「patterning」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

When patterning a microlens material by means of photo-lithography, the microlens material is exposed (defocused) while shifting a focal position of exposure just by an arbitrary distance, so that after development, the microlens material obtains a pattern shape and a curvature radius as desired.例文帳に追加

マイクロレンズ材をフォトリソグラフィー技術によりパターニングする際、露光の焦点位置を任意の距離だけずらして露光する（デフォーカス）ことにより、現像後、マイクロレンズ材に所望のパターン形状と曲率半径を得る。 - 特許庁

The method and the equipment for lithography comprises an illumination system which supplies a beam of radiation, a patterning device which patterns the beam, and a projecting system which projects the patterned beam on the target of the substrate.例文帳に追加

リソグラフィの方法及び装置は放射線のビームを供給する照明システム、ビームにパターン形成するパターン形成デバイス、及び、パターン形成されたビームを基板の目標部分上に投影する投影システムを含む。 - 特許庁

As a result, the fine patterning in a few μm or the like is made possible, and a plurality of CNT emitter regions can be formed in a single pixel and a uniformity of electron emission can be improved.例文帳に追加

このような構成により、数μｍ程度の微細パターニングが可能であり、１つのピクセル内に複数のＣＮＴエミッタ領域を形成することができるので、電子放出の均一度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a transparent substrate with a circuit pattern, having a circuit pattern not generating a disconnection when used as an electrode of an electronic circuit, etc., without pattern exfoliation and residual resist, and with good patterning accuracy.例文帳に追加

パターン剥がれやレジスト残りがなくパターン精度が良好で、電子回路等の電極として用いたときに断線を生じない回路パターンを有する回路パターン付き透明基板を製造する方法の提供。 - 特許庁

For patterning such a configuration on the printed circuit board 1, a temperature detection circuit 12 is composed of a constant-current circuit, and the thermistor TH1 is connected to the drain of the power MOSFET Q2 whose temperature should be measured.例文帳に追加

また、プリント基板１上に、このような構成をパターン化するために、温度検出回路１２を定電流回路で構成し、サーミスタＴＨ１を温度測定対象であるパワーＭＯＳＦＥＴＱ２のドレインに接続する。 - 特許庁

Thus, Cu electrode can be formed precisely and with high production efficiency by patterning A1 easy to work and burying Cu in a part where the A1 pattern never exists and removing the A1 pattern.例文帳に追加

このように、加工が容易なＡｌをパターニングし、Ａｌパターン２が存在しない部分にＣｕを埋め込んでＡｌパターン２を除去することで、高精度でかつ高い生産効率でＣｕ電極を形成することができる。 - 特許庁

To provide a patterning process without causing a deformation of a resist pattern and an increase in LWR (line width roughness) in forming a silicon oxide film on a photoresist pattern, in a sidewall spacer method.例文帳に追加

側壁スペーサー法において、フォトレジストパターン上に珪素酸化膜を形成したときのフォトレジストパターンの変形やＬＷＲの増大を防ぐことができるパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask blank and a halftone phase shift mask having proper chemical resistance and light resistance and ensuring accurate pattern drawing without a charge-up phenomenon on patterning a resist film by electron beam lithography.例文帳に追加

耐薬品性、耐光性が良好で、レジスト膜に対して電子線描画してパターニングする際にも、チャージアップせずに正確なパターン描画ができるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

In a lithography method for manufacturing such product as a semiconductor device or a mask for lithography, etc., a material is applied to a substrate for patterning, and a product is manufactured by a series of steps using a patterned layer.例文帳に追加

半導体デバイス又はリソグラフ用マスクのような製品を製造するためのリソグラフ方法において、基板上に材料を塗布し、パターン付けし、パターン付層を用いる一連のステップにより製品を製造する。 - 特許庁

According to the principle of this invention, it becomes possible to form the low resistance metallic film on the whole surface of the data wiring and the source electrodes by using a diffracting exposure method in the process for patterning the data wiring and the source electrodes.例文帳に追加

本発明の原理に従えば、データ配線及びソース電極をパターンする工程で回折露光方式を用いて、データ配線及びソース電極の全面に低抵抗金属膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

A processor combines measurements of relative positions of the plurality of marks to provide measurement results with sufficient accuracy for positioning at least a first substrate portion to the alignment sensor at the patterning position.例文帳に追加

プロセッサは複数の前記マークの相対位置の測定を組み合わせ、前記パターニング位置で少なくとも最初の基板部分を前記アライメントセンサに対して位置決めするのに十分な正確さで測定結果を提供する。 - 特許庁

The substrate is subsequently annealed typically in vacuo at a temperature dependent on the particular patterning material, such as a carbide-forming temperature, a carbon-dissolution temperature or a low melting point metal-melting temperature.例文帳に追加

次に、基板は典型的な場合真空中で、具体的なパターン形成材料に依存した温度、たとえばカーバイド形成が起こる温度、カーボン分解が起こる温度又は低融点金属が溶融する温度で、アニールされる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element that prevents a tunnel insulating film formed on a lower part thereof from being damaged when patterning a charge storage film.例文帳に追加

本発明は、電荷貯蔵膜をパターニングする時に下部に形成されたトンネル絶縁膜が損傷するのを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

To provide a fine patterning method for a semiconductor element by which a problem that critical dimension (CD) becomes poor by superimposition is eliminated to form a pattern finer than resolution of an exposure process.例文帳に追加

本発明は、重畳(overlay)により臨界寸法(Critical Demension; ＣＤ)が不良になる問題を除去し、露光工程の解像度より微細なパターンを形成することができる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

After depositing a first polysilicon 11, depositing a second insulation film 12, applying and patterning a photoresist 13, and then etching the second insulation film 12, the first polysilicon 11 is etched back, after removing the photoresist 13 by ashing.例文帳に追加

第一ポリシリコン１１の堆積、第二絶縁膜１２の堆積、フォトレジスト１３の塗布、パターニング、第二絶縁膜１２のエツチング後、フォトレジスト１３の灰化除去をしてから、第一ポリシリコン１１のエッチバックをおこなう。 - 特許庁

To provide a depositing method of a self-aggregate single molecule layer on a metal oxide using the micro-contact printing in the patterning substantially of the derivative and the surface, and a derivative substance manufactured thereby.例文帳に追加

本発明は、概ね誘導および表面のパターン化に関し、マイクロコンタクト・プリンティングを用いる金属酸化物に自己集合分子単一層の形成方法およびこれらにより製造された誘導体物体を提供する。 - 特許庁

The copper foils are treated by patterning, wiring leads and the like are formed, the wiring leads are performed an electrolytic gold plating treatment or the like to form wiring patterned units 13a, 13b and 13c and a film carrier tape is formed.例文帳に追加

銅箔をパターニング処理し配線リード等を形成し、配線リードを電解金めっき処理等を行って、配線パターンユニット１３ａ、１３ｂ及び１３ｃを形成し、本発明のフィルムキャリヤテープを作製する。 - 特許庁

A processing apparatus comprises a laser irradiator 10 for patterning a laser beam into an elongated shape having a scheduled processing line in the longitudinal direction and irradiating the scheduled processing line on a brittle material substrate with the patterned laser beam.例文帳に追加

加工装置は、レーザビームを加工予定線が長手方向である細長い形状にパターニングし、パターニングされたレーザビームを脆性材料基板の加工予定線上に照射するレーザ照射装置１０を備える。 - 特許庁

A conductive film 3 is formed on a substrate 1, and a lower electrode 3a is formed by patterning the conductive film 3 by etching with the use of a resist pattern 5a formed on the conductive film 3 as a mask.例文帳に追加

基板１上に導電性膜３を成膜し、導電性膜３上に形成したレジストパターン５ａをマスクに用いたエッチングによって導電性膜３をパターニングしてなる下部電極３ａを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, which can form dual oxide by a simplified process of forming and patterning a protection film such as a photosensitive organic film and forming an oxide film once.例文帳に追加

感光性有機膜等の保護膜の成膜及びパターニングと１回の酸化膜形成という単純化された工程によってデュアルオキサイドを形成することができる半導体装置の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device which can provide a patterning process of increasing a product yield, and stabilizing dry etching by controlling discharge in the interior of an He gas supply hole.例文帳に追加

Ｈｅガス供給穴内部での放電を制御して、製品の歩留りを向上させ、ドライエッチングによる安定したパターンニング工程を提供することができる静電チャック装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

Etching masks 5, corresponding to individual patterns, are formed by patterning on the whole surface of a conductive material 14 including a peripheral region not requiring pattern formation, and patterns are formed by etching on the whole surface of a substrate 3.例文帳に追加

個々のパターンに対応するエッチングマスク５をパターンを形成する必要のない導電性材料１４の外周領域まで含めた全面にパターニングし、エッチングによって基板３の全面にパターンを形成する。 - 特許庁

The method further includes: patterning the radiation beam with a pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam; and projecting the patterned radiation beam onto a target portion of a substrate.例文帳に追加

この方法はさらに、放射ビームの断面がパターンを有するように放射ビームをパターニングして、パターニングされた放射ビームを形成すること、および、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含む。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device comprises a process of forming the wiring layer on a semiconductor substrate, a process of patterning the wiring layer, and a process of covering the wiring layer with a protective insulating film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に配線層を形成する工程と；前記配線層をパターニングする工程と；前記配線層を保護絶縁膜で覆う工程とを含む。 - 特許庁

The plurality of the photoelectric conversion cells 10, and a plurality of the photoelectric conversion cells 10 and the periphery part 100R of the photovoltaic apparatus 100 are separated by the isolation grooves G1-G3 formed by laser patterning.例文帳に追加

分離溝Ｇ１〜Ｇ３は、レーザパターニングにより形成され、複数の光電変換セル１０間および複数の光電変換セル１０と光起電力装置１００の外周部１００Ｒとの間を分離している。 - 特許庁

To provide an electrostatic chucking device which is resistant to a corrosive substance and can keep high insulation in the gap of an electrode pattern and respond to fine patterning of the electrode pattern.例文帳に追加

腐食性物質に対する耐蝕性があり、電極パターンの間隙における絶縁性を高く維持することが可能であり、これによって電極パターンの微細化に対応可能な構造の静電吸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive material having superior conductivity and adhesion by forming an ink reception layer with good fixability on a substrate, and patterning and baking a metal particulate dispersion on the substrate.例文帳に追加

基板上に定着性に優れるインク受容層を形成後、該基板上に金属微粒子分散液をパターニングして、焼成する導電性と密着性に優れる、導電材の形成方法を提供する。 - 特許庁

The hologram exposure device 100 forms the plurality of holograms 13 on the hologram photosensitive layer 31 by irradiating the substrate 1 for the oblong multiple patterning hologram optical element 1 with object light 46 and reference light 47 from the lateral side.例文帳に追加

ホログラム露光装置１００は、多面付けホログラム光学素子用基材１に対して側方から物体光４６および参照光４７を照射して、ホログラム感光層３１に複数のホログラム１３を形成する。 - 特許庁

To provide an EUV exposure mask etc. in which an absorption film material is specified so as to have a big absorption function in conjunction with excellent microscopic patterning property in order to reduce the projection effect in the EUV exposure.例文帳に追加

ＥＵＶ露光における射影効果を低減するために、大きな吸収機能を持ち、併せて優れた微細なパターニング性を持つよう、吸収膜材料が規定されたＥＵＶ露光用マスク等を提供すること。 - 特許庁

The lithographic apparatus comprises: a radiation source for generating a radiation beam; a support structure for supporting a patterning device; a substrate table for supporting a substrate; and a projection system for projecting a patterned radiation beam onto a target portion of the substrate.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、放射ビームを生成する放射源と、パターニングデバイスを支持する支持構造と、基板を支持する基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系とを備える。 - 特許庁

After the lower layer wiring 13 is subjected to patterning to a first interlayer insulating film 12 on a semiconductor substrate 11, an etching stop layer 14, a second interlayer insulating film 15, and a reflection preventing film 16 are successively built up.例文帳に追加

半導体基板１１上の第１の層間絶縁膜１２に下層配線１３をパターニングした後、エッチング停止層１４及び第２の層間絶縁膜１５及び反射防止膜１６を順次堆積する。 - 特許庁

Further, a protective film or the like needs not be formed by performing patterning newly for forming the defective region, thus resulting in manufacturing advantages in which only a process for applying electron rays is necessary without increasing the number of processes.例文帳に追加

さらに、欠陥領域を形成するために新にパターニングし保護膜等を形成する必要がないため、工程を増やすことなく、電子線照射の工程のみで対応が可能という製造上の利点もある。 - 特許庁

A bank film M is formed by laminating a first material M1 and a second material M2 on a substrate P, and the patterning of the bank film M is effected to form a bank B consisting of a laminated first bank B1 and second bank B2.例文帳に追加

基板Ｐ上に、第１の材料Ｍ１と第２の材料Ｍ２とを積層しバンク膜Ｍを形成し、バンク膜Ｍをパターニングして、第１のバンクＢ１と第２のバンクＢ２とが積層されてなるバンクＢを形成する。 - 特許庁

Fabric-patterning portions 309, 309' contribute to the deformation of the fabric structure 306 in the direction Z in a deforming region 311, while the fluid pervious property in the deformation region is substantially not changed.例文帳に追加

支持体上の織物パターン化部分３０９，３０９′が変形帯域３１１内のＺ方向の織物構造３０６の変形に寄与し、変形帯域内の流体透過性は本質的に変化しないままである。 - 特許庁

To provide an organic field light-emitting element capable of having low drive voltage and attaining uniform light-emission, wherein it uses a substrate for patterning an organic thin film having a bank formed on a charge transport layer.例文帳に追加

電荷輸送層上に形成したバンクを有する有機薄膜パターニング用基板を用いた有機電界発光素子において、駆動電圧が低く、かつ均一な発光が得られる有機電界発光素子を提供すること。 - 特許庁

After removal of the first resist pattern, a first light transflective film 16 is formed throughout a surface of the substrate, and second patterning is performed by etching at least the first light transflective film with a second resist pattern formed on the film 16 as a mask.例文帳に追加

第１レジストパターンを除去後、基板全面に第１半透光膜１６を形成し、その上に形成した第２レジストパターンをマスクとして少なくとも第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う。 - 特許庁

To provide the subject dyed product comprising both polyester- polyamide-based fibers, excellent in laundry fastness and enabling heterocolor effects such as iridescent tone, reversible tone or patterning to be evidently represented, and to provide a method for producing such a dyed product.例文帳に追加

洗濯堅牢度に優れ、玉虫調、リバーシブル、柄だしなどの異色効果が明瞭に表現できるポリアミド系繊維とポリエステル系繊維からなる交編織繊維染色物およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrochromic display device, capable of suppressing movement of a charge held in an electrochromic layer to an adjacent pattern via a display electrode, by only patterning of one electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

一方の電極のパターンニングだけで、エレクトロクロミック層に保持されていた電荷が表示電極を介して隣のパターンに移動することを抑制可能なエレクトロクロミック表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide dense contact hole pattern formation technique of a semiconductor device by using self-align double patterning technology so as to form a high-density hole pattern which is twice or three times higher than that formed by lithography technology.例文帳に追加

半導体装置の密集コンタクトホールパターン形成技術において、セルフアラインダブルパターニング技術を用いて、リソグラフィ技術で形成したパターンの２倍、あるいは３倍の密度のホールパターンを高精度で形成する。 - 特許庁

In the second resist patterning step, a second resist pattern 12 having an opening pattern 112 in the first region R1 of the contact hole formation region, and having a third opening pattern 112 in the second region R2 is formed.例文帳に追加

第２のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域の第１の領域Ｒ１に開口パターン１１２を有し、第２の領域Ｒ２に第３の開口パターン１１２を有する第２のレジストパターン１２を形成する。 - 特許庁

In a process for patterning the wiring 30, etching is performed so as to cut the wiring 30 so that the semiconductor layer 20 is left as it is, on a position furthermore in the cutting line direction of the substrate 10 than the drain electrode 32 or the source electrode 34.例文帳に追加

配線３０をパターニングする工程で、ドレイン電極３２又はソース電極３４よりも基板１０の切断ライン方向の位置で、半導体層２０を残すように配線３０を切断するようにエッチングする。 - 特許庁

Consequently, the wasteful time of irradiating the portions to be removed by patterning with the laser beams can be eliminated and the crystallinity of the patterned semiconductor film can be improved further.例文帳に追加

上記構成により、半導体膜のうち、パターニングにより除去される部分に無駄にレーザー光を照射する時間を省くことができ、パターニング後に得られる半導体膜の結晶性をより高めることができる。 - 特許庁

In the method for patterning a chemically amplifying type resist by using an antireflection film containing a photoacid producing agent as a base layer, the antireflection film in the region where a sparse pattern is to be formed is preliminarily subjected to alkali treatment.例文帳に追加

光酸発生剤を含有する反射防止膜を下地層として用いた化学増幅型レジストのパターニング方法において、疎なパターンを形成する領域の反射防止膜に対しあらかじめアルカリ処理を行う。 - 特許庁

A line-shapes semiconductor pattern 104 extending in the first direction is formed at a lower part of the conductive layer pattern 122 by etching the substrate 100 at a portion which is exposed due to the patterning of the conductive layer 120.例文帳に追加

導電層１２０をパターニングするとき露出する半導体用基板１００をエッチングして導電層パターン１２０の下部に第１方向に延長する線形の半導体パターン１０４を形成する。 - 特許庁

The beam length index is determined by an approximate expression including the pixel pitch as a parameter obtained from the equation of temperature resolution in response to the type of the stepper used for pixel patterning and the thermal conductivity of the material of the wiring 6.例文帳に追加

梁長指数は、温度分解能の式に基づいて、画素のパターニングに用いられるステッパの種類及び配線６の材料の熱伝導率に応じて求められた、画素ピッチをパラメータとする近似式で与える。 - 特許庁