「patterning」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor integrated circuit capable of attempting both for reducing an effect that a coupling capacitance between interconnections buried in parallel such as a bus line, etc., affects to a voltage transition of these interconnections and for fine patterning of the circuit.例文帳に追加

バス配線等、平行に敷設される配線間のカップリング容量がそれら配線の電位遷移に及ぼす影響の低減と回路の微細化との好適な両立を図ることのできる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel whose manufacturing stages are simplified by performing patterning without a photolithography stage and whose manufacturing cost is reducible, and also provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、フォトリソグラフィー工程を実施することなく、パターニングを行うことにより製造工程を単純化すると共に製造費用を節減し得る液晶表示パネルおよびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A wiring pattern 2 for measuring dimension is that of a total length W formed at the outer peripheral part of a semiconductor chip 1, when the internal wiring pattern of the semiconductor chip is formed by patterning and etching with PR.例文帳に追加

寸法測定用の配線パターン２は、半導体チップの内部配線パターンを形成する際、ＰＲによるパターニング及びエッチングによって、半導体チップ１の外周部に形成された全長Ｗの配線パターン２である。 - 特許庁

A ramp edge surface is worked/molded at deca-nanometer scale precision with no resist patterning, with the machining surface used as a barrier.例文帳に追加

任意の位置に任意の形状で、デカナノスケールの微細加工ができるという集束イオンビームの特長を利用して、レジストパターニングを必要とせず、デカナノスケールの精度でランプエッジ面を加工・成形して、その加工表面をバリアに用いる接合作製方法である。 - 特許庁

To provide a thin film transistor improved in element characteristics, and so having their uniform values by adjusting the position and direction of crystal growth by forming a seed in a line form for crystallization through the patterning of a capping layer.例文帳に追加

キャッピング層のパターニングを通じてライン形態シードを形成して結晶化することにより、結晶が成長する位置及び方向を調節して素子特性を向上させ、均一な値を有する薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁

The second transparent conductive film 152 is then formed on the substrate 101 with the TFT and patterning and etching are performed to the second transparent conductive film 152 so that parts corresponding to the color R and the color B remain.例文帳に追加

次に、ＴＦＴ付き基板１０１上に第２の透明導電膜１５２が形成され、Ｒ色およびＢ色に対応する部分のみが残るよう第２の透明導電膜１５２にパターニングおよびエッチングが施される。 - 特許庁

Since the second gate electrode being separated at the time of machining the word line is a conductive sidewall SW formed on the side face of control lines CL1 and CL2 formed by patterning a conductive film, residue is not generated at the time of separation.例文帳に追加

ワード線加工時に分断する第２ゲート電極が、導電膜をパターンニングして出来た制御線ＣＬ１，ＣＬ２の側面に対し形成された導電線サイドウォールＳＷなので、その分断時に残差が発生しにくい。 - 特許庁

The ultraviolet curable cyan ink which is used for patterning by ink jet recording includes a cobalt blue pigment as a colorant, an ultraviolet absorber, and a light stabilizer.例文帳に追加

インクジェット記録による模様付けに用いられる紫外線硬化型シアンインクであって、着色材としてのコバルトブルー顔料と、紫外線吸収剤と、光安定剤とを含有することを特徴とする紫外線硬化型シアンインクである。 - 特許庁

To provide a polymerizable monomer for use in a resist, suitable for microfabrication performed by dry exposure, immersion exposure or a double patterning process, and to provide a polymer of the same, a resist material using the same, and a pattern formation method.例文帳に追加

ドライ露光、液浸露光やダブルパターンニングプロセスで行われる微細加工に適するレジスト用重合性単量体およびそれら重合体の提供それらを使ったレジスト材料およびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which the variation of patterning is reduced by forming resist of a constant film thickness on an element region, regardless of the existence ratio between the element region and an isolation region.例文帳に追加

素子領域と素子分離領域との存在比によらず、素子領域上に一定の膜厚のレジストを形成することにより、パターニングのばらつきが低減された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this pattern forming method, a first mask pattern 320A is formed in a first region A by patterning a dual mask layer on a substrate 300, and a second mask pattern 320B which is wider than the first mask pattern 320A is formed in a second region B.例文帳に追加

基板３００上のデュアルマスク層をパターニングして第１領域Ａには第１マスクパターン３２０Ａを形成し、第２領域Ｂには第１マスクパターン３２０Ａより幅広である第２マスクパターン３２０Ｂを形成する。 - 特許庁

An Al wiring is obtained by subjecting a multi-filmed Al layer made up of an Al film 2a of pure Al and an AlOx film 2b formed on the film 2a and made of Al containing oxygen elements to a photolithograpical patterning process.例文帳に追加

純粋なＡｌによって構成されるＡｌ膜２ａと、その上層に積層された酸素元素を含むＡｌによって構成されるＡｌＯ_x 膜２ｂとからなる多層Ａｌ層３をフォトリソグラフィーによってパターニングし、Ａｌ配線を得る。 - 特許庁

A patterning interconnect line employing nano copper metal particles is formed on a substrate by a direct writing system and then metal surface oxide film of that interconnect line is reduced by atomic hydrogen and/or organic substances are removed therefrom.例文帳に追加

本発明は、基板上にナノ銅金属粒子を用いたパターニング配線を直描方式により形成し、この配線に対して、原子状水素により金属表面酸化膜の還元、及び又は、有機物の除去の処理をする。 - 特許庁

To provide pattern forming method wherein a thin film on a lift-off pattern formed of a resist film is removed by ion milling to improve the permeability of the lift-off liquid and apply the lift-off patterning.例文帳に追加

本発明は、リフトオフによるパターン形成方法に関し、より詳細にはレジスト膜で形成したリフトオフパターン上の薄膜をイオンミーリングで除去し、リフトオフ液の浸透性を良くしてリフトオフパターニングを行なうパターン形成方法に関する。 - 特許庁

The method utilizes a substrate in which a semiconductor layer is initially formed on a flexible substrate, etc., and includes patterning a gate electrode and an insulating film to make undercut produced, and then forming a source and drain electrodes through vaporization and lifting off.例文帳に追加

また、半導体層が最初からフレキシブル基板等の上に形成された基板を利用し、ゲート電極と絶縁膜をパターニングし、アンダーカットを生じさせ、その後、ソース、ドレイン電極を蒸着形成し、リフトオフすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a laminated common mode choke coil which can secure a large area for patterning and forming a conductor pattern, greatly improve inductance value, and reduce floating capacity, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導体パターンをパターンニング形成するための領域を大きく確保でき、インダクタンスを大値に向上できると共に、浮遊容量を低減することができる積層コモンモードチョークコイルおよびその製造方法を提供すること - 特許庁

To etch source/drain electrode layers without damaging an active layer due to over etching, or the like including the scraping of the active layer in patterning by one etching in a state where the electrodes are in contact with the active layer.例文帳に追加

電極と活性層が接する状態における一方のエッチングによるパターニングにおいて、活性層を削るなどのオーバーエッチ等によるダメージを活性層に生ずること無くソース／ドレイン電極層のエッチングを行うこと。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and photolithography method by which a resist film can be removed without leaving residues in the edge sections of a substrate, at the time of patterning the resist film on the substrate through silylation.例文帳に追加

シリル化プロセスにより基板上にレジスト膜をパターン加工するときに、基板のエッジ部において残渣を残すことなく前記レジスト膜を除去することができる半導体装置の製造方法およびフォトリソグラフィー方法を提供する。 - 特許庁

The electrode film 13 is formed on the gate insulation film 11 subjected to the two anneal processes, and gate electrodes, LDDs, side wall insulation films, and sources / drains are formed through patterning of the electrode film 13.例文帳に追加

これらの２回のアニール処理が施されたゲート絶縁膜１１上に電極膜１３を形成し、電極膜１３のパターニングによるゲート電極の形成、ＬＤＤの形成、サイドウォール絶縁膜の形成、ソース・ドレインの形成を行う。 - 特許庁

In the circuit integration type molding by directly patterning a conductor film on the molding to integrate a circuit and the manufacturing method thereof, the molding is configured with a resin material having an electromagnetic wave absorbing characteristics.例文帳に追加

成形品に直接的に導体膜をパターンニングして回路を一体化してなる回路一体型成形品でおよびその製造法あって、前記成形品を電磁波吸収特性を有する樹脂材料から構成してなるものである。 - 特許庁

To provide a method for patterning source/drain electrodes and an active layer by etching without using any lift-off methods in the case of a material having properties capable of etching with at least the same type of etchant.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極と活性層が、少なくとも同じ種類のエッチャントによってエッチング可能な性質を有する材料である場合において、リフトオフ法を使用せず双方をそれぞれエッチングによってパターニングする方法を提供する。 - 特許庁

The scanning ring field reduced projector performs a lithographic patterning for producing devices in a design unit of maximum 0.4 μm, using X-ray radiations in a wavelength range of 300-40 Å.例文帳に追加

３００Åから４０Åまでの波長範囲内のＸ線放射線を用いて最大０．４μｍまでの設計単位につくられるデバイスを生産するためのリソグラフィパターニングを行う走査リングフィールド縮小投影装置である。 - 特許庁

A manufacture of the silicone coat 3 includes a step for preparing a silicone wafer 4 as a base material of the silicone coat 3, and a step for forming the fine pattern 5 on the surface of the silicone wafer 4 by patterning by lithography and anisotropic dry etching.例文帳に追加

シリンコンコート３の作製は、シリコンコート３の基材としてシリコンウエハ４を準備する工程と、シリコンウエハ４の表面に、リソグラフィによるパターニングと異方性ドライエッチングとによって微細パターン５を形成する工程とを含む。 - 特許庁

Alternatively, part of damage and contamination caused during patterning of the gate electrode 5 is taken into an oxide film through oxidation processing to be removed after the gate electrode 5 is patterned and before the source-drain region 9 is formed.例文帳に追加

または、ゲート電極５のパターンニング後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、酸化処理を行うことによってゲート電極５のパターンニングの際に生じるダメージや汚染の一部を酸化膜中に取り込んで基板から除去する。 - 特許庁

To provide a microarray substrate and its manufacturing method capable of immobilizing DNA firmly in high density with chemical combination with layers carrying DNA immobilized firmly to base material surface, and easily patterning finely.例文帳に追加

ＤＮＡを化学的結合で強固にかつ高密度で固定化でき、しかも、ＤＮＡを担持した層が基材と強固に固定されており、また、容易に微細なパターニングが可能であるマイクロアレイ用基板とその作製方法を提案する。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device which enables removal of an organic antireflection film without damaging the substrate film of the organic antireflection film after forming and patterning the organic antireflection film as a resist lower layer.例文帳に追加

レジスト下層に有機系反射防止膜を形成してパターニングを行った後、有機系反射防止膜の下地膜に損傷を与えずに、有機系反射防止膜を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A system for forming a pixel matrix is provided and includes a patterning tool including a laser ablation system operable to form pixel wells in the pixel matrix material coated with the ink-phobic material.例文帳に追加

ピクセルマトリクスを形成するためのシステムが提供され、そのシステムはパターン化装置を含み、装置は疎インク性材料でコーティングされたピクセルマトリクス材料内にピクセル井戸を形成するために操作可能なレーザー溶発システムを含む。 - 特許庁

A second mask is fabricated as a second sequentially used mask, for patterning a plurality of interconnections between individual regular elements and a plurality of interconnections between the regular elements and redundancy elements (step 50).例文帳に追加

その後に、２番目に使用されるマスクとして個々の正規要素間の複数の相互接続および正規要素と冗長要素の間の複数の相互接続をパターン形成するために使用する第二のマスクが製造される５０。 - 特許庁

The composite patterning layer is formed from (A) an acid- containing alkali developable photosensitive resin composition and (B) a photosensitive resin composition containing a photo-curable resin which is made alkali-soluble by acid decomposition.例文帳に追加

（Ａ）酸を含むアルカリ現像型感光性樹脂組成物と、（Ｂ）酸により分解してアルカリ可溶性となる光硬化性樹脂を含有する感光性樹脂組成物とから形成されてなることを特徴とする複合パターン層を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which sufficient contact can be ensured between first and second gate electrodes even when a contact hole of micro diameter is made in a semiconductor device subjected to fine patterning.例文帳に追加

微細化された半導体装置において微小径のコンタクトホールを形成する場合においても，第１のゲート電極と第２のゲート電極との間で充分なコンタクトを取ることができる半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor of a semiconductor element where an electrode can be formed without performing a patterning of a capacitor electrode by etching, process is stabilized and a parasitic capacitance is suppressed.例文帳に追加

エッチングによるキャパシタ電極のパターニングを行わずに電極を形成することができ、かつ工程の安定性及び寄生キャパシタンスの抑制が可能である半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

A surface plate 20 for laser beam machining is for patterning a film with laser beam irradiation and is provided with, in the laser beam irradiation part thereof, an aperture 21 having an exhaust function.例文帳に追加

レーザー照射部に開口部２１が設けてある、レーザー照射によりフィルムをパターン化のためのレーザー加工定盤２０において、前記開口部２１に排気機能を具備する事を特徴とするレーザー加工定盤２０を提供する。 - 特許庁

A control system for a mask table (patterning means) and substrate tables predicts the instantaneous position error in the substrate table, and feeds the position error to a control loop of the mask table for adding to the mask table set point as force to be operated on the mask table.例文帳に追加

マスク・テーブル（パターン形成手段）および基板テーブルの制御システムは瞬時の基板テーブルの位置誤差を予測し、それをマスク・テーブルの制御ループに送り、マスク・テーブル設定値にマスク・テーブルに作用する力として加える。 - 特許庁

An SiO_2 film and a photoresist film are then formed sequentially on the seed layer (S3, S4), an opening is formed by patterning the photoresist film and the SiO_2 film (S5, S6), and a Cu film and a mask Al film are laminated in the opening (S7, S8).例文帳に追加

シード層の上にＳｉＯ_２膜及びフォトレジスト膜を順次形成し（Ｓ３、Ｓ４）、フォトレジスト膜、ＳｉＯ_２膜をパターニングして開口を形成し（Ｓ５，Ｓ６）、開口内にＣｕ膜及びマスクＡｌ膜を積層する（Ｓ７、Ｓ８）。 - 特許庁

To provide an exposure method and an exposure device, capable of locally optimizing such factors as incident angle, polarizing direction, and exposure amount, according to places in a sample when patterning the solid sample having a rough on its surface.例文帳に追加

表面に凹凸のある立体サンプルにパターニングを行うに際して、サンプル内の場所に応じて部分的に、入射角度、偏光方向、露光量などの条件の最適化が可能な露光方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

A hole-making step, a titanium layer-copper layer forming step, a chemical copper plating step, a dry film forming step, a patterning step, a copper circuit forming step, a peeling step, a nickel plating step, a gold plating step and a titanium layer-copper layer removing step are successively performed.例文帳に追加

穿孔ステップと、チタン層・銅層形成ステップと、化学銅メッキステップと、ドライフィルム形成ステップと、パターニングステップと、銅回路形成ステップと、剥離ステップと、ニッケルメッキステップと、金メッキステップと、チタン層・銅層除去ステップと、順次行う。 - 特許庁

In a preferred embodiment, the method includes patterning a substrate to identify a plurality of cavity areas to be etched on the substrate and filling at least one of the cavity areas with a distinctive filler material.例文帳に追加

好適な態様において、本方法は、基板をパターニングして基板にエッチングされる複数のくぼみ領域を識別し、少なくとも１つのくぼみ領域を弁別的充填材料２０３，２０５，２０６，２０７で充填する工程を含む。 - 特許庁

In a process for performing the active patterning with respect to the Si layer 13, leg parts 13a are left in the groove h1 by allowing the Si layer 13 to be supported on the Si substrate 1 as it is even after the formation of the cavity part 25.例文帳に追加

Ｓｉ層１３に対してアクティブのパターニングを行う工程では、空洞部２５を形成した後もＳｉ層１３がＳｉ基板１上でそのまま支えられるようにその脚部１３ａを溝ｈ１内に残しておく。 - 特許庁

Furthermore, in fabricating the semitransmissive liquid crystal display, the fabricating method includes a step for forming a projecting and recessing structure without especially increasing the number of patterning steps only for the purpose of forming the projecting and recessing structure in the manufacturing process.例文帳に追加

さらに半透過型の液晶表示装置を作製するにあたり、その製造プロセス中において、凹凸構造を形成するためだけのパターニング工程を特に増やすことなく、凹凸構造を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A lens forming base plate 148 where the microlenses 506 and 507 are formed is formed, and a resist layer 43 for patterning a light shielding film composed of photosensitive material is formed on one side 103 in the thickness direction of the base plate 148.例文帳に追加

マイクロレンズ５０６，５０７が形成されるレンズ形成基板１４８を形成し、そのレンズ形成基板１４８の厚み方向他方側１０３に感光性材料からなる遮光膜パターニング用レジスト層４３を形成する。 - 特許庁

To provide a metal patterning method performing exposure, development and etching of a circuit pattern after a photocrosslinking resin layer is formed on a substrate and subjected to thinning with an organic alkaline aqueous solution which allows for uniform thinning even of a photocrosslinking resin layer where the photocrosslinking resin has a composition less susceptible to swelling with high productivity, and in-plane uniform and fine metal patterning.例文帳に追加

本発明は、基板上の光架橋性樹脂層を形成した後、有機アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、回路パターンの露光、現像、エッチング処理を行う金属パターンの作製方法において、光架橋性樹脂が現像液に対して膨潤しにくい組成の樹脂であっても光架橋性樹脂層をむらなく略均一に生産性良く薄膜化することができ、面内均一で微細な金属パターンの作製方法を提供するものである。 - 特許庁

At the time of exposing a drain electrode constituting the laminate structure of a metallic film in a lower layer and an aluminum film in an upper layer, the exposure of only a partial region is changed, a region whose resist thickness is thinner than the other region is formed, then patterning is carried out as usual.例文帳に追加

下層の金属膜と上層のアルミ膜の積層構造をなすドレイン電極の露光時に一部領域のみ露光量を変えることによりレジスト厚が他よりも薄い領域を形成した後に、通常どおりのパターニングを行う。 - 特許庁

To provide a photosensitive paste capable of ensuring excellent patterning property of lines without the effects of pattern forming conditions and even under severe developing conditions including a long developing time or the like, and to provide a baked object pattern formed by using the photosensitive paste.例文帳に追加

パターンの形成条件に影響されること無く，しかも現像時間が長いなどの厳しい現像条件であっても，優れたラインのパターニング性を確保し得る感光性ペースト、及びそれを用いて形成した焼成物パターンを提供すること。 - 特許庁

To provide an accurate and efficient method of manufacturing a resin sheet with color filter by which the position of patterning is prevented from deviating in lamination of the color filter and to provide a resin sheet with color filter.例文帳に追加

カラーフィルター付き樹脂シートの製造方法において、カラーフィルターを積層する際にパターニングの位置ずれを防止し精度よく効率的なカラーフィルター付き樹脂シートの製造方法、およびカラーフィルター付き樹脂シートを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a multiple patterning wiring substrate effectively suppressed in occurrence of warpage and penetration of water into space between insulating layers and a method of manufacturing the same, and to provide a wiring substrate suppressed in occurrence of warpage and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

反りの発生および絶縁層の層間への水分の浸入が効果的に抑制された多数個取り配線基板およびその製造方法、ならびに反りの発生が抑制された配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁