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process temperatureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5102件
To provide a curable solid ink being solid at room temperature and molten at high temperature and suitable for obtaining Braille and raised printed matter by an inkjet printing process.例文帳に追加
室温で固体で高温で溶融するインクであって、インクジェット印刷により点字および盛り上がった印刷物を得るのに適する硬化性固体インクの提供。 - 特許庁
To provide a heating process which can reduce deviations in temperature from a heating temperature target inside the roughly rolled sheet when heating the roughly rolling sheet before performing a finish rolling.例文帳に追加
仕上圧延前に粗圧延材を加熱するに際して、粗圧延材内における目標加熱温度からの温度偏差を低減できる加熱方法の提供。 - 特許庁
To provide a temperature information output device for a semiconductor memory element, performing a temperature compensation process in the semiconductor memory element, using a low power supply voltage.例文帳に追加
低い電源電圧を用いる半導体メモリ素子において、温度補正過程を行う半導体メモリ素子の温度情報出力装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
And the exhausted warm air introduction means discharges the exhausted warm air outside the process gas chromatograph after the temperature of the analyzer sampling part reaches a prescribed temperature.例文帳に追加
さらに前記排気温風導入手段は前記アナライザサンプリング部の温度が所定の温度に達した後はプロセスガスクロマトグラフ外に排気させることを特徴とする。 - 特許庁
Heat resistance, adhesive strength under high temperature environments, alkali resistance, and peeling facility after high temperature process can thereby be improved.例文帳に追加
そして、上記ポリマーがスチレンブロックセグメントを有することで耐熱性、高温環境下における接着強度、耐アルカリ性、高温プロセス後の剥離の容易性を向上させることができる。 - 特許庁
This method for producing lithium nitride includes a process for heating metallic lithium to a temperature within the range of 50-110°C at a temperature elevation rate of 0.4-7.0°C/min in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加
窒素雰囲気下、0.4℃/min〜7.0℃/minの昇温速度で、50℃〜110℃の範囲まで金属リチウムを加熱する工程を有する窒化リチウムの製造方法。 - 特許庁
Then, the first gate insulating film 10 is subjected to a second thermal treatment process in which it is thermally treated in the inactive gas or under vacuum at a temperature higher than the first thermal treatment temperature.例文帳に追加
次いで、第1ゲート絶縁膜10を、不活性ガス又は真空中で、第1熱処理温度よりも高温で熱処理する第2熱処理工程を行なう。 - 特許庁
To provide a simple apparatus for preventing a rise in temperature of a solidified refuse fuel which reduces the cost without adversely affecting workability while securing prevention of a rise in temperature in the process of producing the solidified refuse fuel.例文帳に追加
ゴミ固形燃料化プロセスに於いて、昇温防止を確保しながら、作業性を損ねずコストを低減する簡便なゴミ固形燃料昇温防止装置の提供。 - 特許庁
Vertically upward force occurs in such a substrate support member due to the difference in the coefficients of linear expansion when exposed to a high temperature such as the baking process temperature.例文帳に追加
このような基板支持部材は、焼成処理温度のような高温下にさらされた場合に、線膨張率の違いに起因して鉛直上向きの力が生じる。 - 特許庁
The method of concentrating the polymer latex is to concentrate the latex at a temperature equal to or less than the minimum film forming temperature of the latex in the concentration process of the polymer latex.例文帳に追加
重合体ラテックスの濃縮工程において、該ラテックスの最低造膜温度以下の温度で濃縮することを特徴とする重合体ラテックスの濃縮方法。 - 特許庁
In the process for forming the intermediate, preliminary calcination is preferably carried out at a temperature not lower than 1,000°C and lower than 2,000°C, and in the process for calcinating the intermediate, calcination is preferably carried out at a temperature not lower than 2,000°C and not higher than 3,000°C.例文帳に追加
上記中間体を形成する工程では、1000℃以上2000℃未満の温度で予備焼成し、上記中間体を焼成する工程では、2000℃以上3000℃以下の温度で焼成することが好ましい。 - 特許庁
Processes performed when the bread making course for grains is performed includes at least one process for which a process period is changed based on the temperature detected by the temperature detecting means arranged in the automatic bread maker 1.例文帳に追加
穀物粒用製パンコースが実行される場合に行われる複数の工程の中に、自動製パン器1が備える温度検知手段で検知された温度に基づいて工程時間が変動される工程が少なくとも1つ含まれている。 - 特許庁
Alternatively, the gelling time T_gel to the actual heating time in the pre-molding process is calculated in the gelling temperature vs. time curve, and the actual heating temperature T in the pre-molding process is set within the range of T_gel-20°C to T_gel-5°C.例文帳に追加
または、ゲル化温度−時間曲線において、予備成形工程における実際の加熱時間に対するゲル化温度T_gelを求め、予備成形工程における実際の加熱温度Tを、T_gel−20℃〜T_gel−5℃の範囲とする。 - 特許庁
The surface temperature of the cast piece in the correction process is frequently controlled to be the Ar_3 point + 170°C or higher, and in the slow cooling after the correction process, the slow cooling is preferably carried out over the whole area of a temperature zone at which the ferrite is precipitated.例文帳に追加
矯正工程での鋳片の表面温度は、Ar_3点+170℃以上に制御することが多く、矯正工程後の冷却過程では、オーステナイトからフェライトが析出する温度帯全域に渡って徐冷するのが好ましい。 - 特許庁
All the required heat treatment processes performed in a period after the process of forming the wiring layer and before the process of covering the wiring layer with the protective insulating film are performed at a plastic deformation temperature of the wiring layer or a temperature lower than this.例文帳に追加
そして、前記配線層を形成する工程の後であって、前記配線層を前記保護絶縁膜で覆う工程の前に行われる必要な全ての熱処理工程を、前記配線層の塑性変形温度以下で行う。 - 特許庁
To implement a temperature rise promoting process for a catalyst 5 provided in an exhaust path 4 of an internal combustion engine 1, and a temperature rise promoting process for cooling water for the internal combustion engine 1, as needed in an exhaust heat recovery device 18.例文帳に追加
排気熱回収装置18において、内燃機関1の排気通路4に設けられる触媒5の昇温促進処理や、内燃機関1の冷却水の昇温促進処理とを、必要に応じて実行可能とする。 - 特許庁
An organic compound 541, which is not lost by the temperature set in the drying and solidifying treatment process P2 and has a property gasified by the temperature set in the heat treatment process P3, is used in the synthetic raw material solution 54.例文帳に追加
ここで合成原料溶液54には、乾燥固化処理工程P2に用いる温度によっては失われずかつ熱処理工程P3に用いる温度によって気化する性質を有する有機化合物541を用いる。 - 特許庁
The milk preparation pot also has a heating process determining means (the microcomputer 52) for determining which heating process of at least two different heating processes should be executed based on the temperature T detected by the temperature detecting means in each heating method I-V.例文帳に追加
また、各加熱方式I〜Vにおいて、温度検出手段による検出温度Tに基づいて、異なる2以上の加熱処理のうち、いずれの加熱処理を実行するかを判断する加熱処理判断手段(マイコン52)を設ける。 - 特許庁
The temperature measuring method and a method for adjusting the sensitivity related to the temperature of medical equipment having the position sensor have a process for preparing the medical equipment having the position sensor and a process for measuring the voltage of the position sensor.例文帳に追加
温度を測定する方法及び位置センサを有する医療用装置の温度に関する感度を調整する方法は、位置センサを有する医療装置を用意する工程と、位置センサの電圧を測定する工程を有する。 - 特許庁
The present process includes each process which watches the temperature of the fuel processor and adjusts the amount of the first current to the combustor according to the temperature of fuel processor, and which compares the amount of the first current with a predetermined value or values spread in a predetermined range.例文帳に追加
本方法は、燃料プロセッサの温度を監視し、燃料プロセッサの温度に従って燃焼器への第1の流れの量を調整し、第1の流れの量を所定値又は所定範囲に亘る値と比較する、各工程を含む。 - 特許庁
In the heat treatment process, the temperature of the heater 433 is controlled to a predetermined temperature based on the temperature condition, and then the setters A-D are carried into the heat treating furnace 43 and heated for a fixed time.例文帳に追加
熱処理工程では、当該温度条件に基づいてヒータ433の温度を所定温度に制御した後に、熱処理炉43内にセッタA〜Dを搬入して、当該セッタA〜Dを一定時間加熱する。 - 特許庁
In an initial drying process, the laundry is dried by defining a first drying temperature higher than a limit temperature, at which the laundry is subjected to thermal damage, as an air blowing temperature and defining a first air volume as a maximum air volume in a series of the drying operation.例文帳に追加
初期乾燥工程は、送風温度を、洗濯物が熱損傷を受ける限界温度よりも高い第1の乾燥温度とし、風量を一連の乾燥操作中での最大の第1風量として乾燥する。 - 特許庁
In this process, to prevent a high temperature side refrigerant circuit 77 from running short of the capacity, the inverter frequency of a second low temperature side compressor 72 is lowered in a second low temperature side refrigerant circuit 79 with small loads of the evaporators 26 and 27.例文帳に追加
この際、高温側冷媒回路(77)が能力不足とならないように、蒸発器(26),(27)の負荷が小さい第2低温側冷媒回路(79)において、第2低温側圧縮機(72)のインバータ周波数を低下させる。 - 特許庁
The method for producing a flat synthetic fiber involves subjecting the synthetic fiber to a compression treatment within a temperature range between a temperature not lower than (the softening point of the resin constituting the fiber -5°C) and a temperature not higher than the melting point in the production process of the fiber.例文帳に追加
合成繊維を、その繊維の製造工程において、繊維を構成する樹脂の軟化点−5℃以上、融点以下の温度範囲で圧搾処理することを特徴とする扁平合成繊維の製造方法。 - 特許庁
The period when the agitating blade 136 is driven is set in the period after starting a rice cooking process to the temperature measured by the temperature sensor 9 rises by heating and the gelatinization starting temperature of the rice is indicated.例文帳に追加
攪拌翼136が駆動される期間は、炊飯工程を開始後から温度センサ9が計測する温度が加熱により上昇し米の糊化開始温度を指示するまでの期間内において設定される。 - 特許庁
The temperature threshold Ts is a critical temperature at which a required fixing target temperature is ensured to perform a process that needs fixing, after processing for the number of remaining unprocessed sheets N is finished at the point in time.例文帳に追加
温度閾値Tsは、その時点で未処理の残り枚数Nの処理を終え、その後、定着の必要なプロセスの処理を行う時に必要な定着目標温度を確保できると推定される限界温度である。 - 特許庁
After the temperature of the raw material 9 reaches the set temperature at the stationary time, the pressure in the heating furnace 1 is set to a pressure for depositing the raw material 9, that is lower than the pressure in the temperature-raising process.例文帳に追加
そして、原料9の温度が定常時の設定温度に達した後に、前記加熱炉1内の圧力を、この昇温過程における圧力よりも低い、原料を析出させるための圧力にする。 - 特許庁
The temperature in the carbonization room in the carbonization process is controlled to a specified temperature (predetermined temperature) by turning on/off the first burner for heating for carbonizing according to the termometer for controlling the carbonization room (thermometer B) arranged in the carbonization room.例文帳に追加
この際、炭化工程中の炭化室の温度は、炭化室に配置した炭化室温度調整用温度計(温度計B)を介して第一バーナの加熱をオン/オフさせ、所定の温度(設定温度)に制御する。 - 特許庁
In the annealing process, the sintered compact is heated to a prescribed annealing temperature TA, kept at the annealing temperature TA for a prescribed time and cooled from the annealing temperature TA.例文帳に追加
アニーリング工程においては、焼結体を所定のアニーリング温度TAとなるまで加熱し、続いて焼結体をアニーリング温度TAで所定時間維持し、その後焼結体の温度をアニーリング温度TAから冷却する。 - 特許庁
Since a resistance element having negative temperature characteristics is not required, a temperature controlled oscillator in which oscillation frequency increases continuously as the temperature rises can be obtained without employing an intricate manufacturing process.例文帳に追加
これにより、負の温度特性を有する抵抗素子を用いる必要がないので、複雑な製造工程を用いることなく、温度上昇に従って発振周波数が連続的に高くなる温度制御発振器が得られる - 特許庁
The defrosting process finishes when the air refrigerant passage wall temperature T_3 reaches the melting completion temperature Tg of 2-7°C while maintaining the air refrigerant temperature T_1 on the inlet side of the compressor at the set value Tcs during the defrosting operation.例文帳に追加
デフロスト運転時、圧縮機入口側空気冷媒温度T_1を設定値Tcsに維持しながら、空気冷媒通路壁温度T_3が2〜7℃の融解終了温度Tgになったら、デフロスト工程を終了する。 - 特許庁
In a sending side facility of the distribution goods, goods temperature data with every time is continuously stored by detecting a goods temperature in a manufacturing work process and/or in storage of the distribution goods by a sending side goods temperature monitoring means S1.例文帳に追加
流通品の発送側施設に於て、発送側品温監視手段S_1 にて流通品の製造加工工程中及び/又は保管中の品温を検知して継続的に時刻毎の品温データを記憶する。 - 特許庁
In the process, the raising rate of temperature is set ≤2°C/min, the rate control starts before inside temperature of the furnace reaches to 250°C and carbide is obtained by raising the inside temperature of the furnace to 300-600°C at the raising rate.例文帳に追加
このとき、昇温速度を2℃/分以下にして、炉内温度が250℃になる前にその速度制御を始め、その昇温速度でもって炉内温度を300〜600℃に上昇させて炭化物とする。 - 特許庁
In order to surely remove air bubbles in the mixture solution, the deaeration process B may include a statically-leaving process of leaving the mixture solution statically at room temperature, and the statically-leaving process may include a process of removing gas in the statically left mixture solution by using a suction device.例文帳に追加
混和溶液中の気泡をより確実に除去するために、脱気工程Bが、混和溶液を室温で静置する静置工程を含んでもよいし、静置工程が、静置している混和溶液中の気体を吸引装置によって除去する工程を含んでもよい。 - 特許庁
To provide a wafer-processing apparatus for manufacturing a semiconductor element, wherein uniformity in a process such as etching process or cleaning process is improved by minimizing changes in temperature of a wafer process solution supplied on a wafer attached stably to a spin chuck.例文帳に追加
スピンチャックに安着されたウェーハ上に供給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最小化することでエッチング工程または洗浄工程等の処理工程の均一度を向上させる半導体素子製造用ウェーハ処理装置を提供する。 - 特許庁
Since the resin is discharged before a next injection process after the injection process, even if the dwelling process and the cooling process take a long time, the resin in the plastic state before injection is not exposed to a long-time high temperature state and the molded product of stable quality can be obtained.例文帳に追加
射出工程後、次の射出工程の前に樹脂を排出するため、保圧工程及び冷却工程が長時間であっても、射出前の可塑状態の樹脂が長時間高温状態に晒されることがなく、安定した品質の成形品が得られる。 - 特許庁
This is the charging method which controls average charging current so that the battery temperature becomes a preset holding temperature by detecting a battery temperature, and is composed of a temperature retaining charging process of being charged while being cooled by blowing surrounding air against the battery by driving a cooling fan 25, and by holding the battery temperature at the preset holding temperature.例文帳に追加
電池の充電方法は、電池温度を検出して、電池温度が保持設定温度となるように平均充電電流を制御する充電方法であって、冷却ファン25を駆動して周囲空気を電池に当てて冷却しつつ、電池温度を保持設定温度に保持しながら充電する温度保持充電工程からなることを特徴とする。 - 特許庁
This high speed chemical vapor phase growth method of copper thin film consists of a process of vaporizing the first copper precursor at the first temperature, a process of vaporizing the second copper precursor at the second temperature, a process of introducing the vapor generated by the first and second precursors into a chemical vapor growth chamber and a process of depositing the copper metallic thin film on the substrate.例文帳に追加
銅薄膜の高速化学的気相成長法であって、第1の温度で第1の銅プリカーサを気化する工程と、第2の温度で第2の銅プリカーサを気化する工程と、第1および第2のプリカーサ由来の蒸気を化学的気相成長チャンバ中へ導入する工程と、基板上に銅金属薄膜を堆積する工程とを包含する、方法。 - 特許庁
Between the calcination heat treatment process B and a final baking heat treatment process D for generating a superconducting layer, an intermediate baking heat treatment process C is performed at a temperature lower than a final baking heat treatment temperature in the final baking heat treatment process D to manufacture a REBa_yCu_3O_z-based oxide superconducting wire including flux pinning points.例文帳に追加
仮焼成熱処理工程Bと、超電導層生成のための本焼成熱処理工程Dとの間に、本焼成熱処理工程Dにおける本焼成熱処理温度より低い温度で中間焼成熱処理工程Cを施して、磁束ピンニング点を含むREBa_yCu_3O_z系の酸化物超電導線材を製造する。 - 特許庁
A manufacturing method for forming an insulating gate-type field effect transistor on silicon carbide includes a first oxidation process and a second oxidation process by an oxidation temperature higher than an oxidation temperature in the first oxidation process in a gate oxidized film manufacturing process by thermal oxidation.例文帳に追加
炭化珪素上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する製造方法であって、熱酸化によるゲート酸化膜製造工程において、第一酸化工程と上記第一酸化工程における酸化温度よりも高い酸化温度による第二酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする、絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法である。 - 特許庁
The diagnosis system, for diagnosing the differential pressure/pressure transmitter for receiving the pressure of a process fluid via a process partition, comprises a hydrogen permeation amount calculation means for calculating the hydrogen permeation amount of the process partition in real time, on the basis of the temperature and the pressure of the process fluid and the hydrogen permeation coefficient of the process partition.例文帳に追加
プロセス流体の圧力を、プロセス隔膜を介して受圧する差圧・圧力伝送器を診断する診断装置であって、 前記プロセス流体の温度及び圧力並びに前記プロセス隔膜の水素透過係数に基づき、前記プロセス隔膜の水素透過量を実時間で演算する水素透過量演算手段を備える。 - 特許庁
This method for producing a frozen fruit juice includes a washing process 12 of fruits, a non-heating sterilizing process 14, a juice-squeezing process 16, a pulse electric field-sterilizing process 18 of performing an electric field sterilization by impressing the multiple shots of the pulse electric field to the fruit juice, and a freeze-preserving process 20 of preserving the obtained juice at ≤10°C temperature.例文帳に追加
この製造方法は、果物の洗浄工程12、非加熱殺菌工程14、搾汁工程16、果汁にパルス電界を複数ショット印加して電界殺菌処理を施すパルス電界殺菌工程18およびその後の果汁を10℃以下の温度で保存する冷蔵保存工程20を備えている。 - 特許庁
In the washing method of the external pressure type hollow fiber membrane module used in an ultrapure water making system, the temperature of washing water used in washing is set to 60°C or above and at least two processes among a positive filtering process, a reverse filtering process, an immersion process, a flashing process and a discharge process are combined.例文帳に追加
超純水の製造システムに使用する外圧型中空糸膜モジュールの洗浄方法であって、洗浄に使用する洗浄水の温度を60℃以上とし、かつ、正濾過工程、逆濾過工程、浸漬工程、フラッシング工程、および排出工程のうちのいずれか2以上の工程を組み合わせることを特徴とする。 - 特許庁
To form an oxide film with improved quality on a semiconductor thin film containing silicon in a low-temperature process where a substrate temperature is at 600°C or lower, and to provide a reliable thin-film transistor with improved performance while keeping the substrate temperature at a low temperature.例文帳に追加
基板温度が600℃以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成すること、および基板温度を低温に保ったまま、性能の優れた信頼性の高い薄膜トランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁
Although the quick temperature rise energization is completed when a count value of a quick temperature rise time counter reaches a target value (S49:YES, S53), the target value is changed by an interruption process as soon as temperature information (water temperature information) from an ECU is received.例文帳に追加
急速昇温通電は、急速昇温時間カウンタのカウント値が目標値に達した場合に完了するが(S49:YES,S53)、この目標値は、ECUからの温度情報(水温情報)を受信し次第、割込処理によって変更される。 - 特許庁
Fig. 1 shows a semilogarithmic graph showing the temperature characteristics of the specific resistance of the oxide film containing chromium and composed mainly of vanadium, and formed as the temperature-sensitive resistance film in a temperature increasing process and made by plotting the temperature(°C) on the abscissa and the specific resistance ρ (Ω.cm) on the ordinate (logarithmic scale).例文帳に追加
図1は、感温抵抗変化膜である、クロムを含み、かつ、バナジウムを主成分とする酸化物膜の比抵抗の、昇温過程における温度特性を、温度(℃)を横軸に、比抵抗ρ(Ω・cm)を縦軸(logスケール)にした片対数グラフである。 - 特許庁
The manufacturing process comprises steps wherein an amorphous seed film 90 is formed on a substrate 101 at a temperature lower than the heat-resisting temperature of the substrate 101, the amorphous seed film 90 is crystallized through a rapid thermal annealing process, and a main film is formed on the crystallized seed film 9a through a heat-treatment performed at a temperature lower than the heat-resisting temperature of the substrate 101.例文帳に追加
基材101上に基材101の耐熱温度よりも低温にて非晶質シード膜90を成膜する工程と、非晶質シード膜90を急速熱アニール法にて結晶化させる工程と、結晶化されたシード膜9a上に、基材101の耐熱温度よりも低温で熱処理しつつメイン膜を成膜する工程とを含む。 - 特許庁
In a temperature profile drawn by a surface of the semiconductor wafer by the light irradiation with such an output waveform, a total residence time in 700-900°C during a temperature rising process and a temperature dropping process with respect to each of two temperature peaks TP1, TP2 corresponding to the two emission peaks EP1, EP2 is 15 ms or shorter.例文帳に追加
このような出力波形の光照射によって半導体ウェハーの表面が描く温度プロファイルにおいて、2つの発光ピークEP1,EP2に対応する2つの温度ピークTP1,TP2のそれぞれについての昇温過程および降温過程の700℃以上900℃以下の滞在時間の合計は15ミリ秒以下である。 - 特許庁
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