「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(427ページ目) - Weblio英語例文検索

In the red dye donor element for heat sensitive dye transfer, which comprises a substrate bearing a dye layer containing the mixture of the magenta dye dispersed in a high polymerized binder and two kinds of yellow dies, the magenta dye is shown by formula A, the first yellow dye is shown by formula B and the second yellows dye is shown by formula C.例文帳に追加

高分子バインダー中に分散されたマゼンタ染料および２種のイエロー染料の混合物を含む染料層を担持している支持体を含んでなる感熱染料転写のための赤染料供与体要素であって、上記マゼンタ染料が下式Ａを有し、上記第１イエロー染料が下式Ｂを有し、そして上記第２イエロー染料が式Ｃを有する、赤染料供与体要素。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal oxide porous membrane incudes a first step of forming a metal oxide layer consisting of a flux containing metal oxide particles and an alkali metal compound on a substrate, a second step of heating and sintering the metal oxide particles at a temperature of a melting point or lower, and a third step of eliminating the flux from the obtained sintered compact.例文帳に追加

金属酸化物粒子とアルカリ金属化合物を含むフラックスからなる金属酸化物層を基板上に形成する第一の工程と、金属酸化物粒子の融点以下の温度で加熱して焼結させる第二の工程と、得られた焼結体からフラックスを除去する第三の工程とを有することを特徴とする金属酸化物多孔質膜の製造方法。 - 特許庁

The passive matrix type or the active matrix type organic thin film light emitting display is provided with first electrodes 2 arranged in a plurality of stripes on a transparent substrate 1, second electrodes 3 arranged along a crossing direction with respect to the electrodes 2 and in a plurality of stripes and at least an organic light emitting layer 4 which is held between the electrodes 2 and 3.例文帳に追加

透明基板１上に、短冊状に配置された複数列の第一の電極２と、第一の電極２と交差する方向に短冊状に配置された複数列の第二の電極３とを有し、第一の電極２と第二の電極３との間に少なくとも有機発光層４を挟持してなるパッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型の有機薄膜発光ディスプレイである。 - 特許庁

A recording thin film 3 is formed between a first electrode 1 and a second electrode 4, and a memory element 10 contains any one from among elements Cu, Ag and Zn with its size as 70 nm or less, at a layer 2 containing at least oxygen and rare earth in the recording thin film 3 that is within or adjacent to the recording thin film 3.例文帳に追加

第１の電極１と第２の電極４との間に記憶用薄膜３が挟まれて構成され、この記憶用薄膜３に少なくとも酸素と希土類元素とを有して成り、記憶用薄膜３内もしくは記憶用薄膜３と接している層２に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれ、素子サイズが７０ｎｍ以下である記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The organic thin-film transistor gate insulation layer material contains : a polymer compound (A), having a repeating unit having a group containing fluorine atoms, a repeating unit having a photodimerization reactive group, and a repeating unit having a first functional group which generates a second functional group to react with active hydrogen by the action of electromagnetic waves or heat; and an active hydrogen compound (B).例文帳に追加

本発明の有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位と、電磁波もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する第１の官能基を有する繰り返し単位とを、有する高分子化合物（Ａ）、及び活性水素化合物（Ｂ）を含有する。 - 特許庁

The second substrate layer 4 made of NiFeCr or NiCr is made to have (110) orientation of the bcc structure to make crystal grain size of a spin bulb film large and to improve (111) orientation of fcc structure and thereby thermal and magnetic high stability can be obtained, improvement of magnetic conversion characteristic such as high change rate of magnetoresistance and linearity of magnetoresistance change can be attained.例文帳に追加

ＮｉＦｅＣｒ又はＮｉＣｒからなる第２下地層をｂｃｃ構造の（１１０）配向させて、スピンバルブ膜の結晶粒径を大きくし、ｆｃｃ構造の（１１１）配向を向上させるため、熱的・磁気的に高い安定性が得られ、高い磁気抵抗変化率及び磁気抵抗変化の線形性など、磁気変換特性の向上を達成することができる。 - 特許庁

The gasification furnace system is equipped with a gasification furnace 20, a reforming furnace 30 and a char gasification/combustion furnace 40, wherein as a catalyst layer of the reforming furnace, first catalyst layers filled with a catalyst in which the reaction of a generated gas from the gasification furnace is endothermic and second catalyst layers filled with a catalyst in which the reaction of the generated gas is not endothermic are alternately layered in the gas flow direction.例文帳に追加

ガス化炉２０、改質炉３０、およびチャーガス化／燃焼炉４０を備えたガス化炉システムにおいて、改質炉の触媒層として、ガス化炉からの生成ガスの反応が吸熱を伴う触媒を充填した第一の触媒層と、当該生成ガスの反応が吸熱を伴わない触媒を充填した第二の触媒層をガス流方向に交互に充填する。 - 特許庁

The restoration method in the dumping site 1 comprises a first process of examining gas by a gas examination means 4 sampling and analyzing soil gas like methane, hydrogen sulfide or volatile toxic substances; a second process of removing the soil gas using a gas removing means according to the analysis result; and a third process of digging out and removing a waste layer 2 after removal of the soil gas.例文帳に追加

投棄サイト１における修復方法は、例えばメタン、硫化水素、揮発性有毒物質などの土壌ガスを採取して分析するガス調査手段４を用いてガス調査する第一工程と、その分析結果に応じてガス除去手段を用いて土壌ガスを除去する第二工程と、土壌ガスを除去した後に廃棄物層２を掘り起して撤去する第三工程とからなる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a main-body transistor region 10 and an ESD protective element region 30, and has a drain region 11 including a semiconductor layer of a first conductivity type, a drift region 12 including a first conductivity semiconductor region formed on the drain region 11, and body regions 14 and 34 including a second conductivity semiconductor region formed at the drift region 12.例文帳に追加

本体トランジスタ領域１０と、ＥＳＤ保護素子領域３０とからなり、第１導電型の半導体層からなるドレイン領域１１と、ドレイン領域１１上に形成された第１導電型半導体領域から成るドリフト領域１２と、ドリフト領域１２に形成された第２導電型半導体領域から成るボディ領域１４，３４とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.例文帳に追加

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The curved waveguide 26 is optically coupled with the resonator by two separated optical couplers 27A, 27B penetrating the layer of the spacer 24, and is turned by a first phase shifter 28 for controlling the optical path length of the resonator and a second phase shifter 29 which is operated so as to control coupling strength between the waveguide and the resonator in the waveguide.例文帳に追加

曲線導波管２６は、スペーサ２４層を貫通する２個の離間した光学カプラ２７Ａ，２７Ｂにより共振器と光学的に結合され、共振器の光路長を制御するための第１の位相シフタ２８、および導波管において、導波管と共振器の間の結合強度を制御するよう動作する第２の位相シフタ２９により同調が与えられる。 - 特許庁

A radiation sensor comprises a radiation receiver, placed on a final element focal plane of a projection system, a transparent plate for supporting the radiation receiver on a side facing the projection system, a quantum transformation layer formed for absorbing first wavelength incoming light incident on the transparent plate and re-radiating second wavelength light, a fiber optics block with multiple optical fibers, and a radiation detector.例文帳に追加

放射センサは、投影システムの最終エレメントの焦点面に配置された放射レシーバと、投影システムに面する側で放射レシーバを支持する透過性プレートと、透過性プレートに入射した第一波長の光を吸収して、第二波長で光を再放射するように構成された量子変換層と、複数の光ファイバを備えるファイバオプティクスブロックと、放射ディテクタとを含む。 - 特許庁

An upper electrode 313 of a capacitance element 321 formed on a semiconductor substrate 300 is electrically connected to an upper wiring 318 formed above through a first conductive film 315 of a connection structure 331, a first contact plug 306, a second impurity diffused layer 303, and a third contact plug 317, which are formed on the semiconductor substrate 300 similarly.例文帳に追加

半導体基板３００の上に形成された容量素子３２１の上部電極３１３が、同じく半導体基板３００の上に形成された接合構造体３３１の第１導電膜３１５、第１コンタクトプラグ３０６、第２不純物拡散層３０３及び第３コンタクトプラグ３１７を介して、上方に形成された上部配線３１８と電気的に接続している。 - 特許庁

An appropriate lubrication amount is supplied to the image carrier for a long period of time even when the displacement amount of a pressurization member for pressurizing the lubricant becomes less, and replacement life of the lubricant is prolonged without increasing storage volume by using the lubricant in which first lubricant and second lubricant with hardness lower than that of the first lubricant are loaded like a layer.例文帳に追加

第１の潤滑剤と、第１の潤滑剤より硬度が低い第２の潤滑剤を層状に積載された潤滑剤を用いることにより、潤滑剤を押圧する押圧部材の変位量が少なくなっても像担持体に適切な潤滑量を長期間供給することができ、収納体積を大きくすることなく潤滑剤の交換ライフを伸ばすことができる。 - 特許庁

The method for manufacturing of the dye-sensitized solar cell includes the steps of: forming a frame-shaped sealing part on a flexible first electrode; forming a charge transfer layer inside the sealing part, oppositely sticking the first electrode and a separately formed flexible second electrode together under a reduced pressure; and transporting them under an atmospheric pressure to cure the sealing part.例文帳に追加

フレキシブルな第１電極の上に枠状の封止部を形成する工程と、封止部の内側に電荷移動層を形成する工程と、前記第１電極と別途形成したフレキシブルな第２電極とを、減圧下で対向させ貼り合わせる工程と、大気圧下に搬送して封止部を硬化する工程を有することを特徴とする色素増感型太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The SONOS memory element comprising a semiconductor substrate, an insulating film formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on a predetermined region of the insulating film and defined into a source, a drain, and a channel region, and first and second side gate laminations stacked on each of both sides of the channel region and the method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板、前記半導体基板上に形成された絶縁膜、前記絶縁膜の所定領域上に形成されてソース、ドレイン及びチャンネル領域に区画された活性層及び前記チャンネル領域の両側面にそれぞれ積層された第１及び第２サイドゲート積層物を備えることを特徴とするＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法による。 - 特許庁

In a BGA package employing a TAB tape having a plurality of electric wiring layers, second and subsequent electric wiring layers are formed by a step for preparing a copper foil applied with adhesive and having through holes bored previously, and a step for sticking the copper foil applied with adhesive while aligning with the TAB tape on which the first electric wiring layer is formed.例文帳に追加

複数の電気配線層を有するＴＡＢを用いたＢＧＡパッケージにおいて、電気配線層の第２層以降は、貫通孔を予め加工した接着剤付き銅箔を準備する工程と、接着剤付き銅箔を電気配線層の第１層を形成したＴＡＢに位置合わせして貼り付ける工程とにより、それぞれ形成されるようになっている。 - 特許庁

The first hologram and second hologram multiply recorded in the hologram recording medium 2 are used for the phase conjugate reproduction, and the reproduced light is made to interfere in a hologram recording layer 4 formed on the surface of the optical device 3 as the object for correction to record a third hologram as the correction of the optical device 3 as the object for the correction to the master.例文帳に追加

そして、このホログラム記録媒体２に多重記録された第１のホログラムと第２のホログラムとを位相共役再生して、その再生光を補正対象の光学素子３の表面に形成されたホログラム記録層４中で干渉させ、このホログラム記録層４に、補正対象の光学素子３のマスタに対する補正分である第３のホログラムを記録する。 - 特許庁

The manufacturing method of the optical recording medium includes a sheet body forming step for forming a disk-like sheet body having a recording layer recording information utilizing holography and an aperture at a center part and a laminated body forming step for forming a disk-like laminated body by sandwiching the sheet body 32 between a first substrate 5 and a second substrate 1.例文帳に追加

ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を有し、かつ中心部に開口を有する円盤状のシート体を形成するシート体形成工程と、第一の基板及び第二の基板により前記シート体を狭み込んで円盤状の積層体を形成する積層体形成工程とを含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a word gate 14 formed on a semiconductor substrate 10 via a first gate insulating layer 12, a source region or a drain region 16, 18 formed on the semiconductor substrate 10, and side wall-shaped first and second control gates 20, 30 formed along one side surface and the other side surface of the word gate, respectively.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は半導体基板１０上に第１ゲート絶縁層１２を介して形成されたワードゲート１４と、半導体基板１０に形成されたソース領域またはドレイン領域１６，１８と、ワードゲートの一方の側面および他方の側面に沿ってそれぞれ形成されたサイドウォール状の第１および第２コントロールゲート２０，３０と、を有する。 - 特許庁

The EL element comprises a rear face substrate 10; an organic EL part 13 having a first electrode, an organic membrane and a second electrode; a sealing layer 11 including a nanocmposite composed of a layered inorganic substance, a polymer and a curing agent to fill up an inner space with the EL part 13 stored therein by joining the substrate 10.例文帳に追加

背面基板１０と、第１電極、有機膜及び第２電極を持つ有機電界発光部１３と、前記背面基板と結合して有機電界発光部１３が収容された内部空間を充填する、層状無機物、高分子および硬化剤からなるナノ複合体を含む封止層１１と、を具備することを特徴とする有機ＥＬ素子が提供される。 - 特許庁

To improve durability in a fuel filter device configured such that a filter assembly having first filter layers is provided in a fuel flow path which leads from the inside of a fuel tank through a fuel pump to a fuel consumption unit and also such that, in second filter layers which form at least some of the first filter layers, the finest filter layer is disposed at the downstream-most position.例文帳に追加

第１複数層の濾過層を有するフィルタ組立体が、燃料タンク内から燃料ポンプを経て燃料消費手段に達するまでの燃料流通経路に設けられ、第１複数層の少なくとも一部を構成する第２複数層の濾過層では最下流に最も目が細かい濾過層が配置される燃料濾過装置において、耐久性の向上を図る。 - 特許庁

A strip of thin-film layer 4 is formed at the upper section of the high-breakdown-voltage junction terminator structure for potentially separating the section between first and second reference circuit formation regions 1 and 2.例文帳に追加

第１、第２基準回路形成領域１、２間を電位的に分離する高耐圧接合終端構造上部に帯状の薄膜層４が形成され、この薄膜層４に形成されるツェナーダイオードは、高耐圧ＮＭＯＳ５、高耐圧ＰＭＯＳ６が設けられている箇所やコーナ箇所の曲線部分Ｂと、基準回路形成領域１、２端部と平行している直線部分Ｃとに形成される。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, a method of manufacturing the same, and a display element which can obtain a gate insulating film with a high dielectric constant by stacking a first gate insulating film of sol-gel type with a high dielectric constant and a second gate insulating film made of amorphous silicon or a polymeric organic substance with a relatively low dielectric constant, so that the gate insulating film having a double layer is formed.例文帳に追加

高い誘電率特性を持つゾル—ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、多少低い誘電率特性を持つ非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子を提供する。 - 特許庁

The anode for the nonaqueous electrolyte secondary battery contains a composite anode active material comprising silicon-containing particles 11, carbon nano-fibers 12, and a catalyst element 13; a first binder 15 made of an acrylic group-containing polymer; and a second binder made of adhesion rubber particles, and has a mix layer arranged on a current collector 1A.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、少なくともリチウムイオンの吸蔵放出が可能な含ケイ素粒子１１とカーボンナノファイバ１２と触媒元素１３とからなる複合負極活物質１４と含アクリル基高分子である第１結着剤１５と粘着性ゴム粒子である第２結着剤１６とを含み集電体１Ａ上に設けられた合剤層とを有する。 - 特許庁

A second electrode 5, confronting a first electrode 3 with an insulator layer 4 between, has a plurality of parallel arranged divided electrodes 5a and a connection part 5b for connecting end parts of the divided electrodes 5a and is formed partly into a shape having a bend portion 5b bent substantially at right angles, and the internal angle of the bend portion 5d is made with a smooth curve.例文帳に追加

誘電体層４を挟んで第一電極３と対向する第二電極５は、平行に配列された複数の分割電極５ａと、これらの分割電極５ａの端部を接続する接続部５ｂとを有し、一部に略直角に屈曲する屈曲部分５ｄを有する形状をもって形成され、屈曲部分５ｄの内角が滑らかな曲線により結ばれている。 - 特許庁

A magnetic thin film 12 as a magnetic body is formed on a non-magnetic substrate 10, and the first spiral flat coil 14a for applying a bias magnetic field to the magnetic thin film 12 or for taking out an induced output and the second spiral flat coil 14b for applying feedback are formed on the same plane through an insulating layer on the magnetic thin film 12.例文帳に追加

非磁性基板１０上に磁性体としての磁性薄膜１２を形成し、その磁性薄膜１２上に絶縁層を介して、磁性薄膜１２に対しバイアス磁界を印加するため又は誘導出力を取り出すための第１の渦巻き型平面コイル１４ａと、帰還を掛けるための第２の渦巻き型平面コイル１４ｂとを同一平面に形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a first semiconductor region, made of an amorphous semiconductor on a surface of an insulator, scanning a continuous oscillation laser beam from one end of the first region to the other end, once melting the first region, crystallizing the first region, and thereafter etching the first region, to form an active layer of a TFT to form a second semiconductor region.例文帳に追加

絶縁表面上に、非晶質半導体で成る第１半導体領域を形成し、第１半導体領域の一端から他端に向けて連続発振レーザービームを走査して、第１半導体領域を一旦溶融させて結晶化し、その後、ＴＦＴの活性層を形成するために第１半導体領域をエッチングして第２半導体領域を形成するものである。 - 特許庁

This light emitting device has a light emitting element in which a charge injection transport medium containing an organic compound or inorganic compound and a light emitting medium are formed between a first electrode and a second electrode, the first electrode has an opening part on it, a barrier layer to cover the periphery part of the first electrode is provided, and the corner part of the opening part has a roundish shape.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極の間に有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体が形成された発光素子を有し、前記第１の電極上には開口部を有し、前記第１の電極の外周部を覆う隔壁層が設けられ、前記開口部の角部は丸みを帯びた形状であることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate 20, the wiring pattern 30 formed on a first face 22 of the substrate 20, a first layer 42 formed to cover a second portion 34 excluding a first portion 32 of the wiring pattern 30, and a semiconductor chip 10 which is mounted on the first face 22 of the substrate 20 and is electrically connected with the wiring pattern 30 at the first portion 32.例文帳に追加

半導体装置は、基板２０と、基板２０の第１の面２２に形成されてなる配線パターン３０と、配線パターン３０の第１の部分３２を除いて第２の部分３４を覆うように形成された第１の層４２と、基板２０の第１の面２２に搭載されて第１の部分３２で配線パターン３０と電気的に接続されてなる半導体チップ１０と、を有する。 - 特許庁

The spacer body structure is provided with a support substrate 24 arranged in opposition to the first and the second substrates, equipped with a plurality of electron beam passing holes 26 set in opposition to the respective electron emission sources and coated with an insulating layer 25, as well as a plurality of spacers 30a, 30b erected on at least either surface of the support substrate 24 among the plurality of electron beam passing holes.例文帳に追加

スペーサ構体は、第１および第２基板に対向して配設され、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有しているとともに絶縁層２５で被覆された支持基板２４と、複数の電子ビーム通過孔間で、支持基板の少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサ３０ａ、３０ｂと、を備えている。 - 特許庁

In addition, a plurality of second electrodes 7 are arranged in stripes among the plurality of first electrodes 6 for discharging residual electric charge remaining in the electric charge storage part 11 or the reading photoconductive layer 5 when the erase light L2 is irradiated, and are provided on a plurality of read light shielding films 9 for transmitting the erase light L2 and shielding the read light L1.例文帳に追加

また、消去光Ｌ２が照射されたとき電荷蓄電部１１または読取用光導電層５に残存する残存電荷を放電する、複数の第１線状電極６の間にストライプ状に配列された複数の第２線状電極７が、消去光Ｌ２を透過し読取光Ｌ１を遮光する複数の読取光遮光膜９上の領域に設けられている。 - 特許庁

If the length of a signal line to the area of the gate of an input stage transistor in a second circuit exceeds a specified allowable value (S14), the signal line is detoured up to the uppermost layer thereof at a position in the range of the allowable value the signal line (S16) thus blocking charges due to antenna effect until the detouring part is formed.例文帳に追加

第２回路における入力初段トランジスタのゲートの面積に対する信号配線の長さが所定の許容値を越えている場合に（Ｓ１４）、上記信号配線における上記許容値の範囲内の位置で、上記信号配線における最上層まで上記信号配線を迂回させることにより（Ｓ１６）、上記迂回部分が形成されるまでアンテナ効果による電荷を遮断する。 - 特許庁

The method of manufacturing the glass optical device includes obtaining the optical device by press molding a glass base material having a core part comprising optical glass (first glass) having ≥550°C Tg and a covering part covering the surface of the core part and comprising second glass into a lens shape, annealing the resultant press molded product and removing the covering layer existing on the surface of the press molded product.例文帳に追加

転移点が550℃以上である光学ガラス（第一のガラス）からなる芯部と、前記芯部の表面を被覆する第二のガラスからなる被覆部とを有するガラス素材をレンズ形状にプレス成形して得られたプレス成形品をアニールし、次いで、プレス成形品の表面にある被覆層を除去してガラス光学素子を得ることを含む、ガラス光学素子の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴの選択ゲート電極ＳＧ、及び周辺トランジスタＴＲの周辺ゲート電極ＴＧを有し、ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上及びゲート電極側面に第１絶縁膜３０、第１バリア膜３１を有し、第１バリア膜３１上にゲート電極ＳＧ、ＴＧ間を埋める第２絶縁膜３２を有する。 - 特許庁

When it is determined that the size of a display region for displaying drawing data to be drawn in a second window to be displayed on a lower layer of a first window is equal to or smaller than a predetermined size in an overlap region of the windows, control is performed so that the drawing data is not drawn in the overlap region, or the drawing data is drawn with lowered transmittance of the first window.例文帳に追加

第１のウィンドウの下位レイヤに表示される第２のウィンドウに描画される描画データを表示する表示領域の大きさが、ウィンドウの重複領域において所定の大きさ以下であると判断した場合、重複領域において描画データが描画されないように制御し、又は、第１のウィンドウの透過度を低くして描画データを描画させる。 - 特許庁

In a full dot matrix display type liquid crystal display element which is constituted by disposing a first transparent electrode substrate having a plurality of lines of row electrodes and a second transparent electrode substrate having a plurality of lines of column electrodes opposite to each other across a liquid crystal layer and by using each intersection of the row electrodes and the column electrodes as a display element, each display element D is made to be a hexagonal dot pattern.例文帳に追加

複数本の行電極を有する第１透明電極基板と、複数本の列電極を有する第２透明電極基板とを液晶層を挟んで対向的に配置し、行電極と列電極の交点部の各々を表示画素としてなるフルドットマトリクス表示型の液晶表示素子において、各表示画素Ｄを六角形のドットパターンとする。 - 特許庁

A solid state imaging device of single layer electrode structure having a planar surface is fabricated by forming an interelectrode insulating film 6 on the sidewall of a first electrode 3 and then etching back a second electrode 7 using mask patterns 4 and 5 for forming the pattern of the first electrode as an etching stopper.例文帳に追加

単層電極構造の固体撮像素子を形成するに際し、第１の電極３の側壁に電極間絶縁膜６を形成したのち、第１の電極のパターンを形成するためのマスクパターン４，５をエッチングストッパとして第２の電極７をエッチバックするようにし、平坦な表面をもつ単層電極構造の固体撮像素子を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The display panel 2 is formed by joining a transparent panel 12 in which reflecting structure 30 having a first surface 31 reflecting the light emitted from a light emitting element 14 to the emission side D1 and a second surface 32 reflecting the emitted light to the light emitting element 14 side to a substrate 15 on which a luminescent layer 11 containing a plurality of light emitting elements 14 is formed.例文帳に追加

複数の発光素子１４を含む発光層１１が形成された基板１５に対し、発光素子１４からの出力光を射出側Ｄ１に反射する第１の面３１および出力光を発光素子１４の側に反射する第２の面３２を備えた反射構造３０が形成された透明パネル１２を接合した表示パネル２を提供する。 - 特許庁

This manufacture method includes a first process for immersing a sintered substrate in a solution of mixed salts, of nickel and cobalt and providing alkaline treatment to form a nickel-cobalt solid solution hydroxide layer on the surface of the sintered substrate, a second process for providing heat treatment to the sintered substrate in the presence of alkaline aqueous solution and oxide, a third process for filling nickel hydroxide containing cobalt in pores of the sintered substrate.例文帳に追加

焼結基板をニッケルとコバルトの混合塩溶液に浸漬した後、アルカリ処理して、焼結基板の表面にニッケル・コバルト固溶水酸化物層を形成する第１工程と、この焼結基板をアルカリ水溶液と酸素の存在下で加熱処理する第２工程と、この焼結基板の細孔内にコバルトを含む水酸化ニッケルを充填する第３工程を備える。 - 特許庁

The polymer of this invention comprises 50 wt.% or more of an acrylate and/or a methacrylate and a layer separation structure is formed in which, after solution polymerizing in a non-aqueous system the first polymer which has a hydrophilicity-imparting agent at least as one ingredient, the reaction is reduced and the second polymer of at least one kind which is extended from the first polymer is formed.例文帳に追加

本発明のポリマーはアクリレートおよび／またはメタクリレートを５０重量％（以下単に％）以上であり、親水性付与体を少なくとも一成分とする第１のポリマーを非水系で溶液重合した後、反応を低下させ、少なくとも1種以上の該ポリマーから延長される第２のポリマーが形成された層分離構造とすることを特徴とする。 - 特許庁

A magnetic random access memory comprises: a memory cell that includes a first magnetoresistive element capable of writing data in a magnetization direction of a free ferromagnetic layer which is changed by spin transfer; and a reference cell that includes multiple second magnetoresistive elements for storing data for reference in a magnetization direction of free ferromagnetic layers which are changed by spin transfer, and that is used when the memory cell conducts reading operation.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第２磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。 - 特許庁

The arithmetic processing unit b1 identifies the separation shape of the adhesion layer a3 by alternately repeatedly executing first shape identification calculation using strain calculated based on the spectrum information, and second shape identification calculation by a spectrum shape of the reflected light based on the spectrum information while using a previous identification result for an initial value of succeeding shape identification calculation.例文帳に追加

演算処理装置ｂ１は、スペクトル情報に基づき算出される歪を用いた第１の形状同定演算と、スペクトル情報に基づき反射光のスペクトル形状による第２の形状同定演算とを、先の同定結果を後の形状同定演算の初期値として用いながら、交互に繰り返し行って接着層ａ３のはく離形状を同定する。 - 特許庁

The forming method of the dielectric DBR mirror of the surface emitting laser comprises a process for constituting a resonator comprising an active layer with semiconductor growth, a process for depositing dielectric DBR comprising Si on an end face of the resonator at a first temperature of 150°C to 300°C, and a process for performing heat treatment at a second temperature different from the first temperature.例文帳に追加

本発明の面発光レーザの誘電体ＤＢＲミラーの形成方法は、半導体成長により活性層を含む共振器を構成する工程と、同共振器端面にＳｉを含む誘電体ＤＢＲを温度１５０℃以上３００℃以下の第一温度で成膜する工程と、そのあとに第一温度と異なる第二温度で熱処理を施す工程を有する。 - 特許庁

The photosensitive element 1 comprises a support film 10 and a layer 20 comprising a photosensitive resin composition disposed on the first principal surface 12 of the support film 10, wherein the support film 10 has a haze of ≤1.0% and the second principal surface 14 of the support film 10 has a surface resistivity of ≤10^13 Ω.例文帳に追加

本発明は、支持体フィルム１０と、その支持体フィルム１０の第１の主面１２上に設けられた感光性樹脂組成物からなる層２０とを備える感光性エレメント１であって、支持体フィルム１０のヘーズは１．０％以下であり、且つ支持体フィルム１０の第２の主面１４の表面抵抗率は１０^１３Ω以下である感光性エレメント１を提供する。 - 特許庁