「reference memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory reference set after U-hold development is generated to a loop development number U to be defined as a candidate, whether or not a reference set undergoing cache competition exists in the set is decided (S609), and when it competes, the U is not selected as a development number.例文帳に追加

候補とするループ展開数Ｕに対して、Ｕ倍展開後のメモリ参照集合を生成し、集合内にキャッシュ競合する参照の組があるか否かを判定し（Ｓ６０９）、競合する場合にはＵを展開数として選択しない。 - 特許庁

When inter-image coding processing is performed, reference image signals S11 are successively written into an image memory 112 via a switch 111, and compensation of the motion of the image is performed by using the reference image S11 and an input image S10 as with a normal case.例文帳に追加

画像間符号化処理を行う場合には、スイッチ１１１を介して参照画像信号Ｓ１１を画像メモリ１１２に順次書込み、この参照画像Ｓ１１と入力画像Ｓ１０を使った画像の動き補償を通常通り行う。 - 特許庁

A reference potential (VPP-VTM) is produced from the boosted voltage VPP by using an NMOS 36 having the same threshold voltage VTM as that of the transistor of the memory cell, and the reference potential and a power source potential VCC are compared by a differential amplifier section 30A.例文帳に追加

メモリセルのトランジスタと同じ閾値電圧ＶＴＭを有するＮＭＯＳ３６を用いて昇圧電圧ＶＰＰから参照電位（ＶＰＰ−ＶＴＭ）を生成し、差動増幅部３０Ａによって参照電位と電源電位ＶＣＣを比較する。 - 特許庁

Initial reference data relating to a beam trajectory is held in a memory unit 53, and an amount of change of the beam trajectory from an initial regulating state is obtained by comparing the held initial reference data with data relating to the beam trajectory detected by an index electrode.例文帳に追加

ビーム軌道に関する初期基準データをメモリ部５３に保持しておき、その保持された初期基準データと、インデックス電極によって検出されたビーム軌道に関するデータとを比較して、初期調整段階からのビーム軌道の変化量を求める。 - 特許庁

A voltage regulator supplies voltages for reference for detection and conversion are supplied respectively to a temperature detecting part 13 and an A/D converter 11, and the reference voltages are supplied as power source voltages to a memory part 14 and a signal processing part 12.例文帳に追加

電圧調整器が、温度検出部１３およびＡ／Ｄ変換器１１にそれぞれ検出および変換の基準となる電圧を供給し、その基準電圧を記憶部１４および信号処理部１２に電源電圧として供給する。 - 特許庁

As described above, frame configuration and selection of a referred reference frame to be stored in the reference memory are executed so that all the frames should not be decoded in double speed/random reproduction when video images are coded, and only the frame required for double speed/random reproduction is decoded.例文帳に追加

このように、映像の符号化時に、倍速／ランダム再生時に全てのフレームをデコードしなくてもよいように、フレーム構成と、参照メモリに格納する被参照フレームの選択を行い、倍速／ランダム再生時に必要なフレームのみ復号する。 - 特許庁

In the reference fail bit verification circuit and the nonvolatile semiconductor memory device including this circuit, the reference fail numbers in a first mode in which erasing voltage is increased stepwise and in a second mode in which erasing voltage is kept constant can be set so as to be different.例文帳に追加

基準フェイルビット確認回路及びこれを含む不揮発性半導体メモリ装置では、消去電圧が段階的に増加する第１モード及び消去電圧が一定に維持される第２モードでの基準フェイル数を異ならせて設定しうる。 - 特許庁

A data read-out current Is flows in a current path passing through a selection memory cell formed through a data bus DB, a column selection gate CSG, a bit line BL and a reference voltage wiring SL installed between a data read- out circuit 52a and a read-out reference voltage Vss terminal.例文帳に追加

データ読出電流Ｉｓは、データ読出回路５２ａから読出基準電圧Ｖｓｓの間に、データバスＤＢ、コラム選択ゲートＣＳＧ、ビット線ＢＬ、基準電圧配線ＳＬを介して形成される、選択メモリセルを通過する電流経路を流れる。 - 特許庁

At the time of independent operation and low output linking operation, a reference voltage value VD1 for maximum power point tracking control preliminarily stored in a memory circuit is read out and used.例文帳に追加

自立運転時及び低出力連系運転時には、予めメモリ回路に記憶された最大電力点追従制御時の基準電圧値ＶD1* を読み出して用いる。 - 特許庁

To provide a programmable reference used to identify a state of an array cell in a multi-density or low voltage supply flash EEPROM memory array.例文帳に追加

多密度または低電圧源一括消去型ＥＥＰＲＯＭメモリアレイにおけるアレイセルの状態を認識するのに用いられるプログラム可能基準を提供する。 - 特許庁

A memory 6 stores a program for mobile telephone terminal operation, a reference electric field intensity level, and an electric field intensity level detected during movement.例文帳に追加

メモリ部６は携帯電話端末動作のためのプログラムを格納ならびに基準となる電界強度レベルおよび移動時に検出した電界強度レベルを記憶しておく。 - 特許庁

By making reference to a movement schedule stored in a memory, the terminal unit 100 judges whether the current station name received is a scheduled station where the terminal unit should lie at the present time.例文帳に追加

端末１００は、メモリに記憶された移動予定表を参照して、受信された現在駅名が現在時刻に端末がいるべき予定駅である判断する。 - 特許庁

Reference data for preventing the red-eye phenomenon in which a plurality of persons and a photographing condition for every person are regulated is stored in the memory 14 of the red-eye preventing device 10.例文帳に追加

赤目防止装置１０のメモリ１４には、複数の人物と、人物ごとの撮影条件とを規定した赤目防止のための参照データが格納されている。 - 特許庁

The gateway server 25 discriminates the destination of the received position-related information, by making reference to the home memory 23 and transmits the position-related information to the mobile station 10.例文帳に追加

ゲートウェイサーバ２５は、受信した位置関連情報の送信対象をホームメモリ２３を参照して特定し、当該位置関連情報を移動局１０に送信する。 - 特許庁

In reading out data, the reference cells RC0 and RC1 are activated in the same manner as the memory cells MC for reading out the data by the selected word lines WL.例文帳に追加

データ読み出しの際には、これら基準セルＲＣ０、ＲＣ１は、選択されたワード線ＷＬにより、データを読み出すメモリセルＭＣと同様に活性化される。 - 特許庁

A program for time-sequentially arranging and showing relations between time and a reference sound generated on that time is downloaded and stored in the program storage region 14 of a memory 13.例文帳に追加

メモリ１３のプログラム記憶領域１４に、時刻とその時刻に発生する参照音との関係を時系列に並べて示すプログラムをダウンロードし記憶する。 - 特許庁

A position/time converting means (16) then determines correction data for the current sampling time, on the basis of the correction data corresponding to the position as stored in the memory means 15, and the detected reference position.例文帳に追加

メモリ手段１５に記憶する位置に対応する補正データと前記検出参照位置により、位置・時間変換手段１６で当該サンプリング時の補正データを求める。 - 特許庁

To efficiently utilize a reference image buffer, reduce band width of an external memory, increase speed of motion compensation decoding processing, and reduce a circuit scale.例文帳に追加

効率的な参照画像バッファの利用を可能とし、外部メモリのバンド幅の低減と、動き補償復号化処理の高速化および回路規模の削減を実現する。 - 特許庁

The nonvolatile memory 18 stores the first and second reference voltages Vref1 and Vref2 of the first and second comparators measured by using a stabilized power supply 210.例文帳に追加

不揮発性メモリ１８は、安定化電源２１０を利用して測定した第１および第２のコンパレータの第１および第２の基準電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２を記憶する。 - 特許庁

Immediately after a video tape recording (VTR) start, a drift detection part 16 stores a sample image photographed by a TV camera 11 in its internal memory M_A as an initial reference image.例文帳に追加

ＶＴＲ記録開始直後、ドリフト検出部１６は、ＴＶカメラ１１で撮像された試料像を、初期のリファレンス画像としてその内部メモリＭ_Ａに記憶する。 - 特許庁

In the reference cell 2, characteristics are deviated so as to following deviation of these characteristics when characteristics of the non-volatile memory cell MC00-MC12 are deviated by influence of temperature variation or the like.例文帳に追加

リファレンスセル２は、温度変化などの影響で不揮発性メモリセルＭＣ００〜ＭＣ１２の特性がずれたときに、この特性のずれに追従するように特性がずれる。 - 特許庁

Then, the displaying of the picture is controlled by obtaining a picture quality adjustment value corresponding to this reference input part from the memory 1000 and by supplying this value to a picture quality adjusting unit 701.例文帳に追加

この基準入力部に対応する画質調整値をメモリ１０００より取得し、これを画質調整ユニット７０１に提供することで画像表示を制御する。 - 特許庁

When a shutter key F0 is operated (step S106), and an image memory 212 stores the raw data and the black/white gradation data at that point of time in cross-reference with each other (step S107).例文帳に追加

シャッターキーＦ０が操作されると（ステップＳ１０６）、その時点での生データと白黒階調データとを画像メモリ２１２に対応付けて記憶させる（ステップＳ１０７）。 - 特許庁

A correlation is determined between reference values corresponding to the identified data items and memory areas allocated during the execution up to the given execution point (step 150).例文帳に追加

識別されたデータアイテムに対応する基準値と、与えられた実行点までの実行中に割当てられたメモリエリアと、の間の相関が決定される（段階１５０）。 - 特許庁

An intermediate code is generated from a source code in Java (R) language, and an instruction code showing memory reference/write from the intermediate code is detected.例文帳に追加

上述の処理によれば、Ｊａｖａ（登録商標）言語のソースコードから中間コードを生成し、その中間コードから、メモリ参照／書き込みを示す命令コードを検出する。 - 特許庁

Since the reference coordinate data are calculated from font data with the calculating means and previously stored in the nonvolatile memory 13, the time for the marking process can be reduced.例文帳に追加

計算手段によりフォントデータから基準座標データが算出され不揮発性メモリ１３にあらかじめ記憶されているので、マーキング処理時間を短縮することができる。 - 特許庁

To improve the recognition precision of nonparametric pattern recognition by forming a fine recognition boundary while suppressing memory capacity for storing a reference pattern.例文帳に追加

参照パターンを記憶するためのメモリ容量を抑制しつつ、きめ細かく識別境界を形成し、もってノンパラメトリックなパターン識別をおこなう場合の認識精度を上げること。 - 特許庁

To prevent decrease in a data reading margin depending on address selection in a storage device for reading data on the basis of the electrical resistance difference between a selected memory cell and a reference cell.例文帳に追加

選択メモリセルとリファレンスセルとの電気抵抗差に基づいてデータを読出す記憶装置において、アドレス選択に依存したデータ読出マージンの低下を防止する。 - 特許庁

The motion compensation section 16 shifts the regular decode image of a reference frame stored in an image memory 19 by the calculated motion vector and outputs the result to an adder 16.例文帳に追加

動き補償部１６は、画像メモリ１９が記憶する参照フレームの正規復号画像を、この演算した動きベクトル分だけ移動させて、加算器１８に出力する。 - 特許庁

A 3rd fusing circuit is composed of the flash cells sharing the bit line, and adjusts a DC voltage level for adjusting a reference value at the time of manufacturing the flash memory device.例文帳に追加

第３ヒュージング回路は、ビットラインを共有してフラッシュセルで構成され、フラッシュメモリ装置の製造時の基準値を調整するためのＤＣ電圧レベルを調整する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device capable of generating a reference current having both characteristic fluctuation matching a memory cell and precision of a constant current source.例文帳に追加

メモリセルに一致する特性変動と定電流源の精度を併せ持つ参照電流を生成することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When a flash memory 22 performs read operation, a selector 26 selects a reference voltage VREF1 in response to a selection signal SEL inputted from a logic circuit 30.例文帳に追加

フラッシュメモリ２２がリード動作を実行する場合は、セレクタ２６は、ロジック回路３０から入力された選択信号ＳＥＬに応じて基準電圧ＶＲＥＦ１を選択する。 - 特許庁

A resource information write means 8 and a label name edit means 9 write resource information and a label name to a label information storage memory 4 in cross-reference with each other.例文帳に追加

リソース情報書き込み手段８及びラベル名編集手段９によってリソース情報とラベル名とが対応づけられてラベル情報保存用メモリ４に書き込まれる。 - 特許庁

With a clock signal applied to the D flip-flop M3 as a reference, time is delayed by 't', '2t', and '3t', respectively, and the D flip-flops of a memory element operate with time delay.例文帳に追加

ＤフリップフロップＭ３に印加されるクロック信号を基準に，“ｔ”，“２ｔ”，“３ｔ”時間ずつ遅延し，メモリ素子の各Ｄフリップフロップは互いに時差をおいて動作する。 - 特許庁

Before information is recorded/reproduced onto/from the optical disc 4, a tilt sensor 1 detects inclination of the reference plane 25 and a detected value is stored in an offset value memory means 27.例文帳に追加

光ディスク４の情報の再生、記録を行なう前に、チルトセンサ１により基準面２５の傾きを検出し、検出値は、オフセット値記憶手段２７に記憶する。 - 特許庁

To provide a memory control circuit and a control method securing normal data writing even when a signal serving as a reference for writing is advanced or delayed.例文帳に追加

書き込みの準拠となる信号に進みや遅れが生じた場合でも、データの正常な書き込みを確保するメモリー制御回路及び制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide an operation method of a nonvolatile memory device, which increases a reference voltage for a verifying operation and performs verification after a specific period to prevent an under program cell.例文帳に追加

アンダープログラムセル防止のために一定時点の後、検証動作の基準電圧を上昇させて検証する不揮発性メモリ装置の動作方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which an operation test can be performed using original reference voltage obtained after minute adjustment without largely complexing a tester.例文帳に追加

テスタを大幅に複雑化させることなく、微調整後に得られる本来の基準電圧を用いて動作試験を行うことが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Then photographing conditions in the case of photographing are read from the 1st and 2nd memory cards and is set in cross-reference with the 1st and 2nd shutter buttons 5a, 5b respectively.例文帳に追加

そして、撮影の際の撮影条件を第１および第２メモリカードから読み出し、それぞれ第１および第２シャッタボタン５ａ，５ｂに関連付けて設定する。 - 特許庁

The control section 19 creates control information including a start point coordinate and an end point coordinate of a necessary region of the reference image data stored in the frame memory 33.例文帳に追加

制御部１９は、フレームメモリ３３に記憶された参照画像データの必要領域の始点座標及び終点座標を含む制御情報を生成する。 - 特許庁

To provide a column selection signal control device and a method for semiconductor memory that generate a normal column selection signal without reference to a power supply voltage level.例文帳に追加

電源電圧レベルに関わらず、正常なコラム選択信号の生成が可能なようにする半導体メモリのコラム選択信号制御装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A luminance correcting section 16 determines a correction value based on the ratio between the luminance of the pixels in the image memory 12 and the density of the ground color in reference to a correction value table 17.例文帳に追加

輝度補正部１６では、画素メモリ１２中の各画素の輝度と地色の濃度の比に基づいて補正値テーブル１７が参照され、補正値が求められる。 - 特許庁

To provide a motion-searching apparatus capable of efficiently using a memory transfer band, by reducing the data transfer amount of a reference image required for neighboring searching.例文帳に追加

近傍探索に必要な参照画像のデータ転送量を低減してメモリ転送帯域を効率的に使用することが可能になる動き探索装置を提供する。 - 特許庁

In the moving picture encoding apparatus 10, a predicted image generator 16 generates a predicted image with respect to a target image by using a reference image stored in a frame memory 20.例文帳に追加

動画像符号化装置１０では、予測画像生成部１６が、フレームメモリ２０に格納された参照画像を用いて、対象画像に対する予測画像を生成する。 - 特許庁

A sense amplifier 7B compares the discharge potential of a bit line BL connected with one electrode of a memory cell resistance Rcell with a reference potential Vr to read information.例文帳に追加

センスアンプ７Ｂは、メモリセル抵抗Ｒｃｅｌｌの一方の電極が接続されたビット線ＢＬの放電電位を参照電位Ｖｒと比較して情報を読み出す。 - 特許庁