誘電体材料又は絶縁誘電体層７０は前記磁気メモリセル１１０の側面のまわり又は側面の上部導体１１２と下部導体１１４の間に配置され、前記磁気メモリセル１１０を絶縁している。 - 特許庁

To provide magnetic materials and methods for using ferromagentic and antiferromagnetic coupling and exchange bias for binary and multistage magnetic memory device.例文帳に追加

磁気結合された強磁性体と反強磁性体との結合および交換バイアスを使用して２進および多状態の磁気メモリ装置を提供する磁気材料および方法。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory that operates stably without deteriorating the residual polarization characteristics of ferroelectric-materials even when a capacitor area is reduced.例文帳に追加

キャパシタ面積を縮小した場合でも、強誘電体の残留分極特性が低下することなく、安定に動作する強誘電体メモリを提供することにある。 - 特許庁

To provide a milling device which can observe a section of an interface between different materials of a memory chip having the big size of a sample, by using a small and simple ion gun.例文帳に追加

小型で簡易なイオンガンを用いた装置で大きな試料サイズのメモリチップの材質の異なる界面の断面観察を可能とするミリング装置を提供する。 - 特許庁

Then, beverage data held in a memory 2 are automatically set only by selecting the main materials of each beverage and either hot or cold beverage.例文帳に追加

そして、それぞれの飲料の主原料及びホット，コールドの別を選択するだけで、メモリ２の中に保持されている飲料データを自動的に設定できるようにする。 - 特許庁

The floating gate nonvolatile memory cell has a floating gate including at least two layers (1a, 1b) constructed in different conductive or semiconductive materials.例文帳に追加

本発明は、異なる導電性または半導電性の材料で構築された少なくとも２つの層（１ａ，１ｂ）を含む浮遊ゲートを持つ浮遊ゲート不揮発性メモリセルに関する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory substrate, which minimizes a liquid loss and cuts a processing cost by decreasing contamination of a solder tank caused by foreign materials.例文帳に追加

メッキタンクが、外来物により汚染されるのを低減させ、液の損耗を最低限と、加工コストを大幅に削減する、半導体メモリ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this way, element isolation in the nonvolatile memory element 20 whose variable resistance films 23 are used as memory materials can be reliably performed by isolating the variable resistance films 23 and the connection electrodes 27 so that they may not contact with one another directly.例文帳に追加

このように可変抵抗膜２３と接続電極２７とが直接接しない構成に分離することにより、可変抵抗膜２３を記憶部の材料に用いた不揮発性記憶素子２０は素子分離を確実に行うことができる。 - 特許庁

To provide a memory structure comprising an antifuse material and a forming method for the antifuse materials which can reduce electric short circuits in an antifuse structure and shorten the time and processes needed to manufacture the memory structure.例文帳に追加

アンチヒューズ構造内の電気的短絡の発生を低減し、かつメモリ構造を製造するのにかかる時間および処理を短縮することができる、アンチヒューズ材料を含むメモリ構造およびアンチヒューズ材料の形成方法を提供することである。 - 特許庁

The shape-memory alloy actuator is constituted by connecting a plurality of shape-memory alloy materials having different Martensitic transformation temperatures so as to stepwisely tighten the actuator according to the temperature and facilitate the control by the temperature change.例文帳に追加

形状記憶合金アクチュエーターをマルテンサイト変態温度の異なる複数の形状記憶合金材料をつなぎ合わせて構成することで、アクチュエーターを温度に応じて段階的に締めることが出来、温度変化による制御が容易になる。 - 特許庁

To provide a portable language learning apparatus enabling a user to enhance learning efficiency by automatically supplying, in accordance with the present position information, teaching materials corresponding to the scenes and situations while the user is moving and linking the teaching materials with user's vision and memory.例文帳に追加

使用者が移動中に現在地情報に基づいて、使用者が移動する場面や状況に応じた教材提供を自動的に行い、視覚や記憶と連携させて学習効率向上を図ることができる携帯型語学学習装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce the occupied area of an MRAM using ferromagnetic/ semiconductor/ferromagnetic materials for a memory for increasing the number of bits per unit area and reduce power consumption.例文帳に追加

強磁性体／半導体／強磁性体をメモリとするＭＲＡＭにおいて、占有面積を少なくして単位面積当たりのビット数の増加を図るとともに、消費電力の低を図る。 - 特許庁