「single-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

This photovoltaic power apparatus includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which light is incident from the surface side, and the transparent conductive film 4 formed on the surface of the photoelectric conversion layer including an indium oxide layer having the surface orientation (222) and including two peaks of the surface (222) of the indium oxide layer.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層の表面上に形成され、（２２２）面の配向を有する酸化インジウム層を含むとともに、酸化インジウム層における（２２２）のピークが、２つのピークを含む透明導電膜４とを備えている。 - 特許庁

The card includes: a card substrate comprising a single layer or comprising one or more layers of core substrates and an exterior substrate; a reflective layer on the card substrate; and a light permeability pattern on the reflective layer, in which the reflective layer has an irregular shape following the light permeability pattern.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明では、単層からなるカード基材又は１層以上のコア基材と外装基材からなるカード基材と、カード基材上に反射層を有し、該反射層上に光透過性パターンを有するカードであって、該反射層が該光透過性パターンに追従する凹凸形状を有することを特徴とするカードとする。 - 特許庁

The transparent conductive film 10 comprises the patterned transparent conductive layer 3 formed on the single face of a transparent film substrate 1, and a colored layer 5 provided on at least one of the transparent conductive layer 3 on the opposite side to the transparent film substrate 1 and the transparent film substrate 1 on the opposite side to the transparent conductive layer 3.例文帳に追加

本発明の透明導電性フィルム(10)は、透明フィルム基材(1)の片面にパターン化された透明導電層(3)が形成されており、透明導電層(3)における透明フィルム基材(1)とは反対側、及び透明フィルム基材(1)における透明導電層(3)とは反対側の少なくとも一方に設けられた着色層(5)を含む。 - 特許庁

As for an insulation coating film 50 of an anti-inverter surge coil, a polyamideimide layer 30 is composed of only polyamideimide, and is constituted of a polyamideimide single component layer 32 which does not contain montmorillonite that is an inorganic compound plate shape filler, and a nanocomposite material layer in which montmorillonite, which is an organically modified clay, is uniformly dispersed in the polyamideimide layer.例文帳に追加

耐インバータサージ巻線の絶縁皮膜５０はポリアミドイミド層３０が、ポリアミドイミドのみからなり、無機化合物の板状のフィラであるモンモリロナイトをその中に含まないポリアミドイミド単成分層３２と、ポリアミドイミド層中に、有機化されたクレイであるモンモリロナイトが均一に分散させられているナノ複合材料層３４から構成されている。 - 特許庁

An optical fiber is constituted by successively providing a first core layer 31 propagating light of a single mode, a first clad layer 32 propagating light of a multimode, a first support layer 34 for forming a slope, and a second support layer 35, and sharpened at its one end by chemical etching to be changed to a multistage inclined surface.例文帳に追加

単一モードの光を伝搬する第１のコア層３１、多モードの光を伝搬する第１のクラッド層３２、第２のクラッド層３３、上記傾斜面を形成するための第１のサポート層３４及び第２のサポート層３５が順次設けられてなり化学エッチングにより一端が先鋭化されて多段階の傾斜面に変化される。 - 特許庁

A seed layer 31 having a flat surface shape is formed by coating a liquid metal compound on a barrier layer 30 that has been formed for electrical connected with a pad 7 formed of a conductive film of the same layer as the uppermost wiring layer, and then reducing this liquid metal compound to a single metal film.例文帳に追加

最上層配線と同一層の導体膜からなるパッド７と電気的に接続するバリア層３０を形成した後、バリア層３０上に液体金属化合物を塗布し、さらに熱処理または化学反応処理によりこの液体金属化合物を単体金属膜に還元して平坦な表面形状を有するシード層３１を形成する。 - 特許庁

The superconductive single photon detecting element 100 includes a magnesium oxide substrate 10, a niobium nitride wiring 13 formed on a front surface of the substrate 10, a cavity layer 12 formed on the niobium nitride wiring 13, a reflection layer 11 formed on the cavity layer 12, and an antireflection layer 14 formed on a rear surface of the substrate 10.例文帳に追加

超伝導単一光子検出素子１００は、酸化マグネシウムからなる基板１０と、基板１０の表面に形成された窒化ニオブ配線１３と、窒化ニオブ配線１３上に形成されたキャビティ層１２と、キャビティ層１２上に形成された反射層１１と、基板１０の裏面に形成された反射防止層１４と、を備える。 - 特許庁

In the decorative material for floor formed by laminating a decorative sheet on a wooden substrate, on the wooden substrate side of the decorative sheet there is provided an intermediate layer which consists of a single layer, multiple layer or mixture of a polytrimethylene terephthalate resin with a thickness of 50-200 μm, and the total thickness of the decorative sheet and the intermediate layer is 200-350 μm.例文帳に追加

木質系基材上に化粧シートを積層してなる床用化粧材において、前記化粧シートの木質系基材側に、厚み５０〜２００μｍのポリトリメチレンテレフタレート樹脂の単層又は複層又は混合物からなる中間層を設けたこと、前記化粧シートと中間層の厚みの合計が２００〜３５０μｍであることを特徴とする。 - 特許庁

The surface layer of an electrophotographic photoreceptor is formed by laminating a 2nd surface layer 105 comprising non-single crystal carbons, containing at least fluorine on a 1st surface layer 104 having 50-5,000 Åcenter line average surface roughness Ra as stipulated by JIS B0601 and comprising a non-single crystal material containing at least silicon atoms, hydrogen atoms and nitrogen atoms and/or oxygen atoms.例文帳に追加

電子写真感光体の表面層として、JIＳ Ｂ０６０１における中心線平均表面粗さ(Ｒa)が５０Å〜５０００Åである、少なくともシリコン原子、水素原子、および窒素原子および/又は酸素原子を含む非単結晶材料からなる第１表面層の上に、少なくともフッ素を含む非単結晶炭素からなる第２表面層を積層させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon wafer, which has necessary volume of BMD(Bulk Micro-Defect) in a gettering region, for removing metal impurities in a device formation surface layer of the silicon single crystal wafer by gettering, without causing inconvenience such as strength reduction of the single crystal silicon wafer that has been observed in the prior art IG gettering treatment.例文帳に追加

従来のＩＧゲッタリング実施の際にみられたシリコン単結晶ウエハの強度低下等の不都合を招来することなく、シリコン単結晶ウエハのデバイス形成表層に存在する金属不純物を有効にゲッタリング除去するのに必要な体積量のＢＭＤがゲッタリング領域中に生成されたシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a composite substrate, which can suppress occurrence of crack in the circumference of a single fiber by forming a fibrous layer so that the single fiber is not separated from the adjacent single fibers, thereby improving a fabrication yield, a wiring substrate and a mounting structure, and a manufacturing process of the composite substrate.例文帳に追加

本発明は、単繊維を隣接する単繊維から離れないように繊維層を形成することによって、単繊維の周囲にクラックが発生するのを抑制することができ、製造歩留まりを向上させることが可能な複合基板、配線基板及び実装構造体、並びに複合基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An active material layer single surface coating part having the length equivalent to a semicircle or more is formed in each of a positive electrode and a negative electrode in the winding innermost peripheral part of the wound electrode, one electrode has the active material single surface coating part longer than one circle or more than the other electrode, and the active material layers of the active material single surface coating parts are faced.例文帳に追加

巻回電極体の巻回最内周部において、正極および負極のそれぞれに半周分以上の活物質層片面塗布部が設けられ、一方の電極が、他方の電極よりも１周以上長い活物質層片面塗布部を有し、活物質層片面塗布部の活物質層同士が対向配置されるようにして構成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN single crystal substrate comprises an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 comprising a hexagonal GaN on a GaN single crystal being a seed crystal and a cutting step for cutting the formed ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of fixing a seed crystal used for growing a silicon carbide single crystal, in which generation of micocracks elongating in a growing single crystal is suppressed by bonding a seed crystal and a graphite base for holding the seed crystal by using a metal carbide layer free from voids; and to provide a method of manufacturing the single crystal using the same.例文帳に追加

種結晶と種結晶を保持する黒鉛台座とを空隙のない金属炭化物層を用いて結合させることにより、成長単結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生を抑制した炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the KNbO_3 single crystal thin film comprises a coating process for coating an SrTiO_3 single crystal substrate 11 with liquid drops of an aqueous solution containing KNbO_3 by a liquid drop discharge method and a deposition process for depositing the potassium niobate single crystal layer 12 from the applied liquid drops by epitaxial growth.例文帳に追加

ＫＮｂＯ_３単結晶薄膜の製造方法は、液滴吐出法によってＫＮｂＯ_３を含む水溶液の液滴をＳｒＴｉＯ_３単結晶基板１１上に塗布する塗布工程と、塗布された液滴からニオブ酸カリウム単結晶層１２をエピタキシャル成長によって析出する析出工程とを備えているものとした。 - 特許庁

A wall member 1 of a package is constituted by laminating at least one foamed resin layer 20 foamed by gas to be filled therewith to resin layers 10 excellent in barrier properties between them or laminating the same to the single surface of one resin layer 10 and the gas is a single inert gas such as nitrogen or carbon dioxide or mixed gas.例文帳に追加

バリア性に優れた樹脂層１０の間にもしくは片面に、ガスにより発泡させ、そのガスが充満している発泡樹脂層２０を一層以上積層してなり、そのガスが、窒素や二酸化炭素等の不活性ガスの単体ガスもしくはこれらの混合ガスであることを特徴とする包装体の壁体１としたものである。 - 特許庁

The semiconductor element is constituted by forming an AIN-based or GaN-based semiconductor layer 2 on a single-crystal substrate 1 and also bonding an electrode 3 onto the semiconductor layer 2, and the electrode 2 is formed of diboride single crystal represented as a general chemical formula XB_2 (X includes at least one kind from Ti and Zr).例文帳に追加

単結晶基板１上にＡｌＮ系もしくはＧａＮ系の半導体層２を形成するとともに、該半導体層２上に電極３を被着させた半導体素子において、前記電極３をＸＢ_２（ＸはＴｉもしくはＺｒの少なくとも１種を含む）の化学式で示される二棚化物単結晶により形成する。 - 特許庁

The user can select a first menu for displaying prescribed number of functions by a plurality of layers and a second menu for displaying prescribed number of functions less than the number of functions in the first menu with a single layer, and in the case of displaying the second menu, items of the functions by the second menu are displayed on one screen through the single layer configuration.例文帳に追加

複数の階層によって所定数の機能を表示する第１メニューと、単階層によって第１メニューの数より少ない所定数の機能を表示するための第２メニューとが、ユーザによって選択可能とされ、第２メニューによる表示の際には、単階層構成で第２メニューによる各機能の項目を１画面で表示する。 - 特許庁

Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層１８からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層１８の上部と下部に形成されたｎ型拡散領域１４、２３からなるソース・ドレイン領域と、ワード線２１からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３が形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photoelectric transducing apparatus for preventing the reduction of a transparent conductive film due to radical hydrogen and at the same time the blocking of crystal generation in a non-single-crystal-silicon-based semiconductor layer even if a non-single- crystal-silicon-based semiconductor layer is formed, and to provide the photoelectric transducing apparatus having superior photoelectric transducing efficiency inexpensively by the manufacturing method.例文帳に追加

非単結晶シリコン系半導体層を成膜しても、透明導電膜がラジカル水素で還元されることなく、かつ、非単結晶シリコン系半導体層における結晶生成も阻害されない光電変換装置の製造方法、ならびにその製造方法を用いて、光電変換効率の高い光電変換装置を安価に提供する。 - 特許庁

To significantly improve the brightness characteristics and forward voltage characteristics related to a light-emitting diode, by forming an intermediate layer of non-single crystal substance for improved interface characteristics among single crystals.例文帳に追加

発光ダイオードにおいて、単結晶間の界面特性を向上させるため非−単結晶物質からなる中間層を形成し単結晶間に発生する格子不整合による欠陥を減少させ輝度特性と順方向電圧特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

The rear surface 12b and both side surfaces 12c, 12c of the ZnO single crystal substrate 12 are covered by the protective film 40 consisting of the nitride semiconductor whereby the sublimation of ZnO can be suppressed upon growing the nitride semiconductor layer on the surface 12a of the ZnO single crystal substrate 12.例文帳に追加

ZnO単結晶基板１２の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃが窒化物半導体からなる保護膜４０で覆われているので、ZnO単結晶基板１２の表面１２ａ上に窒化物半導体層を成長させる際にZnOの昇華を抑制できる。 - 特許庁

The ZnO compound semiconductor single crystal of a hexagonal crystalline structure is grown on the layer of single crystal of compound of a hexagonal crystal crystalline structure having a plurality of (0001) surfaces continued stepwise in the a-axis direction so as to be slanted with respect to the a-axis direction of the same.例文帳に追加

ａ軸方向に階段状に連なった複数の（０００１）面を有する六方晶結晶構造の化合物単結晶層上に、六方晶結晶構造のＺｎＯ系化合物半導体単結晶をそのａ軸方向に傾斜させて成長させる。 - 特許庁

To provide a tunnel supply track capable of smoothly transferring parts in single line and in single layer and a parts monitor installed on the supply track for monitoring the transfer status of parts, in a microparts supply device for supplying prism shaped microparts.例文帳に追加

角柱状の微小部品を供給する微小部品供給装置において、部品を単列、単層で円滑に移送し得るトンネル状の供給トラック、および供給トラックに設置され部品の移送状況を監視する部品モニターを提供すること。 - 特許庁

By arranging a plurality of starting points of crystal growth around the channel formation region, flocculation latent heat of silicon abbreviation single crystal grain which grows from each starting point is utilized, and a large silicon abbreviation single crystal grain is obtained also in a thin semiconductor layer of thickness.例文帳に追加

チャネル形成領域の周囲に複数の結晶成長の起点部を配置することにより、各起点部から成長するシリコン略単結晶粒の凝固潜熱を利用し、膜厚の薄い半導体層においても、大きなシリコンの略単結晶粒を得る。 - 特許庁

This is the transparent film having on a base material a conductive layer containing a single-wall carbon nanotubes having a COOM (M is metal element such as K and Na) group obtained by wet oxidation of the single-wall carbon nanotubes by nitric acid or mixture acid of nitric acid and sulfuric acid.例文帳に追加

単層カーボンナノチューブが硝酸あるいは硝酸と硫酸との混酸による湿式酸化されることで得られたＣＯＯＭ（Ｍ＝Ｋ，Ｎａ等の金属元素）基を有する単層カーボンナノチューブを含む導電層を、基材上に有する透明導電膜。 - 特許庁

By this method, a solar cell satisfying a single p-i-n junction having a single-intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of 800 to 2,200 Å and having an open circuit voltage of a range from 0.887 V to 0.986 V and a fill factor of a range from 0.645 to 0.74 is manufactured.例文帳に追加

本方法により８００〜２２００Åの厚みの単−真性アモルファスシリコン層を有する単ｐ−ｉ−ｎ接合を具備し、０．８８７V〜０．９８６Vの範囲の開放電圧及び０．６４５〜０．７４の範囲の曲線因子を有する太陽電池を作製する。 - 特許庁

To provide a thin film single crystal solar cell module and a manufacturing method for the solar cell module having a high quality of superior durability and reliability without generating a failure or a crack when the solar cell module having a thin film single crystal layer is manufactured or used.例文帳に追加

薄膜単結晶層を有する太陽電池モジュールを製造及び使用する際に、欠陥やヒビなどが発生する事無く、耐久性、信頼性に優れた高品質の薄膜単結晶太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

A field effect transistor comprises: a complex oxide single crystal substrate having a perovskite structure constituting a channel layer; and a gate insulating film including a laminated structure in which a polymer film of paraxylene and tantalum oxide are laminated in this order on the complex oxide single crystal substrate.例文帳に追加

チャンネル層を構成するペロブスカイト構造の複合酸化物単結晶基板と、該複合酸化物単結晶基板上にパラキシリレンのポリマー膜及び酸化タンタルがこの順に積層された積層構造からなるゲート絶縁膜とを有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The seed crystals 3, each having a length necessary for growing the single crystal 10 used for industrial applications are prepared from a substrate 1 on which a ZnO layer 2 is formed, and thus obtained seed crystal 3 is used for growing the single crystal 10 of ZnO.例文帳に追加

ＺｎＯ層２を形成した基材１から、工業用途に使用可能なＺｎＯの単結晶１０の育成に必要な長さを有するＺｎＯの種結晶３を作成し、この種結晶３を用いてＺｎＯの単結晶１０を育成するようにした。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon epitaxial wafer where a silicon homoepitaxial layer is grown on a surface of a silicon single crystal wafer includes, at least, a step for preparing a silicon single crystal wafer having a plane direction determined by inclining the (110) plane in the <112> direction in a range of 0.1-8°, and a step for growing a silicon homoepitaxial layer on the surface of the silicon single crystal wafer thus prepared.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、（１１０）面を＜１１２＞方向に０．１°以上、８°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つシリコン単結晶ウェーハを準備する工程と、該準備したシリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させる工程とを有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

The card has a single layer card base material or one or more layers of card base materials composed of a core base material and an exterior base material, a metal vapor deposition layer on the card base material, and a protective layer on the metal vapor deposition layer where the metal vapor deposition layer has a flat part and a linear thick or thin film arranged partly in a predetermined direction.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明では、単層からなるカード基材又は１層以上のコア基材と外装基材からなるカード基材と、カード基材上に金属蒸着層を有し、該金属蒸着上に保護フィルム層を有するカードであって、該金属蒸着層が、平坦部と部分的に一定方向に並んだ線状の厚膜部又は薄膜部とを有することを特徴とするカードとする。 - 特許庁

The polyolefinic resin laminated foam is formed by laminating a synthetic resin layer on at least the single surface of a polyolefinic resin foamed sheet and the synthetic resin layer has a polyolefinic resin layer as an outermost layer, and a polymer type antistatic agent is added to the polyolefinic resin layer so that surface resistivity becomes 1×10^13 (Ω/(square)) or less.例文帳に追加

本発明のポリオレフィン系樹脂積層発泡体は、ポリオレフィン系樹脂発泡シートの少なくとも片面に合成樹脂層が積層されてなる積層発泡体において、該合成樹脂層が最外層にポリオレフィン系樹脂層を有する１層以上のものであり、該ポリオレフィン系樹脂層には表面固有抵抗が１×１０^１３（Ω／□）以下となるようにポリマータイプの帯電防止剤が含有されていることを特徴とする - 特許庁

A light emitting diode 10, having a semiconductor substrate 11 and a single hetero-structure formed thereon and having at least a p-type active layer 13 and an n-type clad layer 14, is formed by forming an absorption layer 12 for absorbing light emitted by a light emitting layer, and having secondary light emitting intensity lower than the semiconductor substrate 11 between the active layer 13 and the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１と、その上に形成された少なくともｐ型の活性層１３及とｎ型のクラッド層１４とを備えたシングルヘテロ構造の発光ダイオード１０において、活性層１３と半導体基板１１との間に、発光層で発光した光を吸収すると共に、半導体基板１１より二次発光強度が低い吸収層１２を形成することにより、発光ダイオード１０を構成した。 - 特許庁

After a silicon single crystal wafer is bonded thereon at the bonding surface 29 with a direct bonding technique; this wafer is reduced in the thickness to obtain a photoelectric converting layer 32 of the desired thickness, and a transparent electrode 33 is formed on this photoelectric converting layer 32.例文帳に追加

この上部に直接接合技術で、シリコン単結晶ウェハを接合面２９にて接合後、所望の厚さの光電変換層３２を得るために薄膜化し、この光電変換層３２の上に透明電極３３が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a partial SOI wafer that suppresses occurrence of a defect in a region of an embedded oxide film when converting amorphous or polycrystalline silicon under deposition in a hole part reaching a bulk layer from an active layer to a single crystal.例文帳に追加

活性層からバルク層に達した孔部で堆積中のアモルファスもしくは多結晶シリコンを単結晶化させる際に埋め込み酸化膜の領域での欠陥発生を抑制させる部分ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plastic container with high gas barrier properties, in particular, high steam gas barrier properties which cannot be obtained with a conventional plastic container having a barrier layer formed of a single-layer thin film mainly comprising silicon compounds, and its manufacturing method.例文帳に追加

従来の単層の珪素化合物を主体とする薄膜からなるバリア層を有するプラスチック容器では得られない高度のガスバリア性を奏する、特に高度な水蒸気ガスバリア性を有するプラスチック容器及びそのの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head which comprises a very small size magnetic domain control layer capable of promoting the single magnetic domain formation of a magneto-sensitive layer and reducing Barkhausen noise, its forming method, and a magnetic disk device equipped with the thin-film magnetic head.例文帳に追加

磁気感受層の単磁区化を促進し、バルクハウゼンノイズを低減することのできる微小なサイズの磁区制御層を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその形成方法ならびにその薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate with a built-in distributed constant circuit capable of improving impedance matching in a portion where electrical parts and a distributed constant circuit are connected, and capable of forming a dielectric layer with a high-dielectric constant, as a single layer, which constitutes the distributed constant circuit.例文帳に追加

電子部品と分布定数回路とを接続する部分におけるインピーダンス整合を改善することができ、分布定数回路を構成する高誘電率の誘電体層を単層化することができる分布定数回路内蔵基板を提供する。 - 特許庁

Disclosed are the impact absorbing material for the flat display which is a single layer of ≥100 μm in thickness and 3 to 15 N/25 mm in glass adhesive strength, and the optical filter for the plasma display including an impact resistant layer made of the impact absorbing material.例文帳に追加

単層で厚みが１００μｍ以上で、ガラス密着性が３〜１５Ｎ／２５ｍｍであるフラットディスプレイ用耐衝撃吸収材、及びこの耐衝撃吸収材からなる耐衝撃層を含有するプラズマディスプレイ用光学フィルタである。 - 特許庁

It is preferable that the clay mineral comprises a layered silicate modified with an organic modifier, has an aspect ratio of 15 or more, and is dispersed in the surface layer while being peeled off to such a state where the clay mineral is a single layer or laminated in 2-4 layers.例文帳に追加

粘土鉱物は、有機修飾剤で変性された層状ケイ酸塩からなり、アスペクト比が１５以上であり、単層もしくは２〜４層が積層された状態まで剥離された状態で表面層中に分散されていることが好ましい。 - 特許庁

The method is the one for manufacturing the filter for the display panel, where an electromaghetic wave shield material 2 and at least single layer of functional coating layers 3, 4 are arranged on a base material film 1, and the electromagnetic shield layer 2 is exposed to the surface in the whole circumference of the filter.例文帳に追加

基材フィルム１上に、電磁波シールド材２と、少なくとも１層の機能性塗工層３，４とを備え、フィルターの全周にわたり電磁波シールド層２が表面に露出してなるディスプレイパネル用フィルターの製造方法である。 - 特許庁

The film or panel is a single layer or multilayer film or multilayer plate panel including an absorption layer formed by dispersing pigments having the near infrared ray absorptivity into a transparent polymeric resin and having the near infrared ray absorptivity.例文帳に追加

色調の優れた近赤外線吸収性のフィルム又はパネルを提供するにおいて、色素を安定な状態に保ちながらフィルム或いはパネルを製造するために、近赤外線吸収性色素、樹脂および製造方法を選択する。 - 特許庁

To eliminate a defect in a photoreceptor mounted directly with a negative charge type single layer photosensitive layer on a conductive substrate, and to form an image of high quality without generating a fog and a black point.例文帳に追加

負帯電型単層感光層を導電性基体上に直接設けた感光体における欠点を解消し、カブリや黒点の発生がなく、高品質の画像を形成しうる負帯電単層型電子写真感光体を提供するにある。 - 特許庁

And the single metal layer (1) of the integrated circuit (10) is used to multiplex signals to and from a poly-silicon layer (12), and reduces utilization of upper metal layers (2, 3, 4) of the integrated circuit (10).例文帳に追加

そして、集積回路（１０）の単一の金属層（金属層１）がポリシリコン層（ポリ１２）から、およびポリシリコン層への信号の多重化に使用され、集積回路（１０）の上部の金属層（金属層２，金属層３，金属層４）の使用を削減する。 - 特許庁