「secondary-electron image」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The next focal point control and astigmatism control are obtained and set to make the secondary electron image clear based on the flow, direction and articulation of the secondary electron image by referring to the result 5.例文帳に追加

その結果５を参照し、二次電子像の流れと方向及び明瞭度に基づいてより二次電子像を明瞭なものにするような次の焦点制御値及び非点収差制御値に変更し、焦点制御値及び非点収差制御値を設定する。 - 特許庁

When a secondary electron signal is selected by a signal selection switch on an operation image-plane by operating a mouse 21, a control means 14 controlled by a computer 19 displays the secondary electron signal on an image indicator 22 by controlling a switch 17.例文帳に追加

マウス２１を操作して操作画面上の信号選択スイッチにより二次電子信号を選択すると、コンピュ−タ１９によって制御される制御手段１４はスイッチ１７を制御して二次電子信号を像表示器２２に表示する。 - 特許庁

A secondary image is acquired 2 based on the set focal point and astigmatism control 1, and the flow, direction and articulation of the secondary electron image are evaluated 4 for the data 3.例文帳に追加

設定した焦点及び非点収差制御値１により二次電子像取得２を行い、そのデータ３に対し、二次電子像の流れと方向及び明瞭度を評価する操作４を行う。 - 特許庁

The observation step acquires the SEM image by selectively detecting a secondary electron within an energy range E1 which includes a peak P21 of an energy distribution G21 of the secondary electron emitted from the p-type semiconductor region and does not include a peak P22 of an energy distribution G22 of the secondary electron emitted from the n-type semiconductor region.例文帳に追加

観察工程の際、ｐ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２１のピークＰ２１を含み、且つｎ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２２のピークＰ２２を含まないエネルギー範囲Ｅ１の二次電子を選択的に検出することにより、ＳＥＭ像を取得する。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope capable of preventing charge-up and contamination in the midst of observation without executing special preprocessing and stably obtaining a secondary electron image.例文帳に追加

特別な前処理をすることなく観察中のチャージアップや汚染を防ぐことができ、安定して２次電子像が得られる走査電子顕微鏡を提供する。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope capable of determining an optimum scanning method which reduces deflection amounts of primary electron beams and secondary electrons, and obtaining a stable image.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡において、一次電子線や二次電子の偏向量が少なくなる最適な走査方法を決定して安定した画像を取得できるようにするものである。 - 特許庁

When a sample 5 processed by an FIB apparatus is inserted into a body tube of the electron microscope, the microscope is automatically set into a scanning secondary electron image acquisition mode.例文帳に追加

ＦＩＢ装置で加工された試料５は、電子顕微鏡鏡筒内に挿入されると、装置は走査２次電子像取得モードに自動的に設定される。 - 特許庁

From a secondary electron signal image obtained, whether vertical deviation calibration has been correctly performed or not on the electron beam scanning can be determined according to presence/absence of a moire interference fringe.例文帳に追加

得られた二次電子信号像から、モアレ干渉縞の有無で電子ビームの走査に対する垂直方向の偏向校正が正しく行われているか判定できる。 - 特許庁

By the above mechanism, a processing by using an ion beam, and observation of secondary electron image in optional direction through an electron microscope are made possible without taking out a fine piece of sample from the sample stand.例文帳に追加

このような構成によれば、微小試料片を試料台から取り外すことなく、イオンビームによる加工および任意の方向からの二次電子像および電子顕微鏡観察が可能となる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING A PLURALITY OF CARBON FIBERS, ELECTRON EMITTING DEVICE USING THE SAME, ELECTRON SOURCE, METHOD FOR MANUFACTURING IMAGE FORMING APPARATUS, AND NEGATIVE ELECTRODE OF SECONDARY BATTERY AND HYDROGEN STORAGE BODY例文帳に追加

複数のカーボンファイバーの製造方法、これを用いた電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法、及び、２次電池の負極と水素吸蔵体 - 特許庁

To enable low vacuum secondary electron observation with both excellent picture quality/high resolution and good image quality, considering scattering of an electron in low vacuum.例文帳に追加

低真空における電子の散乱を考慮しより高画質、高分解能と良好な像質を兼ね備えた低真空二次電子観察を可能にすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope capable of obtaining an image with a superior contrast even if a primary beam current is small and efficiency of a secondary electron emission is small.例文帳に追加

本発明は走査型電子顕微鏡に関し、１次ビーム電流が小さい場合や試料の２次電子放出効率が小さくてもコントラストの良い画像を得ることができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a highly sensitive X-ray detector prevented from generating distortion of a secondary electron image caused by an astigmatism and the like, even when getting close to a sample inside an electron microscope.例文帳に追加

電子顕微鏡内の試料に近接させても非点収差等による２次電子像の歪みを起こさない高感度なＸ線検出器を提供することである。 - 特許庁

This secondary electron image observation device 10 is provided with an irradiation system 15 having a structure for observing a sample while scanning it with an electron microscope and capable of irradiating the sample with at least either of an ultraviolet ray and an X-ray.例文帳に追加

試料に対して電子顕微鏡を走査しながら観察を行う構成を有し、紫外光、Ｘ線の、少なくともいずれかを照射可能な、照射系１５を具備している二次電子像観察装置１０を提供する。 - 特許庁

A secondary electron emitted from a sample 10 by irradiation of an electron beam is deflected by a beam separator 7, and deflected to the vertical direction by an aberration correcting electrostatic deflector 11, and a magnified image is formed on the main face of an auxiliary lens 12.例文帳に追加

電子線の照射により試料１０から放出された２次電子は、ビーム分離器７で偏向され、収差補正静電偏向器１１により垂直方向に偏向され、補助レンズ１２の主面に拡大像を形成する。 - 特許庁

The wafer 18 is irradiated at a high speed with the electron beam while moving the wafer 18, before acquiring the image of the secondary electron, to control a wafer 18 surface at a desired charge voltage.例文帳に追加

二次電子画像取得前にウエハ１８を移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ１８表面を所望の帯電電圧に制御する。 - 特許庁

In this kind of observation, before the secondary electron beam image in the observation region is obtained, it is pre-irradiated with the electron beam at least to the region including the observation region so that the electrostatic charge does not occur.例文帳に追加

この様な観察において、観察領域の二次電子ビーム像を得る前に、少なくとも観察領域を含む領域に対して帯電が起こらない様に電子ビームでプリ照射する。 - 特許庁

To provide a device which automates a means that adjusts the light ness and contrast of a display device, when an acquired secondary electron image is displayed on the display device for improving the efficiency and speed of failure analysis, etc., using an electron beam tester.例文帳に追加

電子ビームテスタを用いた不良解析等を効率化、高速化するため、２次電子像の取得においてディスプレイ装置における明度・コントラストを調整する手段を自動化する装置を提供する。 - 特許庁

A matrix computing part 66 calculates a vector indicating the electron microscope image of the sample by performing matrix computation based on the electron beam irradiation matrix and a vector representing time-series detection signals detected by the secondary electron detector.例文帳に追加

行列演算部６６は、上記電子線照射行列と、上記２次電子検出器において検出された時系列の検出信号を表したベクトルとに基づいて行列演算を行うことによって、試料の電子顕微鏡画像を示すベクトルを算出する。 - 特許庁

The electron beam device is provided with a primary optical system 10 scanning a sample by focusing a plurality of primary electron beams, a secondary optical system 30 introducing a plurality of secondary electrons emitted from the sample by the first electron beams to each detector 41, and a detection system 40 performing image processing of a plurality of detection signals outputted from each detector.例文帳に追加

複数の一次電子線を集束して試料上を走査する一次光学系１０、一次電子線により試料から放出された複数の二次電子を各検出器４１に導入する二次光学系３０及び各検出器から出力される複数の検出信号を画像処理する検出系４０を備えている。 - 特許庁

A Wien filter 8-1 of the type constituted by a multipolar lens for on-axis chromatic aberration correction and performing image-formation twice is disposed between a magnifying lens of the secondary electron-optical system and a beam splitter 5-1 splitting a primary electron beam from a secondary electron beam to correct the on-axis chromatic aberration generated in an objective lens 14-1 through the Wien filter 8-1.例文帳に追加

軸上色収差補正用の多極子レンズからなり、２回結像するウィーンフィルタ８-1が、２次電子光学系の拡大レンズ１０-1と１次電子ビーム及び２次電子ビームを分離するビーム分離器５-1との間に配置され、対物レンズ１４-1で生じた軸上色収差を、ウィーンフィルタ８-1で補正する。 - 特許庁

A SEM 8 is arranged inside of the chamber 3, and this SEM 8 scans the wafer 2 with the electron beam, and observes a secondary electronic image emitted from a surface of the wafer 2, and generates an image (SEM image) of the surface of the wafer 2.例文帳に追加

チャンバー３内にはＳＥＭ８が配設され、このＳＥＭ８は、ウェハ２上に電子ビームを走査させ、その時にウェハ２の表面から放出される２次電子像を観察し、ウェハ２表面の画像（ＳＥＭ画像）を生成する。 - 特許庁

Noise characteristics of the secondary electron image which is caused by an image detection system is determined and optimal parameters for image processing are decided based on the noise characteristics according to the object to be tested.例文帳に追加

画像検出系に起因した２次電子画像のノイズ特性を求め、この特性をもとに被検査対象に応じて最適な画像処理パラメタを決定する。 - 特許庁

At this time, secondary electron emitted from the substrate 2 is detected by a detector 15, a detection signal of which 15 is sent to an image processing part 16, and a scanning image of the substrate 2 is produced by the image processing part 16.例文帳に追加

このとき、基板２から放出された２次電子は検出器１５で検出され、この検出器１５の検出信号が画像処理部１６に送られ、画像処理部１６により基板２の走査画像が生成される。 - 特許庁

A defect inspection device is provided with a first irradiating means S for irradiating a sample 9 by emitting primary electron beams, mapping optical mechanisms 11 to 13 or imaging secondary electrons emitted from the surface of the sample 9 irradiated with the secondary electron beams, a detector D for detecting the secondary electrons, and an image treatment mechanism 18 for treating signals from the detector D.例文帳に追加

欠陥検査装置は、一次電子線を放出して試料９を照射するための第１の照射手段Ｓと、一次電子線で照射された試料９の表面から放出された二次電子を結像させるための写像光学機構１１〜１３と、二次電子を検出するための検出器Ｄと、検出器Ｄからの信号を処理する画像処理機構１８とを具備する。 - 特許庁

To further improve response speed by shortening a drift hour of ions, to raise efficiency in gas amplification caused by an electron avalanche, to improve the efficiency of ion detection, and to improve the image quality of a low-vaccum secondary electron image.例文帳に追加

本発明が解決しようとする問題は、イオンのドリフト時間の短縮による更なる応答速度の向上、電子なだれによるガス増幅の高効率化とイオン検出効率の向上、および低真空二次電子像の像質改善である。 - 特許庁

After internationally charging electric charge at early stages on a sample surface such as a photograph mask, the scanning electron microscope image, is set as the base which obtains the image based on a signal of a secondary electron produced by scanning with a primary electronic beam on the charged sample surface.例文帳に追加

フォトマスクのような試料表面に初期に意図的に電荷を帯電させた後で、帯電された試料表面を１次電子ビームでスキャンして生じる２次電子の信号を基とする画像を得る走査電子顕微鏡画像による。 - 特許庁

To enable high-speed, stable, and accurate inspection of circuit pattern having insulating materials in a method for inspection by detecting a defect, contamination, residue, or the like appearing on the circuit pattern of a semiconductor-device wafer, by radiating an electron beam onto the wafer and comparing the secondary electron image with a reference image.例文帳に追加

半導体装置等基板上で発生した回路パターンの欠陥、異物、残渣等を電子線をウエハに入射して二次電子像を比較することにより検査する方法において、絶縁材料を有する回路パターンを高速に且つ安定して高精度に検査可能とする。 - 特許庁

A lightness adjusting means 110 draws the initial value of a lightness control value, based on the contents of electric control supplied from an LSI tester 101 to a semiconductor element 106 to be tested and image observing conditions drawn from the contents of control supplied from an electron beam system control means 108 to an electron beam system (a electron beam generating source 104 and a secondary electron detector 105).例文帳に追加

明度調整手段１１０は、ＬＳＩテスタ１０１から被試験半導体素子１０６へ供給される電気的制御内容と、電子ビーム系制御手段１０８から電子ビーム系（電子ビーム発生源104、2次電子検出器１０５）への制御内容から導出される像観測条件とに、基づき明度の制御値の初期値を導出する。 - 特許庁

An electron microscope can display the observed image on a display unit 28 by applying an acceleration voltage to an electron gun to irradiate a sample with an electron beam based on predetermined image observation conditions, scanning the desired area of the surface of the sample while secondary electrons or reflected electrons emitted from the sample are detected by one or more detectors, thereby focusing the image.例文帳に追加

電子顕微鏡は、所定の像観察条件に基づいて、電子銃に加速電圧を印加して電子線を試料に照射し、試料から放出される二次電子または反射電子を１以上の検出器で検出しながら試料表面の所望の領域を走査することで、観察像を結像し表示部２８にて表示可能である。 - 特許庁

This prevents overlay of the DC component of visible lights on the image signal of secondary electrons, because the visible light from the lighting system stops during the scanning of electron beam on the sample and the writing of images of secondary electrons in a image memory 14.例文帳に追加

このように、電子ビームを試料上で走査して走査２次電子画像を画像メモリー１４に書き込んでいる期間は、可視光照明機構からの可視光の照明を停止するので、２次電子画像信号に可視光に基づく直流成分が重畳されることは防止される。 - 特許庁

A correction similar to the correction of irradiated region with respect to the pattern matching processing from the usual secondary ion image or secondary electron image of the ion beam defect correcting device is performed and a defect region 3b which is extracted by the AFM and is subjected to fine adjustment by the conformation of the pattern for alignment is corrected by ion beams 8.例文帳に追加

イオンビーム欠陥修正装置の通常の二次イオン像もしくは二次電子像からのパターンマッチング加工に対する照射領域の補正と同様な補正を行い、AFMで抽出し、位置合わせ用のパターンの合わせ込みで微調整された欠陥領域3bをイオンビーム8で修正する。 - 特許庁

This is an automatic focusing method of a scanning electron microscope 10 which acquires an image signal and forms a test piece image based on secondary charged particle beams from a test piece irradiated with charged particle beams.例文帳に追加

荷電粒子ビームが照射された試料からの２次荷粒子に基づいて画像信号を取得し試料像を形成する走査電子顕微鏡１０のオートフォーカス方法である。 - 特許庁

The signals stored in the image memory 10 are read out and supplied to a cathode-ray tube 12 via an analog-to-digital converter 11, thereby a scanning secondary electron image of the sample 4 is displayed on the cathode-ray tube 12.例文帳に追加

画像メモリー１０に記憶された信号は読み出され、ＡＤ変換器１１を介して陰極線管１２に供給されることから、陰極線管１２上には試料の走査２次電子像が表示される。 - 特許庁

A secondary electron emitted from a wafer is detected by a detector 41-9, and converted into image data by an image processing part 42-9, and a prescribed pattern test is carried out.例文帳に追加

ウエハから放出された二次電子は、検出器４１−９で検出され、画像処理部４２−９で画像データに変換され、所定のパターン検査が実施される。 - 特許庁

The display control means 11 generates an image signal for each of the picture elements according to a predetermined rule, and displays a secondary electron image of a sample on a display means 15.例文帳に追加

表示制御手段１１は、予め決められた規則にしたがって各画素における像信号を作成し、試料の２次電子像を表示手段１５に表示させる。 - 特許庁

At drawing of the initial value, the means 110 preaquires such data that indicate the correlation between the variation of the contents of electric control and image observing conditions and draws out a value, which is appropriate as the initial value of the lightness control value of a new secondary electron image, by referring to previously observed secondary electron images and the lightness control values at that time.例文帳に追加

この場合に、あらかじめ電気的制御内容及び像観測条件の変化と、明度の平均的な変化との相関がわかるデータを取得しておき、さらに、以前に観測した２次電子像とその時の明度制御値を参照し、新たな２次電子像の明度制御値の初期値としての適当な値を導出する。 - 特許庁

In a method that an image is formed by utilizing a secondary electron amplification by residual gas around a sample in a low vacuum scanning electron microscope(SEM) and an absorption current, the observation with high resolution and good image quality is enabled by an electric field in which an electrode acts with the comparatively reduced number of parts and a design taking scattering of a first electron beam into consideration.例文帳に追加

低真空SEMにおける試料周辺の残留ガス分子による二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成する方式に於いて、比較的少ない部品数で電極が作用する電界や１次電子ビームの散乱を考慮した設計によって、低真空における高分解能・良好な像質での観察を可能とする。 - 特許庁

The observation condition includes the working distance, vacuum, addition/subtraction of the detection signals from a reflection electron detection element divided into a plurality, the voltage being applied to the bias electrode of a low vacuum secondary electron detector, and the mixing ratio of signals when displaying a mixing image.例文帳に追加

観察条件には、ワーキングディスタンス，真空度，複数に分割された反射電子検出素子の検出信号の加減算操作、低真空二次電子検出器のバイアス電極に印加する電圧、ミキシング画像を表示する際の信号の混合比がある。 - 特許庁

The multi-emitter having a plurality of electron emission sites is kept at a negative potential; and secondary electrons obtained by entering a primary ray into the multi-emitter are expanded and focused to obtain a surface image of the electron emission sites of the multi-emitter.例文帳に追加

複数の電子放出サイトを有するマルチエミッタを負電位に保持し、前記マルチエミッタに対して一次線を入射させて得た２次的な電子を拡大結像させ、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの表面像を得る。 - 特許庁

To increase response speeds of an electric current signal, and improve yield of an ion electric current in a gas amplifying method ion electric current detection type SEM in which a secondary electron image can be obtained even in a low vacuum condition by utilizing an electron avalanche by a residual gas in a sample room.例文帳に追加

試料室内の残留ガスによる電子なだれを利用することで、低真空条件でも二次電子像を取得できるガス増幅式イオン電流検出型SEMにおいて、電流信号の応答速度の高速化およびイオン電流の収量の向上を図る。 - 特許庁

In reviewing the defects, by irradiating the primary electron beam on the testpiece in such a state that the deflection amount of the electrostatic deflector 12 is reduced than the detection time of defects, and by forming the secondary electron microscopic picture of the defect candidate of the testpiece 19, the three-dimensional SEM image is obtained.例文帳に追加

欠陥レビュー時には、静電偏向器１２の偏向量を欠陥検出時より低下させた状態で１次電子線を試料に照射して試料１９の欠陥欠陥候補の２次電子画像を形成することにより立体的なＳＥＭ像が得られる。 - 特許庁

An electron beam having 100 eV or more and 1,000 eV or less of irradiation energy is scanned/irradiated to the wafer 18 having the pattern with the high step difference under the semiconductor manufacturing process, the defect is inspected quickly based on an image of a secondary electron generated therein.例文帳に追加

半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ１８に１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。 - 特許庁

To provide a stereoscopic shape measuring method by a scanning electron microscope (SEM) and its device capable of highly-accurate stereoscopic shape measurement even in the case of a flat surface or a nearly vertical surface, by utilizing tilt angle dependency of a secondary electron image signal quantity.例文帳に追加

ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。 - 特許庁

When a multi-axial stage 40 of a scanning electron microscope 10 is rotated horizontally, inclined or moved horizontally, an operation of rotating, inclining or horizontally moving an image for specification is performed by means of a mouse 62 while creating an image for specification from an SEM image obtained from a signal of a secondary electron detector 20 and displaying the image on an image display unit 61.例文帳に追加

走査電子顕微鏡１０の多軸ステージ４０を水平回転、傾斜、水平移動させるに際して、二次電子検出器２０の信号から得られるＳＥＭ像から指定用画像を作成して画像表示装置６１に表示しつつ、マウス６２で指定用画像を回転、傾斜、水平移動させる操作を行う。 - 特許庁