「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(426ページ目) - Weblio英語例文検索

After performing a first polishing step of polishing a strip-like optical block being a laminate constituted of a strip-like optical block for forming the first light-transmissive member 11, a first adhesion layer 131 and a strip-like retardation plate for forming a retardation plate 132, a second polishing step of polishing the strip-like retardation plate is performed.例文帳に追加

第１の透光性部材１１を形成するための短冊状光学ブロック、第１の接着層１３１、位相差板１３２を形成するための短冊状位相差板からなる積層体の短冊状光学ブロックを研磨する第１の研磨工程を実施した後、短冊状位相差板を研磨する第２の研磨工程を実施する。 - 特許庁

The outer peripheral face of the annular thin steel pipe is coated with polyurethane elastomer of hardness of JIS-A80-95 as a first resin, adhered to the steel pipe in a state of a comparatively thick and uniform layer, and an outer peripheral face of the first resin is coated with a non-adhesive polyurethane elastomer as a second resin in a state of comparatively thin and striped in the extruding direction.例文帳に追加

円形断面の薄肉鋼管の外周面に、第一樹脂として、硬度ＪＩＳ−Ａ８０〜９５のポリウレタンエラストマーが、比較的厚く均一な層状に接着して被覆され、第一樹脂の外周面に、第二樹脂として、非粘着性のポリウレタンエラストマーが、比較的薄く、押し出し方向への筋状に被覆された２層被覆構造である。 - 特許庁

A PMOS transistor Q2 provided to short-circuit between a base and an emitter of an N type IGPT when turned off comprises a P diffusion area 5, P diffusion area 6 and a conductive film 10 and a second gate electrode 15 which are provided on a surface of an N-epitaxial layer 2 between the P diffusion area 5 and the P diffusion area 6 through a gate oxide film 21.例文帳に追加

ターンオフ時にＮ型のＩＧＢＴのベース・エミッタ間を短絡するために設けるＰＭＯＳトランジスタＱ２は、Ｐ拡散領域５、Ｐ拡散領域６、及びＰ拡散領域５、Ｐ拡散領域６間のＮ^−エピタキシャル層２の表面上にゲート酸化膜２１を介して設けられた導電膜１０及び第２ゲート電極１５により構成される。 - 特許庁

Then the optical semiconductor device has a third semiconductor region provided on a region of a semiconductor layer isolated from the first semiconductor region and second semiconductor region by an element isolation region, and having the first conductivity type, and a fourth semiconductor region provided between a semiconductor substrate and the third semiconductor region and having the first conductivity type.例文帳に追加

そして、素子分離領域により前記第１半導体領域および前記第２半導体領域と分離された半導体層の領域に設けられ、第１導電型を有する第３半導体領域と、前記半導体基板と前記第３半導体領域の間に設けられ、第１導電型を有する第４半導体領域とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical anisotropic layer formed from liquid crystal molecules comprises a first process for uniformly orienting liquid crystal molecules, a second process for changing the front retardation value of the optical anisotropic layer by changing the orientation state of the liquid crystal molecules by the irradiation of light of wavelength which does not substantially fix the liquid crystal molecules and a fixing process for fixing the liquid crystal molecules in the changed orientation state.例文帳に追加

液晶分子から形成される光学異方性層の製造方法であって、液晶分子を均一配向させる第１の工程と、その後、前記液晶分子を実質的に固定化しない波長の光を照射することにより前記液晶分子の配向状態を変化させて、光学異方性層の正面レターデーション値を変化させる第２の工程と、前記変化させた配向状態で前記液晶分子を固定する固定化工程とを含むことを特徴とする光学異方性層の製造方法。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer 113 is in contact with the second conductive layers 115a, 115b and barrier layers 116a, 116b including aluminum oxide as the first component, whereby diffusion of aluminum atoms to the oxide semiconductor layer 113 is suppressed.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ１５０がアルミニウムを第１成分とする第１導電層（１１４ａ、１１４ｂ）と高融点金属材料からなる第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）を積層したソース電極層及びドレイン電極層（１１７ａ、１１７ｂ）を有し、酸化物半導体層１１３が、前記第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）および酸化アルミニウムを第１成分とするバリア層（１１６ａ、１１６ｂ）と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層１１３への拡散を抑制する。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor element having the foreign material layer disposed in the semiconductor body includes the steps of: producing a trench having two opposite sidewalls and a bottom in the semiconductor body; producing the foreign material layer on a first one of the two sidewalls of the trench; and filling the trench by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench.例文帳に追加

半導体基材内に異材料層が配置された半導体素子を製造するための方法であって、対向し合う２つの各側壁と底部とを有するトレンチを上記半導体基材内に作成する工程と、上記トレンチの上記２つの各側壁のうちの第１の側壁に異材料層を作成する工程と、上記トレンチの上記２つの各側壁のうちの第２の側壁および底部に半導体材料をエピタキシャルに堆積することによって上記トレンチを充填する工程とを含んでいる方法。 - 特許庁

A second substrate 10B is stuck to the first substrate 10A at a prescribed interval between substrates, a liquid crystal is injected between the first and the second substrates 10A and 10B and a liquid crystal layer wherein liquid crystal molecules are aligned by alignment controlling force is formed.例文帳に追加

画素内に反射領域および透過領域とが並列に配置された第１基板１０Ａにフォトスペーサ２２を形成した後に配向膜１１を塗布し、配向膜１１に対し配向膜１１に吸収される波長帯域の紫外光を照射して、配向膜１１の配向処理を行い、第１基板１０Ａに対し第２基板１０Ｂを所定の基板間隔をもって貼り合わせ、第１基板１０Ａおよび第２基板１０Ｂの間に液晶を注入し、配向制御力により液晶分子が配向された液晶層を形成する。 - 特許庁

By attaining a structure for which a third electrode formed in an area, where the photoelectric conversion layer is not formed on the supporting substrate or in the area where the photoelectric conversion layer is not formed on the insulation layer is connected to the second electrode, the electrical resistance of the surface opposite to the incident light is reduced, and the crystal system solar battery of high efficiency and the large area is obtained.例文帳に追加

セラミックや金属等の支持基板上に絶縁層が形成され、その絶縁層上に光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層が設けられ、入射光により発生したキャリアを取り出すために、光電変換層の入射光面倒に第1の電極が、その反対の絶縁層側の面に第2の電極が形成された太陽電池において、支持基板上の光電変換層が形成されていない領域または絶縁層上の光電変換層が形成されていない領域に形成された第3の電極が前記第2の電極に接続されている構造とすることにより、入射光と反対の面の電気抵抗を低減し、高効率で大面積の結晶系太陽電池を得る。 - 特許庁

The transparent electrode and the opposing electrode, and a layer pinched in between are provided on the translucent base material by the plural number, and that an organic EL element with a second alignment mark on is transferred and laminated through the metal foil and the adhesive layer of the sealing component on the translucent base material.例文帳に追加

透明電極と対向電極及びその間に挟持された層が透光性基材上に複数個設けられ、かつ、透光性基材に第二のアライメントマークが設けられている有機ＥＬ発光素子を、前記封止部材の金属箔を接着層を介して転写・積層すると、薄い金属箔をしわ等にならずに封止に用いることが可能になり、かつ、一定張力をかけながら封止するために、同一基材上の個々の素子の封止端面が均一となり、従って各素子の耐湿性能の揃った有機ＥＬ素子を提供することができる。 - 特許庁

The substrate 10 is provided in a gap between the pixel electrodes 15 in at least one direction of the first direction and the second direction, and includes: a first oriented film that horizontally orients liquid crystal molecules in the liquid crystal layer along a longitudinal direction of the gap; and a second oriented film that at least covers the pixel electrodes and vertically orients the liquid crystal molecules along a normal line of the substrate.例文帳に追加

第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とに複数の画素電極１５が配置された基板１０と、液晶層と、を備えた液晶装置であって、前記基板１０は、前記第１方向または前記第２方向の少なくとも一方において前記画素電極１５間の隙間に設けられ、前記液晶層中の液晶分子を前記隙間の長手方向に沿って水平配向させる第１配向膜と、少なくとも前記画素電極を覆う、前記液晶分子を前記基板の法線に沿って垂直配向させる第２配向膜と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor element formed on a semiconductor substrate 10, first wiring 41A formed above the substrate 10 electrically connected to the semiconductor element, and second wiring 42A formed above the first wiring 41A through a third layer insulation film 23 made of an insulator having a dielectric constant lower than a silicon oxide.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された半導体素子と、半導体基板１０の上方に形成され、半導体素子と電気的に接続された第１の配線４１Ａと、該第１の配線４１Ａの上方に誘電率が酸化シリコンよりも低い絶縁体からなる第３の層間絶縁膜２３を介在させて形成された第２の配線４２Ａとを有している。 - 特許庁

Surface roughness Ra of the second diffusion prevention layer 12 is set lower than surface roughness Ra of the metal base 1.例文帳に追加

本発明の酸化物超電導導体用基材１０は、金属基材１上に、第１拡散防止層１１と、第２拡散防止層１２と、第３拡散防止層１３と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層４とがこの順に設けられてなり、第２拡散防止層１２の表面粗さＲａが、金属基材１の表面粗さＲａよりも低く設定されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The method of depositing the metallic layer containing metal on the substrate surface has a process step of immersing the substrate in a first solution which contains a depolarizing agent and in which the metal ions do not substantially exist and a process step of immersing the substrate into a second solution containing the metal ions described above while passing an electric current between the substrate and an anode.例文帳に追加

基板表面上に金属を含む金属層を析出させる方法であって、前記基板を、復極剤を含み、かつ、実質的に前記金属イオンが存在しない第一溶液に浸す工程と、その後に、前記基板とアノード間に電流を流しながら、前記基板を、前記金属のイオンを含有する第二溶液に浸す工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In this method, the thermal recording medium is manufactured by applying a coating material composed mainly of a binder and a coating material composed mainly of a crosslinking agent to the surface of a thermal recording layer on a support containing a colorless or pale-color electron donative leuco dye and an electron receptive developer, in a first coating part and a second coating part, while the dyes are wet.例文帳に追加

支持体上に設けてある無色ないし淡色の電子供与性ロイコ染料および電子受容性顕色剤とを含有する感熱記録層上に、バインダーを主体とする塗料および架橋剤を主体とする塗料を湿潤状態にあるうちに、第一塗工部および第二塗工部において塗工することを特徴とする感熱記録体の製造方法である。 - 特許庁

The method for producing the two-layer film includes a process for forming the first metal film containing nickel of 60-100 wt.% by a vacuum evaporation method, an ion plating method or a sputtering method under an atmosphere containing nitrogen gas on the polymer film; and a process for forming the second metal film having copper as the main component on the first metal film.例文帳に追加

高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

The polymer electrolyte material has at least a first repeating unit including Si-C bond forming a main skeleton and a second repeating unit including an aromatic ring and a proton conducting group, and the membrane-electrode assembly for the fuel cell has the polymer electrolyte membrane including the polymer electrolyte material and/or the catalyst layer.例文帳に追加

主骨格を形成するＳｉ−Ｏ結合を含む第一の繰り返し単位と、芳香環及びプロトン伝導性基を含む第二の繰り返し単位とを、少なくとも有していることを特徴とする高分子電解質材料、並びに、該高分子電解質材料を含有する高分子電解質膜及び／又は触媒層を備えることを特徴とする、燃料電池用膜・電極接合体。 - 特許庁

When the laser head 31 moves to one side with respect to a second layer on the substrate 100, the measuring device 11 measures position information on a first machining line in front in a moving direction of the laser head 31, and when the laser head 31 moves to the other side, the measuring device 21 measures position information on the first machining line in front in the moving direction of the laser head 31.例文帳に追加

基板１００上の第２層に対して、レーザヘッド３１が一方側に移動するとき、測定装置１１はレーザヘッド３１の移動方向前方において第１加工ラインの位置情報を測定し、レーザヘッド３１が他方側に移動するとき、測定装置２１はレーザヘッド３１の移動方向前方において第１加工ラインの位置情報を測定する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the superjunction semiconductor device, first conductivity type doping gas is introduced into an epitaxial growth line earlier than semiconductor source gas when a first conductivity type region 4 of a superjunction structure comprising the first conductivity type region 4 and a second conductivity type region 5 which constitute a drift layer of the superjunction semiconductor device, and are parallel is formed by epitaxial growth.例文帳に追加

超接合半導体装置のドリフト層を構成する並列の第１導電型領域４と第２導電型領域５からなる超接合構造のうち、前記第１導電型領域４をエピタキシャル成長によって形成する際に、第１導電型ドーピングガスを半導体ソースガスよりも早くエピタキシャル成長ラインへ導入する超接合半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The method includes: a first pressing step of forming the membrane electrode structure 1 by pressing a solid polymer electrolyte membrane 2 pinched by a pair of electrodes 3, 4 to cure an adhesive layer 9; and a second pressing step of molding the membrane electrode structure 1 into a given thickness by pressing the membrane electrode structure 1 with a pressure larger than that at the first pressing step.例文帳に追加

１対の電極３，４により挟持された固体高分子電解質膜２を押圧して接着剤層９を硬化させて膜−電極構造体１を形成する第１の押圧工程と、前記第１の押圧工程よりも大きな圧力で膜−電極構造体１を押圧して膜−電極構造体１を所定の厚さに成形する第２の押圧工程とを備える。 - 特許庁

The display device 100 includes: a display unit 200 having a display element layer 220 and a pixel driving thin film transistor 230 on a first flexible board 210; and a thin film device 300 which is bonded to a first surface of the display unit 200 to drive the display unit 200 and has a display controlling thin film transistor 320 on a second surface.例文帳に追加

ディスプレイ装置１００は、第１フレキシブル基板２１０上に表示素子層２２０及び画素駆動用薄膜トランジスタ２３０を有するディスプレイユニット２００と、ディスプレイユニット２００の第１面上に接合され、当該ディスプレイユニット２００を駆動するデバイスであって、第２面上にディスプレイ制御用薄膜トランジスタ３２０を有する薄膜デバイス３００と、から形成されている。 - 特許庁

Thus, the optical pickup 7 can generate a reaction caused by an excited state absorption by second and succeeding pulses P2 to P4 while keeping the excited state of a recording material M which is generated by two-photon absorption of a first pulse P1 in the neighborhood of a focus F of the light beam L, and therefore a recording mark RM can be formed on a recording layer 101 in an extremely short period of time.例文帳に追加

これにより光ピックアップ７は、光ビームＬの焦点Ｆの近傍で、最初のパルスＰ１の２光子吸収により生じた記録材料Ｍの励起状態を維持したまま２番目以降のパルスＰ２〜Ｐ４により励起状態吸収による反応を生じさせることができるので、極めて短い時間で記録層１０１に記録マークＲＭを形成することができる。 - 特許庁

The wavelength conversion layer 12 is in a film shape for covering upper and side faces of the light-emitting element 11, the light-transmitting member 14 is made of a material having a refractive index to the first-wavelength light larger than that to the second-wavelength light, and an outer wall surface of the light-transmitting member 14 includes a recessed light refraction surface 16 at a position opposing the surface of the light-transmitting element 11.例文帳に追加

波長変換層１２は発光素子１１の上面及び側面を覆う膜状であり、透光性部材１４は、第１波長の光に対する屈折率が第２波長の光に対する屈折率よりも大きい材料で構成されており、透光性部材１４の外壁面は、発光素子１１の面に対向した位置に凹状の光屈折面１６を有する。 - 特許庁

The dye-sensitized photoelectric conversion element 1 includes the working electrode constituted from a region formed by braiding a plurality of first base materials 8 and second base materials 9 having conductivity and forming a linear shape, and has a porous oxide semiconductor layer 13 formed only on the light receiving face side of the working electrode.例文帳に追加

導電性を有するとともに線状をなす複数の第１基材８および第２基材９が網目状に編まれてなる領域から構成される作用極を備える色素増感型光電変換素子１であって、前記作用極の受光面側にのみ多孔質酸化物半導体層１３が形成されていることを特徴とする色素増感型光電変換素子１。 - 特許庁

The working panel on which a plurality of strips comprising a number of circuit boards is arranged in a plane includes a first strip on which circuit layers having different circuit patterns are formed on upper and lower sides of the core, and a second strip on which circuit layers having different patterns are laminated on upper and lower sides of the core opposite to the circuit layer of the first strip.例文帳に追加

多数の回路基板が画成される複数のストリップが平面上に配列されるワーキングパネルであって、コアの上下側に相異なる回路パターンを有する回路層がそれぞれ形成された第１ストリップと、コアの上下側に、互いに異なる回路パターンを有する回路層が前記第１ストリップの回路層と反対の位置に積層形成された第２ストリップとを含んでなる。 - 特許庁

The layer 40 is piled up by the continuous steps of a first reaction substance is allowed to enter a vacuum chamber at a first flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is lowered to that of a second lower flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is increased in steps to a third flow rate.例文帳に追加

層４０の堆積は、（ｉ）第１流量において、第１反応物質が真空チャンバ内へと流入する段階、（ｉｉ）真空チャンバ内への第１反応物質の流入を、第２流量に低下させる段階、および（ｉｉｉ）第１反応物質の真空チャンバ内への流入を、第３流量へと増加させる段階を連続して行うことによって実施される。 - 特許庁

The metal-ceramic composite structure comprises a metal-ceramic composite formed by infiltrating a metal into pores of a porous sintered compact, and is constituted of a first member having at least one recessed part at least in its surface and a second member consisting of a ceramic compact body which is joined to at least one of the recessed parts of the first member through a metal layer.例文帳に追加

多孔質焼結体の細孔に、金属を含浸させることにより形成された金属−セラミックス複合体からなり、その少なくとも表面に１箇所以上の凹部が形成された第１部材と、前記第１部材の凹部の少なくとも１箇所に、金属層を介して接合されたセラミックス緻密体からなる第２部材とから構成された金属−セラミックス複合構造体とする。 - 特許庁

The electrochemical device is made of a first electrode and a second electrode and an ion conductor clipped by these both electrodes, and the ion conductor is made of an ion exchange membrane 1 which has a metal porous membrane 3 of Ti or the like that is surface-coated at least partly by the insulating protection layer 2 and in which the ion exchange resin 4 of Nafion or the like is filled in this porous membrane 3.例文帳に追加

第１極と、第２極と、これらの両電極間に挟持されたイオン伝導体とからなり、前記イオン伝導体が、絶縁性保護層２により少なくとも一部が表面被覆されたＴｉ等の金属多孔質膜３を有し、この多孔質膜３にナフィオン等のイオン交換樹脂４が充填されているイオン交換膜１からなる、電気化学デバイス。 - 特許庁

The photoresponse electrode is provided with a transparent conductive membrane 3 and a compound electrode 2 which is installed at least on one face side of the transparent conductive membrane 3 and in which a first conductive polymer and a dye are mutually covalent-bonded, and a conductive layer 5, containing a second conductive polymer, is provided between the compound electrode 2 and the transparent conductive membrane 3.例文帳に追加

本発明は、透明導電膜３と、透明導電膜３の少なくとも一方の面側に設けられ、第１導電性高分子及び色素が互いに共有結合して成る複合高分子を含む複合電極２とを備え、複合電極２と透明導電膜３との間に、第２導電性高分子を含む導電層５を備えた光応答電極である。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a semiconductor substrate 10 having an element forming region 12 containing impurities of a first conductivity type; a gate electrode 15 formed on the element forming region 12 with a gate insulating film 14 interposed therebetween; and a silicon mixed crystal layer 22 formed outside the gate electrode 15 in the element forming region 12 and containing impurities of a second conductivity type.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の不純物を含む素子形成領域１２を有する半導体基板１０と、素子形成領域１２の上にゲート絶縁膜１４を介在させて形成されたゲート電極１５と、素子形成領域１２におけるゲート電極１５の外側方に形成され、第２導電型の不純物を含むシリコン混晶層２２とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device where a plurality of IC chips of different function are contained in a single package with the surface layer of each IC chip being applied with a metal coating is mounted on the first surface of a printed board and a ground pattern is formed directly under a semiconductor device on the second surface of the printed board while facing respective IC chips individually.例文帳に追加

単一のパッケージ内に機能の異なる複数のＩＣチップを収納するとともに、前記パッケージ内の各ＩＣチップの表層面を金属コーティングして成る半導体装置を、印刷基板の第１の面に装着し、この印刷基板の第２の面における前記半導体装置の直下に、前記各ＩＣチップに対向してそれぞれ個別に接地パターンを形成する。 - 特許庁

The magnetic recording medium is characterized in that a magnetic recording layer formed by mixing and reacting the magnetic fine particles coated with a first reactive organic film and the magnetic fine particles coated with a second reactive organic film are covalently bonded to a medium base body via a third reactive organic film formed on the surface of the medium base body.例文帳に追加

第１の反応性を有する有機膜で覆われた磁性微粒子と第２の反応性を有する有機膜で覆われた磁性微粒子を混合反応させて形成された磁気記録層が媒体基体表面に形成された第３の反応性を有する有機膜を介して媒体基体と共有結合していることを特徴とする磁気記録媒体を特徴とする。 - 特許庁

In making this pouch for a retort, a laminated material is made in a bag shape laminating a first barrier base material provided with an inorganic oxide deposited film and a gas barrier coated film at least on one side of a base film, a second barrier base material provided with an inorganic oxide deposited film on one side of a base film, and a heat seal resin layer.例文帳に追加

少なくとも、基材フィルムの一方の面に無機酸化物の蒸着膜とガスバリア性塗布膜とを設けた第１のバリア性基材と、基材フィルムの一方の面に無機酸化物の蒸着膜を設けた第２のバリア性基材と、ヒ−トシ−ル性樹脂層とを積層した積層材を製袋してなることを特徴とするレトルト用パウチに関するものである。 - 特許庁

The electrode 24 on the liquid crystal layer 26 side of the common electrode 22 and the pixel electrode 24 has a slit S including a first opening 71 inclined at a predetermined angle to the rubbing direction R and a second opening 72 connected to one end of the first opening 71 and taking an axis orthogonal to the rubbing direction R as a symmetrical axis A as viewed in a plane.例文帳に追加

そして、共通電極２２及び画素電極２４のうちの液晶層２６側の電極２４は、平面視した状態で、ラビング方向Ｒに対して所定角度で傾斜する第１開口部７１と、第１開口部７１の一端側に接続され且つラビング方向Ｒに直交する軸を対称軸Ａとする第２開口部７２と、を含むスリットＳを有する。 - 特許庁

Further, the semiconductor storage has a third contact plug 17, so formed extendedly through between the first and second upper-layer insulating hydrogen barrier films 15a, 15b present in the interlayer insulating film 16 as not to come into contact it with the films 15a, 15b, and as to connect its lower end with the top surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

層間絶縁膜１６における第１の上層絶縁性水素バリア膜１５ａと第２の上層絶縁性水素バリア膜１５ｂとの間を貫通して延びると共に、第１及び第２の上層絶縁性水素バリア膜１５ａ及び１５ｂと接触しないように形成されており、下端が半導体基板１の上面と接続する第３のコンタクトプラグ１７とを備える。 - 特許庁

In a solar battery 100, a second conductive dopant diffusion layer 65 is formed at the first main surface side of the first conductive semiconductor solar battery substrate 1, and a plurality of linear finger electrodes 4 for output extraction are formed on the first main surface, and solar lights are received in the first main surface area exposed between the finger electrodes 4.例文帳に追加

太陽電池１００においては、第一導電型の半導体太陽電池基板１の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層６５が形成され、該第一主表面上に出力取出用の線状のフィンガー電極４が複数形成され、該フィンガー電極４の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光する。 - 特許庁

A process for fabricating a sensor 10 is disclosed that bonds a first device wafer to an etched second device wafer to create a suspended structure, the flexure of which is determined by an embedded sensing element 310 that is in electrical communication with an outer surface of the sensor 10 through an interconnect 400 embedded in a device layer 110 of the first device wafer.例文帳に追加

第１のデバイスウエハーをエッチングされた第２のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー１０を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第１のデバイスウエハーのデバイス層１１０に埋め込まれた相互接続部４００を通じてセンサー１０の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子３１０によって決定される。 - 特許庁

In a stacked capacitor 100, an internal electrode layer 7 includes a first internal electrode 20 and a second internal electrode 30, and each internal electrode 20, 30 includes an active electrode portion 21, 31 of a fixed width positioned far from an end face and a lead electrode portion 22, 32 of a fixed width narrower than the active electrode portion 21, 31 and positioned near to the end face.例文帳に追加

本発明に係る積層コンデンサ１００は、内部電極層７が第１の内部電極２０と第２の内部電極３０とを含み、かつ、各内部電極２０、３０が、端面から遠い側に位置する同幅の活性電極部２１、３１と、活性電極部２１、３１より幅狭であり、端面に近い側に位置する同幅の引出電極部２２、３２とを含む。 - 特許庁

Burnt silver containing a glass component and adhering rigidly to a ceramic insulating substrate 11 is applied as a first back electrode 14 directly to the backside of the insulating substrate 11, and a second back electrode 15 composed of resin silver having a lower Young's modulus as compared with burnt silver and exhibiting thermal stress relaxation effect is stacked on the first back electrode 14 thus forming a two layer structure.例文帳に追加

ガラス成分を含有するためにセラミック製の絶縁基板１１に強固に密着する焼成銀を第１裏面電極１４として絶縁基板１１の裏面に直接被着し、焼成銀に比してヤング率が低く、そのため熱応力の緩和効果を有する樹脂銀からなる第２裏面電極１５を第１裏面電極１４に積層して裏面電極を２層構造にする。 - 特許庁

The optical modulator has an optical waveguide 2 extending along a certain surface, a first optical guide part (the array of pits 9) regulating propagation of an optical wave in a direction parallel to the surface and a second optical guide part (a part other than a high refractive index layer 11 in a substrate 1) regulating the propagation of the optical wave in a direction vertical to the surface.例文帳に追加

本発明の光変調素子は、ある面に沿って延びる光導波路２と、光波の伝搬を前記面に平行な方向において規制する第１光ガイド部（ピット９のアレイ）と、光波の伝搬を前記面に垂直な方向において規制する第２光ガイド部（基板１における高屈折率層１１以外の部分）とを有する光変調素子である。 - 特許庁

The method peels the first substrate and the second substrate from the inside or interface of the peeling layer (3) of the multilayer substrate under a negative pressure.例文帳に追加

本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離する。 - 特許庁

This resin composition is used when bonding the first adherend to the second adherend, so as to constitute a resin composition layer 1 provided on the first adherend.例文帳に追加

本発明の樹脂組成物は、第１の被着体と第２の被着体とを接合する際に用いられ、前記第１の被着体上に設けられる樹脂組成物層１を構成するものであり、前記樹脂組成物層１を平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記樹脂組成物層１の波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されている。 - 特許庁

Surrounding a base material for heating made of plane heating element with PTC characteristic, the first material in the inner layer made of a comparatively hard synthetic resin and the second material with the synthetic resin integrally dipped in textile on the outside.例文帳に追加

ＰＴＣ特性を持つ面状発熱体からなる温熱用基材の周囲を、内層に比較的硬質の合成樹脂材からなる第一材質と、その外層に合成樹脂剤を繊維織物に含浸させ一体化した第二材質からなる被覆材によって覆ってなることを特徴とするＰＴＣ特性を持つ面状発熱体からなる温熱用基材の強度補強方法およびその製品。 - 特許庁

The plasma display component, consisting of a front substrate with bus electrodes formed as a first electrode as well as a rear substrate with address electrodes as second electrodes, barrier ribs, and a phosphor layer formed, has a third electrode formed on the surface and/or the inside of the barrier ribs, and the plasma display uses the same.例文帳に追加

第１の電極としてバス電極が形成された前面基板、ならびに第２の電極としてのアドレス電極、隔壁、および蛍光体層が形成された背面基板からなるプラズマディスプレイ部材であって、隔壁の表面および／または内部に第３の電極が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイ部材、およびそれを用いたプラズマディスプレイである。 - 特許庁

The rust prevention-treated metal 1 is provided with a first rust preventive film 4 containing mainly zirconium and fluorine compounds formed tightly on a surface of the metallic substrate 2 (a surface of a metallic film 3) and a second rust preventive film 5 containing mainly a metallic ion and/or metallic compound formed on an upper layer of the first rust preventive film 4.例文帳に追加

金属基体２の表面（金属皮膜３の表面）に密着して形成されたジルコニウム化合物とフッ素化合物を主として含有する第１防錆皮膜４と、第１防錆皮膜４の上層部に形成された金属イオンおよび／または金属化合物を主として含有する第２防錆皮膜５を備えた防錆処理金属１により課題を解決できる。 - 特許庁