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second-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21455



例文

A first processing liquid having a function not to coagulate the ink on the whole image forming area surface of an intermediate transfer body 12, and containing polymer particulates 21 is applied, and then, ink droplets 24 containing pigment particulates are delivered to the first processing liquid layer 22 based on image data, and then, the second processing liquid is delivered in accordance with the ink droplets 24.例文帳に追加

中間転写体12の画像形成領域の全面にインクを凝集させない機能を有し、ポリマー微粒子21を含有する第1処理液を付与し、第1処理液層22に画像データに基づいて顔料微粒子を含有するインク液滴24を打滴し、インク液滴24に対応して第2処理液を打滴する。 - 特許庁

The first conductive semiconductor region between two pieces of source drain regions comprises the first region 2ch whose channel is formed of the conversion layer of a small number of carriers, and a second region 7 formed between the first region 2ch and the source drain region 3A at one side of the first region 2ch and higher in density than that of the first region 2ch.例文帳に追加

2つのソース・ドレイン領域間の第1導電型半導体領域が、少数キャリアの反転層によりチャネルが形成される第1の領域2chと、第1の領域2chの一方の側で第1の領域2chとソース・ドレイン領域3Aとの間に形成され、第1の領域2chより濃度が高い第2の領域7と、を含む。 - 特許庁

The unit consists of at least one tubular part of the first metal which is tolerant to the corrosive and/or erosive action of the treated fluid in contact, and the tubular component is a bimetallic tube having a near area to one covered end with the second metal layer at least or the distal end when the exterior is seal welded to the different support body from the first metal.例文帳に追加

接触する処理流体の腐食および/または浸食作用に対して耐性がある第一金属の少なくとも一個の管状部品からなり、該管状部品は、外部が、第一金属と異なった、支持体に漏止め溶接する上で第二金属の層で被覆された少なくとも一個の末端、または末端に近い区域を有するバイメタル管。 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating layer is formed on a sidewall located on an inner side of a first gate etched part, the residual part of the film 5 is subjected to second gate etching to bore an opening in the insulating film 5, and reverse type impurities are introduced into the channel formation impurity region 4 through the opening to form a gate impurity region.例文帳に追加

その後は、たとえば第1のゲートエッチング箇所より内側の側壁にサイドウォール絶縁層を形成した後に、第1のゲートエッチング後に残った絶縁膜部分に対し第2のゲートエッチングを行い、絶縁膜5を開口し、この開口から逆導電型の不純物をチャネル形成不純物領域4内に導入して、ゲート不純物領域を形成する。 - 特許庁

例文

A second electrode plate 20 is connected with the other electrode of the film capacitor element, and a portion thereof is led out from an opening on the side of the other sidewall 4 of the case 1 opposing the one sidewall 3 and bent in the direction parallel with the case opening surface 2 to be superimposed on the first electrode plate 10 through an insulating layer 5.例文帳に追加

また、第2電極板20は、フィルムコンデンサ素子の他方の電極部に接続され、一部がケース1の一方の側壁3とは相対向する他方の側壁4側の開口部から外部に導出され、かつケース開口面2に平行な方向で第1電極板10と絶縁層5を介して重なるように折曲されている。 - 特許庁


例文

An active matrix substrate (substrate for display panel) 1 mounting the IC chip (for instance, gate driver IC4 or source driver IC5) forms first metal wiring layers 14a-14c connected electrically to the terminal of the IC chip on an optical transmissive base substrate (for instance, glass substrate 11) composing it and a second metal wiring layer 12.例文帳に追加

ICチップ(例えば、ゲートドライバIC4又はソースドライバIC5)が実装されるアクティブマトリクス基板(表示パネル用基板)1であって、それを構成する光透過性のベース基板(例えば、ガラス基板11)上に、ICチップの端子に電気的に接続される第1の金属配線層14a〜14cと、第2の金属配線層12とを形成する。 - 特許庁

The polymer film laminate production method in a proper execution form includes the first process of obtaining a wound body by winding a laminate in which a precursor layer made of a polymer film precursor is formed on metal foil and the second process of obtaining the polymer film laminate in which the polymer film is formed on the metal foil by heat-treating the wound body.例文帳に追加

好適な実施形態の高分子フィルム積層体の製造方法は、金属箔上に高分子フィルムの前駆体からなる前駆体層が形成された積層体を巻き取り、巻き取り体を得る第1工程と、巻き取り体を熱処理して、金属箔上に高分子フィルムが形成された高分子フィルム積層体を得る第2工程とを有する。 - 特許庁

Pulse-laser beams containing at least two laser pulses are projected to a region in which impurities are injected, under conditions in which the surface layer of the semiconductor substrate is not melted, and conditions in which a delay time goes down to 1,000 ns or less until second laser pulses are projected after first laser pulses are projected, thus activating injected impurities.例文帳に追加

不純物の注入された領域に、半導体基板の表層部が溶融しない条件で、かつ、1番目のレーザパルスの入射から2番目のレーザパルスの入射までの遅延時間が1000ns以下となる条件で、少なくとも2つのレーザパルスを含むパルスレーザビームを入射させ、注入されている不純物を活性化させる。 - 特許庁

When the first sensor detects the upper surface of the sack, a roller moving electric cylinder for moving a roller supporting the rear of the stacked sack from downward is driven to cause the second bag position sensor to detect the upper surface of the rear of the sack to raise the rear, thereby holding the sack in the uppermost layer in a horizontal posture.例文帳に追加

そして、第1袋位置センサが大袋の上面を検出すると、第2袋位置センサが該大袋の後部の上面を検出するように、積層状態の大袋の後部を下方から支持するローラを移動させるローラ移動用電動シリンダを駆動して、前記後部を上昇させることにより、最上層の大袋を水平姿勢に保持する。 - 特許庁

例文

When a first security protocol (IPsec) starts communication, the authentication information of a first security protocol (IPsec), the cipher key information, or the like is generated, and the communication of the first security protocol (IPsec) is started based on the authentication information, cipher key information, or the like of a second different security protocol (SSL) in an already established layer.例文帳に追加

第1のセキュリティプロトコル(IPsec)が通信を開始する時、既に確立したレイヤの異なる別の第2のセキュリティプロトコル(SSL)の認証情報、暗号鍵情報などに基づいて、第1のセキュリティプロトコル(IPsec)の認証情報、暗号鍵情報などを生成し、第1のセキュリティプロトコル(IPsec)の通信を開始する。 - 特許庁

例文

In the liquid crystal display, the display viewing side first substrate 15 provided with a pixel electrode 3 and the TFT element 5 formed on the inner surface side and a second substrate 14 having a display electrode 18 formed on the inner surface side are disposed opposite to each other and a liquid crystal layer 12 is disposed in a gap between both substrates 14 and 15.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、内面側に画素電極3及びTFT素子5を形成した表示視認側の第1の基板15と、内面側に表示電極18を形成した第2の基板14とを対向して配置し、前記両基板14、15の間隙に液晶層12を配置して成る液晶表示装置である。 - 特許庁

The acoustic reflection layers 21 to 26 each comprise an (a) epitaxial conductive material formed alternately on the substrate 12, at least one of first layers 21, 23, 25 whose acoustic impedance is relatively high; and (b) the other epitaxial conductive material, and besides including an at least one of second layer 22, 24, 26 whose acoustic impedance is relatively low.例文帳に追加

音響反射層21〜26は、基板12の上に交互に形成された、(a)エピタキシャルの導電材料からなり、音響インピーダンスが相対的に高い、少なくとも一つの第1層21,23,25と、(b)エピタキシャルの他の導電材料からなり、音響インピーダンスが相対的に低い、少なくとも一つの第2層22,24,26とを含む。 - 特許庁

The patterned magnetic recording medium is provided with: a substrate; and a recording layer formed on the substrate, having a plurality of sides with planar shapes inclined in a down track direction, a first width part of a cross track direction, and a second width part smaller than the first width part of the cross track direction, and including recording bits constituting projecting patterns.例文帳に追加

基板と、前記基板上に形成され、平面形状がダウントラック方向に対して傾斜する複数の辺と、クロストラック方向の第1の幅の部分と、クロストラック方向の第1の幅よりも狭い第2の幅の部分とを有し、凸パターンをなす記録ビットを含む記録層とを具備したことを特徴とするパターンド磁気記録媒体。 - 特許庁

To primarily provide a semiconductor package having a structure such that neither a via hole nor a pad is necessary before or behind an intersection portion and then space is saved as a semiconductor package which has a first wiring and a second wiring arranged one over the other with an insulating resin layer interposed therebetween to have an intersection portion locally present when viewed from their overlapping direction.例文帳に追加

絶縁樹脂層を介して第一配線と第二配線とが重ねて配され、局所的にそれらの重なり方向から見て交差部が存在する構造とした半導体パッケージにおいて、交差部の前後でビアやパッドを必要とせず、ひいては省スペース化が図れる構造とした半導体パッケージを提供することを第一の目的とする。 - 特許庁

The original plate for a pattern alignment layer for three-dimensional display includes a substrate having on its surface a first pattern portion where a fine concavo-convex shape is formed in a given direction and a second pattern portion where the fine concavo-convex shape is formed in a direction different from that of the first pattern portion.例文帳に追加

本発明は、微細凹凸形状が一定方向に形成された第1パターン部および上記微細凹凸形状が上記第1パターン部とは異なる方向に形成された第2パターン部を表面に備える基材を有することを特徴とする3次元表示用パターン配向層用原版を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

Furthermore, the film thickness of the transparent insulating film 12 is set thicker than a first specified film thickness which maximizes the reflectance for the multiple reflection of a laminated body comprising the reflection electrode for red light, the transparent insulating film and the alignment layer and is set thinner than a second specified film thickness which minimizes the reflectance of the laminated body for blue light.例文帳に追加

更に、透明絶縁膜の膜厚は、赤色光に対する反射電極、透明絶縁膜及び配向膜からなる積層体の多重反射による反射率を極大とする第1所定膜厚以上であり且つ青色光に対する積層体の反射率を極小とする第2所定膜厚以下の膜厚に設定されている。 - 特許庁

A mixed gas 111 of SiH4 and NH3 is introduced in the low-pressure chamber while the lower part electrode 107 is applied with a high-frequency power so that the mixed gas 111 comes ionized, so a second insulating film 112 of a silicon nitride film is deposited on the insulating film 101 including above the copper silicide layer 110, under the plasma.例文帳に追加

低圧チャンバー内にSiH_4 とNH_3 との混合ガス111を導入すると共に下部電極107に高周波電力を供給して、SiH_4 とNH_3 との混合ガス111をプラズマ化し、該プラズマにより銅シリサイド層110の上を含む絶縁膜101の上にシリコン窒化膜からなる第2の絶縁膜112を堆積する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single layer consisting of densely packed two-color rotating particles in which first and second portions having different colors and different charging characteristics in a dielectric liquid come into contact with each other at boundaries to form spherical shapes and which contain magnetic materials in at least portions thereof, and to provide a method for manufacturing a rotating particle type display device using the same.例文帳に追加

色および誘電性液体中における帯電特性がともに異なる第1および第2の部分が境界面で接して球状形状を形成し、少なくともその一部分に磁性体を含有する二色回転粒子が密につまった単層の製造方法およびこれを用いた回転粒子型表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device 1 comprises a substrate 1 formed of a material absorbing light, a light emitting semiconductor region 2, a first electrode 3, a second electrode 4, an enclosure 5 which has optical transparency and covers the substrate 1 and the light emitting semiconductor region 2, a light reflecting layer 6, a metal support plate 7, a terminal 8, and a connection conductor 9.例文帳に追加

半導体発光装置は、光を吸収する材料で形成されている基板1と、発光半導体領域2と、第1の電極3と、第2の電極4と、光透過性を有し且つ基板1及び発光半導体領域2を覆っている包囲体5と、光反射層6と、金属支持板7と、端子8と、接続導体9とを備えている。 - 特許庁

When a wiring groove 8 and a contact hole 6 are formed on a substrate 1 with different depth using a dual damascene method, a first stopper film 9 is formed on the top layer of the film, and a second stopper film 4 is formed at such position as depth of the bottom part of the wiring groove 8, with formation of the wiring groove 8 performed in separate 2-stage processes.例文帳に追加

デュアルダマシン法を用いて、基板1上の膜に配線溝8及びコンタクトホール6をそれぞれ深さを異ならせて形成するにあたって、前記膜の最上層に第1のストッパー膜9を形成し、配線溝8の底部深さ位置に第2のストッパ膜4を形成し、配線溝8の形成を2段階の工程に分けて行う。 - 特許庁

In a content copy processing configuration between media, a program read from a recording medium in which content and a program (BD-J application) are recorded is executed by a first data processing part (BD-JVM), and the acquisition processing of copy permission information from a management server is performed, and a second data processing part (AACS layer) is requested to execute part of processing.例文帳に追加

メディア間のコンテンツコピー処理構成において、コンテンツとプログラム(BD−Jアプリケーション)を記録した記録媒体から読み取ったプログラムを第1データ処理部(BD−JVM)において実行して、管理サーバからのコピー許可情報の取得処理などを行い、一部の処理を第2データ処理部(AACSレイヤ)に依頼して実行させる。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 10 includes an electrode pair made up of a first electrode 32 and a second electrode 34, and an active layer 40 sandwiched between the electrodes of the electrode pair, wherein any one of the electrodes of the electrode pair contains a conductive material, and an alkaline metal salt or alkaline earth metal salt.例文帳に追加

有機光電変換素子10は、第1電極32及び第2電極34からなる一対の電極、及び前記一対の電極間に挟持される活性層40を備える有機光電変換素子において、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極が、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩と導電体とを含む。 - 特許庁

Accordingly, when an area on the developing roller 17, opposite the second charger 19, reaches, due to the rotation of the developing roller 17, the place where the area is in contact with a residual developer removal blade 21, toner particles moved to the surface layer side of the liquid developer is efficiently removed by the residual developer removal blade 21.例文帳に追加

したがって、その後、第2帯電器19と対向する位置にあった現像ローラー17上の領域が、現像ローラー17の回転に伴って残留現像剤除去ブレード21と接触する位置に至ると、液体現像剤の表層側へと移動したトナー粒子は残留現像剤除去ブレード21によって効率よく除去される。 - 特許庁

To provide an antireflection film which is highly packed with hollow particulates within a low-refractive index layer, assures a low refractive index by the voids in the hollow particulates to make prevention of reflection possible and can improve wear resistance by packing a second binder into the gaps among the hollow particulates to intensify the bond between the hollow particulates.例文帳に追加

中空微粒子が低屈折率層内において高充填されており、中空微粒子の内部の空洞によって低屈折率を確保して反射防止を可能とし、また、中空微粒子間の空隙に第2バインダーを充填することによって中空微粒子間の結合を補強して耐摩耗性を向上することができる反射防止膜を提供する。 - 特許庁

Accordingly, rigid joint can be achieved between the metal wiring film 19 and each terminal regardless of a force applied to peel the metal wiring film 19 to each joint part among the first electrode pad 13, second electrode pad 15, and metal wiring film 19 by pressing down the metal wiring film 19 with the sealing layer 21.例文帳に追加

これにより、上記第1電極パッド13及び上記第2電極パッド15と金属配線膜19との各接合部に金属配線膜19を剥離させるような力が作用しても、金属配線膜19を封止層21が押さえ込むことで金属配線膜19と各端子との接合を強固なものとすることができる。 - 特許庁

Further, in this producing method of surface treated aluminium material 1 of the constitution, the pores 4 of the porous layer 3 are formed by the first anodic oxidation treatment and the fine pores 5 are formed by the second anodic oxidation treatment at a lower voltage than that of the first anodic oxidation treatment.例文帳に追加

また、本発明の表面処理アルミニウム材1の製造方法は、上述した構成の表面処理アルミニウム材の製造方法であって、第1の陽極酸化処理によってポーラス層3の孔4を形成し、その第1の陽極酸化処理の処理電圧よりも低い電圧で処理される第2の陽極酸化処理によって微細な細孔5を形成する。 - 特許庁

The electric component, including a molded structure which determines a first and a second areas located at an interval, having at least two conductive wirings formed on the surface of a component main body, and connected by one or more of connection tabs, are manufactured, and the structure, having a conductive layer, is plated.例文帳に追加

1つまたは2つ以上の接続タブによって接続される第1および第2の間隔を置いて配置された部分を定めるモールドされた構造体を含む部品本体の表面に形成された少なくとも2つの導電性配線を有する電気部品を製造し、そして導電層を有する上記構造体をメッキする方法。 - 特許庁

The light diffraction structure transfer sheet 1 comprises a transfer layer 12 in which a light diffraction structure 12a with a first pattern is formed, laminated on a substrate sheet 10 and a pattern region 12b in which a second pattern different from the first pattern is formed, is built in the light diffraction structure 12a at a size as not visible with naked eyes.例文帳に追加

基材シート10上に第1のパターンを有する光回折構造12aが形成された転写層12が積層された光回折構造転写シート1であって、光回折構造12aには、前記第1のパターンと異なる第2のパターンが形成されたパターン領域12bが肉眼では視認できない大きさで組込まれている。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板1上に積層されたバッファ層11、21、クラッド層12、22、量子井戸活性層13、23、およびクラッド層14、24を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ10、20が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

Before forming a second layer insulation film on the upper side of a tungsten wiring, the thermal budget at a maximum temperature C of 600°C or more to be loaded in process steps after forming the tungsten wiring film is applied beforehand, to avoid forming an unstable atomic configuration in the tungsten wiring, thereby relaxing the stress of the tungsten wiring and compacting it.例文帳に追加

タングステン配線上部に第二の層間絶縁膜が成膜される前に、該タングステン配線成膜後の工程で負荷される最高温度C、すなわち600℃以上の熱履歴をあらかじめ施すことで、タングステン配線の内部に不安定な原子配列が形成されるのを防止し、タングステン配線の応力緩和と緻密化を図る。 - 特許庁

The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子20の製造方法は、少なくとも2層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁

This method for forming an ohmic layer comprises a first step of forming injecting hydrogen or argon gas with a semiconductor substrate stored in the plasma chamber of a chemical vapor deposition system, a second step of injecting a Ti-containing source gas into the a plasma chamber, and a third step of forming a RF plasma in the plasma chamber to deposit a titanium film.例文帳に追加

半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第1工程と、前記プラズマチャンバーにTiを含んだソースガスを注入する第2工程と、前記プラズマチャンバーにRFプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第3工程とを備えることを特徴とするPCVDによるオーミック層形成方法。 - 特許庁

The semiconductor layer element has the three waveguides 22A to C formed to the first to third ridge stripes 23A to C respectively as an index guide structure and whose oscillation wavelengths are shorter in the order of the first waveguide 22A, the second waveguide 22B, and the third waveguide 22C, and the semiconductor laser element emits laser beams with different wavelengths via each waveguide.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、第1から第3のリッジストライプ23A〜Cに、それぞれ、インデックスガイド構造として形成され、第1導波路22A、第2導波路22B、及び第3導波路22Cの順で、発振波長が短くなる3個の導波路22A〜Cを有し、相互に異なる波長のレーザ光を各導波路を経由して出射する。 - 特許庁

The resistive memory device includes a first conductive line 11 on a substrate, the vertical selection diode 12 comprising a nanowire or a nanotube and being arranged over the first conductive line 11, a resistive element 13 including a resistive layer 13B arranged over the vertical selection diode 12; and a second conductive line 14 arranged over the resistive element 13.例文帳に追加

本発明の抵抗性メモリ素子は、基板上の第1導電配線11と、該第1導電配線11上に位置し、ナノワイヤまたはナノチューブからなる垂直選択ダイオード12と、該垂直選択ダイオード12上に位置し、抵抗層13Bを備える抵抗要素13と、該抵抗要素13上の第2導電配線14とを備える。 - 特許庁

Alternatively, a nitride film is formed in contact with an organic insulating film having an opening, the nitride film is patterned to expose a semiconductor film or a conductive film underlying the nitride film, a first conductive layer having barrier properties is formed in contact with the nitride film, and a second conductive film containing aluminium is formed in contact with the first conductive film.例文帳に追加

又は、開口部が形成された有機絶縁膜に接するように窒化膜を形成し、窒化膜の下層の半導体膜又は導電膜が露出するように窒化膜をパターニングし、窒化膜に接するようにバリア性を有する第1の導電膜を形成し、第1の導電膜に接するようにアルミニウムを含む第2の導電膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a wiring substrate 40, a first semiconductor device 10 mounted on the wiring substrate 40, a second semiconductor device 20 which is laminated on the first semiconductor device 10, and in which a projected portion 20b projects from an outer edge of the first semiconductor device 10, and a sealed resin layer 50 which seals each of the semiconductor devices.例文帳に追加

半導体装置は、配線基板40と、配線基板40上に実装された第1の半導体素子10と、第1の半導体素子10上に積層され、突出部20bが第1の半導体素子10の外縁から突出する第2の半導体素子20と、各半導体素子を封止する封止樹脂層50と、を備える。 - 特許庁

To provide an organic EL display device in which a second electrode is deposited so that the whole surface of a film pattern using an inorganic material can be covered and as a result a film surface and end portion of the inorganic layer does not react with oxygen and moisture and a display failure does not occur since a dark spot is not created and durability can be improved; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

無機材料を用いた膜のパターン全面を被覆するように第2電極を成膜することにより、無機層の膜表面及び端部が酸素や水分に反応せず、ダークスポットが発生しないため表示不良がなく、耐久性を向上させることができる有機EL表示装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, the film thickness of the transparent insulating film 12 is set thicker than a first specified film thickness which maximizes the reflectance for the multiple reflection of a laminated body comprising the reflective electrode 11 for blue light, the transparent insulating film 12 and the alignment layer 15, and is set thinner than a second specified film thickness which maximizes the reflectance of the laminated body for red light.例文帳に追加

更に、透明絶縁膜の膜厚は、青色光に対する反射電極、透明絶縁膜及び配向膜からなる積層体の多重反射による反射率を極大とする第1所定膜厚以上であり且つ赤色光に対する積層体の反射率を極大とする第2所定膜厚以下の膜厚に設定されている。 - 特許庁

The first outer surface has a hardness of up to about 20 Shore C less than a hardness at the geometric center to define a negative hardness gradient inner core and the second outer surface has a hardness of up to 18 Shore C greater than the geometric center hardness to define a positive gradient outer core layer and a shallow positive hardness gradient core.例文帳に追加

第1の外側表面の硬度は、幾何中心の硬度より約20ショアCまでの範囲で小さくて負の硬度勾配の内側コア層を形成し、第2の外側表面の硬度は、幾何中心の硬度より約18ショアCまでの範囲で大きく正の硬度勾配の外側コア層を形成し、浅い正の硬度勾配のコアを形成する。 - 特許庁

The method for forming the casting mold includes a step of: forming body by kneading ceramic powder containing silicon nitride powder and a first binder solution; a step of: forming slurry by adding a second binder solution to the body; and a step of forming a mold releasing layer by applying the slurry to the surface of a casting mold base body.例文帳に追加

窒化珪素粉末を含むセラミック粉末と、第一バインダー溶液と、を混練して、坏土を形成する工程と、前記坏土に第二バインダー溶液を添加して、スラリーを形成する工程と、前記スラリーを鋳型用基体の表面に付着させて、離型層を形成する工程と、を備えることを特徴とする鋳型の形成方法とする。 - 特許庁

Also, a metal film 20 composed of copper or a copper alloy is formed on the crystallinity enhancement film 18 so as to fill the through hole 13a and wiring formation trench 15a, and an upper-side wiring layer 20 consists of the first protection conductive film 16, second protection conductive film 17, crystallinity enhancement film 18 and metal film 19.例文帳に追加

さらに、銅又は銅合金からなる金属膜20が、結晶性向上膜18上で且つスルーホール13a及び配線形成溝15aを充填するように形成されており、第1の保護導電膜16、第2の保護導電膜17、結晶性向上膜18及び金属膜19により上部配線層20が構成されている。 - 特許庁

Secondly, copper electrolytic plating of copper is performed by using the metal layer 6 as a deposition current path, while the first plating resist film 11 is made to remain as it is, thereby forming a columnar electrode 8 on a connection pad upper surface of the re-wiring 7 in an opening 14 in a second plating resist film 13 composed of negative type dry film resist of acryl resin.例文帳に追加

次に、第1のメッキレジスト膜11をそのまま残存させた状態で、下地金属層6をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる第2のメッキレジスト膜13の開口部14内における再配線7の接続パッド部上面に柱状電極8を形成する。 - 特許庁

The lot ticket has a semitransparent base 10, first recorded information 12a formed on one surface of the base 10, second recorded information 12b so formed on the other surface of the base 10 as to be visible from the one surface side, and a hiding layer 16 hiding at least a part of the first recorded information 12a.例文帳に追加

半透明の基材10と、半透明の基材10の一方の面上に形成された第1の記録情報12aと、半透明の基材10の他方の面上に、一方の面側から視認できるようにして形成された第2の記録情報12bと、第1の記録情報12aの少なくとも一部を隠蔽する隠蔽層16とを有する。 - 特許庁

The object is solved by a heterostructure of the type, wherein the ungraded layers are strained layers, wherein the strained layers comprise at least one strained smoothing layer of a semiconductor material, having in a lattice relaxed state, a third in-plane lattice parameter which is between the first and the second lattice parameter.例文帳に追加

前記の目的は、該組成非傾斜層が歪み層であり、かつ、該歪み層が前記第1および第2の格子定数の中間の第3の面内格子定数を格子緩和状態において有する半導体材料の、歪を有する平坦化層を少なくとも1つ含んで構成されることを特徴とする、前記のタイプのヘテロ構造によって達成される。 - 特許庁

The sliding device has a first sliding material having a sliding layer 164 obtained by solidifying a solid lubricant containing at least a PTFE with a thermosetting resin and, simultaneously, having a PTFE content of 10-40 vol.% and a second sliding material composed of a body material 146 provided with nickel based platings 150 and 152 which slide with each other.例文帳に追加

並びに、少なくともPTFEを含有する固体潤滑剤が熱硬化樹脂で固められて成り、かつ、PTFEの含有率が10〜40vol%の範囲にある摺動層164を備えた第1摺動材と、ニッケル系メッキ150、152が施された母材146から成る第2摺動材とが互いに摺動する摺動装置。 - 特許庁

This semiconductor device has a contact 103 and a buried metal wiring 106 which penetrate a film 105 having a hydrogen barrier property and is electrically connected between interlayers, and in a region other than a part just under the metal wiring, an opening 104 is provided, and a hydrogen diffusion route to a lower layer of a second insulation film 102 is provided.例文帳に追加

水素バリア性を有する膜105を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト103及び埋め込み金属配線106を有する半導体装置であって、金属配線直下の部分以外の領域において、開口104が設けられており、第2の絶縁膜102の下層への水素拡散経路が設けられている。 - 特許庁

A prism forming face having prism lines 41a arranged in the Y direction of a first prism member 41 and parallel to one another and a prism forming plane having prism lines 42a arranged in the Y direction of a second prism member 42 and parallel to one another are disposed facing each other with the respective prisms opposing to each other through an intermediate layer 43.例文帳に追加

第1プリズム部材41のY方向に互いに平行に配列されたプリズム列41aを有するプリズム形成面と、第2プリズム部材42のY方向に互いに平行に配列されたプリズム列42aを有するプリズム形成面とが、それらの形状どうし対応するように中間層43を介して対向配置されている。 - 特許庁

The insulation sheet is formed of a resin composition containing a curable resin and an inorganic filler, and the insulation sheet exhibits, in a differential scanning calorimetry analysis, a first exothermic peak and a second exothermic peak which is located at a higher temperature than the first exothermic peak, and the multi-layer printed circuit board has this insulation sheet.例文帳に追加

硬化性樹脂と無機充填材とを含有する樹脂組成物から形成される絶縁シートであって、該絶縁シートは、示差走査熱量分析において、第1の発熱ピークと、これより高い温度に位置する第2の発熱ピークとを有することを特徴とする絶縁シート、及び、この絶縁シートを用いることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

Because a rotary body 100 with a plurality of symbols is equipped with electronic paper 98 to display a plurality of symbols by moving charged particles in an electronic ink layer interposed between a first substrate and a second substrate to change color, a plurality of symbols displayed on the electronic paper 98 can be renewed into new symbols.例文帳に追加

複数の図柄を備えた回転体100は、第1基材と第2基材との間に挟持された電子インク層中の帯電粒子を移動させて色を変化させることにより複数の図柄を表示する電子ペーパ98を備えているので、電子ペーパ98に表示させていた複数の図柄を新たな図柄に書き換えて表示させることができる。 - 特許庁

例文

In another embodiment, a texturizing underlayer is formed by depositing first and second conductive metal layers and annealing the metal layers to form surface dislocations structured as a periodic network, and a conductive metal is then deposited in gaseous phase and agglomerates onto the surface dislocations of the texturizing layer to form nanostructures in the form of island clusters.例文帳に追加

別の態様において、第一及び第二の導電金属層を堆積させ、該金属層をアニーリングして周期的ネットワークとして構造化された表面転位を形成し、前記テクスチャライジング下層を形成し、導電金属を気相堆積させて前記テクスチャライジング層の表面転位の上に凝集して、アイランドクラスタ形態のナノ構造を形成する。 - 特許庁




  
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