「problem isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To solve the problem that, since a base isolation foundation of a building is meant for preventing the earthquake from transmitting it to the building, there is a difference in amplitude between a lower foundation placed on the ground and an upper base isolation foundation 2 integrally formed with the building, and thus a positional deviation between a lower foundation 1 and an upper base isolation foundation 2 generates.例文帳に追加

建物の免震基礎は地震の揺れを建物に伝えずらくする為、地面に設置された下基礎（１）と建物と一体の免震上基礎（２）とは振幅の差が有り、地震鎮静後下基礎（１）と免震上基礎（２）の間に位置ずれが生じる。 - 特許庁

To solve a problem that isolation characteristics deteriorate between the signal conductors due to propagation of a signal between the signal conductors through a frame-like metallization layer.例文帳に追加

枠状のメタライズ層を通じた信号用導体間の信号の伝播により、信号用導体間のアイソレーション特性が劣化する。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film in a semiconductor device capable of dissolving the problem that F ions are diffused in a boundary between the element isolation film and the element in an element isolation film formation process and cause the characteristic degradation of the element.例文帳に追加

本発明は、素子分離膜の形成工程時にＦイオンが素子分離膜及び素子間の界面に拡散して素子の特性劣化を引き起こすという問題点を解決することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To solve a problem of difficulty in forming an isolation groove in a CISG layer in a manufacturing process of a CIGS thin film solar cell.例文帳に追加

ＣＩＧＳ系薄膜太陽電池の製造過程においてＣＩＳＧ層に分離溝を形成する加工が難しい問題を解消する。 - 特許庁

To provide a phase isolation bus which has solved the problem of breakdown of a conductor supporter, resulting from corona discharge and thermal expansion of a conductor.例文帳に追加

コロナ放電並びに導体の熱膨張に基づく導体支持体の破損の問題などが解消された相分離母線を提供することを課題とする。 - 特許庁

To enable obtaining proper isolation characteristic, even when a high-frequency signal is inputted in which off-capacitance of a field effect transistor that becomes a problem.例文帳に追加

電界効果トランジスタのオフ容量が問題となる高周波信号が入力される場合でも、良好なアイソレーション特性が得られるようにする。 - 特許庁

To solve a problem occurring due to formation of an isolation film having double depth at the boundary of a cell region and a peripheral circuit region.例文帳に追加

セル領域と周辺回路領域との境界部分に二重の深さの素子分離膜を形成することにより発生する前記問題点を解決する。 - 特許庁

To provide a controllable method for solving the problem of corner parasitic current conduction, at shallow trench isolations having narrow devices.例文帳に追加

ＳＴＩ（shallow trench isolation）、特に幅の狭い装置を有するＳＴＩにおけるコーナー寄生電流伝導の問題を解決するための、制御可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device which overcomes the data holding problem caused by the thinness of its grid dielectric present in the interface between its STI-type isolation region and its grid material.例文帳に追加

ＳＴＩ型の分離領域とグリッド材の界面間におけるグリッド誘電体の薄さに起因するデータ保持問題を克服したメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a multifrequency shared antenna in which desired electric characteristics are obtained by solving a problem wherein gain characteristics in a top-bottom direction are decreased, or a problem that isolation at mutual feed points is not sufficient.例文帳に追加

天頂方向の利得特性が減少するという問題や、相互の給電点におけるアイソレーションが十分でない等といった問題を解決し、所望の電気特性が得られる多周波共用アンテナを提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation support tool improved so as to conquer the problem on a conventional height adjustment, that is, to easily and conveniently make a height adjustment.例文帳に追加

従来における高さ調整に関する問題点を克服すること、即ち、簡単で便利に高さ調整が行えるように改善された免震支承具を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that in an interlayer isolation film of SiOCH film, which is a low dielectric constant film, O_2 ashing resistance is low since a CH_3 group is contained in the film, and adhesion with a SiO_2 film is also low.例文帳に追加

低誘電率膜であるＳｉＯＣＨ膜の層間絶縁膜は、膜中にＣＨ３基が含まれるためにＯ２アッシング耐性が低く、ＳｉＯ２膜との密着性も低い。 - 特許庁

To provide a construction material facilitating the manufacturing at a low cost, saving labor for work, excellent in heat insulation/soundproofing/ vibration-isolation effect and contributing to the solution of a problem of industrial wastes.例文帳に追加

製造が容易で、安価であり、施工に手間がかからない上、断熱・防音・防震効果に優れており、更に廃棄物問題の解消に貢献する建材を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same solving the problem of prior art removing a liner nitride film of an element isolation film in a PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor) region.例文帳に追加

ＰＭＯＳ領域における素子分離膜のライナー窒化膜の除去を行う従来技術による問題を解決した半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To fabricate a transistor in which reverse short channel effect does not take place by suppressing formation of a recess through etching of the sidewall part of an isolation pattern formed on a semiconductor pattern when a pad oxide film, a sacrifice oxide film, and the like, are removed by etching thereby solving the problem in an STI(shallow trench isolation) technology.例文帳に追加

パッド酸化膜、犠牲酸化膜等のエッチング除去時に半導体基板に形成した素子分離パターンの側壁部がエッチングされて窪みが形成されるのを抑制してＳＴＩ技術の課題を解決し、逆狭チャネル効果を生じないトランジスタの形成を可能にする。 - 特許庁

In order to solve a problem of a contact open area and a problem of a semiconductor substrate damage occurring at the time of linking the polysilicon layer for plug with the semiconductor substrate, the element isolation film and the gate line are formed after forming the polysilicon layer for plug on the semiconductor substrate.例文帳に追加

プラグ用ポリシリコン層と半導体基板を連結するとき発生するコンタクトオープン面積の問題と半導体基板損傷の問題を解決するため、半導体基板上にプラグ用ポリシリコン層を形成したあと素子分離膜とゲートラインを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that costs are increased by dealing with a machine dependent various isolating processings by changing entire hardware in an image processor for calculating an isolation quantity for deciding dots.例文帳に追加

網点判定を行うために孤立量算出を行う画像処理装置において、機種依存する多様な孤立処理についてハードウェア全体の変更によって対応すると、コスト高となってしまう。 - 特許庁

To provide a game server, a game machine and a game managing method for enabling a player to play a game at ease while keeping game amusement and a problem of isolation from consumers can be solved as a result.例文帳に追加

ゲームの面白みを保持させたまま、遊技者が安心して遊技を行うことができ、それにより客離れの問題を解消し得る遊技サーバ、遊技機及び遊技管理方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, since production amount of similar substances which have been a problem in conventional production methods is 1/10 to 1/100, the above production method makes purification and isolation of the objective compound extremely ready.例文帳に追加

一方、従来の生産方法において問題となっていた類似物質の生産量は、その１０分の１から１００分の１以下であり、目的化合物の精製・単離は極めて容易となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure, which can a void the problem of exposure of a semiconductor substrate due to etching of edges of a device isolation region at the time of formation of gate sidewalls.例文帳に追加

ゲートサイドウオールの形成時、素子分離領域のエッジ部分がエッチングされ、半導体基板が剥き出しになるといった問題の発生を回避することができる構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that the length of a transmission line which maximizes isolation of an OFF side branch and is suitable for keeping an insertion loss in an ON state within an allowable range is not made clear conventionally.例文帳に追加

従来、オフ側ブランチのアイソレーションを最大にするとともに、オン状態における挿入損失を許容範囲内に保つのに適した伝送線路の長さについて明らかにされていない。 - 特許庁

Thus, the problem is solved by arranging the wiring equipment C in the inserting part Z by a combination of the plurality of base isolation units 110 arranged around the wiring equipment C existing in the vertical clearance Y.例文帳に追加

したがって、上下間隙Ｙにある配線設備Ｃの周囲に配置される免震ユニット１１０の複数の組合せによる挿通部Ｚに配線設備Ｃが配置されることにより上記課題を解決する。 - 特許庁

To solve a problem that since the driving voltage of an avalanche photodiode (APD) is as high as 100-300V, reliable isolation is required for fabricating a single chip CMOS FET and the element structure is complicated significantly.例文帳に追加

ＡＰＤの駆動電圧は１００Ｖ〜３００Ｖ程度の高電圧であるため、ＣＭＯＳ ＦＥＴと１チップ化するためには、素子分離をしっかり行わなければならず、素子構造が非常に複雑になる。 - 特許庁

To provide a package for a surface acoustic wave filter having three or four input/output wires formed from a mount part to an outer circumference of an insulation substrate that can solve the problem of insufficient isolation among the input/output wires in the conventional package.例文帳に追加

搭載部から絶縁基体の外周にかけて形成された入出力用配線を３本または４本有する弾性表面波フィルタ用パッケージにおいて、入出力用配線間のアイソレーションが十分にとれない。 - 特許庁

To solve the problem that when an SOI substrate is used and a trench element isolation structure is applied, an oxide film at a trench corner part becomes thin during oxidation of a trench sidewall to generate a crystal defect reaching a semiconductor layer in an element region owing to stress concentration.例文帳に追加

SOI基板を用いてトレンチ素子分離構造を適用した場合、トレンチ側壁の酸化時にトレンチコーナー部の酸化膜が薄膜化し、応力集中により素子領域の半導体層に達する結晶欠陥が発生する。 - 特許庁

To solve the problem in a conventional portable pump mounted with a pump body and an engine for driving it on a truck or the like that the operability to the pump body is deteriorated when the whole body is covered with a cover for sound isolation, or the cover is complicated to increase the cost.例文帳に追加

ポンプ本体とこれを駆動するエンジンを台車などに搭載した可搬型ポンプにおいて、防音のためにその全体をカバーで覆うと、ポンプ本体に対する操作性が悪化したり、カバーが複雑になってコスト高になってしまう。 - 特許庁

To solve the following problem: variance in element isolation width will heavily and adversely affect write disturb resistance as microfabrication is achieved when a semiconductor memory device is manufactured by stacking a storage element, such as a phase change memory and an ReRAM, and a semiconductor device.例文帳に追加

相変化メモリやＲｅＲＡＭなどの記憶素子と半導体デバイスの積層により構成される半導体記憶装置を製造する際、微細化に伴い素子分離幅のバラツキが書込みディスターブ耐性に大きな悪影響を与えるようになる。 - 特許庁

The Oki islands are located in the Sea of Japan approximately 60km from the coast of Shimane Prefecture. Owing to their distinctive isolation, the islands suffer the dual problem of accelerating underpopulation and increased population aging. The total population has now declined to 2,400, and only ten babies a year are born on the islands.例文帳に追加

島根県の沖合約60kmの日本海に浮かぶ隠岐諸島の中ノ島にある海士（あま）町。離島という特殊事情から過疎・少子高齢化が進行、今では人口は2400人に減少し、子供の出生数は毎年わずか10人前後である。 - 経済産業省

To provide a landing device of an elevator for a base isolation building provided with a getting on/off passage between a base entrance of a base construction body and a hoistway entrance of a hoistway, and making the getting on/off passage cope with the relative displacement to the direction of opening of the base entrance and the hoistway entrance without any problem in the earthquake.例文帳に追加

基部建築体の基部出入口と昇降路の昇降路出入口の両者間に乗降通路を設け、地震時における上記両者の間口方向への相対変位に乗降通路が不具合なく対応する免震建物用エレベーターの乗場装置を得る。 - 特許庁

To contribute to a house industry by increasing a demand for remodeling work of an existing house by the synergistic effect of constructing this method by solving " an aseismatic method of an existing nonseismic house " of the most preferential problem in " Central Disaster Prevention Council " of a Cabinet Office of Seismic Great Nation of Japan by a base isolation retrofit construction method.例文帳に追加

地震大国日本の内閣府「中央防災会議」での最優先課題の「既設非耐震住宅の耐震化」を、免震レトロフィット工法により、解決できる上にこれを施工する相乗効果により、既設住宅のリフォーム工事等の需要が増し住宅産業に貢献できる。 - 特許庁

To avoid the problem that a sufficient amount of toner for reproducing dots on a media cannot be placed due to the dispersion and isolation of dots, and hence graphics to be originally printed disappear or lighten, and to increase the reproducibility of the dots.例文帳に追加

本発明では、ドットの分散や孤立によってメディア上にドットを再現する充分な量のトナーが載らず、結果として本来印字されるべき図形が消えてしまったり薄くなったりするという問題を回避し、これらのドットの再現性を高めることを目的とする。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、ＮＭＯＳ形成領域およびＰＭＯＳ形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a reverse-blocking insulated gate bipolar transistor which can reduce the occupation area ratio of an isolation region per chip, which becomes a problem even in the case of a thin wafer (semiconductor substrate) having a thickness of ≤150 μm, which can avoid the tradeoff between an on-voltage characteristic and turn-off loss, and also can reduce diffusion time.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

To solve the problem that in a conventional vibration isolation support structure of a cabin, a vibration isolating member is interposed between a lower part and a body of the cabin and an effect to suppress vibration in the vertical direction of a vehicle is large but an effect to suppress oscillation in the front and rear direction of the cabin is small at a rapid stop from high- speed driving.例文帳に追加

従来のキャビンの防振支持構造は、キャビンの下部と本体との間に防振部材を介装させるものであり、車両の上下方向の振動を抑制する効果は大きいが、高速走行から急停車する場合におけるキャビンの前後方向の揺れを抑制する効果が小さい。 - 特許庁

To solve the problem, the crane base isolation supporting beam structure for supporting the frame of a tower crane comprises an outrigger for the crane frame passing through an opening formed at the web of a supporting beam, the supporting beam and the crane frame fixed to each other via the vibration damping means.例文帳に追加

上記課題を解決するため、タワークレーンの架台を支持するクレーン基礎免震受け梁構造において、受け梁のウェブに設けた開口部に該クレーン架台のアウトリガーを貫通させ、該受け梁とクレーン架台とを振動減衰手段を介して固定してなるクレーン基礎免震受け梁構造を特徴とする。 - 特許庁

To provide a reverse blocking insulated gate type bipolar transistor for reducing the occupation area ratio of the isolation region per chip, which becomes a problem if the thickness of a thin wafer (semiconductor substrate) is equal to 150 μm or less, which can avoid the tradeoff between on voltage property and turn off loss, and also for shortening diffusion time, and its fabrication method.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a bread yeast obtainable easily and stably in a simple way through solving the problem that, in developing bread yeast, conventional methods including method of isolation from natural products, mutation treatment method for conventional strains and cross breeding method for conventional strains have required much labor and time, and to provide a method for producing the bread yeast.例文帳に追加

パン酵母の開発に際し、従来の方法、すなわち天然物からの分離法、従来菌株の変異処理法、従来菌株同士の交雑育種法などが多大な人手と時間とを要するという問題の解決、即ち、容易にかつ単純な方法により、安定的に取得できるパン酵母とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing unit laminate rubber for a base isolation structure without a problem of an yield of a material and the like in case of forming unvulcanized unit laminate rubber by punching a formed rubber sheet or without a decrease of a dimensional accuracy, an increase of equipment cost, generation of scorch and the like in case of forming the unvulcanized unit laminate rubber by injection molding.例文帳に追加

成形されたゴムシートを打抜いて未加硫の単位積層ゴムを形成する場合のような、材料歩留り等の問題を生じることがなく、射出成形によって、未加硫単位積層ゴムを形成する場合のような、寸法精度の低下、設備コストの増加、スコーチの発生のおそれ等のない免震構造体用単位積層ゴムの製造方法を提供する。 - 特許庁