「patterning」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

This method has a process of forming an insulating layer on a base on which bumps for interlayer connection are formed, a process of sandwiching the base with stainless plates to thermocompression-bond a copper foil onto the insulating layer, and a process of patterning the copper foil.例文帳に追加

層間接続のためのバンプが形成された基材上に絶縁層を形成する工程と、ステンレス板で挟み込み絶縁層上に銅箔を熱圧着する工程と、銅箔をパターニングする工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for forming a microparticle-adsorbed pattern whereby functional microparticles can be tightly adsorbed on an arbitrarily selected region irrespectively of its area, and a functional patterning material having a wide scope of application can be obtained.例文帳に追加

面積に係わらず、選択的な任意の領域に機能性微粒子を強固に吸着させることができ、応用範囲の広い機能性パターン材料を得られる微粒子吸着パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The illumination system comprises a field defining element arranged to define an illuminating field in the plane of the patterning device or in a plane conjugate to it, the field being off-axis with respect to the optical axis of the illuminating system.例文帳に追加

この照明システムがこのパターニング装置の平面にまたはそれと共役な平面に、この照明システムの光軸に関して軸外れである照明フィールドを形成するように構成したフィールド形成素子を含む。 - 特許庁

To provide a simple processing method for patterning a chopstick, having excellent designability due to a synergistic effect of a combined pattern using a plurality of tubular films to which a pattern is applied and a pattern layer being a base.例文帳に追加

模様が施された複数のチューブ状フィルムと下地である模様層とを使った組み合わせ模様による相乗効果により、優れた意匠性を有する箸の簡単な模様付け加工方法を提供する。 - 特許庁

As shown in Fig. (c), a patterning film 15 having an opening 15a facing opposite a region is formed, where a metal wiring 12 is to be formed on a silicon wafer 11 in which a barrier metal 13 and a seed film 14 are stacked.例文帳に追加

図１(c) に示すように、バリアメタル膜１３およびシード膜１４が積層されたシリコン基板１１上に、金属配線１２を形成すべき領域に対向した開口１５ａを有するパターニング膜１５を形成する。 - 特許庁

The patterning of a phosphor is carried out on a glass substrate instead of a slit for detecting the rays of light from a reference pattern on a mask, and visible lights emitted by the phosphor are measured by a photo-diode through the glass substrate.例文帳に追加

マスク上の基準パターンからの光を検出するためのスリットの代わりに、ガラス基板上に蛍光体をパターニングし、蛍光体が発光する可視光を、ガラス基板を通してフォトダイオードで測定する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film pattern on a substrate in which a thin film of fine and thin line can be formed conveniently while preventing or suppressing aggregation of patterning material particles.例文帳に追加

基板上に膜パターンを形成するに際し、薄膜で、微細且つ細線な膜を簡便に形成することが可能で、パターン形成用の材料粒子の凝集を防止ないし抑制することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

The laminated patterns 3 of the eaves structure are obtd. by executing patterning by the process of preventing the contact of the substrate surface with the water or the aq. soln. after successively depositing a lower layer resist 2 and an upper layer resist 4 on the substrate 1 having the large ruggedness.例文帳に追加

凹凸の大きい基板１に下層レジスト２、上層レジスト４を順次成膜した後、基板表面が水あるいは水溶液に接触しないプロセスによりパターニングして庇構造の積層パターン３を得る。 - 特許庁

In a process to make a patterning of a transparent electrode 12 on a transparent substrate 11, an alignment mark 13 used for positioning of a shadow mask 14 and the transparent substrate 11 on the transparent substrate 11 is formed of an identical material as the transparent electrode 12.例文帳に追加

透明基板11上に透明電極12をパターニングする工程において、透明基板11にシャドーマスク14と透明基板11との位置決めに使用するアライメントマーク13を透明電極12と同一の材料で形成する。 - 特許庁

The light-shielding film 3 is made of a material, having conductivity of such a degree that charge-up phenomenon is not induced when patterning the resist film 4 by electron beam drawing, and the film is formed to cover the exposed portion 5 and the phase shift film 2.例文帳に追加

遮光膜３は、レジスト膜４を電子線描画しパターニングする際にチャージアップしない程度に導電性を有する材料であり、露出部５及び位相シフト膜２を覆うように形成されている。 - 特許庁

In order to provide the gas sensor having a gas channel formed in a space between the silicon substrate 2 and a glass substrate 1, the upper surface of the substrate 2 is etched, an insulating layer 5 is formed, and the electrode 4 is provided by electrode-patterning.例文帳に追加

シリコン基板２とガラス基板１との間の空間にガス流路を形成しガスセンサを設けるために、シリコン基板２上面をエッチングして絶縁層５を形成し、電極パターニングによって電極４を設ける。 - 特許庁

A seal patterning device 11 applies a frame-shaped first seal material on a first substrate W1 and a liquid crystal dropping device 12 drops liquid crystal on the first substrate W1 and inside the frame-shaped first seal material.例文帳に追加

シールパターニング装置１１は第１の基板Ｗ１上に枠状の第１シール材を塗布し、液晶滴下装置１２は第１の基板Ｗ１上であって枠状の第１シール材の内側に液晶を滴下する。 - 特許庁

To provide an aligner which can control a patterning dimension of a layered substrate having a plurality of layers formed on a substrate by exposure to be within a specified range, and to provide a method for manufacturing a layered substrate.例文帳に追加

基板上に複数の層が露光処理によって形成されてなる積層基板のパターニング寸法を、所定の範囲内に調整できる露光装置、および、上記積層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A TiN film 4, a W film 3, and a SiN film 2, which has different etching characteristic from that of an interlayer insulating film 9 covering the W film 3 to which patterning has been performed, are sequentially deposited on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上にＴｉＮ膜４、Ｗ膜３、および、パターニングされた後のＷ膜３を覆う層間絶縁膜９のエッチング特性と異なるエッチング特性を有するＳｉＮ膜２を順次積層する。 - 特許庁

To provide a reflectively backed photosensitive element which reduces small defects, enhances production yield in patterning process and in subsequent process of the reflectively backed photosensitive resin layer, and improves reliability of parts.例文帳に追加

微小欠陥を低減させ、反射下地感光性樹脂層のパターニング工程やその後工程での製造歩留りを向上させ、部品の信頼性を向上することができる反射下地感光性エレメントを提供する。 - 特許庁

The method further includes: patterning the radiation beam with a pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam; and projecting the patterned radiation beam onto a target portion of a substrate.例文帳に追加

この方法はさらに、放射ビームの断面がパターンを有するように放射ビームをパターニングして、パターニングされた放射ビームを形成すること、および、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含む。 - 特許庁

To provide dense contact hole pattern formation technique of a semiconductor device by using self-align double patterning technology so as to form a high-density hole pattern which is twice or three times higher than that formed by lithography technology.例文帳に追加

半導体装置の密集コンタクトホールパターン形成技術において、セルフアラインダブルパターニング技術を用いて、リソグラフィ技術で形成したパターンの２倍、あるいは３倍の密度のホールパターンを高精度で形成する。 - 特許庁

In the second resist patterning step, a second resist pattern 12 having an opening pattern 112 in the first region R1 of the contact hole formation region, and having a third opening pattern 112 in the second region R2 is formed.例文帳に追加

第２のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域の第１の領域Ｒ１に開口パターン１１２を有し、第２の領域Ｒ２に第３の開口パターン１１２を有する第２のレジストパターン１２を形成する。 - 特許庁

In a process for patterning the wiring 30, etching is performed so as to cut the wiring 30 so that the semiconductor layer 20 is left as it is, on a position furthermore in the cutting line direction of the substrate 10 than the drain electrode 32 or the source electrode 34.例文帳に追加

配線３０をパターニングする工程で、ドレイン電極３２又はソース電極３４よりも基板１０の切断ライン方向の位置で、半導体層２０を残すように配線３０を切断するようにエッチングする。 - 特許庁

To provide a wiring board incorporating semiconductor element components which can enhance degree of freedom in patterning of wiring by narrowing the area of a connection conductor connected with an terminal of the semiconductor element component, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体素子部品の端子に接続される接続導体を面積狭小化して配線パターン形成の自由度を向上することができる部品内蔵配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive material having superior conductivity and adhesion by forming an ink reception layer with good fixability on a substrate, and patterning and baking a metal particulate dispersion on the substrate.例文帳に追加

基板上に定着性に優れるインク受容層を形成後、該基板上に金属微粒子分散液をパターニングして、焼成する導電性と密着性に優れる、導電材の形成方法を提供する。 - 特許庁

A line-shapes semiconductor pattern 104 extending in the first direction is formed at a lower part of the conductive layer pattern 122 by etching the substrate 100 at a portion which is exposed due to the patterning of the conductive layer 120.例文帳に追加

導電層１２０をパターニングするとき露出する半導体用基板１００をエッチングして導電層パターン１２０の下部に第１方向に延長する線形の半導体パターン１０４を形成する。 - 特許庁

The beam length index is determined by an approximate expression including the pixel pitch as a parameter obtained from the equation of temperature resolution in response to the type of the stepper used for pixel patterning and the thermal conductivity of the material of the wiring 6.例文帳に追加

梁長指数は、温度分解能の式に基づいて、画素のパターニングに用いられるステッパの種類及び配線６の材料の熱伝導率に応じて求められた、画素ピッチをパラメータとする近似式で与える。 - 特許庁

Also, a bit line 15 provided on the top electrode 17 has the etching surface 15c formed by patterning, and an etching surface 15c of the bit line 15 contacts the film formation initiating surface 17a of the top electrode 17.例文帳に追加

また、上部電極１７に接続されたビット線１５は、パターニングにより形成されたエッチング面１５ｃを有しており、ビット線１５のエッチング面１５ｃと、上部電極１７の成膜開始面１７ａとが接している。 - 特許庁

To provide a patterning method capable of accurately processing a processing object layer even when the processing object layer is formed by containing a material unsuitable for a wet process or a material having a large amount of etching shift.例文帳に追加

被加工層がウエットプロセスに適さない材料、またはエッチングシフト量の多い材料を含んで構成されている場合であっても、高精度に被加工層を加工することを可能とするパターニング方法を提供する。 - 特許庁

Then, surface treatment for modifying the lyophobic property against the conductive paste 12 into lyophilic property is applied to a predetermined region 18 of the substrate surface 10a along the pattern forming elements 14 of the patterning member 16.例文帳に追加

次に、基板表面１０ａの所定領域１８に、パターニング部材１６のパターン形成要素１４に沿って、導電性ペースト１２に対する疎液性を親液性に改質する表面処理を施す。 - 特許庁

A method of using photoresist-type material, not only as a usual patterning material but also as an insulator interposed between magnetic layers or conductive layers and/or a planar material and including the formation of a multilayered element, is provided.例文帳に追加

フォトレジスト型材料が、従来のパターニング材料としてだけではなく、磁気層間または導電層間の絶縁および／またはプレーナ化材料としても使用される、多層素子の形成を含む方法が提供される。 - 特許庁

To provide a spatial light modulator including an array of elements which are independently controlled, which is used as a patterning means for a lithographic projection device and has a high data transmission speed necessary for address designation of pixels and a compact configuration.例文帳に追加

リソグラフィ投影装置にパターニング手段として使える、個々に制御可能な素子のアレイを含む光空間変調器を画素のアドレス指定に要するデータ転送速度が速く、コンパクトな構成で提供すること。 - 特許庁

After having formed a first insulating film 101 consisting of an inorganic low dielectric constant film on a silicon substrate 100, by patterning the first insulating film 101, the first insulating film 101 remains in the first region.例文帳に追加

シリコン基板１００の上に無機の低誘電率膜からなる第１の絶縁膜１０１を形成した後、第１の絶縁膜１０１をパターニングして、第１の絶縁膜１０１を第１の領域に残存させる。 - 特許庁

To form a nano-structure layer through a mask comprising a block copolymer finely patterned in a temperature atmosphere lower than the glass transition temperature of a workpiece, and to contribute to the fine patterning technique field.例文帳に追加

加工対象物のガラス転移温度よりも低い温度雰囲気下にて微細パターン化されたブロック共重合体から成るマスクを介してナノ構造層を形成することができ、微細パターン化技術分野に貢献する。 - 特許庁

The optical system is configured to direct EUV light from an inspection area of an EUV patterning device onto the array of sensors, whereby the analog data are used to determine defects or to compensate for anomalies found on the EUV mask.例文帳に追加

光学システムは、ＥＵＶパターニングデバイスの検査エリアからのＥＵＶ光をセンサのアレイに誘導し、アナログデータはＥＵＶマスク上で発見される欠陥を判定し、または異常を補償するために使用される。 - 特許庁

Then, patterning is applied to the first conductive silicon film 30 with dry etching based on a resist mask R1 to form a horizontal CCD-CCD transfer electrode 12 having an inclined side face 12a (Fig.2(b)).例文帳に追加

次いで、第１の導電性シリコン膜３０をレジストマスクＲ１に基づいたドライエッチングによりパターニングすることにより、傾斜した側面１２ａを有する水平ＣＣＤ間転送電極１２を形成する（図２（ｂ））。 - 特許庁

After depositing a first polysilicon 11, depositing a second insulation film 12, applying and patterning a photoresist 13, and then etching the second insulation film 12, the first polysilicon 11 is etched back, after removing the photoresist 13 by ashing.例文帳に追加

第一ポリシリコン１１の堆積、第二絶縁膜１２の堆積、フォトレジスト１３の塗布、パターニング、第二絶縁膜１２のエツチング後、フォトレジスト１３の灰化除去をしてから、第一ポリシリコン１１のエッチバックをおこなう。 - 特許庁

To provide a depositing method of a self-aggregate single molecule layer on a metal oxide using the micro-contact printing in the patterning substantially of the derivative and the surface, and a derivative substance manufactured thereby.例文帳に追加

本発明は、概ね誘導および表面のパターン化に関し、マイクロコンタクト・プリンティングを用いる金属酸化物に自己集合分子単一層の形成方法およびこれらにより製造された誘導体物体を提供する。 - 特許庁

The hologram exposure device 100 forms the plurality of holograms 13 on the hologram photosensitive layer 31 by irradiating the substrate 1 for the oblong multiple patterning hologram optical element 1 with object light 46 and reference light 47 from the lateral side.例文帳に追加

ホログラム露光装置１００は、多面付けホログラム光学素子用基材１に対して側方から物体光４６および参照光４７を照射して、ホログラム感光層３１に複数のホログラム１３を形成する。 - 特許庁

Touch keys corresponding to 'character patterning', 'stitching', 'stitching edition' and 'memory calling' are set to be invalid keys which are invalid against depression and displayed in light and shade in areas corresponding to valid keys.例文帳に追加

また、「文字模様ぬい」、「刺しゅう」、「刺しゅうの編集」、「記憶呼び出し」に対応するタッチキーが、押圧操作が無効となる無効キーに設定されるとともに、これらは有効キーに対応する部分に対してうすい濃淡で表示される。 - 特許庁

After a metal layer for a lower electrode, a dielectrics film and a metal layer for an upper electrode are deposited in the order on a first insulating film formed on a semiconductor substrate, and the upper electrode is formed by patterning.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１の絶縁膜上に下部電極用金属層、誘電体膜および上部電極用金属層を順次堆積した後、パターニングして上部電極を形成する。 - 特許庁

It is possible to indirectly measure electrode line width by measuring height from the base 3 by using a linear relation between the height from the base 3 of the tapered pattern 2 and the electrode line width after patterning.例文帳に追加

パターニング後の先細りパターン２の底辺３からの高さと電極線幅との間の線形関係を用いて、底辺３からの高さを測定することで電極線幅を間接的に測定することができる。 - 特許庁

To provide a fine patterning method for a semiconductor element by which a problem that critical dimension (CD) becomes poor by superimposition is eliminated to form a pattern finer than resolution of an exposure process.例文帳に追加

本発明は、重畳(overlay)により臨界寸法(Critical Demension; ＣＤ)が不良になる問題を除去し、露光工程の解像度より微細なパターンを形成することができる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The resin composition for producing the artificial marble is obtained by blending a thermosetting resin, a filler, a patterning material, an inner releasing agent, a curing agent or the like, and in the composition, melamine cyanurate is added and blended.例文帳に追加

熱硬化性樹脂と、充填剤、柄材、内部離型剤、硬化剤などの添加物を配合した人造大理石製造用の樹脂組成物であって、この樹脂組成物中にメラミンシアヌレートを添加配合する。 - 特許庁

A conductive film 3 is formed on a substrate 1, and a lower electrode 3a is formed by patterning the conductive film 3 by etching with the use of a resist pattern 5a formed on the conductive film 3 as a mask.例文帳に追加

基板１上に導電性膜３を成膜し、導電性膜３上に形成したレジストパターン５ａをマスクに用いたエッチングによって導電性膜３をパターニングしてなる下部電極３ａを形成する。 - 特許庁

And then, a second impurity injection mask 35 is formed by patterning a formed metal film for forming a gate electrode, and a p-type impurity is injected in high concentration with the mask 35.例文帳に追加

次に、成膜されたゲート電極形成用金属膜をパターニングして第２の不純物注入マスク３５を形成し、この第２の不純物注入マスク３５をマスクとしてｐ型不純物を高濃度に注入する。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin-film transistor includes: a step of forming a semiconductor thin film of a zinc oxide-tin compound doped with boron on a substrate; and a step of patterning the semiconductor thin film to form a channel.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にボロンドープされた酸化亜鉛−スズの化合物で半導体薄膜を形成するステップと、半導体薄膜をパターニングし、チャネルを形成するステップとを含む。 - 特許庁

Then, after thermal processing is performed as required, resist coating, patterning, etching and the like are performed, a dopant dispersion region 10 is formed by ion implantation or the like to form the semiconductor device of MOS structure.例文帳に追加

その後、必要に応じて熱処理を施した後、レジスト塗布、パターニング、エッチング等を行い、さらにイオン注入等によって不純物拡散領域１０を形成し、ＭＯＳ構造の半導体装置を形成する。 - 特許庁

Thin film dielectric layers 6 are arranged on top of parts of ground patterns 5 of a coplanar waveguide by selectively performing patterning and plural island metal patterns 7 are arranged on the thin film dielectric layers 6 at fixed intervals.例文帳に追加

コプラナ・ウェーブガイドのグラウンドパターン５の一部の上部に薄膜誘電体層６を選択的にパターニングして配置し、この薄膜誘電体層６の上に島状メタルパターン７を一定間隔で複数個配置する。 - 特許庁