「sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing a film comprises: a stage where a substrate having first and second regions in which at least either is made of oxide, and also, which are made of mutually different materials is prepared; and a stage where a film is selectively deposited on either the first region or the second region by a bias sputtering process.例文帳に追加

少なくとも一方が酸化物であり、且つ互いに異なる材料からなる第１及び第２の領域を有する基板を用意する工程、及びバイアススパッタリング法により、該第１及び第２の領域のいずれか一方に選択的に成膜する工程を有する膜の製造方法。 - 特許庁

The method for forming a transparent conductive film is characterized in that plasma charged particles leaked out from a grid installed between a target and a substrate are coupled with electrons released from the tip of a filament (electron gun) inserted from the side face of a vacuum sputtering chamber, thus the polarity of the particles is neutralized.例文帳に追加

ターゲットと基板間に設置したグリッドから漏れ出たプラズマ荷電粒子を、真空スパッタチャンバーの側面から挿引したフィラメント（電子銃）先端から放出される電子と結合させることで、粒子極性を中和させることを特徴とする透明導電膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming a gate insulating film of silicon oxide by sputtering, power being thrown into a target is set at 4 W/cm^2 or smaller at the forming of the gate insulating film and film deposition pressure is set at 0.5 Pa or higher.例文帳に追加

酸化シリコンからなるゲート絶縁膜をスパッタリング法により形成するゲート絶縁膜の形成方法において、ゲート絶縁膜形成時のターゲットに対する投入電力を４Ｗ／ｃｍ^２以下とし、成膜圧力を０．５Ｐａ以上とすることにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

The sputtering target is manufactured by a powder metallurgy method and has a plate-like shape, and is characterized in that the ratio occupied by pinholes present in the vicinity of the lower surface side in the target is higher than the ratio occupied by pinholes present in the vicinity of the upper surface side in the target.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、粉末冶金法により作製されてなる板状のスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲット内に存在するピンホールによって占有される割合が、該スパッタリングターゲット内の上面側近傍よりも下面側近傍の方が高いことを特徴とする。 - 特許庁

The oxide transparent conductive film which contains In-O, Sn-O or Zn-O as basic oxides, is formed on a substrate 14 by the reactive sputtering method with using the metalic target material 10 which contains In, Sn or Zn in a vacuum as basic elements.例文帳に追加

本発明では、真空中においてＩｎ、Ｓｎ又はＺｎを基本構成元素とする金属からなるターゲット材１０を用い反応性スパッタ法によって基板１４上にＩｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ又はＺｎ−Ｏを基本構成元素とする酸化物透明導電膜を形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a photoelectric conversion element 10 including laminated layers of a back electrode 12, a photoelectric conversion layer 13, an interface layer 14 and a translucent conductive layer 16, a first zinc oxide film 15 is deposited on the interface layer 14 using an organic metal chemical vapor deposition method, and a second zinc oxide film is deposited on the first zinc oxide film 15 using a sputtering method as the translucent conductive layer 16.例文帳に追加

裏面電極１２と光電変換層１３と界面層１４と透光性導電層１６とが積層されてなる光電変換素子１０の製造方法であって、界面層１４上に、有機金属化学気相蒸着法を用いて第１の酸化亜鉛膜１５を成膜し、第１の酸化亜鉛膜１５上に、スパッタ法を用いて第２の酸化亜鉛膜を透光性導電層１６として成膜する。 - 特許庁

The protective film for a plasma display panel is produced by an electron beam deposition method, an ion irradiation deposition method, or a sputtering method using the single crystal magnesium oxide sintered compact as a target material.例文帳に追加

焼結体の相対密度が５０％以上９０％未満であり、酸化マグネシウム純度が９７質量％以上であり、かつ、粒径２００μｍ以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

In the manufacturing method for the particles for the display medium that constitute the display medium used for the panel for information display which displays information of an image etc., by moving the display medium by charging the display medium between two opposite substrates at least one of which is transparent and applying an electric field to the display medium, a metal compound is formed on particle surfaces by a sputtering method.例文帳に追加

少なくとも一方が透明な対向する２枚の基板間に表示媒体を封入し、表示媒体に電界を付与することによって、表示媒体を移動させて画像等の情報を表示する情報表示用パネルに用いる表示媒体を構成する表示媒体用粒子の製造方法において、粒子表面に金属化合物をスパッタリング法にて形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the color filter includes steps for film-forming a black matrix and colored layers of a plurality of colors on a transparent substrate to form the color filter layer; applying pressure to the surface of the color filter layer to make compressive stress generated at only a surface layer part of the color filter layer; and forming the transparent conductive film on the color filter layer by a sputtering method.例文帳に追加

透明基板上に、ブラックマトリックス及び複数色の着色層を成膜して、カラーフィルター層を形成する工程、前記カラーフィルター層の表面に圧力を印加し、前記カラーフィルター層の表層部のみに圧縮応力を生じさせる工程、及び前記カラーフィルター層上にスパッタ法により透明導電膜を形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a thin film transistor having an active layer of a transparent oxide film containing In, Zn and O at an electronic carrier concentration of less than the level of 10^18 /cm^3, a source electrode, a drain electrode, a gate insulation film, and a gate electrode comprises a step of forming the active layer by the sputtering method in an atmosphere gas containing water.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｚｎ及びＯを含み、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the transparent conductive film includes: a step in which on one side or both sides of a transparent film base material, a first layer undercoat layer is formed by an organic material; a step in which on the undercoat layer, the transparent conductor layer is formed by a sputtering method; and a step in which the transparent conductor layer is patternized by etching.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、透明なフィルム基材から第一層目のアンダーコート層を有機物により形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、および前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

A method of manufacturing a solar cell for forming an antireflection film 8 on a surface of a semiconductor 9 comprises: a surface treatment step of exposing the surface of the semiconductor 9 to a plasma generated using gas containing hydrogen; and an antireflection film formation step of forming the antireflection film 8 on the treated surface of the semiconductor 9 by a sputtering method.例文帳に追加

半導体９の表面に反射防止膜８を形成する太陽電池の製造方法であって、前記半導体９の表面を、水素を含むガスを用いて発生させるプラズマに曝して処理する表面処理工程と、前記半導体９の処理された表面に前記反射防止膜８をスパッタリング法により形成する反射防止膜形成工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively and stably manufacturing a target with high density of 97% or more, and further a method for efficiently manufacturing a sputtering target especially consisting of a material mainly including oxide, nitride, carbide, boride, and chalcogen, or a material mainly including single phases or plural phases of them, in order to enhance uniformity of film formation and productivity.例文帳に追加

９７％以上の高密度ターゲットを低コストでかつ安定して製造出来るようにし、さらに成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、特に酸化物、窒化物、炭化物、硼化物及びカルコゲン化物を主成分する材料又はこれらの単相又は複相を主成分とする材料からなるスパッタリングターゲットを効率良く製造できる方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

The method for forming the PZT piezoelectric membrane on the diamond membrane is provided with processes to form the PZT piezoelectric membrane by a sputtering method at temperatures at which the diamond membrane is not eliminated by oxidization and which the composition of the PZT piezoelectric membrane is not altered and then to perform annealing treatments at temporaries at which phase-transition into a perovskite structure in a non-oxygen environment occurs.例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜上にＰＺＴ圧電薄膜を形成する方法であって、ダイヤモンド薄膜が酸化により消失せず且つＰＺＴ圧電薄膜の組成が変化しないような温度でスパッタリング法によりＰＺＴ圧電薄膜を成膜した後、非酸素雰囲気中でペロブスカイト構造に相転移するような温度でアニール処理する工程を備えていることを特徴とする方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a fine crystal grain copper material which can produce a fine crystal grain copper material made of high purity copper or a low concentration copper alloy at low cost, in which crystal grains are refined, and which is thermally stable, to provide a fine crystal grain copper material produced by the production method, and to provide a sputtering target composed of the fine crystal grain copper material.例文帳に追加

高純度銅や低濃度銅合金からなり、結晶粒が微細化されるとともに熱的に安定した微細結晶粒銅材料を低コストで製造することが可能な微細結晶粒銅材料の製造方法、この製造方法によって製造される微細結晶粒銅材料、並びに、この微細結晶粒銅材料からなるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The protective film for PDP is formed by the electron beam vapor deposition method, the ion irradiation vapor deposition method or the sputtering method using the single crystal MgO sintered compact as the target material.例文帳に追加

粒径２００μm以上の粒子を含有するとともに、Ｘ線回折法により測定した（２００）面のＸ線強度及び（１１１）面のＸ線強度を、それぞれａカウント毎秒及びｂカウント毎秒としたとき、２０＜ａ／ｂ＜３００であることを特徴とする単結晶ＭｇＯ焼結体、及び、この単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したＰＤＰ用保護膜である。 - 特許庁

In a laminate obtained by laminating a zinc oxide film and a silver film to a glass substrate, in order to make the zinc oxide film include 1-10 wt.% of a transparent oxide having a band-gap energy higher than 3.5 eV, a target obtained by adding a metal to provide the transparent oxide to metal zinc is used and the zinc oxide film is formed by using a reaction sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板上に、酸化亜鉛膜及び銀膜を積層してなる積層体において、該酸化亜鉛膜は、バンドギャップエネルギーが３.５eVより大きい透明酸化物を１〜１０重量％含むように、金属亜鉛に該透明酸化物となる金属が添加されたターゲットを用いて、反応スパッタリング法により成膜する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tungsten sputtering target by which the occurrence of particle defect in a deposited film can be suppressed even if powder having a particle size of a level identical with that of commercially available powder is used, i.e., the tungsten target having high density, fine grain size and low oxygen content can be stably manufactured at a low cost.例文帳に追加

現在一般的に市販・流通されている粒径の粉末を使用しても、成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、すなわち、高密度・結晶粒径が微細、且つ酸素含有量が低いタングステンターゲットを低いコストで且つ安定して容易に製造できるスパッタリング用タングステンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a display unit, and a display unit, wherein particles arising due to a sputtering target of an oxide conductor are reduced to assure excellent conducting characteristics between a metal and an oxide conductor when a first electrode is of a laminated structure of the metal and the oxide conductor.例文帳に追加

第１電極を金属と酸化物導電体との積層構造とした場合に、酸化物導電体のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減し、金属と酸化物導電体との間で良好な通電特性を得ることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a high-strength sputtering target for forming the phase-change memory film comprises pulverizing an alloy ingot for forming the phase-change memory film to produce an alloy powder, holding the obtained alloy powder at a crystallization temperature to crystallization-heat-treating it, pulverizing the crystallization-heat-treated alloy powder and then hot-pressing the resultant powder.例文帳に追加

相変化メモリ膜形成用合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕したのちホットプレスすることを特徴とする相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

Further, a Pd alloy powder comprising 1-60 at%, in total, of at least one selected from among V, Nb, and Ta with the balance comprising Pd and unavoidable impurities is made by an atomization method, and the obtained Pd alloy powder is heated and molded under pressure to produce the Pd alloy sputtering target.例文帳に追加

また、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｐｄ合金粉末を加圧下で加熱して成形してＰｄ合金系スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

To provide a silver alloy sputtering target for forming a conductive film, which is capable of suppressing splashing, even when a high electric power is applied to a large target due to the size increase of the target, and is capable of forming a film that is excellent in corrosion resistance and heat resistance and has a low electrical resistance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-density printed circuit board by applying a strippable adhesive layer on a reinforced substrate (rigid substrate or carrier film) used as a base substrate, forming a metal foil on the adhesive layer by means of plating, lamination, or sputtering, and forming a high-density circuit on the metal foil serving as a seed layer by means of pattern plating.例文帳に追加

ベース基板として使用する補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）上に剥離可能な接着層を塗布し、接着層上にメッキ、積層またはスパッタリング金属薄膜を形成し、形成された金属薄膜をシード層としパターンメッキで高密度回路を形成する高密度基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a discharge electrode and a discharge method, wherein a uniform parallel magnetic field distribution is formed on a target regardless of whether the target is a magnetic body or a nonmagnetic body, uniform erosion can be obtained, and effects for widening the target, enhancing a sputtering thin film forming speed, or enhancing a CVD film forming speed can be obtained.例文帳に追加

ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sintered body which forms a PZT (lead titanate zirconate) thin film capable of eliminating characteristic dispersion of a thin film itself by suppressing local dispersion of the Pb concentration, prevents generation of cracks even under the high power, and is used for a target suitable for high-rate film deposition, a manufacturing method thereof, and a sputtering target using the same.例文帳に追加

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a dispersing agent which satisfactorily disperses the powder of a metal oxide including indium oxide powder, and to provide a method for efficiently producing a sputtering target comprising indium oxide and having high density at high productive efficiently without depending on the change of the production environment caused by the variation of the seasons.例文帳に追加

酸化インジウム粉を含む金属酸化物の粉末を水に良好に分散させる分散剤を提供するとともに、酸化インジウムを含有し、かつ、密度の高いスパッタリングターゲットを、季節変動による製造環境の変化に左右されずに、高い生産効率で、効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for effectively removing an Ni film without eroding a mask member made of stainless steel when removing the Ni film deposited in a thin film pattern forming process from a surface of the mask member made of stainless steel used for pattern forming in the film pattern forming process such as sputtering.例文帳に追加

スパッタリングなどの薄膜パターン形成プロセスにおいてパターン形成のために使用されるステンレス鋼製のマスク部材の表面から、薄膜パターン形成過程で堆積されたＮｉ膜を除去するにあたり、ステンレス鋼製マスク部材を侵食させることなく、Ｎｉ膜を効果的に除去し得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tantalum sputtering target having a high deposition speed and excellent uniformity of film, producing less arcings and particles and having excellent film forming properties, and to provide the method capable of stably manufacturing the target by improving and devising plastic working steps such as forging and rolling, and the heat treatment step.例文帳に追加

鍛造・圧延等の塑性加工工程及び熱処理工程を改良・工夫することにより、成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを安定して製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film, which can inhibit a magnetic layer from being oxidized even when an oxide is formed on the magnetic layer that includes nonoxide with a sputtering technique suitable for a high-volume production; and to provide an apparatus for forming the thin film, and a laminated film having thereby controlled low RA value.例文帳に追加

量産に適したスパッタ法において非酸化物からなる磁性層上に酸化物をスパッタ成膜する場合でも、磁性層が酸化されることを抑制することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置を提供するとともに、それによって、ＲＡ値が低く抑えられた積層膜を提供する。 - 特許庁

The magnetic recording medium provided with the FePt magnetic thin film having ≥40 KOe coercive force is obtained by film-depositing the FePt magnetic thin film having an L1_0 structure by a sputtering method on a substrate having 650 to 850°C surface temperature and applying 4 to 10 KOe magnetic field to the FePt magnetic thin film.例文帳に追加

表面温度が６５０℃〜８５０℃である基板上に、スパッタ法によりＬ１_0構造を有するＦｅＰｔ磁性薄膜を成膜し、前記ＦｅＰｔ磁性薄膜に４ＫＯｅ〜１０ＫＯｅの磁場を印加して４０ＫＯｅ以上の保磁力を有するＦｅＰｔ磁性薄膜を備えた磁気記録媒体を得る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical disk constituted by sticking two sheets of disk halves, a cooling stage 20 is disposed after an injection molding stage 10 of the disk halves and a sputtering stage 30, a buffer stage 40 and a sticking stage 50 are successively disposed in this order.例文帳に追加

２枚のディスクハーフを貼り合わせることにより構成される光ディスクの製造方法において、ディスクハーフの射出成形工程１０の後に冷却工程２０を配置し、冷却工程２０の後にスパッタリング工程３０、スパッタリング工程３０の後にバッファ工程４０、その後貼合わせ工程５０を配置する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the transparent conductive film, by using a magnetron sputtering in which a gas having carbon dioxide 50 vol% or less added in hydrogen or argon is used as a carrier gas, a carbon film of which the refractive index is controlled to 1.35-1.85 is formed on a transparent conductive oxide layer having zinc oxide as a main component on the transparent substrate.例文帳に追加

水素またはアルゴンに二酸化炭素を５０体積％以下添加したガスをキャリアガスとして使用するマグネトロンスパッタにより、透明基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物層の表面に屈折率を１．３５〜１．８５に制御したカーボン膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask blank having a thin film for forming at least a pattern on a transparent substrate is characterized in that the thin film is formed by sputtering a target facing the position to which the center axis of the substrate shifts while the substrate is rotated.例文帳に追加

透明基板上に少なくともパターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記薄膜を、前記基板を回転させながら、前記基板の中心軸からその中心軸がずれた位置に対向するターゲットをスパッタリングすることによって成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 特許庁

A method for forming the sputtering target comprises: (a) providing a target surface component; (b) providing a core backing component; (c) providing at least one surface area feature which increases the effective surface area of the core backing plate; and (d) coupling the surface target material to the coupling surface of the core backing material.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの形成方法は、ａ）ターゲット表面要素を提供することと、ｂ）芯裏打要素を提供することと、ｃ）芯裏打板の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を提供することと、ｄ）表面ターゲット材料を芯裏打材料の連結面に連結することを備えている。 - 特許庁

To provide a film deposition method in which the film deposition rate by the sputtering is reduced, a metal thin film with excellent coatability is formed on an inner wall surface and an inner bottom surface of a hole or a groove with the aspect ratio being ≥3 formed in a surface of a workpiece, and the self-hold discharge in a target is generated even with small power.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode structure which can be formed accurately and simply, without defects in a fine concavo-convex structure of the electrode structure, even when sputtering is applied to the structure, and to provide a solar cell which is without defects, and which has fine concavo-convex structures formed in the electrode structure.例文帳に追加

スパッタリングを利用した場合でも、電極構造体に、微細な凹凸構造を欠点なく正確に、かつ簡便に形成することのできる電極構造体の製造方法、ならびに電極構造体に欠点のない微細な凹凸構造が正確に形成されてなる太陽電池を提供する。 - 特許庁

In a method of forming a conductive thin film on a substrate using a sputtering phenomenon, at least one of deposition parameters including sputter electric power, sputter gas, and reactive gas is shifted to two values and its time division ratio is controlled during the thin film deposition.例文帳に追加

スパッタ現象を利用して基板上に導電性薄膜を形成する方法であって、薄膜形成中に、スパッタ電力、スパッタガス、および反応性ガスを含む成膜パラメータの少なくとも１つを２つの値に変動させ、その時間分割比を制御することを特徴とする導電性薄膜の形成方法である。 - 特許庁

In a method for manufacturing an indium metal target, a metal ingot or a slab is prepared by melting and casting an indium metal raw material, and then a target is obtained by cold rolling the ingot or the slab in a sheet-shape, wherein the sputtering surface of the target is made to be mainly oriented in the (101) plane by the cold rolling.例文帳に追加

インジウムメタル原料を溶解鋳造してインジウムメタルインゴット又はスラブを作製した後、該インゴット又はスラブを薄板状に冷間圧延してターゲットとするインジウムメタルターゲットの製造方法であって、前記冷間圧延により、ターゲットのスパッタ面を１０１主配向とすることを特徴とするインジウムメタルターゲットの製造方法。 - 特許庁

There is provided a method of manufacturing the light emitting device for depositing a semiconductor layer by using a the target material representative of a semiconductor material and the sputtering apparatus having parts covered with the thermal spraying material with the same material as the target material, and applying high-frequency power by using the target material in an atmosphere containing rare gases.例文帳に追加

半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 - 特許庁

To provide a processing method that takes measures against the following problems: when a via hole is formed in a semiconductor substrate using a CO2YAG laser, resin residues are produced at a via hole bottom part; and then film formation by sputtering is incomplete owing to unevenness of the via hole formed by laser processing, so that metal is diffused in a resin.例文帳に追加

半導体用サブストレートにおいて、ＣＯ２ＹＡＧレーザを用いてビアホールを形成すると、ビアホール底部で樹脂残渣が生じ、レーザ加工によるビアホール内の凹凸によりスパッタが完全に皮膜形成されず、樹脂中に金属が拡散するため、これらの問題点を対策した加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a glass substrate regenerating apparatus for efficiently regenerating a color filter without using acid treatment for transparent electrode treatment in a regenerating process of a glass substrate which is produced in the manufacturing step of a color filter substrate but does not meet quality standards or a dummy substrate of a sputtering device, and to provide a regenerating method using the regenerating apparatus.例文帳に追加

カラーフィルタ基板の製造工程で発生した品質基準を満足しないガラス基板、あるいはスパッタリング装置のダミー基板の再生プロセスにおいて、透明電極処理に酸処理を用いずに、カラーフィルタを効率的に再生処理するガラス基板の再生装置及びこれを用いた再生方法を提供する。 - 特許庁

When the piezoelectric layer 24b is formed by a sputtering method in manufacturing, the piezoelectric thin film is heteroepitaxially grown on one surface side of the substrate 20a for element formation while the substrate 20a for element formation is held at a specified temperature of ≥500°C, and then the substrate 20a for element formation is rapidly cooled from the specified temperature.例文帳に追加

製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 - 特許庁

The magnetic shield layers 60a, 60b can be formed efficiently, by sputtering method by the use of soft magnetic metal partially in common with a target element for forming each layer of the MRAM device 10.例文帳に追加

さらに、磁気シールド層６０ａ，６０ｂに軟磁性金属を用いることによりスパッタ法で形成可能になり、この軟磁性金属をＭＲＡＭ素子１０各層を形成するターゲットの元素と一部共通にすれば、磁気シールド層６０ａ，６０ｂをＭＲＡＭ素子１０各層と同一スパッタ装置で効率的に形成することが可能になる。 - 特許庁

In this method for manufacturing the capacitor, the capacitor is manufactured by forming the internal electrodes on the organic high polymer substrate which is provided with external electrode by vapor deposition or sputtering so that the internal electrodes come into contact with the external electrodes, and the dielectric film is formed by evaporating and polymerizing at least one or more kinds of monomers.例文帳に追加

また、本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、外部電極付き有機高分子基板上に外部電極とコンタクトが取れるように内部電極を蒸着法、スパッタ法により形成し、誘電体膜を少なくとも一種類以上のモノマ−を蒸発させ、重合させることによりコンデンサ素を製造する。 - 特許庁