「patterned layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

An area corresponding to a slope 208 to be formed in the end part of the core layer 206 is exposed and patterned with a light beam which has the exposure controlled in accordance with the sloped shape of the slope 208 to give a sloped structure to the end part of the etching mask 150A.例文帳に追加

コア層２０６の端部に形成する傾斜面２０８と対応した領域は、傾斜面２０８の傾斜形状に応じて露光量を制御した光ビームにより露光してパタニングし、エッチングマスク１５０Ａの端部を斜面構造とする。 - 特許庁

An oxide layer 12 is grown on a board 10 and patterned using a first resist as a mask, a tunnel part 24 is etched to expose a part of the board 10 located under the tunnel part 24, an ion-implanted region 18 is formed inside the board 10 by implantation of nitrogen ions, and then the resist is removed.例文帳に追加

基板１０上に酸化物層１２を成長させ第１レジストでパターニングしてトンネル部２４をエッチングして基板を露呈し、窒素イオンを注入して基板１０にイオン注入領域１８を形成した後レジストを除去する。 - 特許庁

After a two layer mask of an aluminum film 102 and an organic film resist 103 is formed on a silicon substrate 101 and patterned through exposure, development and wet etching, first time dry etching is performed to form a recess 104 including a level difference shape of one step.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に、アルミニウム膜１０２と有機膜レジスト１０３の２層のマスクを形成し、露光、現像およびウェットエッチングを経てパターニングした後、１回目のドライエッチングを行い、１段の段差形状を含む凹部１０４を形成する。 - 特許庁

To enable the formation of a pattern having a finer width which exceeds the limit of dimensional shape such as a film thickness of the layer which is lifted off and is patterned and a cut shape of resist when the pattern having the narrow width is formed by means of the lift-off method.例文帳に追加

リフトオフ法により狭小な幅を有するパターンを形成する際に、リフトオフされてパターニングされる層の膜厚や、レジストの切れ込み形状などの寸法形状の限界を越えた、より微細な幅を有するパターンの形成を可能にする。 - 特許庁

An intermediate layer 4 is patterned along an ink channel pattern into a serrated shape 5 having a large number of much smaller protrusions and recesses to the channel pattern, and at least a part of the serrated pattern adheres to an ink channel-forming member 8.例文帳に追加

中間層４がインク流路パターンに沿って、流路パターンに対してより微少な凹凸を多数有する鋸歯状５にパターニングされており、前記鋸歯パターンの少なくとも一部がインク流路形成部材８と密着する構成とする。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board 100 for semiconductor device (for package), with which multi-layers are wired by multiple insulator layers 131-135 and a wiring layer composed of multiple patterned conductive layers.例文帳に追加

複数の絶縁体層１３１〜１３５と、複数層のパターン化された導電層からなる配線層により、多層にして配線を設けた、半導体装置用（パッケージ用）の多層配線基板１００で、上記問題に対応できる多層配線基板を提供する。 - 特許庁

According to various embodiments, a system includes: a gasifier (106) that includes a shell (156) made of a first material exposed to a gasification region inside the gasifier; and a patterned anode layer (169) coupled to the shell (156) inside the gasifier (106).例文帳に追加

種々の実施形態によれば、システムは、内部のガス化領域に曝される第１の材料から作られたシェル（１５６）を含むガス化装置（１０６）と、ガス化装置（１０６）内部でシェル（１５６）に結合されるパターン形成されたアノード層（１６９）と、を備える。 - 特許庁

Thus, the external light emission efficiency of the element can be maximized via the transparent conductive membrane layer including the patterned surface formed by wet etching and post-thermal-treatment such that a high-luminance light-emitting diode can be accomplished.例文帳に追加

これにより、湿式エッチングとポスト熱処理法により形成されたパターニングされた表面を有する透明導電性薄膜層を介して素子の外部発光効率を極大化させることができ、高輝度発光ダイオードの具現を可能にする。 - 特許庁

Paints 4, 5 are sprayed on the washing place molded from FRP comprising SMC in a granular state under a low atomizing pressure to apply a patterning coating to the washing place and the coated washing place is coated with a transparent layer to which resin beads 6 are added to manufacture the patterned washing place.例文帳に追加

ＳＭＣからなるＦＲＰの洗い場において、少なくとも霧化圧を低下させ塗料４、５を粒子状に噴霧することにより模様塗装を施し、樹脂ビーズ６を添加した透明層でコートして模様付き洗い場とする。 - 特許庁

To provide the manufacture method of a substrate, whose thickness of a conductive region with which a via is filled is not restricted by the thickness of a patterned metallic layer and in which conduction layers which are mutually connected by the conductive via are installed on both faces.例文帳に追加

バイアを充填する導電性領域の厚さがパターニングされた金属層の厚さによって制限されない、導電性バイアにより相互接続された導電層が両面に設けられた基板の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

When the metal layer is provided by electroless metal plating, the resin composition being patterned preferably contains a component adsorbing a catalytic metal for electroless metal plating or a catalytic metal becoming the substrate of electroless meta plating.例文帳に追加

このように無電解金属メッキで金属層を設ける場合は、パターン化される樹脂組成物は、無電解金属メッキのための触媒金属を吸着する成分、又は無電解金属メッキの下地となる触媒金属を含有していることが望ましい。 - 特許庁

This lithography system projects a patterned radiation beam on the target of a substrate containing a radiation photosensitive layer by a radiation source, a patterning structure and a projection system is provided with a gas flashing system for supplying air from a region between the projection system and the substrate in order to remove gas spread from the target section while the target section is exposed by the patterned radiation beam.例文帳に追加

放射線源、パターニング構造、投影システムによって放射線感光層を含む基板の標的部分上にパターン化放射線ビームを投影するリソグラフィシステムにおいて、投影システムと基板の間の領域から空気を供給することによって、標的部分をパターン化放射ビームで露光する間に標的部分から発散するガスを除去するためのガス・フラッシング・システムを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The resist film 28 patterned and formed on an overcoat layer 12, formed on a thin-film transistor and an upper layer side of a pixel electrode, as a mask for exposing at least a part of a pixel electrode from the overcoat film 12 is removed using a mixed gas of one of COF_2 and F_2 and an oxygen gas, after at least the part of the pixel electrode is exposed from the overcoat layer 12.例文帳に追加

薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 - 特許庁

To provide a touch panel member having an optical adjustment layer provided for light reflection formed as the a single layer, which is capable of preventing or reducing the visibility of a patterned transparent electrode layer in the touch panel member and can be formed by a simple method of coating means as well, a manufacturing method of the touch panel member, and a coordinate detection device including the touch panel member.例文帳に追加

光反射のために設けられる光学調整層を単層とした上で、タッチパネル部材におけるパターニングされた透明電極層の視認を防止し、または低減させることができ、しかも、塗工手段という簡易な方法によっても形成可能な光学調整層を備えるタッチパネル部材、および上記タッチパネル部材の製造方法、および、上記タッチパネル部材を備える座標検出装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL element consisting of a first electrode patterned on a substrate, an organic layer containing an organic light-emitting layer arranged on the first electrode, and a second electrode arranged on the organic layer, includes a process in which the first electrode is formed by patterning with the use of printing of resist liquid or etchant liquid.例文帳に追加

基板上にパターニング配設された第一電極、該第一電極上に配設された有機発光層を含む有機層および該有機層上に配設された第二電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法において、前記第一電極は、レジスト液またはエッチャント液の印刷を用いたパターニングにより形成されて工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the light emitting device includes irradiating first light which satisfies a predetermined conditional expression from one face of a first substrate on which the material layer is formed, to pattern the material layer, and irradiating second light which satisfies a predetermined conditional expression from the other face of the first substrate to deposit the patterned material layer on a second substrate as a film-formed substrate.例文帳に追加

第１の基板の材料層が形成された一方の面から所定の条件式を満たす第１の光を照射することにより、材料層をパターン形成し、次いで第１の基板の他方の面から所定の条件式を満たす第２の光を照射することにより、パターン形成した材料層を被成膜基板である第２の基板上に蒸着させる発光装置の作製方法である。 - 特許庁

The display element for displaying a prescribed shape is composed of an organic electroluminescence element in which a transparent anode and an insulating layer patterned so as to make the transparent anode be exposed into almost the same shape as the prescribed shape are laminated on a transparent insulating substrate in this order, and a light-emitting layer and a cathode are laminated on the insulating layer and the exposed transparent anode in this order.例文帳に追加

所定形状を表示する表示素子であって、透明絶縁基板上に、透明陽極と、該所定形状と略同一形状に該透明陽極が露出するようにパターニングされた絶縁層とがこの順序で積層され、さらに、該絶縁層および露出した該透明陽極の上に、発光層と陰極とがこの順序で積層された有機エレクトロルミネッセンス素子からなることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

The electronic device on which an electronic circuit is formed comprises a substrate 11 having a circuit forming surface 11a on which an electronic circuit 12 constituting a part of the aforementioned electronic circuit is formed, a polyimide layer 15 formed on the circuit forming surface 11a, and a spiral inductor 20 patterned on the polyimide layer 15 and constituting a part of the aforementioned electronic circuit.例文帳に追加

電子回路が形成される電子装置であって、前記電子回路の一部を構成する電子回路１２が回路形成面１１ａ上に形成された基板１１と、回路形成面１１ａ上に形成されたポリイミド層１５と、ポリイミド層１５上にパターン形成されており前記電子回路の一部の回路を構成するスパイラルインダクタ２０とを設ける。 - 特許庁

Further, while using the patterned photo resist 14 as a mask, the reflection prevention film 13 and polymer layer 12 are etched under such a condition that the etching speed of the polymer layer 12 is higher than that of the reflection prevention film 13 and more higher than that of the semiconductor substrate 11, so that a mask for processing the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

続いて、パターニングされたフォトレジスト１４をマスクとして、ポリマー層１２のエッチング速度が反射防止膜１３のエッチング速度よりも速く、半導体基板１１のエッチング速度よりもさらに速くなる条件で、反射防止膜１３及びポリマー層１２をエッチングし、半導体基板１１に処理を施す際のマスクを形成する。 - 特許庁

In the patterned aluminum sheet, an aluminum substrate of a lower layer and an aluminum perforated sheet of an upper layer having opening parts consist of a clad sheet integrated by the clad rolling, and a pattern is formed over the entire surface of the clad sheet by providing an anodically oxidized film of different tone on the surface of the perforated sheet and the surface of the substrate exposed in the opening parts.例文帳に追加

下層のアルミニウム基板と開口部を備えた上層のアルミニウム開口板とがクラッド圧延により一体化されたクラッド板から成り、開口板の表面および開口部内に露出した基板の表面に、異なる色調の陽極酸化皮膜を備えたことにより、クラッド板の表面全体に模様が形成されている模様付アルミニウム板。 - 特許庁

A patterned Al layer 22 is formed on the surface of a silicon substrate 21 for manufacturing the orifice plate, and the silicon substrate 21 is subjected to dry etching while using an Al layer 22 as a mask, thereby forming a hole 21a serving as a recessed part disposed at the position corresponding to a discharge opening on the surface of the silicon substrate 21 and forming a groove-shaped cut line 21d.例文帳に追加

オリフィスプレートを作製するためのシリコン基板２１の表面に、パターニングされたＡｌ層２２を形成し、Ａｌ層２２をマスクとしてシリコン基板２１のドライエッチングを行うことで、シリコン基板２１の表面における吐出口に対応する位置に配置された、凹部としての穴２１ａ、および溝状の切断ライン２１ｄを形成する。 - 特許庁

An insulation layer is formed between pixel electrodes patterned on a translucent substrate, and a hole transport ink with a hole transport material dissolved or stably dispersed in a solvent by letterpress printing is printed on the pixel electrodes between from protruded parts of a letterpress to form the hole transport layer.例文帳に追加

透光性基板上のパターニングされた画素電極の間に絶縁層を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版の凸部から絶縁層の間にある画素電極に印刷し正孔輸送層を形成することにより、上記課題を解決することができた。 - 特許庁

In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced cyclopentane group in which one or more of hydrogen atoms combining to each of adjacent two carbon atoms have been replaced with fluorine atoms is used as a polymeric material forming the resist layer.例文帳に追加

レジスト層を選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、隣り合う２つの炭素原子に結合した水素原子のそれぞれ１以上がフッ素原子により置換されたシクロペンタン基が導入された高分子材料を用いることを特徴とする。 - 特許庁

In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced adamantane group in which two or more hydrogen atoms have been replaced with at least one selected from a fluorine atom, a trifluoromethyl group and a difluoromethylene group is used as a polymeric material forming the resist layer.例文帳に追加

レジスト層に選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、２以上の水素原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ばれる少なくとも１種により置換されたアダマンタン基が導入された高分子材料を用いる。 - 特許庁

In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced cyclopentane group in which one or more hydrogen atoms have been replaced with at least one selected from a fluorine atom, a trifluoromethyl group and a difluoromethylene group is used as a polymeric material forming the resist layer.例文帳に追加

レジスト層に選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、１以上の水素原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ばれる少なくとも１種により置換されたシクロペンタン基が導入された高分子材料を用いる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the microstructure array, a thermoplastic resin material 2 is applied to a substrate 1 in a desired patterning shape corresponding to the arrangement of a desired microstructure array, the patterned thermoplastic material layer 2 is deformed in a discrete state by heat treatment, and a continuous film 3 is formed on the deformed surface of the thermoplastic material layer 2 and the substrate 1.例文帳に追加

マイクロ構造体アレイの作製方法において、基板1上に熱可塑材料層2を所望のマイクロ構造体アレイの配列に応じて所望の形状でパターニングし、離散状態においてパターニングした熱可塑材料層2を熱処理にて変形させ、変形した熱可塑材料層2面及び基板2上に連続膜3を形成する。 - 特許庁

An architecture and method of fabrication for an integrated circuit having a reinforced bond pad 241 comprises at least one portion of the integrated circuit disposed under the bond pad 241; and this at least one circuit portion comprises at least one dielectric layer and a patterned electrically conductive reinforcing structure disposed in this at least one dielectric layer.例文帳に追加

補強されたボンドパッド２４１を有する集積回路のための構造と製作方法がボンドパッド２４１の下に配置される集積回路の少なくとも１つの部分を含み、この少なくとも１つの回路部分が少なくとも１つの誘電層とこの少なくとも１つの誘電層に配置されるパターン形成された電導性補強構造とを含んでいる。 - 特許庁

Besides, since the inter-layer insulating film 6 is formed between the respective terminals as well, even when etching is performed for the etching time for the ITO formed on the inter-layer insulating film 6, no ITO is left between the terminals, the ITO can be patterned through one time of resist pattern forming process and etching process, and the occurrence of a leak defect between terminals can be prevented.例文帳に追加

また、各端子間にも層間絶縁膜６が形成されているため、層間絶縁膜６上に形成されたＩＴＯに対するエッチング時間でエッチングを行っても端子間にＩＴＯが残ることなく、一回のレジストパターン形成工程及びエッチング工程でＩＴＯのパターン形成を行うことができ、端子間のリーク不良の発生を防止できる。 - 特許庁

An insulation film is deposited on a P-type Si substrate 1, a polysilicon film is formed with a CVD method after a well layer 2 is formed by implanting a P-type impurity such as boron and the like, and a plurality of gate-electrodes patterned with its corner-edge-contact arranged is formed.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１上に絶縁膜を堆積し、Ｂ等Ｐ型不純物を注入してウエル層２を形成後、ＣＶＤ法でポリＳｉ膜を形成し、角部の頂点が接するような配置でパターニングされた複数のゲート電極部を形成する。 - 特許庁

The shielding material for electromagnetic waves comprises a transparent base material 10 and a copper foil mesh which adheres to the base material in a patterned state, wherein a conductive coating layer of thin and uniform thickness is formed on the front 40 and side 50 of the copper foil mesh.例文帳に追加

透明基材１０と、該基材の表面にパターン化された状態で付着される銅箔メッシュを含み、前記銅箔メッシュの前面４０及び側面５０に、薄くて均一の厚さの導電性コーテイング層を形成した電磁波遮蔽用シールド材が提供される。 - 特許庁

This process includes: exposing a first layer 106 to an active radiation through a patterned photomask to develop it and forming a first resist pattern 106' (Fig. 1B), heat-treating the formed resist pattern (Fig. 1C), and treating the surface of the first resist pattern with a substance effective for alkalization (Fig. 1D).例文帳に追加

第１の層１０６を、パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に露光・現像して第１のレジストパターン１０６’を形成した（図１Ｂ）後、熱処理し（図１Ｃ）、第１のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理する（図１Ｄ）。 - 特許庁

When transparent metal films 22A, 22B disposed on both front and rear faces of a transparent substrate 21 are patterned, an opaque layer 27 which blocks exposure light is formed on at least one of the transparent metal films and then photoresist films 23A, 23B are formed.例文帳に追加

透明基材２１の表裏両面に設けた透明金属膜２２Ａ、２２Ｂをパターンに形成する際に、透明金属膜の少なくとも一方の透明金属膜上に露光光を遮光する不透明層２７を形成し、フォトレジスト膜２３Ａ、２３Ｂを形成する。 - 特許庁

Next, the second beams SS of different kinds of radiation are patterned into a light region 1 and a dark region 2 similar to the projection beam PB, and the light region 1' is applied to the nonexposed region 2" of the resist layer R, and the dark region 2' is applied to the exposed region 1".例文帳に追加

次に、前記と異なる種類の放射線の第２ビームＳＢを投影ビームＰＢと同様に明領域１と暗領域２′にパターン化して、明領域１′をレジスト層Ｒの非露出領域２″に、暗領域２′を露出領域１″に当てる。 - 特許庁

An insulating film 53 is formed on a semiconductor substrate 51, in the same process as that of the gate insulating film of an MIS transistor which is present on the semiconductor substrate 51, and a gate electrode material layer 54 of the MIS transistor is formed on this insulating film, and patterned.例文帳に追加

半導体基板５１上に、この基板上に存在するＭＩＳ型トランジスタのゲート絶縁膜と同一工程で絶縁膜５３を形成し、この絶縁膜上に上記ＭＩＳ型トランジスタのゲート電極材料層５４を形成してパターニングする。 - 特許庁

To obtain a flexible printed wiring board which is free from the occurrence of a crack or a breakage on a metal foil that forms a patterned circuit even when subjected to repeated bending, of which the adhesive layer on the side of a base film or the side of a cover lay film has a high adhesive power and is free from peeling.例文帳に追加

繰り返し屈曲を受けてもパターン回路を構成する金属箔にクラック、断線が生じることがなく、しかもベースフィルム側あるいはカバーレイフィルム側の接着剤層の接着力が高く、これらが剥離することがないフレキシブルプリント基板を得る。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a mask ROM in which a buried layer can be patterned easily in the boundary at the end of a segment select region and a memory cell array region while enhancing uniformity of polishing in a polishing process at the time of forming an isolation film.例文帳に追加

素子分離膜形成の際、進行される研磨工程での研磨均一度を向上させながらセグメントセレクト領域とメモリセルアレイ領域の末端の境界部で埋没層を容易にパターニングすることのできるマスクＲＯＭ製造方法を提供する。 - 特許庁

A surface channel layer 5, a gate oxide film 6, a gate electrode 7, etc. are sequentially formed, thereafter they are patterned by dry etching, and contact holes for connecting the n+ type source regions 4 to a source electrode are formed simultaneously with the patterning of the gate electrode 7.例文帳に追加

さらに、表面チャネル層５、ゲート酸化膜６、ゲート電極７等を順に形成したのち、これらをドライエッチングによってパターニングし、ゲート電極７のパターニングと同時にｎ+型ソース領域４とソース電極との接続を行うためのコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

With respect to an etching process in which a polycrystalline silicon layer 12 formed on a semiconductor silicon wafer 10 is patterned in accordance with a resist pattern 13, plasma of a mixed gas containing SF_6 for isotropic etching and HBr for anisotropic etching is utilized for an etching gas species.例文帳に追加

半導体シリコンウェハ１０上の多結晶シリコン層１２をレジストパターン１３に従ってパターニングするエッチング工程に関し、エッチング用のガス種に、等方性エッチング用としてのＳＦ_6と、異方性エッチング用としてのＨＢｒとを含む混合ガスのプラズマを利用する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a matrix substrate for a liquid crystal with which a liquid repellent layer with a property to repel a conductive material to form a conductive film is patterned without using lifting-off and to provide the matrix substrate for the liquid crystal manufactured with the method.例文帳に追加

導電膜を形成する導電材料を弾く性質を有する撥液層を、リフトオフを利用することなくパターニングすることができる液晶用マトリクス基板の製造方法およびそれによって製造される液晶用マトリクス基板を提供する。 - 特許庁

The surfaces of a bottom force 2 with a wavy-patterned uneven part formed on the surface of a mold and a roll mold 1 having an uneven part to be engaged with the former uneven part on the surface, are coated with an elastic layer 4 as a porous body.例文帳に追加

(1) 無機繊維織布または網状体に触媒成分が塗布された触媒塗布体を加熱成形する金型を備えた板状触媒の成形装置において、前記金型の表面に可撓性の多孔体層を設けた耐摩耗性板状触媒の成形装置。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition, a film of which after curing ensures physical properties comparable to those of a film cured at a high temperature and which inhibits corrosion of copper and copper alloy of metal wiring, a metal layer, etc., a method for producing a patterned curing film, and to provide electronic components.例文帳に追加

硬化後の膜の物性が、高温で硬化したものと遜色ない性能が得られ、かつ金属配線や金属層などの銅及び銅合金の腐食を抑制する感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品を提供する。 - 特許庁

A method includes a step of laminating a thin layer which includes silicon and carbon and may include oxygen and/or nitrogen by request on a film to process a patterned low dielectric constant film obtained after removing a photoresist from the film.例文帳に追加

一態様において、方法は、シリコンと、炭素とを含み、所望により酸素及び/又は窒素を含んでもよい薄層を膜上に堆積させることによりフォトレジストが膜から除去された後のパターン形成された低誘電率膜を処理するステップを含む。 - 特許庁

A nickel plating 3 is applied entirely to one side of a copper foil 1 (main conductor layer), and a patterned nickel thicker plating 2 is applied to the opposite side.例文帳に追加

銅箔１（主導体層）の片面全面にニッケルめっき３を施すとともにその反対面にパターン付きのニッケルめっき２をより厚く施し、ニッケルめっき２の表面上に金めっき４を施し、ニッケルめっき３の表面に銅めっき５（基層導体層）を形成する。 - 特許庁

The conductor layer 51 is patterned to form mounting pads 51a on the solder bumps 31a, the Si wafer 11 is subjected to dicing process, mounting solder bumps 61 are further formed on the mounting pads 51a of a wafer level CSP100 to form a wafer level CSP100a.例文帳に追加

導体層５１をパターニング処理し、はんだバンプ３１ａ上に実装パッド５１ａを形成し、Ｓｉウエハー１１をダイシング加工し、ウエハーレベルＣＳＰ１００を、さらに、実装パッド５１ａ上に実装はんだバンプ６１を形成してウエハーレベルＣＳＰ１００ａを形成する。 - 特許庁

Furthermore, after a surface channel layer 5, a gate oxide film 6, a gate electrode 7, etc., are formed in order, these are patterned by dry etching a contact hole for connecting the region 4 and a source electrode is formed simultaneously with patterning of the electrode 7.例文帳に追加

さらに、表面チャネル層５、ゲート酸化膜６、ゲート電極７等を順に形成したのち、これらをドライエッチングによってパターニングし、ゲート電極７のパターニングと同時にｎ^+型ソース領域４とソース電極との接続を行うためのコンタクトホールを形成する。 - 特許庁