「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(428ページ目) - Weblio英語例文検索

In the transparent conductive laminate in which a transparent conductive layer is formed on at least one side of a transparent polymer substrate, the transparent polymer substrate contains an aliphatic polyester resin (A component) and a compound (C component) including at least a cyclic structure which has one carbodiimide group in which the first nitrogen and the second nitrogen are bonded by a bonding group.例文帳に追加

透明高分子基板の少なくとも一方の面に透明導電層が形成されてなる透明導電性積層体において、前記透明高分子基板が脂肪族ポリエステル系樹脂（Ａ成分）とカルボジイミド基を１個有しその第一窒素と第二窒素とが結合基により結合されている環状構造を少なくとも含む化合物（Ｃ成分）を含む。 - 特許庁

A gas turbine engine 10 is provided with at least one airfoil 50 including the first side 64 and the opposite second side 66, at least one capillary 84 positioned adjacent to at least one of the external surfaces 88 of aerofoil, and at least one composite layer 90 securing the at least one capillary to the at least one aerofoil.例文帳に追加

ガスタービンエンジン（１０）は、第１の側部（６４）および相対する第２の側部（６６）を有する少なくとも１つのエーロフォイル（５０）と、少なくとも１つの前記エーロフォイルの外面（８８）に隣接して配置された少なくとも１つの毛細管（８４）と、少なくとも１つの前記毛細管を少なくとも１つの前記エーロフォイルに固定する複合材層（９０）と、を備える。 - 特許庁

In an electrode forming step, in forming a p-type ohmic electrode composed of a metal film comprising a Pd film and a Ta film by successive lamination of the Pd film which is a first p-type ohmic electrode 10 and the Ta film which is a second p-type ohmic electrode 11 on a p-type GaN contact layer 7, the metal film is formed to include an oxygen atom.例文帳に追加

電極形成工程において、ｐ型ＧａＮコンタクト層７上に、第１ｐ型オーミック電極１０であるＰｄ膜および第２ｐ型オーミック電極１１であるＴａ膜を順次形成して、Ｐｄ膜およびＴａ膜から成る金属膜で構成されるｐ型オーミック電極を形成するとき、金属膜中に酸素原子が含まれるように金属膜を形成する。 - 特許庁

To provide a color filter for semi-transmissive liquid crystal display devices, which has a level difference between a transmissive display area and a reflective display area and has a first alignment control projection having a desired height and a not roughened surface formed on a color pixel for transmissive display and has a second alignment control projection having a desired height and a not roughened surface formed on a transparent resist layer.例文帳に追加

透過表示領域と反射表示領域に段差があっても、透過表示の着色画素上には所望する高さを有し、表面荒れのない第一配向制御突起が、透明レジスト層上には所望する高さを有し、表面荒れのない第二配向制御突起が形成された半透過型液晶表示装置用カラーフィルタを提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the glass optical device includes obtaining the optical device by annealing the press molded product obtained by press molding a glass base material having a core part comprising optical glass (first glass) having ≥550°C Tg and a covering part covering the surface of the core part and comprising second glass into a lens shape, and removing the covering layer existing on the surface of the press molded product.例文帳に追加

転移点が550℃以上である光学ガラス（第一のガラス）からなる芯部と、前記芯部の表面を被覆する第二のガラスからなる被覆部とを有するガラス素材をレンズ形状にプレス成形して得られたプレス成形品をアニールし、次いで、プレス成形品の表面にある被覆層を除去してガラス光学素子を得ることを含む、ガラス光学素子の製造方法。 - 特許庁

The second metallized pattern 12 is partially provided to the outer edge 11a of the first metallized pattern 11 by which a ceramic board 2 can be more firmly bonded to the metallized layer 10, and the ceramic board 2 mounted with an electronic part 100 is hermetically sealed with the lid member by which the ceramic part 100 can be made to operate normally and stably for a long term.例文帳に追加

第２のメタライズパターン１２を第１のメタライズパターン１１の外縁部１１ａに部分厚付けすることにより、セラミック基板２とメタライズ層１０との間の接合強度が向上され、蓋部材３により電子部品１００を搭載しているセラミック基板２を気密に封止し、電子部品１００を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has the steps of: introducing a second p type impurity into an n well containing a gate electrode and the resistance element to form a p channel type MOSFET and adjust the resistance value of the resistance element; and introducing a third n type impurity into an upper layer electrode of a capacity element containing a first p type impurity to convert into an n type.例文帳に追加

ゲート電極を含むｎウエルと抵抗素子とに第二ｐ型不純物を導入してｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴの形成と抵抗素子の抵抗値の調整とをそれぞれ行う工程と、第一ｐ型不純物を含有する容量素子の上層電極に第三ｎ型不純物を導入してｎ型に変換する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

A filter 3, 4 is constituted by a layered structure successively laminating a heater 32 consisting of a heat resistant metal wire extended substantially in parallel, a first/second ceramics non-woven fabric 33 and 35 laminating a heat resistant ceramics fiber at random, a catalytic layer 34 arranged between these non-woven fabrics to include a catalyst reducing a temperature of combustion, and a wire net 36 weaving a heat resistant metal wire.例文帳に追加

フィルタ３，４は，実質的に平行に延びている耐熱性金属線から成るヒータ３２，耐熱性のセラミックス繊維がランダムに積層された第１と第２のセラミックス不織布３３と３５，それらの間に配設された燃焼温度を低減させる触媒を含んだ触媒層３４，及び耐熱金属線を網み込んだ金網３６を順次積層した積層構造に構成されている。 - 特許庁

It also has a capacity element 20 having a lower electrode 21 formed as a part of the first wiring pattern 14, and a capacity insulating film 22 and an upper electrode 23 formed on the lower electrode 21 one by one; and a protection film 24 covering the capacity insulating film 22, the upper electrode 23, and a part of the lower electrode 21, and covered by the second insulating layer 13.例文帳に追加

また、第１の配線パターン１４の一部として形成された下部電極２１、並びに、下部電極２１上に順次に形成された容量絶縁膜２２及び上部電極２３を有する容量素子２０と、容量絶縁膜２２及び上部電極２３と下部電極２１の一部とを覆い、且つ、第２の絶縁層１３によって覆われる保護膜２４とを備える。 - 特許庁

A gate electrode 15 of the MISFET comprises a first part extending on the surface of an element separation insulating layer 13 that has been polished to the same height as the surface of an element formation region of a silicon substrate 11, and a second part which extends from the first part and is embedded, through a gate oxide film, in a gate trench 16 formed inside an element formation region 14.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１５が、シリコン基板１１の素子形成領域の表面と同じ高さに研磨された素子分離絶縁層１３の表面上に延びる第１の部分と、第１の部分から延長し、素子形成領域１４の内部に形成されたゲートトレンチ１６内にゲート酸化膜を介して埋め込まれた第２の部分とを有する。 - 特許庁

The subassembly 20 is provided with a plurality of solar battery cells 21, first and second light-transmissive plate-shaped resin members 24 and 23 respectively positioned on the light receiving surface sides and no-light receiving surfaces sides of the solar battery cells 21, and a light-transmissive packed layer 25 which is positioned between the resin members 23 and 24 to seal the solar battery cells 21.例文帳に追加

太陽電池モジュールサブアセンブリ２０は、複数の太陽電池セル２１と、この太陽電池セル２１の受光面側に位置する透光性の第１板状樹脂部材２４および非受光面側に位置する透光性の第２板状樹脂部材２３と、これら板状樹脂部材２３，２４の間に位置し、太陽電池セル２１を封止する透光性の充填層２５とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the nonvolatile memory device having a memory layer reversely shiftable between a first state and a second state includes a step of supplying a liquid, having surface tension smaller than that of water and substantially insoluble with water onto the surface of a substrate having the walls formed thereon and washing the substrate.例文帳に追加

第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

The first generation image print is obtained via a toner image holding process for holding a toner image formed by toner particles containing at least a resin on a toner holding material layer formed on an image supporting substrate and at least the toner particles or the image supporting substrate separated from the first generation image print via a separation process is used for forming the second generation image print.例文帳に追加

少なくとも樹脂が含有されてなるトナー粒子により形成されたトナー像を、画像支持基材上に形成されるトナー保持材層に保持させるトナー像保持処理工程を経ることによって第１代印画物を得、当該第１代印画物から分離処理を経ることにより分離されたトナー粒子および画像支持基材の少なくともいずれかを、第２代印画物の形成に供することを特徴とする。 - 特許庁

The cathode used in the lithium secondary battery contains 5 to 75 parts by mass each of a first and a second cathode active materials as complex oxides of two kinds of spinel structure with different kinds of constituent elements with lithium and manganese as essential ingredients, and 15 to 45 parts by mass of a third cathode active material as an oxide of a layer structure containing lithium and nickel.例文帳に追加

リチウムとマンガンを必須成分とし、構成する元素の種類が異なる二種類のスピネル構造の複合酸化物である第一の正極活物質、第二の正極活物質のそれぞれを、５質量部から７５質量部と、リチウムとニッケルを含有し層状構造の酸化物である第三の正極活物質を１５質量部から４５質量部とを含む正極およびそれを用いたリチウム二次電池。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a semiconductor device on a surface thereof; an interconnection formed on the semiconductor substrate; a via connected to the under side of the interconnection; a first insulating film formed on the same layer of the via; and a second insulating film integrally formed between the first insulating film and the interconnection, and between the first insulating film and the via.例文帳に追加

本発明の実施の形態による半導体装置は、表面に半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線と、前記配線の下側に接続されるビアと、前記ビアと同じ層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と前記配線との間、および前記第１の絶縁膜と前記ビアとの間に一体に形成された第２の絶縁膜と、を有する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of applying SOG(spin-on glass) much containing hydrogen to form a layer insulation film filling gaps between gate electrodes, a step of firstly baking at a first temperature in nitrogen atmosphere, a step of forming contact holes, and a step of secondly baking at a second temperature higher than the first temperature in nitrogen atmosphere or dilute steam after forming the contact holes.例文帳に追加

ゲート電極間を埋め込む層間絶縁膜として、水素を多量に含むＳＯＧ(Spin-on Glass)を塗布する工程と、窒素雰囲気中で第１の温度にて第１の焼成を行う工程と、コンタクトホールを形成する工程と、該コンタクトホール形成後に、窒素雰囲気中もしくは希釈スチーム中で前記第１の温度よりも高温である第２の温度にて第２の焼成を行う工程と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device acquires focus values measured for regions having different reflectance respectively due to films formed at a lower layer than a resist 6 formed above a wafer 3, brings a focus value acquired at a second region 32 having a higher reflectance than that of a first region 31 closer to a focus value acquired at the first region 31 having a lower reflectance, and carries out exposure processing.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ウエハ３上に形成されたレジスト６より下層に形成された膜によって反射率が異なる領域について測定されたフォーカス値を取得し、反射率が低い第１の領域３１について得られたフォーカス値に、前記第１の領域３１よりも反射率が高い第２の領域３２について得られたフォーカス値を近づけて露光処理を行う。 - 特許庁

A semiconductor device 100 include: an interlayer dielectric 108 formed over a substrate 101; an electric fuse 150 comprising first wiring 120 formed in the interlayer dielectric 108 and having a cut portion 152; and second wiring 126 and third wiring 128, which are formed respectively on both sides of the cut portion 152 while extending along the cut portion 152, in the same layer as the first wiring 120.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板１０１上に形成された層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜１０８中に形成された第１の配線１２０により構成され、被切断部１５２を有する電気ヒューズ１５０と、第１の配線１２０と同層において、被切断部１５２の両側方に、それぞれ、被切断部１５２に沿って延在して形成された第２の配線１２６および第３の配線１２８と、を含む。 - 特許庁

An electronic apparatus 1 has: a semiconductor chip 10 having a function region 10a at a desired position; a wiring board 30 bonded with the semiconductor chip 10 mechanically and electrically in a form of lamination layer; at least one first junction member 50 that bonds the semiconductor chip 10 and the wiring board 30; and a second junction member 70 that bonds the semiconductor chip 10 and the wiring board 30.例文帳に追加

電子装置１は、所望する位置に機能領域１０ａを有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０と機械的且つ電気的に積層状に接合する配線基板３０と、半導体チップ１０と配線基板３０とを接合する少なくとも１つの第１の接合部材５０と、半導体チップ１０と配線基板３０とを接合する第２の接合部材７０と、を具備する。 - 特許庁

The resin structure has a resin layer formed by subjecting the first coating film formed on a substrate made of a resin composition comprising an epoxy resin and/or an oxetane resin being solid at ordinary temperatures, a photoacid generator and an organic solvent and the second coating film formed on the first coating film with a resin composition containing a cation-polymerizable modified silicone to simultaneous exposure to light for development.例文帳に追加

常温で固体のエポキシ樹脂及び／又はオキセタン樹脂、光酸発生剤及び有機溶剤を含む樹脂組成物からなる基材上に形成された第１の塗膜と、カチオン重合可能な変性シリコーンを含有する樹脂組成物によって前記第１の塗膜上に形成された第２の塗膜とを一括露光、又は一括露光と現像して形成した樹脂層を有することを特徴とする樹脂構造体。 - 特許庁

The low-temperature co-fired ceramic substrate comprises a ceramic body in which one or more first dielectric layers having a diopside-based crystallized glass are laminated, and a second dielectric layer which is formed on at least one surface of the upper surface and the lower surface of the ceramic body, fired with the first dielectric layers at a firing temperature for the first dielectric layers, and contains ≥10 wt.% of amorphous substances.例文帳に追加

本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを有する第１誘電体層が１つ以上積層されたセラミック本体と、前記セラミック本体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記第１誘電体層の焼成温度で前記第１誘電体層とともに焼結され、１０ｗｔ％以上の非晶質を含む第２誘電体層と、を含む。 - 特許庁

The thermal transfer system 10 includes: a delivering unit 16 sending out the ink ribbon 13; a first transfer device 17 arranged downstream of the delivering unit 16; a winding unit 21 arranged downstream of the first transfer device 17 and winding up the ink ribbon 13 completing ink transfer; and a second transfer device 22 provided in the vicinity of the winding unit 21 and heating the ink ribbon 13 completing ink transfer from a support layer 11 side.例文帳に追加

熱転写システム１０は、インクリボン１３を送り出す送出部１６と、送出部１６の下流側に配置された第１転写装置１７と、第１転写装置１７の下流側に配置され、インク転写済のインクリボン１３を巻き取る巻取部２１と、巻取部２１の近傍に設けられ、インク転写済のインクリボン１３を支持層１１側から加熱する第２転写装置２２と、を備えている。 - 特許庁

An acoustic signal processing apparatus includes: a first assignment part for assigning ch to each of ch strips of an operating block based on selected layer information; a group creating part for creating a group comprised of the plurality of ch; a designation part for designating an operating block for deployment; and a second assignment part for assigning a plurality of ch of a deployment-instructed group to ch strips of the operating block designated by the designation part.例文帳に追加

選択されたレイヤ情報に基づいて操作ブロックの各ｃｈストリップへのｃｈの割当を行う第１割当部と、複数のｃｈから構成されるグループを作成するグループ作成部と、展開用の操作ブロックを指定する指定部と、展開指示されたグループの複数ｃｈを前記指定部により指定された操作ブロックの各ｃｈストリップに割り当てる第２割当部を備える。 - 特許庁

The optical medium has a data layer operating so as to store data readable by a first laser and provided in the optical medium, and an embedded identification information storing region disposed on the optical medium and readable by both first and second lasers having wavelengths different from each other and embedded identification information is so constituted as to identify the optical medium associated with the first laser.例文帳に追加

光学媒体は、第１のレーザにより読出し可能なデータを記憶するように動作する光学媒体に設けられているデータ層と、光学媒体上に配置され、異なる波長の第１および第２のレーザの両者により読取り可能な埋込まれた識別情報記憶領域とを有しており、埋込まれた識別情報は第１のレーザに関連した光学媒体を識別するように構成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the metallic tube which forms the metallic tube by continuously forming a metallic sheet consisting of a first composition component to a tubular form and continuously welding butted ends comprises forming a metallic layer consisting of a second composition component having no discontinuity in a circumference direction and a longitudinal direction directly on the surface of the metallic tube after continuous welding.例文帳に追加

第一の組成成分からなる金属板を連続的に管状成形し、付け合わせ端部を連続溶接することによって金属管を形成する金属管の製造方法において、連続溶接後に金属管の表面に直接に、円周方向及び長手方向に不連続がない前記第一の組成成分とは異なる第二の組成成分からなる金属層を溶射により形成する金属管の製造方法。 - 特許庁

The sheet-like circuit device has a filmy base 11, a circuit pattern including circuit elements 12, 13 formed on the base 11, first outside connecting electrode terminals 14, 15 and second electrode terminals 16 connected to the circuit pattern, and an adhesive layer 17 adhesive at room temperature formed on at least either the circuit pattern forming surface or the filmy base 11 surface.例文帳に追加

フィルム状基材１１と、フィルム状基材１１に形成された回路素子１２、１３を含む回路パターンと、回路パターンに接続された外部接続用の一方の電極端子１４、１５、他方の電極端子１６と、回路パターン形成面およびフィルム状基材１１表面の少なくとも一方の面上に形成された常温で粘着性を有する粘着層１７とを有する構成からなる。 - 特許庁

To provide a control method of an electric heating device with extremely high safety having a heating element formed by winding a secondary heating conductor around a first heating conductor through an insulation layer, capable of quickly detecting a short-circuit between the first heating conductor and the second heating conductor, and stopping current supply upon the detected short-circuit.例文帳に追加

第１発熱導体の周囲に絶縁層を介して第２発熱導体を巻いた発熱体を有する電気採暖具において、第１発熱導体と第２発熱導体の短絡の発生を迅速に検出でき、この短絡の発生の検出によりこれらの発熱体に供給する電流を停止できる、極めて安全性の高い電気採暖具の電流制御方法及び電気採暖具を提供する。 - 特許庁

The reflector 10 is characterized by having a double sided adhesive sheet 18 comprising a transparent film substrate 15 provided with first and second adhesive layers 16, 17 on both surfaces and joined to a reflection substrate 13 with a plurality of recessing parts formed on the surface via the first adhesive layer 16, the method for manufacturing the same and the liquid crystal display device provided with the reflector 10.例文帳に追加

本発明は、表面に複数の凹部が形成された反射基板１３上に、透明のフィルム基板１５の両面に第１粘着層１６と第２粘着層１７とを備える両面粘着シート１８が、前記第１粘着層１６を介して接合されたことを特徴とする反射体１０及びその製造方法、並びに係る反射体１０を備えた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The laminated impedance element 1 is provided with a high permeability coil 35 having a first winding L1 and a third winding L3 which are constituted by stacking magnetic substance sheets of relatively high permeability, a low permeability coil 36 having a second winding L2 constituted by stacking magnetic substance sheets of relatively low permeability, and an intermediate layer 37 constituted of an intermediate sheet.例文帳に追加

積層型インピーダンス素子１は、相対的に高透磁率の磁性体シートを積み重ねて構成した第１の巻回部Ｌ１及び第３の巻回部Ｌ３を有している高透磁率コイル部３５と、相対的に低透磁率の磁性体シートを積み重ねて構成した第２の巻回部Ｌ２を有している低透磁率コイル部３６と、中間シートにて構成した中間層３７とが積層されたものである。 - 特許庁

The antireflection layer is formed by curing a resin composition including: a first modified silicon compound having an acrylic or methacrylic group on at least one of both terminals thereof, and having a weight-average molecular weight of 8,000 or more; a second modified silicon compound having an acrylic or methacrylic group on a side chain thereof; a hollow or porous particle; and an ionizing radiation-curable resin.例文帳に追加

反射防止層は、両末端の少なくとも１方にアクリル基またはメタクリル基を有し、かつ、重量平均分子量８０００以上を有する第１の変性シリコン化合物と、側鎖にアクリル基またはメタクリル基を有する第２の変性シリコン化合物と、中空粒子または多孔質粒子と、電離放射線硬化型樹脂とを含む樹脂組成物を硬化することにより形成される。 - 特許庁

Between two electrodes 2 and 4 arranged opposite to each other of this organic EL element 9, an organic layer 3 containing a copolymer comprising a first monomer having a 10C or more aromatic group derived from a luminescent compound and one polymerizable functional group, and a second monomer having a 10C or more aromatic group derived from a luminescent compound and two or more polymerizable functional groups is formed.例文帳に追加

有機ＥＬ素子９の互いに対向して配置された２つの電極２、４間に、発光性化合物から誘導される炭素数１０以上の芳香族基及び１個の重合性官能基を有する第１モノマーと発光性化合物から誘導される炭素数１０以上の芳香族基及び２個以上の重合性官能基を有する第２モノマーとのコポリマーを含有する有機層３を設ける。 - 特許庁

In individual regions corresponding to pixels on a surface of an alignment layer constituting the substrate for aligning the liquid crystal used in a liquid crystal panel for display in the multidomain mode liquid crystal display device, a plurality of hydrophilic regions containing at least a first hydrophilic part which is relatively more hydrophilic and a second hydrophilic part which is relatively less hydrophilic and is connected to the first hydrophilic part are regularly formed.例文帳に追加

マルチドメイン方式の液晶表示装置の表示用液晶パネルに使用される液晶配向用基板を構成している配向膜の表面のうちで画素に対応する個々の領域内に、相対的に高親水性の第１親水部と該第１親水部に連なる相対的に低親水性の第２親水部とを少なくとも含んでいる親水性領域を複数、規則的に形成する。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing polarized substrates for a laminated electric double layer capacitor comprises a first printer 22 having a gravure cylinder surface 3 for printing a continuous belt shape of a conductive coating material 21 on one surface of an aluminum foil 20, and a second printer 23 having a gravure cylinder surface 12 for printing a rectangular shape of the conductive coating material 21 on the other surface of the aluminum foil 20.例文帳に追加

アルミ箔２０の一方の面に、連続した帯状に導電性塗料２１を印刷するグラビア版３を有する手段としての第一印刷装置２２と、アルミ箔２０のもう一方の面に、長方形状に導電性塗料２１を印刷するグラビア版１２を有する手段としての第二印刷装置２３と、を備える積層型電気二重層キャパシタの分極基材の製造装置。 - 特許庁

In this bipolar transistor formed on a silicon substrate 1, the basic structure is constituted of an intrinsic base 6 having a one conductivity type impurity formed on the surface of a semiconductor substrate, and an emitter 10 having the opposite conductivity type impurity embedded in the intrinsic base 6, and single crystal silicon 9a having an opposite conductivity type impurity and a second poly silicon 11 formed in a layer stack on the emitter 10.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されるバイポーラトランジスタであって、その基本構造では、半導体基板表面に一導電型不純物を有する真性ベース６が形成され、真性ベース６に埋め込まれて逆導電型不純物を有するエミッタ１０が形成され、エミッタ１０上に逆導電型の単結晶シリコン９ａと第２のポリシリコン１１が積層して形成されている。 - 特許庁

An organic EL element 2 comprising a first and a second display electrodes 21, 23, and more than one organic functional layer 22 sandwiched between their display electrodes, a polymer compound film 3 covering the organic EL element, and its neighboring substrate surface; and an inorganic barrier film 4 covering the polymer compound film, its edge, and its neighboring substrate surface; are formed on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に、第１及び第２の各表示電極２１、２３とこれらの各表示電極間に挟持され有機化合物から構成される１層以上の有機機能層２２とを有する有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子及びその周囲の基板表面を覆う高分子化合物膜３と、この高分子化合物膜、その縁部及びその周辺の基板表面を覆う無機バリア膜４とを形成する。 - 特許庁

A first internal electrode 50 is connected to two external terminal electrodes 56 and 57 adjoining at edge position and the external terminal electrode 61 on the side surface 46, while a second internal electrode 51 facing the first internal electrode 50 with a dielectrics layer 49 is connected to two adjoining external terminal electrodes 58 and 59 at edge position and the external terminal electrode 60 on the side surface 44.例文帳に追加

第１の内部電極５０を、隣り合う２つの稜位置の外部端子電極５６，５７と側面４６上の外部端子電極６１とに接続するとともに、第１の内部電極５０に誘電体層４９を介して対向する第２の内部電極５１を、隣り合う他の２つの稜位置の外部端子電極５８，５９と側面４４上の外部端子電極６０とに接続する。 - 特許庁

To effectively use the light irradiated to a light receiving surface to increase an output per element, reducing an amount used of element material, which cuts down the cost of a low light condensing type spherical solar cell including a supporting body which individually separates to support a plurality of spherical photoelectric conversion elements having a second semiconductor layer outside a first semiconductor and has a reflecting mirror surrounding the side surface of each element.例文帳に追加

第１半導体の外側に第２半導体層を有する複数の球状光電変換素子を個々に分離して支持する支持体を具備し、この支持体が各素子の側面を囲む反射鏡を有する低集光型球状太陽電池において、受光面に照射される光を有効に活用して素子当たりの出力を高め、素子の素材の使用量を低減することにより、低コスト化を計る。 - 特許庁

The positive electrode active material is made by providing a coated layer containing at least a kind of element M selected from second to sixteenth groups different from a main transition metal element A constituting complex oxide particles at least containing lithium and one or a plurality of transition metal and a halogen element X, with the element M and the halogen element X presenting different distribution, at least on a part of the surface of the complex oxide particles.例文帳に追加

リチウムと、１または複数の遷移金属とを少なくとも含む複合酸化物粒子の表面の少なくとも一部に、複合酸化物粒子を構成する主要遷移金属元素Ａとは異なり、２族〜１６族から選ばれる少なくとも１種の元素Ｍと、ハロゲン元素Ｘとを含み、元素Ｍとハロゲン元素Ｘとが異なる分布を呈する被覆層を設けて正極活物質とする。 - 特許庁

The optical wavelength conversion element comprising a substrate and multilayered films formed by alternately laminating semiconductor layers which are active layers 11 and dielectric layers which are inert layers 12 on this substrate is set with the film thicknesses of the semiconductor layers and a dielectric layer within a range satisfying the pseudo phase matching conditions and generates the second harmonic light 20 in the reverse direction with respect to the progressing direction of incident basic wave light 10.例文帳に追加

基板と、この基板上に活性層１１である半導体層と不活性層１２である誘電体層とが交互に積層してなる多層膜とから構成される光波長変換素子において、半導体層および誘電体層の膜厚が擬似位相整合条件を満足する範囲に設定され、入射基本波光１０の進行方向に対し逆方向に第二高調波光２０を発生させる。 - 特許庁

This laser semiconductor device where clad layers 110, 108, and 104 and an active layer 106 are provided on a semiconductor substrate 101 is equipped with a superlattice structure film where a plurality of semiconductor layers having compression strain and pull strain, namely, first and second semiconductor layers 1091 (p-type ZnTe) and 1092 (p-type AlAsP) are laminated.例文帳に追加

半導体基板１０１上にクラッド層１１０，１０８，１０４および活性層１０６を設けて構成されるレーザ半導体装置に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜、即ち、第１の半導体層１０９１（ｐ型ＺｎＴｅ）と第２の半導体層１０９２（ｐ型ＡｌＡｓＰ）を積層して構成される超格子構造膜を備える。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with two capacitor electrodes 11 which are formed with an interval from each other and have conductive impurities of first conductivity types, and an electrode isolating film 14 which is positioned between the two capacitor electrodes 11 and constituted of the same layer as the two capacitor electrodes 11 and has conductive impurities of second conductivity types different from the first conductivity types.例文帳に追加

半導体装置１は、互いに距離を隔てて形成され、第１導電型の導電性不純物を含む２つのキャパシタ電極１１と、２つのキャパシタ電極１１の間に位置し、２つのキャパシタ電極１１と同一レイヤによって構成されるとともに、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の導電性不純物を含む電極分離膜１４とを備える。 - 特許庁

The ink jet nozzle comprises a first step for forming an electrically insulating resist pattern 2a on an electroforming supporting substrate 1, a second step for electroforming a basic body of nozzle 3 on the electroforming supporting substrate 1, and a third step for forming an ink repellent treatment layer 4 on the basic body of nozzle 3 by ink repellent surface treatment while connecting the electroforming supporting substrate 1 with the basic body of nozzle 3.例文帳に追加

本発明のインクジェットノズルの製造方法は、電鋳支持基板１上に電気絶縁性のレジストパターン２ａを形成する第１の工程と、電鋳により電鋳支持基板１上にノズル基体３を形成する第２の工程と、電鋳支持基板１とノズル基体３を接続したまま撥インク表面処理によりノズル基体３上に撥インク処理層４を形成する第３の工程とを有する。 - 特許庁

Since the RIE process is ended when the first and second RIE stopper layers 36 and 42 located at the substantially same height are exposed, variation in height of the upper surface of a lamination 22 and the upper surface of a region where the bias layer 41 is formed to spread to the opposite sides thereof can be reduced and variation in distance between shields can be reduced as compared with prior art.例文帳に追加

このＲＩＥ工程を、ほぼ同じ高さ位置にある第１のＲＩＥストッパ層３６と第２のＲＩＥストッパ層４２が露出したときに終了することで、積層体２２の上面と、その両側に広がるバイアス層４１が形成されている領域の上面との高さ寸法のばらつきを小さくでき、従来に比べて、シールド間距離のばらつきを小さくすることが可能である。 - 特許庁

To reliably realize the stably fixed state of a touch panel 30 to a liquid crystal display panel 10 without causing bubbles between the touch panel and the liquid crystal display panel 10, in a liquid crystal display wherein the liquid crystal display panel 10 and the touch panel 30 wherein a gas layer 34 is disposed between first and second two transparent sheets 31 and 32 are stuck to each other by using an adhesive.例文帳に追加

液晶表示パネル１０と、第１および第２の２枚の透明シート３１，３２間に気体層３４が配置されてなるタッチパネル３０とを、接着剤により互いに貼り合わせるようにした液晶表示装置において、タッチパネルと液晶表示パネル１０との間に気泡を生じさせずに、液晶表示パネル１０に対するタッチパネル３０の安定した固定状態を確実化できるようにする。 - 特許庁

The aluminum electroplating method includes a first stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the material to be plated, a non-conducting step for forming an electric insulating layer on the surface of the aluminum plating film and a second stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the surface of the material where the aluminum plating film is not formed in the first stage aluminum electroplating step.例文帳に追加

被めっき物にアルミニウムめっき皮膜を形成する第一段電解アルミニウムめっき工程と、前記アルミニウムめっき皮膜の表面に電気絶縁層を形成する不導体化工程と、第一段電解アルミニウムめっき工程でアルミニウムめっき皮膜が形成されない被めっき物の表面にアルミニウムめっき皮膜を形成する第二段電解アルミニウムめっき工程とを備える電解アルミニウムめっき方法。 - 特許庁