「patterning」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

This label producing method includes both a step for adding a membrane made of a material for functional surfaces onto a substrate made of a material for structure parts and a step for patterning the membrane made of the material for functional surfaces and the substrate made of the material for structure parts by electron-beam lithography or etching using a mask made of a plurality of resin particles adhered onto the membrane made of the material for functional surfaces.例文帳に追加

標識製造方法は、機能性表面用材料の薄膜を構造部用材料の基板上に付加するステップと、電子ビームリソグラフィー、又は、機能性表面用材料の薄膜上に付着した複数の樹脂粒子から成るマスクを使用するエッチングによって、前記機能性表面用材料の薄膜及び構造部用材料の基板をパターニングするステップとを含むものである。 - 特許庁

The method for forming the contact structure comprises the steps of: forming an interlayer insulating film on a semiconductor substrate; forming a contact hole by patterning the interlayer insulating film and exposing the predetermined region of the semiconductor substrate; and forming the contact spacer on the side wall of the contact hole by the use of a depositing method having a depositing direction slanted to the main surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明のコンタクト構造体の形成方法は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜をパターニングして半導体基板の所定領域を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、半導体基板の主表面に対して傾斜した蒸着方向を有する蒸着法を用いてコンタクトホールの側壁にコンタクトスペーサを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

An all-optical clock recovery system for recovering the clock from a received optical signal with a short response time and without patterning effects includes a first optical clock recovery device adapted to supply a first optical clock signal in response to the received optical signal and a second optical clock recovery device adapted to supply a second optical clock signal in response to the first optical clock signal.例文帳に追加

短い応答時間を備えかつパターニング効果のない受信された光信号からクロックを回復するための完全光クロック回復システムは、受信された光信号に応じて第１の光クロック信号を供給するように構成された第１の光クロック回復デバイス、および、第１の光クロック信号に応じて第２の光クロック信号を供給するように構成された第２の光クロック回復デバイスを含む。 - 特許庁

This photosensitive ceramic sheet processing method comprises the patterning process in which a pattern is formed on a support-provided sheet laminating a photosensitive ceramic sheet containing at least a support, a photosensitive organic component and an inorganic powder, and the peeling process in which the photosensitive ceramic sheet is peeled off from the support, and the peeling process comprises active ray irradiation or heat treatment.例文帳に追加

少なくとも支持体と、感光性有機成分と無機粉末とを含有する感光性セラミックスシートを積層した支持体付シートに、パターンを形成するパターン加工工程と、該支持体から該感光性セラミックスシートを剥離する剥離工程とを有する感光性セラミックスシートの加工方法であって、該剥離工程で、活性光線照射もしくは加熱処理することを特徴とする感光性セラミックスシートの加工方法。 - 特許庁

The method of patterning a dielectric film includes a step of forming a first dielectric film on a silicon substrate, a step of forming a second dielectric film on the first dielectric film, a step of partially exposing the first dielectric film by partially etching the second dielectric film with use of an etching paste, and a step of etching the exposed first dielectric film using an etching solution.例文帳に追加

シリコン基板上に、第１の誘電体膜を形成する工程と、該第１の誘電体膜上に、第２の誘電体膜を形成する工程と、エッチングペーストを用いて、第２の誘電体膜を部分的にエッチングすることにより、第１の誘電体膜を部分的に露出させる工程と、露出した第１の誘電体膜を、エッチング液を用いてエッチングする工程とを含む誘電体膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁

For the purpose of reducing the short-circuit defects between wirings and enhancing the yield in the manufacturing stage, the semiconductor layer is patterned utilizing the dry etching construction method, then etched by using dilute HF before a thin film is deposited in the next stage to remove the polymer generated at the time of patterning of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、ショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上を達成するために、半導体層のパタンニングをドライエッチ工法を利用して行い、エッチングした後、次の薄膜堆積前に希ＨＦにてエッチングすることによって、半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、配線間のショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上につなげる。 - 特許庁

To provide an electrode pattern forming method capable of more stably and easily separating an electrode pattern comparing with the case of using a thin wire-shaped metal mask, due to the electrode patterning depending on the shrinkage of resin, without using the metal mask of high precision or without applying a complicated lithography when forming an element like an organic EL element or a semiconductor element on a circuit board.例文帳に追加

本発明の目的は、有機ＥＬ素子、半導体素子等の基板回路上に形成する素子について、高精度なメタルマスクの使用や複雑なフォトリソグラフィを行なうことなく、樹脂の収縮に基づく電極パターニングにより細線状のメタルマスクを使用する場合よりも安定にしかも簡易に電極パターンの分離を行なうことができる電極パターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

An insulated gate field effect transistor is fabricated by forming an underlying silicide film or a gate insulation film on a substrate, forming an amorphous silicon film in contact therewith without exposing the film to the atmosphere, heat treating the amorphous silicon film to form a crystalline silicon film, and patterning the crystalline silicon film to form a semiconductor layer for forming a channel forming region.例文帳に追加

基板上の下地となる酸化珪素膜又はゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜を形成し、その酸化珪素膜を大気に曝すことなく、それに接して非晶質珪素膜を形成し、その非晶質珪素膜を熱処理し、結晶性珪素膜を形成し、その結晶性珪素膜をパターニングし、チャネル形成領域が形成される半導体層を形成して、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを作製する。 - 特許庁

This method includes the steps of forming a film 2 on a semiconductor substrate 1 and forming an interlayer insulating film 3 thereon, subjecting the film 3 through photolithography to a patterning process to form a hole 4, subjecting the film 3 to wet etching process with use of an etchant having a etching rate larger than that of the film 2 to the film 3, and observing the hole 4 from an open side thereof.例文帳に追加

半導体基板１上に膜２を形成し膜２の上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜３をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてホール４を形成する工程と、層間絶縁膜３に対する膜２のエッチング速度の比が大きいエッチング液を使用して層間絶縁膜３をウェットエッチングする工程と、ホール４を開口側から観察する工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process for forming a seed metal layer 20a on a support substrate 70, a process for forming a wiring layer 10 comprising wiring 18 on the seed metal layer 20a, a process for removing the support substrate 70 after the wiring layer 10 is formed, and a process for patterning the seed metal layer 20a after the support substrate is removed so as to make wiring 20.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る製造方法は、支持基板７０上にシードメタル層２０ａを形成する工程と、シードメタル層２０ａ上に配線１８を含む配線層１０を形成する工程と、配線層１０を形成した後に支持基板７０を除去する工程と、支持基板を除去した後にシードメタル層２０ａをパターニングして配線２０とする工程と、を含んでいる。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL element consisting of a first electrode patterned on a substrate, an organic layer containing an organic light-emitting layer arranged on the first electrode, and a second electrode arranged on the organic layer, includes a process in which the first electrode is formed by patterning with the use of printing of resist liquid or etchant liquid.例文帳に追加

基板上にパターニング配設された第一電極、該第一電極上に配設された有機発光層を含む有機層および該有機層上に配設された第二電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法において、前記第一電極は、レジスト液またはエッチャント液の印刷を用いたパターニングにより形成されて工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。 - 特許庁

A method for manufacturing the capacitor of the semiconductor element comprises a step of vapor depositing a Ta metal film 28 on a semiconductor substrate 20, a step of crystallizing the Ta metal film 28, a step of forming a lower electrode 30 by patterning a prescribed part of the film 28, a step of forming the TaON film on the electrode 30, a step of forming an upper electrode 34 on the TaON film 32.例文帳に追加

半導体基板20上にＴａ金属膜を蒸着するステップと、Ｔａ金属膜28を結晶化するステップと、Ｔａ金属膜28の所定部分をパターニングして、下部電極30を形成するステップと、下部電極30上にＴａＯＮ膜を形成するステップと、ＴａＯＮ膜32上に上部電極34を形成するステップとを含む半導体素子のキャパシタの製造方法及びこれにより製造される半導体素子のキャパシタ。 - 特許庁

Degradation of a transfer layer 153 can be prevented by using laser beams 240 of high intensity generated from the laser generator 211 for patterning, and advantageously, transfer can be excellently performed without occurrence of any edge open failure even in a portion having a step of an acceptor substrate 160 by preheating the portion with laser beams 245 generated from the laser generator 212 for preheating.例文帳に追加

パターニング用レーザ発生器２１１から発生する高強度のレーザビーム２４０を利用することによって，転写層１５３が劣化するのを防止することができると同時に，予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５で予熱することによって，アクセプタ基板１６０の段差が存在する部分でもエッジオープン不良が発生することなく，転写を良好に行うことができるという利点がある。 - 特許庁

In the direct patterning waterless planographic printing plate precursor obtained by disposing at least a photosensitive layer and a silicone rubber layer in this order on a support, the silicone rubber layer is obtained by curing reaction of a vinyl-containing polysiloxane having 0.01-0.15 wt.% concentration of vinyl groups and a silicon compound having 0.7-2.0 wt.% concentration of hydrogen atoms bonding to silicon atoms.例文帳に追加

支持体上に少なくとも感光層、シリコーンゴム層をこの順序で設けた直描型水なし平版印刷版において、該シリコーンゴム層が、ビニル基濃度０．０１〜０．１５重量％のビニル基含有ポリシロキサンとケイ素原子結合水素原子の濃度が０．７〜２．０重量％であるケイ素化合物とを硬化反応させて得られるものであることを特徴とする直描型水なし平版印刷版原版。 - 特許庁

The method is a thermolysis mutual fusion method for heat decomposable particles for heating the heat decomposable particles selectively, by performing on various kinds of boards surface application or circuit patterning of particles having a heat decomposable property and capable of absorbing high frequency electromagnetic waves, and subsequently performing high frequency electromagnetic irradiation, and relates to electronic mounted components such as conductive materials, conducting paths, bumps, pads, vias, etc. formed by the method.例文帳に追加

熱分解性を有し且つ高周波電磁波を吸収する粒子を、各種基板上に表面塗布又は回路パターンニングを行った後に、高周波電磁波照射を行うことで、熱分解性粒子を選択的に加熱する熱分解性粒子の加熱分解相互融着方法とこの方法を用いて形成した導電材、導電路、アンテナ、バンプ、パッド、ビア等の電子実装部品である。 - 特許庁

The method for manufacturing an integrated photovoltaic device including a substrate 11 and the electrode layer formed on the substrate 11, includes at least a patterning step of removing and separating a portion of the electrode layer formed on the substrate 11 by a laser beam 41 emitted through a light-permeable window 30 from the outside of a vacuum chamber (vacuum tank) 10 having the light-permeable window 30.例文帳に追加

基板１１と基板１１上に成膜された電極層とを有する集積型光発電素子の製造方法であって、光透過窓３０を備えた真空チャンバー（真空槽）１０の外部から光透過窓３０を通して照射されたレーザ光４１により、基板１１上に成膜された電極層の一部を除去し且つ分離するパターニング工程を、少なくとも有することを特徴とする。 - 特許庁

By the manufacturing method of the gallium nitride single crystal substrate, the occurrence of cracks due to lattice mismatching and a difference between coefficients of thermal expansion is made minimum, and the good quality GaN-based single crystal substrate even having a size of ≥2 in can be manufactured by forming the grooves and patterning the substrate so that the growth substrate can be divided, before the laser irradiation step for separating the growth substrate.例文帳に追加

本発明の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法によると、成長用基板の分離のためのレーザー照射段階前に前記成長用基板が分割されるよう溝を形成してパターニングすることにより、２インチ以上の大きい窒化ガリウム単結晶基板を製造する場合にも格子不整合と熱膨張係数によるクラックを最少化し良質のＧａＮ系の単結晶基板を製造することができる。 - 特許庁

With the anode base material made by forming a metal film on a support body equipped with an organic film, the anode base material forming the organic film from a photoresist film, or the anode base material patterning the photoresist film in a given shape by pattern exposure, a battery can be provided having high output voltage and energy density as well as excellent charge/discharge cycle characteristics.例文帳に追加

有機膜を備えた支持体に金属膜を形成してなることを特徴とする負極基材、前記有機膜をホトレジスト膜により形成したことを特徴とする負極基材、又はこのホトレジスト膜をパターン露光により所定形状にパターン化したことを特徴とする負極基材によれば、高い出力電圧と高いエネルギー密度を有し、且つ充放電サイクル特性に優れた電池を提供できる。 - 特許庁

In the anodizing process, the cathode 25 is arranged opposite to the other surface side of the semiconductor substrate 10 and a mask for patterning is designed so as to form a light intensity distribution in accordance with a desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and is arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp and the other surface of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

陽極酸化工程において半導体基板１０の上記他表面側に対向配置される陰極２５が、半導体基板１０の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源３０と半導体基板１０の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。 - 特許庁

A lithographic apparatus comprises: an illumination system configured to condition a radiation beam; a support formed to support a patterning device formed to impart a cross-sectional pattern to the radiation beam to form a patterned radiation beam; a substrate table formed to hold a substrate; and a projection system configured to project the patterned radiation beam onto an elongate target portion of the substrate.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、パターン化された放射ビームを形成するべく放射ビームに断面パターンを付与するように構築されたパターニング・デバイスを支持するように構築されたサポートと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン化された放射ビームを基板の細長い目標部分に投射するようになされた投影システムとを備えている。 - 特許庁

A lithographic apparatus comprises: an illumination system configured to condition a radiation beam; a support formed to support a patterning device (formed to impart a cross-sectional pattern to the radiation beam to form a patterned radiation beam); a substrate table formed to hold a substrate; and a projection system configured to project the patterned radiation beam onto a target portion of the substrate.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、パターニング・デバイス（パターン化された放射ビームを形成するべく放射ビームに断面パターンを付与するように構築されている）を支持するように構築されたサポートと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するようになされた投影システムとを備えている。 - 特許庁

The photo development equipment includes a developing solution supplier for supplying a negative development solution; and a first photo apparatus to form a positive photoresist pattern, by using a positive photoresist containing a novolac resin as a base and containing an acrylic resin with the above negative development solution, wherein the photoresist pattern is necessary for forming a black matrix by patterning a light-shielding metal layer formed on a substrate.例文帳に追加

本発明によるフォト装備は、ネガティブ現像液を供給する現像液供給部と、基板上に形成された光遮断金属層をパターニングして、ブラックマトリクスを形成する際に必要であるポジティブフォトレジストパターンを、ノボラック系の樹脂を基本として、アクリル系の樹脂を含むポジティブフォトレジストと前記ネガティブ現像液とを利用して形成する第１フォト装備を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the line patterning method, functional liquid X is ejected from each ejecting position of lyophilic part H1 displaced in the width direction from the center A in the width direction of each lyophilic part H1 so that the functional liquid X temporarily overflowing from adjacent lyophilic parts H1 do not touch each other thus arranging the functional liquid simultaneously at the plurality of lyophilic parts H1.例文帳に追加

線パターンの形成方法であって、隣合う親液部Ｈ１から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各親液部Ｈ１の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々の親液部Ｈ１の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記親液部Ｈ１に同時に機能液を配置させる。 - 特許庁

This lithography system projects a patterned radiation beam on the target of a substrate containing a radiation photosensitive layer by a radiation source, a patterning structure and a projection system is provided with a gas flashing system for supplying air from a region between the projection system and the substrate in order to remove gas spread from the target section while the target section is exposed by the patterned radiation beam.例文帳に追加

放射線源、パターニング構造、投影システムによって放射線感光層を含む基板の標的部分上にパターン化放射線ビームを投影するリソグラフィシステムにおいて、投影システムと基板の間の領域から空気を供給することによって、標的部分をパターン化放射ビームで露光する間に標的部分から発散するガスを除去するためのガス・フラッシング・システムを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacture method of the microstructure, which applies a photosensitive material on a substrate having an electrode for plating, forms a linear pattern of the exposed electrode on the substrate by patterning with exposure light, fill metal on the pattern with plating, to form the microstructure, comprises forming the linear pattern so that an intersecting angle of the linear pattern may exceed 90 degrees.例文帳に追加

メッキ用電極を備えた基板上に感光性材料を設け、露光光を用いてパターニングすることで、前記メッキ用電極を前記基板上に露出させて形成された線状パターン上に、金属をメッキによって充填し、マイクロ構造体を形成するようにしたマイクロ構造体の作製方法において、前記線状パターンを形成するに際して、該線状パターンの交差する角度を９０度を超えるように構成する。 - 特許庁

To provide a distributed density mask for forming a microlens comprising an array of unit lenses having a rectangular feature in a plan view by a photolithographic step of applying a photosensitive resist on a substrate, exposing the photosensitive resist for patterning by use of a distributed density mask and developing, and to provide a distributed density mask for forming a microlens having improved condensing property of the rectangular lenses and efficiently irradiating a photodetector.例文帳に追加

基板上に感光性レジストを塗布し濃度分布マスクを用いて感光性レジストにパターン露光、現像するフォトリソ工程により、平面視略矩形状の単位のレンズをアレイ状に配置したマイクロレンズを形成するための濃度分布マスクにおいて、矩形状レンズの集光性を向上し、受光素子に効率よく照射するマイクロレンズを形成するための濃度分布マスクを提供する。 - 特許庁

The method for producing the device for releasing molecules comprises the step of providing a substrate, the step of accumulating an insulation material on the substrate followed by patterning for the purpose of using as an etching mask, the step of etching a plurality of reservoirs in the substrate, the step of filling a releasing system and a capping material in the reservoirs, and the step of etching the releasing system and the capping material.例文帳に追加

分子の放出のためのデバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；エッチマスクとして使用するために、基板上に絶縁性材料を堆積させ、そしてパターニングする工程；基板中に複数のリザーバをエッチングする工程；リザーバに放出システムおよびキャップ材料を充填する工程；および放出システムおよびキャップ材料をエッチングする工程を包含する、方法。 - 特許庁

This birefringence authentication device includes a light source, a polarizer, a sample stand and a photoreception part, and has a layer including a plurality of areas different in birefringences, in a sample stand side of the polarizer, and the article authentication system includes an article arranged on the sample stand, having a birefringence pattern of visualizing a latent image in the photoreception part, and having a patterning optical anisotropic layer on a support body.例文帳に追加

光源、偏光子、試料台、および受光部を含み、該偏光子の試料台側に複屈折性が異なる領域を複数含む層を有する複屈折パターン認証装置、ならびに前記試料台に配置され前記受光部において潜像を可視化する複屈折パターンを有する物品であって支持体上にパターニング光学異方性層を有する物品を含む物品認証システム。 - 特許庁

The direct patterning original plate has at least a heat sensitive layer and a silicone rubber layer on a substrate and the silicone rubber layer has a silicone resin and contains a high molecular weight polydimethylsiloxane having a weight average molecular weight of ≥300,000 and a polydimethylsiloxane having a weight average molecular weight of ≤150,000.例文帳に追加

基板上に、少なくとも感熱層、シリコーンゴム層を有する直描型水なし平版印刷版原版であって、前記シリコーンゴム層がシリコーンレジンを有し、かつ前記シリコーンゴム層が重量平均分子量３０万以上の分子量を有する高分子量ポリジメチルシロキサンと１５万以下の重量平均分子量を有するポリジメチルシロキサンとを含むことを特徴とする直描型水なし平版印刷版原版。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a wiring substrate used therein equipped with a structure which can maintain good connection reliability by preventing the direct contact of an electrode post of an electronic component and the land of the wiring substrate when in solder reflowing, even if a solder bump formed on the land of the wiring substrate becomes small accompanying the fine pitch patterning of electronic components of semiconductor chips etc. mounted on the wiring substrate.例文帳に追加

配線基板に搭載する半導体チップ等の電子部品のファインピッチ化に伴い、配線基板のランド上に形成されるはんだバンプが小さくなっても、はんだリフロー時に電子部品の電極ポストと配線基板のランドとの直接接触の発生を防止して、良好な接続信頼性を維持できる構造を備えた半導体装置およびそれに用いる配線基板を提供する。 - 特許庁

The forming method of the contact holes and the manufacturing methods of the semiconductor device, EL display and liquid crystal display each dispense with the patterning by the resist as in the prior art since the island organic film is selectively formed above the semiconductor layer, conductive layer or insulating layer and the contact holes are provided by forming an insulating film around the island organic film, thereby realizing improvement of the throughput and reduction of the cost.例文帳に追加

本発明に係るコンタクトホールの形成方法、並びに半導体装置、ＥＬ表示装置及び液晶表示装置の作製方法は、半導体層、導電層又は絶縁層の上方に島状の有機膜を選択的に形成し、前記島状の有機膜の周囲に絶縁膜を形成することによりコンタクトホールを設けるため、従来のようなレジストによるパターニングが不要となり、スループットの向上、コストの削減を図ることができる。 - 特許庁

To solve the problems on a technique for improving the original performance of microphotofabrication using far ultraviolet light, EUV, electron beam or the like, particularly ArF excimer laser light; to provide an excellent actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which in patterning by liquid immersion exposure as well as by normal exposure, suppresses development defects, can reduce line edge roughness, and ensures a wide exposure latitude; and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

遠紫外光、ＥＵＶ、電子線等、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、通常露光さらには液浸露光によるパターニングにおいても、現像欠陥が抑制されるとともに、ラインエッジラフネスを抑制でき、さらには露光ラチチュードが広く、優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the inkjet head includes processes for preparing a head body provided with a vibrating plate at the upper part; coating the upper face of the vibrating plate with a lower electrode; patterning a resist so that an open region is formed on the upper side of the vibrating plate; filling a piezoelectric body in the open region; coating the upper face of the piezoelectric body selectively with an upper electrode; and eliminating the resist.例文帳に追加

本発明に係るインクジェットヘッドの製造方法は、上部に振動板が設けられたヘッドボディを用意する工程と、振動板の上面に下部電極をコーティングする工程と、振動板の上側に開放領域が形成されるようにレジストをパターニングする工程と、開放領域内に圧電体を充填する工程と、圧電体の上面に上部電極を選択的にコーティングする工程と、レジストを除去する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The patterning method of a wafer W includes a step for forming an L&S pattern 54A including multiple line patterns 40A on the surface of the wafer W, and a step for forming an L&S 56A including multiple linear resist patterns 42NA arranged between the multiple line patterns 40A on the surface of the wafer W so that the line widths of the line patterns 40A and the resist patterns 42NA have a negative correlation.例文帳に追加

ウエハＷにパターンを形成するパターン形成方法において、ウエハＷの表面に複数のラインパターン４０Ａを含むＬ＆Ｓパターン５４Ａを形成することと、ウエハＷの表面の複数のラインパターン４０Ａの間に配置される複数のライン状のレジストパターン４２ＮＡを含むＬ＆Ｓパターン５６Ａを、ラインパターン４０Ａの線幅とレジストパターン４２ＮＡの線幅とが負の相関を持つように形成することと、を含む。 - 特許庁

A method for manufacturing semiconductor includes a step for forming a substrate, a step for sticking a polysilicon layer on the substrate, a step for sticking the photoresist layer on the polysilicon layer, a step for patterning the photoresist layer, a step for sticking an inorganic material layer which is conformable and not photosensitive on the patterned photoresist layer, and a step for etching anisotropically the inorganic material layer and a semiconductor material layer.例文帳に追加

基板を形成するステップと、前記基板上にポリシリコン層を被着させるステップと、前記ポリシリコン層上にフォトレジスト層を被着させるステップと、前記フォトレジスト層をパターン形成するステップと、前記パターン形成したフォトレジスト層上に共形かつ非感光性の無機材料層を被着させるステップと、前記無機材料層および半導体材料層に異方性エッチングを施すステップとを含むことを特徴とする半導体製造方法である。 - 特許庁

In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

The manufacturing method of a surface elastic wave device 12 has a step of measuring a specific resistance value of an aluminum electrode film 34 formed on a piezoelectric substrate 28, and evaluating whether the aluminum composing the aluminum electrode film 34 is single crystal; and a step of patterning the aluminum electrode film 34 evaluated as single crystal by the measuring of the specific resistance value, and forming a comb electrode 32.例文帳に追加

本発明に係る表面弾性波素子１２の製造方法は、圧電性基板２８上に形成されたアルミニウム電極膜３４の比抵抗値を測定して、このアルミニウム電極膜３４を構成するアルミニウムが単結晶であるか否かを評価するステップと、比抵抗値の測定によって単結晶であると評価されたアルミニウム電極膜３４をパターニングして、櫛形電極３２を形成するステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This preparation consists of a step forming a semiconductor layer comprising a laminated structure of a-Si film 5 and n+ a-Si film 6, a step forming ITO film 7 as a transparent pixel electrode at a separated position from the semiconductor layer, a step forming an SiNx protective film 10 in whole area and an etching step patterning so as to separate this protective film from the transparent pixel electrode.例文帳に追加

ガラス基板１の上にａ−Ｓｉ膜５およびｎ^+ ａ−Ｓｉ膜６の積層構造からなる半導体層を形成する工程と、半導体層と離れた位置に透明画素電極となるＩＴＯ膜７を形成する工程と、全体にＳｉＮｘ保護膜１０を形成する工程と、この保護膜を、透明画素電極と離れるようにパターンニングするエッチング工程と、により液晶表示装置用のアレイ基板を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method of the pattern forming body has a plasma irradiation process in which a patterning substrate having: a base material; an intermediate layer formed on the substrate and including a silane coupling agent or a polymer of the silane coupling agent ; and the resin layer formed in a pattern shape on the intermediate layer, is irradiated with plasma from the side of a resin layer by using fluorine gas as an introduction gas.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、シランカップリング剤または前記シランカップリング剤の重合体を含有する中間層と、前記中間層上にパターン状に形成された樹脂層とを有するパターニング用基板に、前記樹脂層側からフッ素ガスを導入ガスとしてプラズマ照射するプラズマ照射工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for fabricating a probe tip for use in the scanning probe microscope includes steps of forming a triangular prism formed with protective films on both sidewalls by patterning a (111) general silicon wafer; etching the silicon wafer to make the triangular prism into a probe tip of triangular pyramid shape; and removing the protective films.例文帳に追加

本発明は、走査探針顕微鏡（ＳＰＭ：Ｓｃａｎｎｉｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）に用いられる探針ティップを製造する方法において、（１１１）一般シリコンウェーハをパターニングし、両側壁に保護膜が形成されている三角柱を形成する段階と、前記シリコンウェーハをエッチングし、前記三角柱を三角錐状の探針ティップに形成する段階と、前記保護膜を取り除く段階と、を含む探針ティップの製造方法を提供する。 - 特許庁

For the manufacturing method of the organic EL display element comprising a positive electrode, a negative electrode and at least one layer of patterned organic layer laid between those electrodes, the organic layer is flattened and a patterning error is corrected after forming the patterned organic layer by coating a solvent capable of dissolving the organic layer on the organic layer by spray coating and redissolving the organic layer.例文帳に追加

陽極と陰極とを有し、これらの電極の間に挟まれた少なくとも１層の有機層を有し、かつこの有機層がパターニングされている有機ＥＬ表示素子の製造方法であって、パターニングされている有機層を形成した後、前記有機層が可溶な溶媒を、前記有機層にスプレーコーティングにより塗布し、前記有機層を再溶解させて、前記有機層の平坦化およびパターニングエラーの補正を行う有機ＥＬ表示素子の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a ferroelectric memory element includes the stages of: forming a first electrode 31a on a substrate; forming a ferroelectric film 32a on the first electrode 31a; forming a second electrode 33a on the ferroelectric film 32a; crystallizing the ferroelectric film 32a; and patterning the first electrode 31a, ferroelectric film 32a and second electrode 33a.例文帳に追加

本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に第１電極３１ａを形成する工程と、第１電極３１ａ上に強誘電体膜３２ａを形成する工程と、強誘電体膜３２ａ上に第２電極３３ａを形成する工程と、強誘電体膜３２ａを結晶化させる工程と、第１電極３１ａと強誘電体膜３２ａと第２電極３３ａとをパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer film which has very excellent dry etching resistance, highly prevents twisting during substrate etching, and avoids a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, a method for forming the resist underlayer film, a patterning method, and a fullerene derivative.例文帳に追加

リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method including a step of evaporating a transparent electrode 11 on a transparent substrate 10; a step of forming a resistance layer 12 on the transparent electrode 11 by laminating UV-transmitting resistance materials 12; a step of forming an emitter layer 13 on the resistance materials 12 by laminating carbon nanotube; and a step of patterning the emitter layer 13 by a prescribed emitter pattern.例文帳に追加

透明基板１０上に透明電極１１を蒸着するステップと、透明電極１１上に、ＵＶ透過性抵抗性物質を積層して抵抗層１２を形成するステップと、ＵＶ透過性抵抗性物質１２上に炭素ナノチューブを積層してエミッタ層１３を形成するステップと、エミッタ層１３を所定のエミッタパターンによってパターニングするステップとを含むことを特徴とする電界放出素子用エミッタの製造方法である。 - 特許庁