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single layer structureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 472件
In addition, the upper shielding layer 26 consists of the structure which is subjected to the single domain formation of the magnetic layers 33 and 35 by the multilayered structure and is capable of simultaneously improving the shielding function and the core function.例文帳に追加
また上部シールド層26は、多層構造により磁性層33,35が単磁区化されており、しかもシールド機能とコア機能とを同時に向上できる構造となっている。 - 特許庁
To provide a single layer polysilicon flash memory operating with a low voltage in which interference is supressed while lowering power consumption, and to provide the structure of a flash memory and an array structure.例文帳に追加
本発明は、低消費電力であり、干渉が少なく、低電圧で使われる単層多結晶シリコンフラッシュメモリ、フラッシュメモリセルの構造及びアレイ構造を提供することを課題とする。 - 特許庁
As crystallinity of a series of layers (anti-ferromagnetic pinning layer 22 or the like) formed on this seed layer 30 is improved, comparing with the case in which the seed layer is constituted so as to have single layer structure of nickel chrome alloy, the GMR ratio is increased.例文帳に追加
このシード層30上に形成される一連の層(反強磁性ピンニング層22など)の結晶性が向上するため、ニッケルクロム合金の単層構造を有するようにシード層を構成した場合と比較して、GMR比が増加する。 - 特許庁
To constitute this single-layer metal gasket by a single seat of metal plate in a total region connecting internal/external peripheral metal plates, and reducing a tightening thickness, while a structure is constituted simple.例文帳に追加
この単層金属ガスケットは,内周金属板と外周金属板とを連結した全域に一枚の金属板で構成され,構造をシンプルに構成すると共に締め付け厚さを低減する。 - 特許庁
A semiconductor laminate structure 10 is obtained by sequentially forming, in this order an insulating single crystal film 12 used as a ground, and a semiconductor single-crystal film 13, used as a channel layer on an insulating single crystal substrate 11, used as the base material.例文帳に追加
半導体積層構造10は、基材となる絶縁性単結晶基板11の上に、下地となる絶縁性単結晶膜12と、チャネル層となる半導体単結晶膜13とを、この記載順序で順次形成することにより得られている。 - 特許庁
To provide a single-layer carbon nanohorn adsorbent used as a novel functional material based on an SWNHs structure, not needing to be subjected to an activation treatment, and having a very high adsorption capacity, to provide a catalyst comprising single-layer carbon nanohorns, and to provide a catalyst carrier comprising the nanohorns.例文帳に追加
SWNHsの構造を基本とし、これまで未知の新しい機能材として、活性化処理が不要で、吸着容量の極めて大きな単層カーボンナノホーンの吸着材と、単層カーボンナノホーンの触媒および触媒担体を提供する。 - 特許庁
Subsequently, a support 7 is deposited on the stripping face of the single crystal SiC layer 1a of the deposition substrate 6 and the base substrate 3 is removed thus obtaining a structure where the support 7 is deposited on the single crystal SiC layer 1a becoming the active region of the element.例文帳に追加
続いて、堆積用基板6の単結晶SiC層1aの剥離面に支持体7を堆積させたのち、ベース基板3を除去し、素子の活性領域となる単結晶SiC層1aの上に、支持体7が堆積された構成とする。 - 特許庁
Such a wall bump structure is given at the same time, when the wall bump structure is formed on the electrode layer of a single substrate, formed on the electrode layer on two pieces of parallel substrates, or a slit is formed in the electrode.例文帳に追加
ウォールバンプ構造が単一基板の電極層の上に形成されるか、或いは2片の平行基板上の電極層の上に形成されるか、或いは電極にスリットが形成されると同時に、このようなウォールバンプ構造を有する。 - 特許庁
To provide a heat insulating layered structure which is not only excellent in heat insulation, but also inseparable between each layer as a single unit of whole layered structure, and provided with a long life of its heat insulation coating, especially of its exterior ceramic layer.例文帳に追加
優れた遮熱特性の他に、その層組織全体を単一ユニットとして、個々の層が互いに分離されることなく、その遮熱性被覆、特にその外側セラミックス層が長い寿命を有する遮熱性層組織を提供する。 - 特許庁
A skeleton structure 10 being elliptical on plan view and curved into the form of a convex lens is constructed of a number of frame members 15, a single layer 10, and a plurality of string members 11 extended below the single layer 10, the single layer 10 comprising a number of columnar hubs 16 into which the ends of the frame members 15 are fitted.例文帳に追加
多数のフレーム部材15と、このフレーム部材15の端部が嵌合される多数の柱状ハブ16によって単層レイヤー10と、この単層レイヤー10の下方に張設された複数本の張弦部材11とで、平面視形状が楕円形で上方に向かって凸レンズ形に湾曲した骨組構造体10を構築する。 - 特許庁
To provide a drive circuit and a liquid crystal display of which the manufacturing processes are simplified by forming wiring on a glass substrate into a single layer structure.例文帳に追加
ガラス基板上の配線を単層構造にして、製造工程を簡略化することができる駆動回路及び液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁
A carcass layer 6 has a single-layered structure and is folded back from the inside to the outside in the tire axis direction by tucking a bead filler 5 around a bead core 4.例文帳に追加
カーカス層6が1層構造であり、ビードコア4の周りにビードフィラー5を挟み込むようにしてタイヤ軸方向内側から外側に折り返されている。 - 特許庁
The strip-like single-layer graphite thin film 3 having a specific edge structure is formed by cleaving a nanotube by using oxygen atoms 2.例文帳に追加
酸素原子2を用いてカーボンナノチューブを劈開させることにより、特定の端構造を有する短冊状の単層グラファイト薄膜3を形成する。 - 特許庁
To create a small-and-medium-sized building with a large space by realizing a lightweight single-layer lattice arch shell structure roof by a low-cost construction method.例文帳に追加
単層ラチスアーチシェル構造屋根を軽量かつ低コストな工法で実現することで大空間を持つ中小規模の建築を創造することが出来る。 - 特許庁
To provide a conductive paste which has a high conductivity and can form a conductive pattern of a single layer structure colored in sufficiently deep black color.例文帳に追加
高い導電性を有し、しかも十分に濃い黒色に着色された単層構造の導電パターンを形成できる導電性ペーストを提供する。 - 特許庁
In addition, the lightweight wooden board is a single layer structure consisting of a mixed fiber consisting of the wooden fiber and either one of or both the bark fiber and the bark powder.例文帳に追加
更に軽量木質板は木質繊維と樹皮繊維又は樹皮粉末のいずれか一方又は双方との混合繊維からなる単層構造である。 - 特許庁
To adjust the binding force of a band in each position in a width direction even when the band in a single layer structure is formed by continuously winding one belt-like ply.例文帳に追加
1本の帯状プライを連続巻きして一層構造のバンドを形成した場合にも、このバンドによる拘束力を巾方向の各位置で調整できる。 - 特許庁
In addition, the radio-wave absorbing film 46 may be formed at a low cost because it has a simple structure formed of a single conductor layer and can be easily provided to the object 12.例文帳に追加
また、電波吸収膜46は単層の導電層で構成された簡単な構造なので低コストであり、物体12に容易に設けることができる。 - 特許庁
The acrylic resin film used herein is colored to a degree capable of concealing the color of the substrate recovered resin and may have a single-layer or multilayer structure.例文帳に追加
ここで使用されるアクリル系樹脂フィルムは、下地回収樹脂の色遮蔽が可能な程度に着色されたものであり、単層でも多層でもよい。 - 特許庁
The piezoelectric includes a substrate 12 made of a silicon single crystal, an insulation layer 13 formed thereon, and a piezoelectric laminated structure 14 formed thereon.例文帳に追加
シリコン単結晶からなる基板12と、その上に形成された絶縁層13と、その上に形成された圧電積層構造体14とを有する。 - 特許庁
To provide a joining method by a wood screw and a simple joining fitting to join wood members of a single layer lattice arch shell structure roof using wood members.例文帳に追加
木材を使用した単層ラチスアーチシェル構造屋根の木材同士の接合において、木ビスと簡単な接合金具による接合方法を提供する。 - 特許庁
Otherwise, among the fiber-reinforced prepreg sheets laminated at least in three layers including the surface layer and the intermediate layer, the intermediate layer has a texture structure texturing the carbon fiber in two to four directions, and on the other hand the surface layer can have a non-texture structure with the carbon fiber oriented in a single direction.例文帳に追加
或いは、表層及び中間層を含む少くとも3枚を重ねて積層にした繊維強化プリプレグシートのうち、中間層は炭素繊維を2方向ないし4方向に交差して織り込んだ織込構造を有する一方、表層は炭素繊維を1方向に引き揃えた非織込構造としても良い。 - 特許庁
A single-crystalline or epitaxial buffer layer 12 comprising Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3 is disposed on the surface of a single crystal substrate 10 and a single-crystalline or epitaxial electrically conductive or semiconductive thin film 14 having an ABO3 type perovskite phase structure is formed on the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加
単結晶基板10の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状のPb_1-xLa_x(Zr_yTi_1-y)_1-x/4O_3からなるバッファ層12を設けた後に、該バッファ層12の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状でありABO_3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜14を形成する。 - 特許庁
To provide a crucible for pulling a single crystal which is a carbonaceous crucible with a double-layer structure where an inside layer is a graphite material and an outside layer is a C/C material and which is excellent in durability and a long use life.例文帳に追加
黒鉛材を内層とし、C/C材を外層とする2層構造の炭素質ルツボにおいて、黒鉛材の特性を特定することにより耐久性に優れ、使用寿命の長い単結晶引き上げ用ルツボを提供する。 - 特許庁
The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加
電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁
The membrane electrode assembly 20 is made by bonding a single-layer anode catalyst electrode 30 to one surface of an electrolyte film 22 and a cathode catalyst electrode 40 to the other surface of the electrolyte film 22, the cathode catalyst electrode 40 being a double-layer structure composed of a first catalyst layer 41 and a second catalyst layer 42.例文帳に追加
膜電極接合体20は、電解質膜22の一方の膜面に単層のアノード触媒電極30を接合し、他方の膜面に接合したカソード触媒電極40を第1の触媒層41と第2の触媒層42の2層構造とする。 - 特許庁
Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加
多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にn型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁
In this device 30, a nonvolatile random access memory(NVRAM) structure comprises an implantation element 32 in a single-crystal silicon substrate 34, an insulating layer 36 on the substrate 34, an silicon-on-insulator(SOI) layer 38 on the insulating layer 36, and a sense element 40 in an SOI layer 38 overlapping the implanting element.例文帳に追加
不揮発性ランダム・アクセス・メモリ(NVRAM)構造が、単結晶シリコン基板内の注入要素と、基板の上の絶縁層と、絶縁層の上のシリコン・オン・インシュレータ(SOI)層と、注入要素の上に重なるSOI層内のセンス要素とを含む。 - 特許庁
Consequently, since the breakdown voltage is made higher, as compared with the case where the intermediate layer 13 has a single-layer structure, the magnetic coupler can be made thinner and more compact as a whole.例文帳に追加
これにより、中間層13が単層構造である場合と比べてその絶縁破壊電圧が向上するので、薄型化が可能となり、よりコンパクトな全体構成を実現することができる。 - 特許庁
In a cross-sectional structure of the wood-chip concrete plate 3 made of a single layer of the wood-chip concrete, the wood-chip concrete plate 3 itself serves as the covering layer; and a vegetation base material is not superposed thereon.例文帳に追加
木片コンクリート板3は、木片コンクリートの単一層で構成してあるとともに、該木片コンクリート板3自体が被覆層となり、その上には植生基材が積層されない断面構造としてある。 - 特許庁
In the magnetic recording medium constituted of successively laminating the soft magnetic layer and vertical recording layers on a nonmagnetic substrate, the soft magnetic layer is constituted of CoFe alloy having amorphous single-phase crystal structure.例文帳に追加
非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層した構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性層を非晶質単相の結晶構造を有するCoFe系合金で構成する。 - 特許庁
To provide a liquid crystal cell for color display having a retardation layer with a patterning structure that gives an ideal retardation value even in a single layer, and to provide a liquid crystal display device using the liquid crystal cell.例文帳に追加
一層でも理想的なレターデーション値を付与するパターニング構造の位相差層を備えるカラー表示用の液晶セルを提供し、該液晶セルを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor substrate having a single-crystal semiconductor layer which has an SOI structure free of peeling of a single-crystal silicon layer and is partially different in thickness, the semiconductor substrate, an electrooptic device and electronic equipment.例文帳に追加
単結晶シリコン層がはがれることなく、SOI構造を有し、かつ、部分的に異なる厚さの単結晶半導体層を備える半導体基板を形成可能な半導体基板の製造方法、半導体基板、電気光学装置並びに電子機器を提供すること。 - 特許庁
The surface acoustic wave device comprises a single crystal substrate 1, a buffer layer 2 composed of a crystal film formed on the single crystal substrate 1, and a piezoelectric thin film 3 having crystal structure of a trigonal or hexagonal system formed on the buffer layer 2.例文帳に追加
単結晶基板1と、この単結晶基板1上に形成された結晶膜からなるバッファー層2と、バッファー層2上に形成された六方晶系または三方晶系の結晶構造を有する圧電薄膜3とを備えてなる表面弾性波素子。 - 特許庁
This allows the height of a material at the time of word line processing to be decreased because the material that is processed at the time of word line formation can be a single-layer polysilicon film only, and also allows a manufacturing process to be simple because an embedded bit line structure can be formed of a single-layer polysilicon.例文帳に追加
これにより、ワード線を形成する際に加工する材料を単層のポリシリコン膜のみにできるため、ワード線加工時の材料の高さを低くできるとともに、単層のポリシリコンで埋め込みビット線構造を形成できるため、製造プロセスが簡便になる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a silicon single-crystal substrate of SOI structure through oxygen ion implantation which reduces defects of a silicon single-crystal part on the surface as much as possible, by forming a sound embedded oxide layer with a low dosage.例文帳に追加
低ドーズ量で健全な埋め込み酸化物層を形成させ、表面のシリコン単結晶部の欠陥をできるだけ少なくした、酸素イオン注入によるSOI構造のシリコン単結晶基板の製造方法。 - 特許庁
The ZnO compound semiconductor single crystal of a hexagonal crystalline structure is grown on the layer of single crystal of compound of a hexagonal crystal crystalline structure having a plurality of (0001) surfaces continued stepwise in the a-axis direction so as to be slanted with respect to the a-axis direction of the same.例文帳に追加
a軸方向に階段状に連なった複数の(0001)面を有する六方晶結晶構造の化合物単結晶層上に、六方晶結晶構造のZnO系化合物半導体単結晶をそのa軸方向に傾斜させて成長させる。 - 特許庁
A field effect transistor comprises: a complex oxide single crystal substrate having a perovskite structure constituting a channel layer; and a gate insulating film including a laminated structure in which a polymer film of paraxylene and tantalum oxide are laminated in this order on the complex oxide single crystal substrate.例文帳に追加
チャンネル層を構成するペロブスカイト構造の複合酸化物単結晶基板と、該複合酸化物単結晶基板上にパラキシリレンのポリマー膜及び酸化タンタルがこの順に積層された積層構造からなるゲート絶縁膜とを有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁
In the method of inhibiting corrosion for the marine steel structure, the marine steel structure coated with the coating material composition as a coating film in a single layer, or as primers of plural coating films is subjected to electric protection.例文帳に追加
前記海洋鋼構造物の防食方法は、前記塗料組成物を単層の塗膜として又は複数塗膜のプライマーとして塗装した海洋鋼構造物に電気防食を行うものである。 - 特許庁
In the multilayer structure type optical recording medium wherein a single layer or more for recording/reproducing a signal by light or heat and a single light transmission layer or more exist, the light transmission layer is characterized in that the layer is made of a thermoplastic resin and the thermoplastic resin contains an infrared ray absorption agent.例文帳に追加
光や熱により信号を記録・再生する層の単層または複数層と光透過層の単層または複数層が存在する多層構造型光記録媒体において、前記光透過層が熱可塑性樹脂から成り、且つ該熱可塑生樹脂中に赤外線吸収剤を含有していることを特徴とする多層構造型光記録媒体。 - 特許庁
Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加
次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第1の単結晶Si層およびSiGe層を通るGeの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のSiGe層を形成する。 - 特許庁
In a method for manufacturing a polyamide based simultaneously biaxially oriented laminated film wherein the central part in the film width direction has the double layer structure and both end parts have a single layer structure, a cooling speed of the single layer part is made slower than that of the double layer part in a process wherein a polymer discharged from a die lip is bonded onto a cooling roll to make a film by quenching.例文帳に追加
フィルム巾方向の中央部が複層構造であり、両端部が単層構造であるポリアミド系同時2軸延伸積層フィルムを製造する方法において、ダイリップから吐出されたポリマを冷却ロール上に密着させて急冷製膜させる工程で、単層部の冷却速度を複層部のそれよりも遅くすることを特徴とするポリアミド系同時2軸延伸積層フィルムの製造方法。 - 特許庁
The photovoltaic device using a single crystal or polycrystalline semiconductor layer separated from a single crystal or polycrystalline semiconductor substrate as a photovoltaic layer has a so-called SOI (silicon on insulator) structure in which the semiconductor layer is bonded to a substrate having an insulating surface or an insulating substrate.例文帳に追加
単結晶若しくは多結晶半導体基板から分離した単結晶若しくは多結晶半導体層を光電変換層とする光電変換装置であって、当該半導体層を絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板に接合させる所謂SOI構造を備えたことを要旨とする。 - 特許庁
Thereafter, an emitter opening 114 is formed in an insulating layer 112 positioned on the single-crystal structure 111a and the damaged part of the single-crystal structure 111a positioned in the opening 114 is removed by thermally oxidizing the upper part of the structure 111a, and removing an oxide film 115 by wet etching.例文帳に追加
単結晶構造部111a上に位置する絶縁膜112に、エミッタ開口部114を形成し、エミッタ開口部114内に位置する単結晶構造部111aの上部を熱酸化して酸化膜115をウェットエッチングを行なうことによって除去することで単結晶構造部111aのダメージを取り除く。 - 特許庁
For solving the problem that a nitride layer directly grown on the diamond substrate is made to be a polycrystal, the semiconductor laminated structure includes: the diamond substrate; a first layer containing Si provided on the diamond substrate; and a second layer composed of a single crystal nitride provided on the first layer.例文帳に追加
ダイヤモンド基板上に直接成長した窒化物層が多結晶となる上記課題を解決するため、本発明に係る半導体積層構造は、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板上の、Siを含む第1の層と、第1の層上の、単結晶窒化物で構成される第2の層とを備える。 - 特許庁
The semiconductor device is a CMOS comprising a DTMOS having a common substrate structure wherein the substrate part includes an Si substrate 41, a seed layer 44, a single crystal oxide film 45, a first SiGe layer 54, a second SiGe layer 55, and a strained Si layer 56 sequentially from below.例文帳に追加
半導体装置は、共通の基板構造を有するDTMOSから構成されたCMOSであって、その基板部分は、下から順にSi基板41と、シード層44と、単結晶酸化膜45と、第1のSiGe層54と、第2のSiGe層55と、歪みSi層56とを有している。 - 特許庁
The battery pack is composed so that a hard laminate material 11a has a structure in which a metal layer composed of a hard metal having Vickers hardness of ≥30 is sandwiched between an outer face resin layer and an inner face resin layer; and the single colors, characters or patterns are printed on the inner face side of the outer face resin layer.例文帳に追加
この電池パックでは、硬質ラミネート材11aが、ビッカース硬度30以上の硬質金属からなる金属層が外面樹脂層と内面樹脂層との間に挟まれた構造とされ、外面樹脂層の内面側に、単色、文字または模様が印刷されている。 - 特許庁
A single quantum well structure 10 is produced by successively laminating an AlGaAs lower barrier layer 2, an AlGaAsN well layer (light- emitting layer) 3, and an AlGaAs upper barrier layer 4 upon a GaAs substrate 1 by the MBE method using NH_3 as an N source and an As_2 molecular beam as an As molecular beam source.例文帳に追加
N源としてNH_3を用い、As分子線源としてAs_2分子線を用いたMBE法によって、GaAs基板1上に、AlGaAs下部バリア層2、AlGaAsN井戸層(発光層)3、AlGaAs上部バリア層4を、順次積層して単一量子井戸構造10を作製する。 - 特許庁
This seedling-raising pot is characterized by having (a) a layer comprising a composition A obtained by compounding fertilizers into a biodegradable resin and (b) a slowly degradable layer which comprises a composition B having a slower degradation rate than that of the composition A and is disposed on the outside of the layer (a), without having a single layer structure comprising only the composition A.例文帳に追加
育苗ポットを、生分解性樹脂に肥料が配合された組成物Aのみからなる単層構成とはせずに、組成物Aからなる層(a)の外側に、該組成物Aよりも分解の遅い組成物Bからなる遅分解層(b)を有する構成とする。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor is constituted by forming a single layer of photosensitive layer directly or via an intermediate layer on a conductive support, the photosensitive layer containing a polymer charge transporting substance having a specified polycarbonate structure, a charge generating substance and an acceptor compound (2,3-diphenyl indene compound).例文帳に追加
導電性支持体上に、直接または中間層を介して、特定のポリカーボネート構造を有する高分子電荷輸送物質と電荷発生物質とアクセプター性化合物(2,3−ジフェニルインデン化合物)を含有する単層の感光層を設けて電子写真感光体とする。 - 特許庁
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