| 例文 |
patterned layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1139件
Afterwards, a metal film is formed on the surface protecting film 7 including the inside of the opening 8, and the metal film is patterned, thereby forming an anode electrode 9a in contact with the p-type diffusion layer 6 and an outer peripheral electrode 9b in contact with the n-type epitaxial layer 2 exposed in the outer periphery of the chip.例文帳に追加
その後、開口部8の内部を含む表面保護膜7上にメタル膜を成膜し、メタル膜をパターニングすることによって、p型拡散層6に接するアノード電極9aおよびチップの外周部に露出したn型エピタキシャル層2に接する外周電極9bを形成する。 - 特許庁
Further, the light-shielding layer 3 is patterned to form a light-shielding pattern 3a, and the shifter layer 2 is subjected to dry etching with chlorine, using ICP(inductively coupled plasma) type dry etching apparatus, to form a phase shift pattern 2a for obtaining shift mask 100 of the invention.例文帳に追加
さらに、遮光層3をパターニング処理して遮光パターン3aを形成し、さらに、シフター層2をICP(誘電結合プラズマ)タイプのドライエッチング装置を用いて塩素によるドライエッチングにてエッチングし、位相シフトパターン2aを形成し、本発明の位相シフトマスク100を得る。 - 特許庁
The invention relates to the patterned magnetic recording medium including a plurality of magnetic recording layers arranged at predetermined regular intervals on a substrate, wherein the magnetic recording layer is a multi-layer and includes a means of suppressing magnetic interaction between the magnetic recording layers.例文帳に追加
基板上に所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であって、磁気記録層は、多層であり、かつ磁気記録層の間の磁気的相互作用を抑制する手段を備えることを特徴とするパターン化された磁気記録媒体である。 - 特許庁
The outside liner 2 has a base material film 3 on the front surface of which a rugged shape 8 is formed by using a matting agent 8a and on the back surface of which a metallic picture layer 6 and a general picture pattern layer 7 are formed in patterned shapes by using an ink containing a bright pigment.例文帳に追加
このうち外側ライナー2はマット剤8aにより表面に凹凸形状8が形成された基材フィルム3と、基材フィルム3の裏面に光輝性顔料を含むインキによりパターン状に形成されたメタリック調絵柄層6および一般絵柄層7とを有している。 - 特許庁
Then, when etching is started by using oxygen plasma etching in the vertical direction, the thin film 38 of a silicon oxide by oxygen plasma is formed on the surface of the patterned resist layer 37, and the cutting of a groove 47 and patterning in the resin layers 35, 36 is performed by using the silicon oxide layer 38 as a mask.例文帳に追加
その後、垂直方向に酸素プラズマエッチングを用いてエッチングを開始すると、パターニングされたレジスト層37は表面に酸素プラズマにより酸化シリコンの薄膜38を作り、この酸化シリコン層38をマスクとして、樹脂層35および36に溝47を掘り、パターニングする。 - 特許庁
Then, in the third process, the barrier rib forming material layer 120 is calcined with a pattern plate 15 pressed on the top portion of the patterned barrier rib forming material layer 120, thereby the barrier rib 110 is formed which has a top portion 110A of a shape corresponding to the contact face 15A.例文帳に追加
そして、第3工程において、パターニングされた隔壁形成材料層120の頂部に型板15を押し当てた状態で隔壁形成材料層120を焼成することで、当接面15Aに対応する形状の頂部110Aを備えた隔壁110を形成する。 - 特許庁
A fluorescent screen comprises at least a red phosphor layer and a green phosphor layer patterned on a transparent substrate, the phosphor layers include light diffusing material particles, and the average transmittance of light incident upon the fluorescent screen in a wavelength of 400-460 nm is equal to or less than 10%.例文帳に追加
透明基板上に、少なくとも赤色蛍光体層及び緑色蛍光体層がパターニングされてなり、該蛍光体層は光拡散材粒子を含み、該蛍光スクリーンに入射した光の波長400〜460nmにおける平均透過率が10%以下である蛍光スクリーン。 - 特許庁
This is a method for manufacturing a patterned color filter by arranging a photosensitive coloring resist layer on a substrate 4 on which a lot of rectangular chip patterns P(1-6) are formed lengthwise and widthwise, and exposure-treating this photosensitive coloring resist layer with a reduction stepper.例文帳に追加
矩形状のチップパターンPを縦横に多数配列形成してなる基板4上に感光性着色レジスト層を設け、この感光性着色レジスト層を縮小投影露光装置で露光処理することによってパターニングされてなるカラーフィルタを製造するカラーフィルタの製造方法である。 - 特許庁
In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with X-rays and patterned in a prescribed shape, the resist layer comprises a polymeric material having an oxygen atom content (by number) ratio nO of <0.05 and a density ρ satisfying at least one of equations (1) and (2).例文帳に追加
レジスト層に選択的にX線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層は、原子の数の比による酸素原子含有比率n_Oが0.05未満であり、且つ密度ρが下記の数1又は数2の少なくとも一方を満たす高分子材料を含有する。 - 特許庁
A metal foil of the sealing component consisting of at least a support base material, a release resin layer, and the metal foil is patterned in a given plurality of shapes, and an interface of the release resin layer and the metal foil is peeled off.例文帳に追加
少なくとも支持基材、剥離樹脂層、金属箔からなる封止部材の、金属箔が所定の複数形状にパターニングされ、剥離樹脂層と金属箔の界面が剥離することを特徴とする有機EL素子用封止部材を用いて有機EL素子を封止する。 - 特許庁
When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101.例文帳に追加
単結晶シリコン層101を、単結晶シリコン層101の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層102を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層101のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばCF系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層102の側壁部に保護膜103を形成する保護膜形成工程を行う。 - 特許庁
To provide a ceramic multilayered board and a manufacturing method therefor that make connection between an external terminal and an inside patterned layer more stable and usually maintain the connection even when an error in a manufacturing process occurs.例文帳に追加
本発明は、外部端子と内部パターン層との接続をより安定にさせ、製造工程上の誤差があっても常に接続が維持されるようにするセラミック多層基板及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁
To provide a patterned medium which has a satisfactory embedded shape and low surface roughness Ra and wherein irregularity of a magnetic body is embedded in a non-magnetic embedding layer in which production of process dust can be suppressed during film-deposition.例文帳に追加
埋め込み形状が良好で、表面粗さRaが小さく、成膜時にプロセスダストの発生を抑えることができる非磁性埋め込み層で磁性体の凹凸が埋め込まれたパターンド媒体を提供する。 - 特許庁
This patterned filter layer (908) contains both filter material area (910) which filters out a part of light received from the narrow band filter and filterless area (912) which filters out all the light received from the narrow band filter.例文帳に追加
パターン化フィルタ層(908)は、狭帯域フィルタから受ける光の一部を透過するフィルタ材料領域(910)と、狭帯域フィルタから受ける光のすべてを透過するフィルタ無し領域(912)を含む。 - 特許庁
A ferroelectric substance PZT layer 110 and a rare metal electrode 120 are laminated on a silicon substrate 100, and a TiO2 hard mask 130 is formed thereon, and then it is patterned by a resist 140 so as to form a hard mask 131.例文帳に追加
シリコン基板100上に強誘電体PZT層110、貴金属電極120を積層した構造上にTiO_2ハードマスク130を成膜し、レジスト140でパターニングしてハードマスク131を形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a decorative board having excellent durability, by which a patterned coating film layer excellent in design property can easily be plotted efficiently on the uneven surface of a base material with high precision.例文帳に追加
表面に凹凸を有する基材表面に意匠性に優れた模様塗膜層を容易に、能率よく且つ精度よく描画でき、しかも耐久性に優れた化粧板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an organic semiconductor element in which the active layer can be formed which is patterned to have an excellent pattern shape while being prevented from decreasing in electric characteristics thereof.例文帳に追加
活性層の電気的特性の低下を防止でき、しかも良好なパターン形状を有するようにパターニングされた活性層を形成することができる有機半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Then on a patterned SiO2 film 63 at 970°C, an I layer 64 comprising I-type GaN of film-thickness 1.0 μm is formed by supplying H2 2.5 liter/minute, NH3 at 1.5 liter/minute, TMG at 100 cc/minute, and DEZ at 500 cc/minute.例文帳に追加
その後、パターン形成されたSi0_2 膜63の上に、温度を 970℃とし、H_2 を 2.5liter /分、NH_3 を 1.5liter /分、TMGを 100cc/分、DEZを 500cc/分で供給して、I型のGaNから成るI層64を膜厚 1.0μmに形成した。 - 特許庁
One or more lower level BEOL metal wiring layers are designed so as to be patterned symmetrically, aligned, so as to operate on the light-shielding layer which balances the amount of incident light arriving at a photosensitive region.例文帳に追加
一つ以上の下部レベルBEOL金属配線層が対称的にパターンされ配列されて感光領域に到達する入射光の量の均衡を合わせる光遮蔽層に動作するようにデザインされる。 - 特許庁
The hard magnet layer is patterned to form a first pattern 43A covering the MR elements 42C, 42D and second and third patterns 43B, 43C holding the MR elements 42A, 42B therebetween in the in-plane direction.例文帳に追加
ハードマグネット層をパターニングし、MR素子42C,42Dを覆う第1のパターン43Aと、面内方向においてMR素子42A,42Bを挟むように第2および第3のパターン43B,43Cとを形成する。 - 特許庁
The patterned resin layer 1 expressing a marble pattern is formed by spraying a paint 14 to the inner surface of a casting mold 3 by together using an air spray system and an airless spray system.例文帳に追加
エアー方式のスプレー噴射とエアーレス方式のスプレー噴射とを併用して注型用金型3内の内面に塗料14を噴射することにより大理石柄を表現する柄付き樹脂層1を形成する。 - 特許庁
To provide a method employing a vacuum film forming method by which a patterned material layer having a large thickness easily forms an optional angle between its side face and a substrate such as a right angle.例文帳に追加
真空成膜法を用いた方法であって、厚みが大きくパターン化された材料層を、容易にその側面が基板となす角度を垂直等の任意の角度とすることのできる方法を提供すること。 - 特許庁
After a protection film is formed by coating an electromagnetic wave shielding metal foil with a paint and a peeling film is laminated on the protection film with a pressure-sensitive adhesive layer interposed, the electromagnetic wave shielding metal foil is patterned in a mesh shape.例文帳に追加
電磁波シールド性金属箔に塗料を塗布して保護膜を形成し、この保護膜上に粘着剤層を介して剥離フィルムを積層した後、前記電磁波シールド性金属箔をメッシュ形状にパターニングする。 - 特許庁
Further, an organic light-emitting layer at an optically bringing-out side and an electrode formed thereon are commonly constituted in all over pixels, and at the same time the intermediate electrode is patterned in between the organic light-emitting layers.例文帳に追加
また、光取り出し側の有機発光層とその有機発光層上に形成された電極は、全画素にわたって共通に形成されると共に、有機発光層の間の中間電極はパターニングされている。 - 特許庁
The number of such defects after developing as the crushing of pattern is decreased by using the processing solution as a rinse liquid at the time of developing of a patterned host resist layer or thereafter under a specified preferable aspect.例文帳に追加
この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a thin film transistor having a gate insulator layer which is not damaged in electric insulation even by UV exposure and has source/drain electrodes that can be patterned by a printing method utilizing variation in surface wettability.例文帳に追加
UV露光でも電気的絶縁性が損なわれず、表面濡れ性の変化を利用して印刷法でソース・ドレイン電極のパターニングが可能なゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
In a lithography method for manufacturing such product as a semiconductor device or a mask for lithography, etc., a material is applied to a substrate for patterning, and a product is manufactured by a series of steps using a patterned layer.例文帳に追加
半導体デバイス又はリソグラフ用マスクのような製品を製造するためのリソグラフ方法において、基板上に材料を塗布し、パターン付けし、パターン付層を用いる一連のステップにより製品を製造する。 - 特許庁
Successively, based on information of the transfer error quantity, in the same way as the steps A and B, a compensation magnetic pattern 65 in which a magnetic layer is patterned so as to cancel the transfer error quantity is generated, and a true master body 64 is obtained.例文帳に追加
次いで、転写誤差量の情報に基づいて、ステップA及びステップBと同様にして、転写誤差量を相殺するように磁性層をパターニングした補正磁気パターン65を生成し、真のマスター体64を得る。 - 特許庁
The base material 1 can be patterned 2 with a design and the decorative material with a sharper three-dimensional feeling is obtained especially by forming a designed pattern 2 including a tuned designed pattern 3 which tunes with a pattern formed by the lustrous resin layer 6.例文帳に追加
基材には所望の柄模様2を設けることができ、特に、艶出樹脂層6による模様と同調する同調柄模様3を含む柄模様2を設けると、更に立体感に優れた化粧材が得られる。 - 特許庁
By sticking the adhesive layer of the irregularity-patterned adhesive sheet thus prepared to the various base surfaces, the irregularity pattern of a hairline tone or the like can be given thereto readily and stably and an ornamental body being very excellent in ornamental properties can be brought about.例文帳に追加
このシートの粘着層を種々の基材表面に貼着することにより、ヘアライン調等の凹凸模様を即座に安定して付与でき、非常に装飾性に優れた装飾体となすことができる。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive resin composition which ensures high adhesion of a substrate after heat curing, has high adhesion to a metal layer and is suitable for producing a patterned cured film, such as, an interlayer insulating film in a semiconductor device.例文帳に追加
加熱硬化後に基板の密着性が高く、また、金属層との密着性が高く、半導体装置の層間絶縁膜等のパターン硬化膜の製造に好適なポジ型の感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a plasma display panel holding the shape of a raised dielectric layer patterned in a baking process, and sufficiently displaying a function suppressing the spreading of discharge on a bus electrode.例文帳に追加
焼成工程におけるパターニングされた嵩上げ誘電体層の形状を保持することができ、バス電極上への放電の広がりを抑制する機能を十分発揮できるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁
A transparent first ITO film is attachedly formed on a transparent substrate, and it is patterned in a shape of a plurality of striped electrode parts and a plurality of wiring parts that are lead wiring lines thereof to form a first electrode layer.例文帳に追加
透明な基板上に透明な第1ITO膜を着膜し、これをストライプ状の複数の電極部とそれらそれぞれの引出配線である複数の配線部の形状にパターニングし第1電極層を形成する。 - 特許庁
A material film forming a TFT is laminated on an insulating film substrate, a resist mask having a plurality of areas of different thicknesses is provided on an uppermost layer and then patterned.例文帳に追加
TFTを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。 - 特許庁
To form a nano-structure layer through a mask comprising a block copolymer finely patterned in a temperature atmosphere lower than the glass transition temperature of a workpiece, and to contribute to the fine patterning technique field.例文帳に追加
加工対象物のガラス転移温度よりも低い温度雰囲気下にて微細パターン化されたブロック共重合体から成るマスクを介してナノ構造層を形成することができ、微細パターン化技術分野に貢献する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an organic semiconductor element capable of manufacturing an organic semiconductor element in which an organic semiconductor layer is patterned easily without lowering the mobility thereof.例文帳に追加
本発明は、有機半導体層の移動度を低下させることなく、容易に有機半導体層をパターニングした有機半導体素子を得ることができる有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁
In one exemplary embodiment, inducing the growth of at least one zinc-oxide nanostructure induces growth of each zinc-oxide nanostructure substantially over a patterned polysilicon layer.例文帳に追加
一例示的な実施形態において、少なくとも1つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことは、実質的に、パターニングされたポリシリコン層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす。 - 特許庁
Further, by making protruded parts 100a of the rugged structure 100 a mask, the conductive layer 2 is etched and patterned and, thereby, a conductive member 12 arranged in a striped pattern is formed on the substrate 11A.例文帳に追加
そして、凹凸構造体100の凸部分100aをマスクにして、導電層2をエッチングし、導電層2をパターニングすることで、基板11A上に縞状に配置される導電部材12を形成する。 - 特許庁
The patterned spacer layer defines a channel between the first and second insulating layers that has a sample-receiving chamber, a first port proximate the platform portion and a second port at an outer edge of the analyte test strip.例文帳に追加
型どられたスペーサーは、サンプル受容チャンバと、プラットフォーム部に近接する第1のポートと、検体試験片の外側縁に第2のポートとを有する第1の絶縁層と第2の絶縁層との間のチャネルを規定する。 - 特許庁
To provide a method for use in manufacturing a device (CCD or CMOS image sensors) in which a substrate covered in a layer of colored radiation sensitive material has a patterned beam of radiation projected onto it.例文帳に追加
着色した放射線感光材料の層内に覆われた基板が、自身上に投影された放射線のパターン形成ビームを有するCCDまたはCMOSイメージセンサの製造に使用する方法を提供する。 - 特許庁
Then a resist 15 is patterned, and the wiring material lamination layer 12 is anisotropically etched, by utilizing a resist pattern containing a hard mask HM of the first and second insulating films 13 and 14, to form a wiring pattern 12 (Fig. 1 (b)).例文帳に追加
次に、レジスト15をパターニングし、第1、第2絶縁膜13,14のハードマスクHMを含むレジストパターンに従って配線材料積層12が異方性エッチングされ配線パターン12が形成される(図1(b))。 - 特許庁
The transflective color filter has a transparent substrate and a transparent film pattern region where a transparent film pattern layer consisting of a transparent film formed on the transparent substrate in a patterned shape and a coloring layer formed so as to cover the transparent film pattern layer are laminated.例文帳に追加
本発明は、透明基板と、前記透明基板上に透明膜がパターン状に形成されてなる透明膜パターン層と、前記透明膜パターン層を覆うように形成された着色層とが積層されてなる透明膜パターン領域を有することを特徴とする半透過半反射型カラーフィルタを提供することにより上記目的を達成するものである。 - 特許庁
The method of manufacturing the electrooptical device includes the steps of: forming the conductive layer (9) of the light-reflective conductive material; forming a protective film (19) on the conductive layer; forming resist (60) on the protective film and performing patterning of the resist; and etching the protective film and conductive layer using the patterned resist as a mask.例文帳に追加
電気光学装置の製造方法は、光反射性を有する導電性材料から導電層(9)を形成する工程と、導電層上に保護膜(19)を形成する工程と、保護膜上にレジスト(60)を形成し、当該レジストをパターニングする工程と、パターニングされたレジストをマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施す工程とを備える。 - 特許庁
This manufacturing method of the semiconductor device comprises (a) a step of forming the rare metal layer on a semiconductor substrate provided with the semiconductor device, (b) a step of forming a TaO film on the rare metal layer, (c) a step of patterning the TaO film using a resist pattern, and (d) a step of patterning rare metal layer using the patterned TaO film.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、(ア)半導体素子を形成した半導体基板上にレアメタル層を形成する工程と、(イ)前記レアメタル層上にTaO膜を形成する工程と、(ウ)前記TaO膜をレジストパターンを用いてパターニングする工程と、(エ)前記パターニングされたTaO膜を用いて前記レアメタル層をパターニングする工程とを含む。 - 特許庁
The disclosure is directed to a method for forming nanostructures on a substrate including silicon comprising the steps of: (a) depositing a layer of transition metal on the surface of the substrate; (b) annealing the layer of the transition metal to form a patterned transition metal layer; and (c) etching the substrate to form the nanostructures on the substrate surface.例文帳に追加
本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、(a)前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、(b)前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、(c)前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 - 特許庁
The lower electrode 4 is patterned and the dielectric layer 5 is shaped to project therefrom and an insulation barrier layer 3 of more than one kind of composite metal oxide containing silicon or silicon nitride compound is interposed between the dielectric layer 5 projecting from the lower electrode 4 and the silicon oxide film 2.例文帳に追加
そして、下部電極4がパターニングされて誘電体層5がその下部電極4よりはみ出して形成されており、かつ、下部電極4よりはみ出した部分の誘電体層5と前記シリコン酸化膜2との間にSiを含む2種以上の複合金属酸化物またはシリコンチッ化物系化合物からなる絶縁バリア層3が介在されている。 - 特許庁
To provide a composition for forming a layer to be plated which is superior in plating deposition characteristics and achieves high adhesion to a plated layer (metal film) formed thereon, and also on which a polymer layer that may achieve a superior reliability for insulating patterned metal wiring formed on the surface thereof is formed.例文帳に追加
本発明の目的は、めっき析出性に優れると共に、その表面上に形成されるめっき膜(金属膜)と高密着性を達成し、さらにその表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性を達成しうるポリマー層を形成する被めっき層形成用組成物を提供することにある。 - 特許庁
The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.例文帳に追加
プラスチック基板11等の基板上にアモルファスシリコン層13を形成する工程と、アモルファスシリコン層13をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層13を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁
The patterned magnetic recording medium has a substrate, a ferromagnetic recording layer formed on the substrate and formed in projecting patterns and the non-magnetic embedding layer embedded in recessed parts between the projecting patterns of the ferromagnetic recording layer and composed of an SiOC film containing Si, O and C and having ≤0.05at% C content.例文帳に追加
基板と、前記基板上に形成された、凸パターンをなす強磁性記録層と、前記凸パターンをなす強磁性記録層の間の凹部に埋め込まれた、Si、O、およびCを含有し、Cの含有量が0.05at%以下であるSiOC膜で形成された非磁性埋め込み層とを具備したことを特徴とするパターンド磁気記録媒体。 - 特許庁
Afterwards, an upper electrode layer 5 is deposited on the ferrodielectric film 3, and the upper electrode layer 3, the ferrodielectric film 3 and the lower electrode layer 2 are successively patterned, and a capacitor 10a having the thick ferrodielectric film 3a is formed in the region formed into a thin film and a capacitor 10b having a thick ferrodielectric film 3b is formed in a region whose etching is not carried out.例文帳に追加
その後、強誘電体膜3の上に上部電極層5を堆積し、上部電極層3、強誘電体膜3及び下部電極層2を順次パターニングして、薄膜化した領域に厚い強誘電体膜3aを有するキャパシタ10aを、エッチングされない領域に厚い強誘電体膜3bを有するキャパシタ10bを形成する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|