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patterningを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 3921



例文

The semiconductor device is manufactured by means of steps of patterning the conductor layer 3, depositing a coating material 4 gently along the pattern change of the conductor layer 3, and transferring the profile of the coating material 4 by an etch-back step to make the corner parts of the conductor layer 3 into a round shape or an approximately straight-line shape.例文帳に追加

また、導電体層3をパターニングする工程と、導電体層3の形状変化に緩やかに追従しながら形状変化する被覆材4を被覆形成する工程と、被覆材4の形状をエッチバックにより導電体層3に転写して、導電体層3のコーナー部をラウンド形状又は略直線形状とする工程とを有して、上記半導体装置を製造する。 - 特許庁

The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a resist 6 containing a thermally crosslinking material on the surface of a semiconductor substrate 5, a step for pressing a mold 1 provided with a pattern 4 against the resist 6, a step for heating the resist 6 while pressing the mold 1 against the resist 6, and a step for patterning the resist 6 by removing it.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板5の表面上に、加熱により架橋する材料を含むレジスト6を形成する工程と、パターン4の形成されたモールド1をレジスト6に押し付ける工程と、モールド1をレジスト6に押し付けた状態で、レジスト6を加熱する工程と、レジスト6を除去することにより、レジスト6をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁

The alignment pattern used for patterning wiring of an aluminum film 15 comprises a planar shape of an inclining face formed between the upper edge of an alignment hole 12 opened in a BPSG film 20 on a silicon substrate 18, and the surface of a tungsten plug 14 filling the alignment hole 12 wherein the alignment hole 12 is formed deeper than the thickness of the BPSG film 20.例文帳に追加

シリコン基板18上のBPSG膜20に開けられた目合わせ用ホール12の上端エッジと、目合わせ用ホール12に埋設されたタングステンプラグ14表面との間に形成される傾斜面の平面形状からなり、アルミニウム膜15の配線パターニングに用いられる目合わせパターンであって、目合わせ用ホール12の深さを、BPSG膜20の膜厚より深く形成した。 - 特許庁

A growth source region 2, a target region 3 provided away from it, an amorphous silicon path 4, which made of one bent part 4a, connects the growth source region 2 to the target region 3, and a peripheral amorphous silicon region 5 which encloses the growth source region 2, amorphous silicon path 4, and target region 3, are formed by patterning an amorphous silicon film.例文帳に追加

成長源領域2と、成長源領域2に対して隔離されたターゲット領域3と、成長源領域2とターゲット領域3とを繋ぎ、1つの屈曲部4aを有する非晶質珪素経路4と、成長源領域2、非晶質珪素経路4およびターゲット領域3取り囲む周囲非晶質珪素領域5とを、非晶質珪素膜をパターニングして形成する。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing a color filter substrate by simply correcting a black matrix exposure pattern, fabricating an exposure mask and forming a black matrix in a black matrix forming process in which a series of patterning treatments such as pattern exposure with a proximity exposure method on a black photosensitive resin layer on a transparent substrate, a development treatment and so on are conducted.例文帳に追加

透明基板上の黒色感光性樹脂層に近接露光法(プロキシミティー)にてパターン露光し、現像処理等の一連のパターニング処理を行ってブラックマトリクスを形成する工程において、簡易的にブラックマトリクス露光パターンのパターン補正を行って露光マスクを作製してブラックマトリクスを形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁


例文

The method comprises the steps of: forming a silicon (Si) substrate; forming a silicon oxide film located on the substrate; forming a lower electrode, to which patterning has been conducted and which is located on the silicon oxide film; letting a PGO film located on the lower electrode be selectively deposited; annealing; and forming an upper electrode located on the PGO film.例文帳に追加

本発明の方法は、シリコン(Si)基板を形成する工程と、この基板の上に位置するシリコン酸化膜を形成する工程と、シリコン酸化膜の上に位置するパターニングされた下部電極を形成する工程と、下部電極の上に位置するPGO膜を選択堆積させる工程と、アニールする工程と、PGO膜の上に位置する上部電極を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

The method of lithography patterning includes: forming a first resist pattern including a plurality of openings, on a substrate 110; forming a second resist pattern including at least one opening between the plurality of openings of the first resist pattern; and removing the first resist pattern to expose a part of the substrate 110 covered by the first resist pattern.例文帳に追加

リソグラフィパターンの形成方法は、複数の開口を含む第1のレジストパターンを基板110上に形成する工程と、第1のレジストパターンの複数の開口の間に、少なくとも1つの開口を含む第2のレジストパターンを形成する工程と、第1のレジストパターンを除去し、第1のレジストパターンで覆われている基板110の一部を露出させる工程と、を含む。 - 特許庁

The method of lithography patterning includes: a step of forming a first photoresist layer having at least one opening on a substrate; a step of curing the first photoresist layer; a step of forming a second photoresist layer on the substrate; a step of forming a material layer on the substrate; and a step of removing the first and second photoresist layers to expose the substrate.例文帳に追加

リソグラフィによるパターンニング方法であって、少なくとも一つの開口部を有する第1のフォトレジスト層を基板上に形成する工程と、第1のフォトレジスト層を硬化させる工程と、第2のフォトレジスト層を基板上に形成する工程と、マテリアル層を基板上に形成する工程と、第1および第2のフォトレジスト層を除去して基板を露出させる工程と、を含む。 - 特許庁

To remove residues after patterning an electrode film on one principal surface side of a wafer without affecting the other principal surface side even if a curvature is generated on the wafer in a method of manufacturing an insulation gate type semiconductor device that includes a step of forming an Al-based alloy electrode film on the one principal surface of a thin wafer of 200 μm.例文帳に追加

200μm以下の薄いウエハの一方の主面にAl系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

例文

The manufacturing method of the micro mirror actuator is characterized by including a step for etching a trench corresponding area on a substrate, a step for laminating the film shaped organic film on the substrate so as to maintain a hollow state of the trench corresponding area, and a step for eliminating the film shaped organic film after depositing and patterning a metal film on the film shaped organic film.例文帳に追加

マイクロミラーアクチュエータの製造方法は、基板上にトレンチ対応領域をエッチングする段階と、前記トレンチ対応領域が中空状態を保つように基板上にフィルム状有機膜をラミネーションする段階と、前記フィルム状有機膜上に金属膜を蒸着してパターニングした後、前記フィルム状有機膜を除去する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

To provide a new half mirror material formed by using a mirror ink; to provide a half mirror material suitable for easy small-lot production of patterning of a half mirror part by using normal printing operation to advantageously form the half mirror part without requiring large size equipment; and to provide a method for simply and easily manufacturing the half mirror material.例文帳に追加

ミラーインキを用いて形成される新規なハーフミラー材料を提供すること、また、大型の設備を要することなく、通常の印刷操作を利用してハーフミラー部位が有利に形成され、且つ、そのようなハーフミラー部位のパターニングの容易な小ロッド生産に適したハーフミラー材料を提供すること、更に、そのようなハーフミラー材料を簡便に且つ容易に製造し得る方法を提供すること。 - 特許庁

In patterning the barrier material layer through a masking layer by sandblast process, the pattern in the vicinity of the end portion A in the masking layer 3 is made so that the masking layer 3 having an extended portion is put adjacent to the masking layer 3 having no extended portion and that the extended portion of that adjoining masking layer 3 is positioned on the extension line of the masking layer 3 having no extended portion.例文帳に追加

マスキング層を介してのサンドブラスト加工により障壁材料層をパターニングするに際し、マスキング層3における端部A付近のパターンを、延長部分の有るマスキング層3と延長部分のないマスキング層3とが隣合わせとなり、しかも延長部分のないマスキング層3の延長線上に隣のマスキング層3の延長部分が位置するパターンとする。 - 特許庁

The disclosed method includes the steps of: providing a substrate; coating the substrate with an organic material layer through patterning; baking the substrate and the organic material layer; forming a metal thin film over the substrate and the organic material layer; and removing the organic material layer and the metal thin film over the organic material layer and forming a thin film antenna from the substrate and the metal thin film over the substrate.例文帳に追加

基板を提供する工程と、パターンによって有機材料層を基板に塗布する工程と、基板と有機材料層をベークする工程と、金属薄膜を基板と有機材料層に形成する工程と、有機材料層と有機材料層にある前記金属薄膜を除去し、基板と基板の上にある金属薄膜で薄膜アンテナを形成する工程を含む。 - 特許庁

In the manufacturing method of the thin film transistor comprising the process of patterning at least one element of the thin film transistor (TFT) on an intermediate transfer medium and the process of transferring the at least one patterned element onto a long-length support body, the manufacturing method of the thin film transistor has the process of executing heating treatment to the at least one patterned element.例文帳に追加

薄膜トランジスタ(TFT)の少なくとも一つの要素を中間転写媒体上にパターニングする工程、該パターニングされた少なくとも一つの要素を、長尺支持体上に転写する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、 前記パターニングされた少なくとも一つの要素に、加熱処理を行う工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern by which ArF (argon fluoride) excimer laser light can be used as exposure light upon patterning, a resist pattern can be stably made thick to a desired thickness without depending on the size, and a fine resist cut-out pattern can be inexpensively, easily and efficiently formed over the exposure limit (resolution limit) of a light source of an exposure device.例文帳に追加

パターニング時に露光光としてArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンをそのサイズに依存することなく、所望の厚みに安定的に厚肉化することができ、露光装置の光源における露光限界(解像限界)を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法等の提供。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.例文帳に追加

第1基板100上に画素電極用電極層120aを形成する工程と、画素電極用電極層120a上に所定の配向膜パターン500を形成する工程と、配向膜パターン500をマスクにして画素電極用電極層120aをパターニングし、画素電極パターン120を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁

The method includes: a step of manufacturing first and second photosensitive layers 52a and 52b laminated at both ends of a laminate 50 having a base material film 32, first and second conductive layers 40 and 45 laminated at both the ends of the base material film, and a light shielding layer laminated on the conductive layers; and a step of etching and patterning the light shielding layer and the conductive layers.例文帳に追加

製造方法は、基材フィルム32と、基材フィルムの両側に積層された第1および第2の導電層40,45と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体50の両側に積層された第1および第2の感光層52a,52bを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates.例文帳に追加

基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 - 特許庁

Also, the patterning roller is characterized in that, the height of the washer-like projecting row is made higher than the height of the circular arc projection, and the number of washer-like projecting rows is three or more and the mutually adjacent circular-arc projections formed at different grooves are formed circumferentially at different angular positions on the cylindrical base surface.例文帳に追加

また、座金状凸条の高さが円弧状突起の高さに比べ高くすること、円弧状突起の円周方向片端ないし両端の突起高さを他の部分に比べ高くしたこと、座金状凸条が3本以上であり、異なる溝に形成した隣接する円弧状突起が円柱状基面の円周方向において、異なる角度位置に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a low-cost Ag alloy film and an Ag alloy reflecting film which have a fixed value as a reflection factor within a visible light range while keeping a high reflection factor and has heat resistance and corrosion resistance and have adhesion to a substrate and a patterning capability improved and to provide a flat panel display device having the Ag alloy film and a sputtering target material for Ag alloy film formation.例文帳に追加

高反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、耐熱性、耐食性を兼ね備え、基板への密着性とパタニング性を改善した低コストなAg合金膜およびAg合金系反射膜、ならびにそのAg合金膜を有する平面表示装置およびAg合金膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

The nozzle portion 11 of the silicone substrate 1 is manufactured by coating a polyimide precursor 101a on the portion to be the nozzle portion 11 of a silicone base material 100, forming a polyimide mask 101b for the formation of the nozzle portion by patterning the polyimide precursor 101a into a desired shape, and applying etching on the portion to be the nozzle portion 11 of the silicone base material 100 using the polyimide mask 101b.例文帳に追加

シリコン基板1のノズル部11は、シリコン基材100のノズル部11となる部分にポリイミド前駆体101aを塗布し、このポリイミド前駆体101aを所望の形状にパターニングしてノズル部形成用のポリイミドマスク101bを形成し、このポリイミドマスク101bを用いてシリコン基材100のノズル部11となる部分をエッチングして製造する。 - 特許庁

The exposure phase includes fast switching for the conditioning of the radiation beam to a second beam condition, with the second beam condition which is different from the first beam condition, forming the patterned radiation beam by imparting the radiation beam with the second beam condition with a second pattern in its cross-section, with the second pattern being provided by a patterning device, and projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate.例文帳に追加

露光段階は、放射ビームを、第1のビーム条件とは異なる第2のビーム条件に調整する高速切替えステップと、第2のビーム条件を含む放射ビームに、その断面のパターニングデバイスが提供した第2のパターンを付与することによりパターン形成された放射ビームを形成するステップと、基板のターゲット部分上にパターン形成されたビームを投影するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter substrate in which a plurality of color filters are formed through patterning processes, such as pattern exposure and development by use of an exposure mask having a transflective region formed at an end of a transmissive region so as to reduce an overlapped step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a, and to provide the color filter substrate.例文帳に追加

ブラックマトリクス21a上に形成される着色フィルタのオーバーラップ(重なり)段差を減少させるために、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a substrate having a through hole 11 in a region different from the through hole 11, wherein etching is carried out after forming resist 72 on the substrate over the opening of the through hole 11 and then patterning the resist by exposure.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、貫通孔11を有した基板に対し、該貫通孔11とは異なる領域においてエッチングを行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、基板に対し、貫通孔11の開口面に跨る形にてレジスト72を形成し、該レジスト72を露光によりパターニングした後に、エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

In a semiconductor distortion multi-layer structure substrate having at least one sacrificial layer 6 and at least one distortion layer 7 having different lattice constants laminated therein, the beam or chip is formed by patterning the sacrificial layer 6 and the distortion layer 7 by photolithography, and etching-removing the sacrificial layer 6 by selective etching, resulting in the displacement of the remaining distortion layer 6.例文帳に追加

互いに格子定数の異なる犠牲層6と歪層7とが少なくとも1層ずつ積層されてなる半導体歪多層構造基板において、犠牲層6と歪層7とがフォトリソ技術によってパターニングされるとともに、犠牲層6が選択的エッチングによりエッチング除去され、残存する歪層6が変位することによりビームまたはチップが形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the patterned polyimide precursur film comprises subjecting the photoresist film on a polyimide pattern to a heat treatment for 30 seconds to 30 minutes at a temperature ranging from 40 to 100°C within 30 minutes, before a process of peeling the photoresist film with a peeling liquid after patterning the polyimide precursur film formed on a semiconductor wafer, having a difference in level of ≥2 microns with the photoresist.例文帳に追加

2ミクロン以上の段差を有する半導体ウエハ上に形成されたポリイミド前駆体被膜をフォトレジストでパターン加工した後、ポリイミドパターン上のフォトレジスト被膜を剥離液で剥離する工程の前60分以内に、40〜100℃の範囲の温度で30秒〜30分間の加熱処理を施すことを特徴とするパターン化されたポリイミド前駆体被膜の製造方法。 - 特許庁

The one substrate 2 is manufactured by forming transparent electrodes 11 for forming the color filters on one surface 10a of a plastic substrate 10 having translucency, then forming the color filters 12 by an electrodeposition method using these electrodes 11 and patterning and forming transparent electrodes 13 for display by a photolithography method on the other substrate 10b of the substrate 10 with the formed color filters 12 as a mask.例文帳に追加

一方基板2は、透光性を有するプラスチック基板10の一方表面10aにカラーフィルタ形成用透明電極11を形成した後、該電極11を用いて電着法によってカラーフィルタ12を形成し、形成したカラーフィルタ12をマスクとして基板10の他方表面10bにフォトリソグラフィ法によって表示用透明電極13をパターン形成して作製される。 - 特許庁

In the manufacturing method of the multilayer board, a conductive wiring layer 14 formed by patterning a conductive film 13 is laminated via an insulating film 12, a circular confirmation hole 14 is provided in the conductive film 13 laminated first, the position of the confirmation section 14 is recognized, and the second wiring layer 18 or thereafter is patterned.例文帳に追加

本形態の多層基板の製造方法は、導電膜13をパターニングすることで形成された配線層14が絶縁膜12を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜13に円形の確認孔14を設け、この確認部14の位置を認識してから、2層目以降の配線層18のパターンニングを行う構成に成っている。 - 特許庁

The artificial marble is manufactured by preforming the gel coat layer 8 on the surface of a casting mold and forming the pattern layer 9 on the gel coat layer 8, and subsequently injecting a resin compound, obtained by compounding additives such as a filler, a patterning material, an internal release agent, a hardener and the like with a thermosetting resin, into the casting mold to mold and cure the same.例文帳に追加

予め注型用金型面にゲルコート層8を形成すると共に、該ゲルコート層8の上に柄付け模様付けした柄付け模様層9を形成し、その後、熱硬化性樹脂に充填剤、柄材、内部離型剤、硬化剤などの添加物を配合して得られた樹脂組成物を注型用金型に注入して成形硬化させて得られる人造大理石の製造方法である。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a counter electrode facing pixel electrodes and drives liquid crystal by applying an electric field between the pixel electrodes and counter electrode in parallel to a substrate surface, and a pixel part is exposed repeatedly from one mask for patterning.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置の製造方法は、画素電極に対向する対向電極を有し、該画素電極および該対向電極の間に基板面に対して水平方向の電界を印加して液晶を駆動する液晶表示装置の製造方法において、画素部を露光する際に1枚のマスクから繰り返し露光してパターニングする液晶表示装置の製造方法である。 - 特許庁

To improve characteristics of an organic thin film transistor by suppressing repellency of a coating in an area corresponding to a semiconductor thin film region by patterning a surface by using a finishing agent having a specified structure, improving crystallinity of a semiconductor, improving carrier mobility of a semiconductor thin film, and precisely forming a semiconductor film pattern.例文帳に追加

本発明の目的は、特定構造の表面処理剤を用いて表面をパターン化することにより、半導体薄膜領域に相当する領域における塗膜のはじきを抑え、半導体の結晶性を向上させ、半導体薄膜のキャリア移動度を向上させると共に、半導体薄膜パターンを精度よく形成して有機薄膜トランジスタの特性を向上させることにある。 - 特許庁

The cationic photopolymerizable epoxy resin composition for forming a structure member using the patterning by light irradiation contains (a) an epoxy resin, (b) a cationic photoinitiator, (c) a cationic polymerization inhibitor, (d) a compound having a fluoroalkyl group and a substituent crosslinkable with the epoxy group of the epoxy resin at a terminal and (e) a cationic thermal polymerization catalyst.例文帳に追加

光照射によるパターンニングを利用した構造体形成用の樹脂として、(a)エポキシ樹脂、(b)光カチオン重合開始剤、(c)カチオン重合阻害物質、(d)フルオロアルキル基を有し、かつ前記エポキシ樹脂のエポキシ基と架橋反応する置換基を末端に有する化合物及び(e)熱カチオン重合触媒を含む光カチオン重合性エポキシ樹脂組成物を用いる。 - 特許庁

An anisotropically electrically conductive double-sided tape which has anisotropy in electrical conductivity and adhesion and does not require heat treatment is formed by applying an electrically conductive adhesive 17 having a patterning at the position of electrodes on both front and back surfaces of an anisotropically electrically conductive sheet 15 composed of an insulation elastic material 11 such as an insulation silicone rubber and an electrically conductive filament 13 such as a metal wire.例文帳に追加

絶縁シリコンゴム等の絶縁性弾性材11と金属線等の導電性線状体13とからなる異方導電性シート15の表裏の両面に、電極の位置にパターニングした導電性接着剤17を塗布することで、導電性に異方性を持ち、接着性があり、熱処理を必要としない異方導電性両面テープを形成する。 - 特許庁

The forming method of the bump includes a process for patterning a resist layer 20 so as to have a through hole 22 upward of a pad 12, a process for hardening at least the surface of the resist layer 20 by applying energy 36 producing crosslinking reaction on the resist layer 20, and a process for forming metal layers 40, 42 connected electrically to the pad 12 in the through hole 22.例文帳に追加

バンプの形成方法は、パッド12の上方に貫通穴22を有するようにレジスト層20をパターニングする工程と、レジスト層20に架橋反応を生じさせるエネルギー36を加えてレジスト層20の少なくとも表面を硬化させる工程と、貫通穴22内にパッド12と電気的に接続する金属層40、42を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a substrate for an organic EL element and its manufacturing method capable of patterning a light-emitting layer, or the like, without damaging a hole transport property, or the like, in the case of a layer for formation of a lyophilic area or a liquid-repellent area has such a property, and capable of restraining color shades or generation of short circuiting between electrodes.例文帳に追加

親液性および撥液性領域を形成するための層が正孔注入性や正孔輸送性等を有する場合にその正孔注入性や正孔輸送性等を損なうことなく、発光層等をパターニングすることが可能であり、また色むらや電極間の短絡発生を抑制可能な有機EL素子用基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By patterning one or both of the electrodes 3 and 5 with small scale non-conducting gaps which have widths less than about 2.5 times of a cell gap t and are disposed substantially within the liquid crystal domains, or a combination of such gaps with gaps disposed primarily along the domain boundaries, not only control of the nature of the liquid crystal domains but also the responsiveness of the cell can be obtained.例文帳に追加

セルギャップtの約2.5倍未満の幅を有するとともに実質的には液晶ドメイン内に配置される小さな寸法の非導電性ギャップ或いは主にドメインの境界に沿って配置されたこのようなギャップの組み合わせで、電極(3,5)の1方又は双方をパターニングすることで、液晶ドメインの性質に対する優れた制御のみならずセルの反応性をも得ることができる。 - 特許庁

The exposure apparatus for exposing the patterns of the original plates on the substrate by double patterning includes a stage that moves with the original plate placed thereon, a holding means for holding the original plate to be exposed following the original plate placed on the stage, a heating means for heating the original plate held by the holding means, and a control means for controlling the heating means.例文帳に追加

ダブルパターニングにより複数の原版のパターンを基板に露光する露光装置において、 原版を搭載して移動するステージと、前記ステージに搭載されている原版の次に露光すべき原版を保持する保持手段と、前記保持手段により保持された原版を温調する温調手段と、前記温調手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic EL element of a simple manufacturing process and high productivity of zoning pixel electrodes formed in patterning on a substrate by a liquid-repellent layer formed by a stable liquid-repellent layer forming method, and forming a stable pixel in each zone with the use of a droplet discharge method, as well as an organic EL element and a device using the organic EL element.例文帳に追加

製造工程が簡便で、生産性が高く、安定した撥液層形成方法を用いて形成した撥液層により、基板上にパターン化されて形成された画素電極を区画し、各区画内に液滴吐出法を使用し、安定した画素を形成する有機EL素子の製造方法、有機EL素子及び有機EL素子を使用した装置の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing the connection resistance of a pixel electrode and a drain electrode through a interlayer insulating film, and also, capable of satisfactorily patterning an ITO film free from a short circuit between mounted terminals on a single etching processing stage at the time of forming the pixel electrode, as for the liquid crystal display device having a pixel uppermost layer structure.例文帳に追加

画素最上層構造を有する液晶表示装置において、層間絶縁膜を介した画素電極とドレイン電極の接続抵抗を低減できると共に、画素電極形成時に、ITO膜を一回のエッチング処理工程で実装端子間に短絡のないかつ良好なパターン形状にパターニングすることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thin film transistor in which the oxide semiconductor layer is formed by forming a thin film of the oxide semiconductor or its precursor and then forming a resist pattern on the thin film, and patterning the thin film by removing the thin film outside than the resist pattern, the resist pattern is formed by using an electrostatic attraction type liquid discharging device.例文帳に追加

酸化物半導体またはその前駆体の薄膜を形成したのち、薄膜上にレジストパターンを形成し、レジストパターン外の薄膜を除去することにより、薄膜のパターニングを行って酸化物半導体層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、前記レジストパターンを、静電吸引方式の液体吐出装置を用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The method includes the steps of: depositing a hydrophilic material layer on a substrate; depositing a bank material layer on the hydrophilic material layer; patterning the bank material layer to define a bank forming one or more of the droplet deposition wells; and etching the hydrophilic material layer in a self-aligned process using the patterned bank material layer as a resist.例文帳に追加

前記方法は、基板上に親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、前記バンク材料層をパターニングして1または2以上の前記液滴堆積ウェルを形成するバンクを規定する工程、前記パターニングされたバンク材料層をレジストとして使用して自己整合プロセス中において前記親水性材料層をエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition that is used for processes of manufacturing semiconductors such as an IC, manufacturing circuit boards of liquid crystals, thermal heads or the like and for other photofabrication processes, and to provide a patterning method that uses the composition, wherein superior line width roughness (LWR) performance can be obtained.例文帳に追加

IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法であって、優れたラインウィズスラフネス(LWR)性能を得ることを可能にしたポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive conductive paste composition that can form a circuit pattern achieving high-definition patterning, having stable adhesiveness to a substrate or a lower layer in each process of drying, exposure, development and baking, having excellent baking property, excelling in adhesiveness to the substrate and adhesiveness between layers after baking, suppressing the formation of edge curls and showing a low sheet resistance value.例文帳に追加

高精細パターン化が可能であり、乾燥、露光、現像、焼成の各工程において基板もしくは下層に対して安定した密着性を有すると共に、優れた焼成性を有し、焼成後の基板への密着性、層間の密着性に優れ、エッジカールの発生を抑制でき、かつ低いシート抵抗値を示すような、回路パターンを形成することができる、感光性導電性ペースト組成物を提供すること。 - 特許庁

A method for forming the upper electrode in a ferroelectric device includes processes of preparing a silicon substrate; depositing a lower electrode; depositing a ferroelectric material layer; depositing an aluminum upper electrode layer; coating the aluminum layer with photoresist; patterning and developing the photoresist layer; etching the aluminum layer; and completing the ferroelectric device.例文帳に追加

強誘電体デバイスにおいて上部電極を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、下部電極を堆積する工程と、強誘電体材料の層を堆積する工程と、アルミニウム上部電極層を堆積する工程と、アルミニウム層をフォトレジストで被覆する工程と、フォトレジスト層をパターニングおよび現像する工程と、アルミニウム層をエッチングする工程と、強誘電体デバイスを完成させる工程とを包含する。 - 特許庁

A method includes a step of forming a titanium oxide film, preferably with a patterning, on a glass substrate having three-dimensional curvature shape by an electrodeposition method using a water dispersion solution containing a resin and titanium oxide capable of electrodeposition, and a step of forming the dye-sensitized solar cell using the titanium oxide film as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

色素増感太陽電池を備えた車載用ガラスを製造する方法であって、電着可能な樹脂と酸化チタンを含む水分散液を用いた電着法により、3次元曲面形状を有するガラス基板の上に、好ましくはパターニングされた酸化チタン膜を形成する工程と、酸化チタン膜を光電変換層として用いて色素増感太陽電池を作製する工程とを備えることを特徴としている。 - 特許庁

There is provided a process method for easily manufacturing various forms of molds which have disadvantages in applying a nano imprint process by using nano imprint and a dry etching process by patterning a molding resin of a substrate having a metal pattern patterned thereon, and forming a nano-class pattern and a complicated three-dimensional micro pattern using a nano imprint process with the manufactured molds without executing a complicated process several times.例文帳に追加

金属パターンがパターニングされている基板のモールド用レジンをナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かった様々な形態のモールドを容易に製作し、複雑な工程を数回行うことなく、製作されたモールドでナノインプリント工程を用いてナノ級パターンや複雑な3次元形状の微細パターンの成形を可能にする工程方法を提供する。 - 特許庁

To provide a glass film laminate capable of improving handling performance when manufacturing-related processing is performed for a glass film, preventing shifting or the like during positioning or patterning, easily peeling the glass film from a supporting glass when the glass film is integrated into various devices after the manufacturing-related processing, and surely preventing remaining of adhesives on the glass film after the peeling.例文帳に追加

ガラスフィルムに対して製造関連処理を行う際の取り扱い性を向上させ、位置決め時やパターニング時のずれ等の問題も生じず、製造関連処理後にガラスフィルムを各種デバイスに組み込む際には、支持ガラスからガラスフィルムを容易に剥離させることを可能にしつつ、且つ剥離後において粘着剤がガラスフィルムに残存することを確実に防止することを可能とするガラスフィルム積層体を提供する。 - 特許庁

A dielectric film made of a barium-titanate-based ceramic material is formed on a metal foil with an aerosol deposition method; first via conductors and second via conductors connected to the metal foil are embedded in the dielectric film; a first electrode pattern connected to the first via conductors is formed on the dielectric film; and a second electrode pattern connected to the second via conductors is formed by patterning the metal foil.例文帳に追加

金属箔上に、エアロゾルデポジション法により、チタン酸バリウム系セラミックス材料の誘電体膜を形成し、誘電体膜に、金属箔に接続された第1のビア導体及び第2のビア導体を埋め込み、誘電体膜上に、第1のビア導体に接続された第1の電極パターンを形成し、金属箔をパターニングし、第2のビア導体に接続された第2の電極パターンを形成する。 - 特許庁

A fine flow path is created by patterning polydimethylsiloxane 113 on a glass substrate 112 having electrodes 111 formed from indium tin oxide, and first liquid droplets having a fine particle diameter are dispersed in second liquid droplets by injecting a conductive first liquid into a non-conductive second liquid in the presence of the electric field while a voltage difference 115 was applied between the electrodes to create an electric field.例文帳に追加

酸化インジウムスズから形成された電極111を有するガラス基板112上にポリジメチルシロキサン113をパターニングすることにより微細な流路を形成するとともに、電極間に電位差115を印加して電界を形成しながら、導電性の第1の液体を電界の存在下で非導電性の第2液体に噴出することにより、第2の液滴中に微細径を有する第1の液滴を分散させる。 - 特許庁

例文

To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer that prevents wiggling in substrate etching and prevents a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, to provide a process for forming the resist underlayer film, and to provide a patterning process and a fullerene derivative.例文帳に追加

本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁




  
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