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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > residual film methodの意味・解説 > residual film methodに関連した英語例文

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residual film methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 238



例文

The titanium nitride film can be formed by keeping a partial pressure of residual water in atmosphere for film-forming at 0.3% or below to a total pressure, when this titanium film is formed by a reactive sputtering method.例文帳に追加

窒化チタン膜を反応性スパッタリング法で成膜する際に、成膜雰囲気中の残留水分の分圧を全圧に対して0.3%以下にして前記窒化チタン膜を成膜する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a birefringent film in which an amount of residual solvents of the birefringent film can be reduced without impairing uniformity of appearance of the film and an orientation property in its thickness direction.例文帳に追加

外観均一性や厚み方向の配向性を損なうことなく複屈折フィルムの残存溶媒量を低減することが可能な複屈折フィルムの製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a film for a lithium battery formed out of an electrolyte of an anhydrous ionomer, capable of producing the film without using methanol, and capable of giving the film an extremely low residual water content and a high specific electric conductivity.例文帳に追加

メタノールを必要とせず、残余水分量が非常に低く且つ非導電率が高いリチウム電池用の無水のイオノマー性電解質の製造法を提供することを課題とする。 - 特許庁

As for the grinding/polishing/cleaning method for the crossed floor surface, grinding/polishing/cleaning film thickness or residual film thickness for coating film of a line width on a two-plane crossed line is evaluated by using the self-traveling type crossed floor surface grinding/polishing/cleaning device.例文帳に追加

また、交差床面の研掃方法については、自走式交差床面研掃装置を用いて2面交差線上の線幅の塗膜に対する研掃膜厚又は残留膜厚を評価する。 - 特許庁

例文

An X-ray residual stress measuring method, which comprises a means for depositing a metal film of a known X-ray diffraction angle over a surface of a measured object, and a means for measuring a residual stress by irradiating the measured object surface with X rays, executes the X-ray residual stress measurement as holding the metal film deposit over the measured object surface.例文帳に追加

測定対象物の表面にX線回折角度が既知の金属の膜を付着させる手段と、測定対象物表面にX線を照射して残留応力を測定する手段とからなるX線残留応力測定方法において、測定対象物表面に金属膜を付着させた状態でX線により残留応力測定することを特徴とするX線残留応力測定方法。 - 特許庁


例文

To provide cleaning liquid for removing resist enhanced in a removing function of resist residual dross and resistance against corrosion of a copper film and an insulator film, when the resist residual dross after etching or ashing, and other etching residual dross are removed in a semiconductor manufacturing process including a copper wiring process, and a manufacturing method for a semiconductor device using the cleaning liquid.例文帳に追加

銅配線プロセス等の半導体装置製造方法工程において、エッチング後またはアッシング後のレジスト残さ物およびその他のエッチング残さ物を除去する際に、レジスト残さ物等の除去性、銅および絶縁体膜の耐腐食性が高いレジスト除去用洗浄液を提供する。 - 特許庁

To provide an R-Fe-B vertical magnetic anisotropy thin-film magnet, which can be sharply improve both of its coercive force and its residual magnetic flux density by a film-forming method using a sputtering method, and to provide a manufacturing method of the magnet.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜方法において、保磁力と残留磁束密度の両方を著しく向上させることが可能なR‐Fe‐B系垂直磁気異方性薄膜磁石及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film which uses an ALD (Atomic Layer Deposition) method of forming a metal silicate film whose residual impurity concentration is reduced by carrying out a process of removing impurities in the film using a chamber which is the same used for forming the film, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

成膜と同一の処理チャンバーを用いて膜中の不純物除去処理を行い、残留不純物の濃度が低減された金属シリケート膜を形成するALD法を用いた薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thermoplastic film capable of obtaining the thermoplastic film having high optical characteristics by preventing the occurrence of stretching irregularity at the time of stretching by suppressing the occurrence of residual strain caused by a polishing roller method.例文帳に追加

ポリシングローラ法による残留歪みの発生を抑制することにより、延伸時に延伸ムラが発生することを防止し、高い光学特性のフィルムを得ることのできる熱可塑性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a technique for controlling a residual carrier to low concentration without changing characteristics of a semiconductor thin film when epitaxially growing the semiconductor thin film on a semiconductor substrate by an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method or an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method.例文帳に追加

MBE法又はMOCVD法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a capacitor manufacturing method optimal to prevent the residual film of a seed layer by solving difficulty in space securing of a following dielectric film and an upper electrode deposition by over hanging in the case of forming a lower electrode by an electroplating method.例文帳に追加

電気メッキ法により下部電極を形成する際、オーバハングによる後続誘電膜及び上部電極蒸着の空間確保の困難さを解決し、シード層の残膜防止に最適なキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the resin film with a thickness of 30-125 μm by a solution flow casting film forming method, the residual amount of the solvent in a web 10 after peeling is set to 20-120 wt.%.例文帳に追加

溶液流延製膜法により、膜厚30〜125μmを有する樹脂フィルムを製造する方法は、剥離後のウェブ10の残留溶媒量を20〜120重量%とする。 - 特許庁

To provide polishing a method and an apparatus capable of reducing inspection time by inspecting whether a residual film of a metal film (or a conductive film) remains on a substrate, such as a semiconductor wafer, and capable of reducing polishing time upon detection of the residual film by continuing additional polishing.例文帳に追加

研磨中に半導体ウエハ等の基板上に金属膜(または導電性膜)の残膜があるか否かの検査を実施することにより検査時間を短縮することができ、残膜を検出した場合には、そのまま追加研磨を実施することにより処理時間を短縮することができる研磨方法および研磨装置を提供する。 - 特許庁

To provide a radical cleaning method which removes a SiO_2 film formed on a Si substrate and which is capable of also removing a residual product reattached to a reaction chamber (vacuum chamber) when residual products such as (NH_4)_2SiF_6 attached to the Si substrate is removed.例文帳に追加

Si基板上に形成されたSiO_2膜を除去するラジカルクリーニング方法であって、Si基板に付着した(NH_4)_2SiF_6等の残留生成物を除去する際に反応室(真空槽)内へ再付着した残留生成物も除去することができるラジカルクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

By this method, in bending the painted steel plate, even if a residual stress is generated to a painted film at a bent part, at least a bent part of the painted steel plate is heated by the heating process, so that the residual stress is eliminated.例文帳に追加

この方法によれば、塗装鋼板を曲げ加工したときに、曲げ加工された部分の塗膜に残留応力が発生したとしても、加熱工程を実行して塗装鋼板のうちの少なくとも曲げ加工された部分を加熱するので、上記残留応力を消滅させることができる。 - 特許庁

In this method for polishing the stainless steel pipe by magnetic force beam work, and for removing chemically the residual iron powder and rust generated in the polishing and left after the polishing, a passivated film is formed at first by conducting washing by a weak acid solution non-corrosive on stainless steel, and washing using a strong acid is carried out thereafter to dissolve completely the residual iron powder and rust.例文帳に追加

この発明のステンレスパイプを磁力線ビーム加工により研磨し、該研磨後の残留鉄粉や錆びを化学的に除去する方法は、最初、ステンレス鋼を犯さない弱い酸液で洗浄して不動態膜を形成し、その後鉄粉や錆びをすべて溶解する強い酸液で洗浄する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of securely removing a residual halogen without a resistance of a conductive film lowered when etching the conductive film including a silicon by a halogen series gas.例文帳に追加

シリコンを含有する導電膜をハロゲン系ガスでエッチングする際に、導電膜を低抵抗化させることなく確実に残留ハロゲンを除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a simple method capable of obtaining a good quality ruthenium film superior in long-term preservation stability, furthermore, little in residual impurities, and also capable of forming ruthenium film by using the material for chemical vapor deposition.例文帳に追加

長期間の保存安定性に優れ、しかも残留不純物量が少ない良質なルテニウム膜を得ることができるおよびその化学的気相材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resin film for controlling alignment property of liquid crystal molecules and producing a liquid crystal display element having low residual voltage characteristics, and to provide an alignment treatment method of the liquid crystal molecules using the resin film.例文帳に追加

液晶分子の配向性を制御し、さらには、低残留電圧特性を有する液晶表示素子を得るための樹脂膜、およびそれを用いた液晶分子の配向処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermoplastic resin film capable of being formed into a film having high optical characteristics by suppressing the occurrence of residual strain, and its manufacturing method.例文帳に追加

残留歪みの発生を抑制することにより、高い光学特性のフィルムを得ることのできる熱可塑性樹脂フィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing a resin film-laminated prepreg, enabling the prepreg's moisture absorption to be suppressed with slight residual voids between the prepreg and the resin film.例文帳に追加

プリプレグと樹脂フィルムとの間のボイド残りが少なく、プリプレグの吸湿を抑制することができ、しかも効率的に樹脂フィルム積層プリプレグを得ることが可能な樹脂フィルム積層プリプレグの製造方法を提供する。 - 特許庁

This cellulose ester film 20-60 μm in thickness on a dry basis is produced by solution casting film formation method, and is characterized by being ≤0.05 mass% in residual solvent content when wound and rolled.例文帳に追加

溶液流延製膜方法により製造された乾燥膜厚が20〜60μmのセルロースエステルフィルムにおいて、巻き取り時の残留溶媒量が0.05質量%以下であることを特徴とするセルロースエステルフィルム。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same which suppress delamination of a film deposited on a substrate caused by processing damages or residual stress of the film occurred in a process of dividing semiconductor devices into pieces by die cutting or the like.例文帳に追加

ダイシング等で半導体装置を個片化する際に加工のダメージ又は膜の残留応力などに起因して発生する、基板上の膜の剥離を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing a residual quantity of Mn in a Cu wire while preventing the occurrence of film separation of a metal film on a side face of a groove.例文帳に追加

溝の側面上における金属膜の膜剥がれの発生を防止することができながら、Cu配線中のMnの残留量を低減させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition system and a thin film deposition method which enables a uniform supply of material gas by rapidly purging residual gas in a gas dispersion chamber and attaining high productivity.例文帳に追加

ガス分散チャンバ内の残留ガスを急速にパージすることにより、材料ガスの均一な供給を可能とし、高い生産性を達成する薄膜形成装置及び方法を与える。 - 特許庁

To provide a method for depositing a film which can reduce the impurity concentration of a residual carbon or the like and can obtain a metal oxide film of high quality.例文帳に追加

本発明は、残留炭素などの不純物濃度を低下させることを可能とした、良質な金属酸化膜を得ることができる成膜方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a mask substrate, which minimizes adhesion of residual sulfuric acid ions on the mask substrate with a high removing rate of foreign matter, and never damages a light-shielding film or phase shift film of the mask substrate.例文帳に追加

マスク基板上の残留硫酸イオンの付着量が少なく、異物の除去率が高く、また、マスク基板の遮光膜や位相シフト膜へのダメージを与えることがないマスク基板洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of reducing the residual stress left inside a semiconductor substrate, improving the gate insulating film in quality, and equipped with a dual gate insulating film structure.例文帳に追加

半導体基板内部の残留応力を低減するとともにゲート絶縁膜の膜質の改善が可能なデュアルゲート絶縁膜構造を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device hardly generating resist residual in peeling-off a plating resist film made of a dry film resist for forming a columnar electrode of the semiconductor device having the columnar electrode.例文帳に追加

柱状電極を有する半導体装置の柱状電極を形成するためのドライフィルムレジストからなるメッキレジスト膜を剥離する際、レジスト残渣が発生しにくいようにする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilevel gradation photomask, by which a resist level difference structure having different resist residual film values within the film plane can be formed with high accuracy, and thereby, a mask pattern with high accuracy can be formed.例文帳に追加

面内でレジスト残膜値の異なるレジスト段差構造を精度良く形成することができ、これによって精度の高いマスクパターンを形成できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus using a film thickness measurement method of a processed material capable of accurately measuring an actual residual film amount and/or an etching depth of a processed layer on line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nanofiber film production apparatus which can prevent a quality deterioration caused by residual electric charges, a solvent component and the like, and to provide a nanofiber film production method.例文帳に追加

残留する電荷や溶媒成分などに起因する品質不良を防止することができるナノファイバ膜製造装置およびナノファイバ膜製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method for manufacturing an optical film, a liquid mist 2 having a boiling point of 70 to 150°C is sprayed to a polymer film 1 with the residual solvent amount of 30 to 80 wt.% in the surface layer part.例文帳に追加

表層部の残留溶媒量が30〜80重量%のポリマーフィルム1に対して沸点70〜150℃の液体のミスト2を吹き付けることを特徴とする光学フィルムの製造方法。 - 特許庁

To reduce a defect, which is caused by uneven thickness and residual gas in a film residue of a resist film having an uneven pattern transferred thereon, in a method for carrying out an nano-imprint by inkjet applying an ink droplet made of resist material.例文帳に追加

インクジェット法を用いてレジスト材料からなる液滴を塗布しナノインプリントを行う方法において、凹凸パターン転写されたレジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体による欠陥の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a birefringent film that can reduce the amount of residual solvent in the birefringent film, without impairing the uniformity of appearance or the orientation in the thickness direction.例文帳に追加

外観均一性や厚み方向の配向性を損なうことなく複屈折フィルムの残存溶媒量を低減することが可能な複屈折フィルムの製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a film formation method where, while gas produced from a degreasing residual material at the inside face of a metallic tube is exhausted from the inside of the tube, an oxide film for suppressing the elution of metal ions from the surface of the tube is formed.例文帳に追加

金属管内面の脱脂残留物から発生するガスを管内から排除しながら、管表面からの金属イオンの溶出を抑制する酸化被膜を形成する被膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition capable of producing a heat resistant relief structure, having high sensitivity, and capable of giving a film having high residual film ratio and high elongation at breaking, and a method for manufacturing a semiconductor device that uses the composition.例文帳に追加

耐熱性を有するレリーフ構造体を製造可能であり、高い感度を有し、大きな残膜率、大きな破断伸びの膜を可能とする感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate-processing method and a substrate-processing device which are capable of being improved in residual resist film after development, when a resist film has been half-exposed.例文帳に追加

ハーフ露光した場合において現像後のレジストの残膜の均一性を向上させることが可能な基板処理方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of inspecting the via bottom resin film thickness of a printed board with vias which easily detects the residual resin film thickness and can quickly and accurately judge whether it is good or not.例文帳に追加

ビア付きプリント基板において、残留樹脂膜厚を容易に検出し、良否の判定を迅速かつ正確に行うことができる検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a blend film of a P(VDF/TrFE) and a carbon nanotube having high elasticity, excellent transparency and crystal orientation, a high Pr value (residual polarization value) and a high piezoelectric effect and to provide a method for manufacturing the blend film of a P(VDF/TrFE) and a carbon nanotube.例文帳に追加

弾性率が高く、透明であり、結晶配向性に優れた膜であって、更にPr値(残留分極値)が高く、強い圧電効果をもつ、P(VDF/TrFE)とカーボンナノチューブとのブレンド膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of an organic anti-reflection film whereby forming of puddles at the edge of the organic anti-reflection film is reduced, otherwise causing unnecessary residual substance on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に不要な残渣を生ずる原因となる有機反射防止膜の縁だまりが低減された有機反射防止膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for packaging a polyimide film roll in which the influence of moisture absorption and a residual solvent in the polyimide film roll is eliminated and crease is not formed even when stored for a long period.例文帳に追加

ポリイミドフィルムロールの吸湿及び残存溶媒の影響を排除し、長期保存してもしわが発生しないポリイミドフィルムロールの包装方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of reducing the variations of sheet resistance without restricting the variations of the residual film of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の残膜のばらつきを抑制することなく、シート抵抗のばらつきを低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical film which can stably conveying unnecessary parts which do not turn into a product of a film containing a residual solvent in the method for manufacturing the optical film using a solution casting film manufacturing method, the optical film manufactured by the method for manufacturing, and an apparatus for manufacturing the optical film.例文帳に追加

本発明の目的は、溶液流延製膜法を用いた光学フィルムの製造方法において、残留溶媒を含むフィルムの製品とならない不要部分を、安定して搬送できる光学フィルムの製造方法と該製造方法で製造した光学フィルム、光学フィルムの製造装置を提供することである。 - 特許庁

In the method of manufacturing a ferroelectric memory, a ferroelectric material film 14 formed on a lower electrode material film 12 is patterned by underetching so as not to expose the lower electrode material film 12 to form a plurality of ferroelectric sections 22 and a residual underetched film 24.例文帳に追加

強誘電体メモリの製造方法では、下部電極材料膜12上に形成された強誘電体材料膜14を、下部電極材料膜12が露出しないように、アンダーエッチングによってパターニングして、複数の強誘電体部22と、アンダーエッチング残膜24と、を形成する。 - 特許庁

The method for producing an optical compensation film comprises forming a cellulose resin film by melt-casting a composition containing a cellulose resin, wherein the cellulose resin has a residual sulfuric acid content of 0.1-50 ppm, providing a polymer layer on the cellulose resin film, and stretching the cellulose resin film together with the polymer layer.例文帳に追加

残留硫酸量が0.1〜50ppmの範囲であるセルロース樹脂を含有する組成物を溶融流延製膜することでセルロース樹脂フィルムを製造し、該セルロース樹脂フィルム上にポリマー層を設けて延伸することを特徴とする光学補償フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a thin film transistor and a method for manufacturing this thin film transistor, and to provide an organic electroluminescent display device and a method for manufacturing this organic electroluminescent display device for improving characteristics by minimizing a residual metallic catalyst residing in a semiconductor layer in a thin film transistor using a semiconductor layer crystallized by using a metallic catalyst.例文帳に追加

金属触媒を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタにおいて、半導体層に残留する残留金属触媒を最小化して特性が向上した薄膜トランジスタとその製造方法、及び有機電界発光表示装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the cellulose acylate film comprising a process of forming the film by a solution casting method is provided with that the cellulose acylate is obtained by using cotton linter as a raw material, satisfies the following formulae (1) to (3), and has 50 ppm<S<500 ppm residual sulfuric acid radical (S is a content of the sulfur atom of the residual sulfuric acid radical).例文帳に追加

セルロースアシレート溶液を溶液キャスト法により製膜する工程を含むセルロースアシレートフィルムの製造方法において、前記セルロースアシレートが綿花リンターを原料とし、下記式(1)〜(3)を満足し、且つ、残留硫酸根量が50ppm<S<500ppm(Sは残留硫酸根の硫黄原子の含有量)であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a substrate processing method which can enhance the uniformity of a residual film half exposed and make constant a distance between electrodes to be formed, and also to provide substrate processing equipment using the method.例文帳に追加

ハーフ露光された部分の残膜の均一性を向上させ、形成される電極間の距離を均一にすることができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a ferroelectric film which can be packaged in a micro CMOS circuit and indicates excellent residual polarization characteristics, and manufacturing method thereof, ferroelectric capacitor, ferroelectric memory and manufacturing method thereof.例文帳に追加

微細なCMOS回路に搭載することができ、良好な残留分極特性を示す強誘電体膜とその製造方法、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリとその製造方法を提供する。 - 特許庁

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