「sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a shape memory alloy microactuator capable of being attached to a finer and more delicate thin line or capillary to constitute a lighter, finer, and more delicate active thin line or active capillary, and a sputtering system to be used in processes of laminating thin films onto the thin line.例文帳に追加

より微細で繊細な細線や細管に装着でき、より軽量で微細で繊細な能動細線、能動細管を構成させることができる形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法及び細線への薄膜の積層工程において用いるスパッタリング装置の提供を課題とする。 - 特許庁

In this method, the setting parameter for changing the beam diameter of ion beam of the rare gas at the time of colliding with each electrode face of the lead out electrode system 3 is adjusted, and by converging the ion beam of the rare gas within an effective setting range of beam diameter that has a high strength of sputtering the insulating film, the insulating film is uniformly removed.例文帳に追加

本発明の方法では、引出電極系３の各電極面に衝突する際の希ガスのイオンビームにおけるビーム径を変化させる設定パラメータを調整し、絶縁膜をスパッタする強度が高いビーム径の有効設定範囲に希ガスのイオンビームを集束させて、絶縁膜を均一に除去する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can increase leakage flux density, can make an anisotropy in the sputtered surface larger than that considered from magnetic permeability, therefore, can greatly improve a uniformity for a function of a thin film within the surface, and hence can form the thin film of high quality, and to provide an arranging method therefor.例文帳に追加

漏れ磁束密度を大きくすることができ、スパッタ面内の異方性も透磁率で見られる以上に大きくすることができ、したがって、薄膜の有する機能の面内不均一性を大幅に改善することができ、その結果、高品質の薄膜を形成することが可能なスパッタリングターゲット及びその配置方法を提供する。 - 特許庁

The protective film for a thin film device formed on an upper part of a substrate comprises at least a first layer as a hydrogen diffusion protecting layer formed on the side of the thin film device, and a second layer formed by a CVD method or sputtering to which hydrogen is introduced in depositing the film.例文帳に追加

基板上部に形成される薄膜素子のための保護膜であって、薄膜素子側に位置する水素拡散防止層としての第一層と、前記第一層の上部にＣＶＤ法または成膜時に水素を導入したスパッタ法により形成された第二層とを少なくとも有することを特徴とする保護膜。 - 特許庁

In the method of depositing a low tribomicroplasma generation film, sputtering is performed in a gaseous argon atmosphere comprising ≤30 vol.% nitrogen, so that the low tribomicroplasma generation film consisting of diamond like carbon comprising ≤30 at%, particularly, 20 to 26 at% nitrogen is deposited on sliding parts.例文帳に追加

３０ｖｏｌ％以下の窒素を含有するアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする摺動部品に３０ａｔ％以下の窒素、特に２０〜２６ａｔ％の窒素を含有するダイヤモンド状カーボンからなる低トライボマイクロプラズマ発生膜を形成することを特徴とする低トライボマイクロプラズマ発生膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tungsten sputtering target by which the occurrence of particle defect in film deposition can be suppressed even if powder having a particle size of a level identical with that of now generally distributed and commercially available powder is used, i.e., a tungsten target having high density, fine grain size and low oxygen content can be easily manufactured with stability at a low cost.例文帳に追加

現在一般的に市販・流通されている粒径の粉末を使用しても、成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、すなわち、高密度・結晶粒径が微細、且つ酸素含有量が低いタングステンターゲットを低いコストで且つ安定して容易に製造できるスパッタリング用タングステンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the deposition of the transparent conductive film, the transparent conductive film is deposited using a manufacturing condition of the sputtering where the magnetic force of the outside magnetic pole in the magnetic circuit part of the sputter cathode is higher than the magnetic force of the center magnetic pole to form a non-equilibrium state even in the non-heat or low temperature method.例文帳に追加

透明導電膜の成膜時、無加熱、又は低温法であって、スパッタカソードの磁気回路部の外部磁極の磁力が中心磁極の磁力より大きく非平衡としたスパッタリングの製造条件を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

To provide a diffusedly joined target assemblage of a high purity cobalt target with a backing plate with which a high purity cobalt ferromagnetic target can effectively be sputtered, and the occurrence of warpage and peeling can be prevented even at the time of being joined with the backing plate and in the severe conditions of high power sputtering, and to provide its production method.例文帳に追加

高純度コバルト強磁性体ターゲットの実効あるスパッタリングが可能であり、またバッキングプレートとの接合時及びハイパワースパッタの過酷な条件下でも、反りや剥れの発生が防止できる高純度コバルトターゲットとバッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the translucent reflective film for optical recording media forms the film by sputter using a sputtering target that comprises a silver alloy having a composition consisting of: greater then 1 mass% and not more than 3 mass% of Mg; 0.05 to 1 mass% of Eu; and the balance of Ag and unavoidable impurities.例文帳に追加

この光記録媒体用半透明反射膜の製造方法は、Ｍｇを、１質量％を超え３質量％以下含有し、さらにＥｕを、０．０５〜１質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されているスパッタリングターゲットを用いてスパッタにより成膜する。 - 特許庁

In this forming method of the multilayered film, a plurality of materials made of different components are laminated and mounted on one electrode for sputtering, a separating plate is provided above a boundary between a plurality of the materials, and a substrate is moved on a target while performing discharge to form a multilayered film on the substrate.例文帳に追加

一つのスパッタリング用電極上に、異種成分からなる複数の素材を張り合わせて取り付け、前記複数の素材同士の境界の上方に分離板を設けておき、放電行いながら基板を前記ターゲット上を移動させて該基板上に多層膜を形成すること特徴とする多層膜の形成方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing a vertical magnetic recording medium that forms a plurality of layers on a disk substrate 110 by sputtering, at least two consecutive layers among the plurality of layers are formed in the same chamber using the same target in a single process time while varying sputter conditions.例文帳に追加

ディスク基体１１０上に複数の層をスパッタリングによって成膜する垂直磁気記録媒体の製造方法において、複数の層のうち、少なくとも２つの連続する層を、同一チャンバーにおいて同一のターゲットを用いて１つのプロセスタイム内でスパッタ条件を異ならせて成膜することを特徴とする。 - 特許庁

The termination method of the diamond electrode includes a rare gas terminating process for sputtering the surface of the diamond electrode 42, which is terminated by hydrogen, by a rare gas to terminate the diamond electrode 42 by the rare gas and a target substance terminating process for replacing the rare gas on the surface of the diamond electrode 42 with a target substance to terminate the diamond electrode 42.例文帳に追加

水素終端化されているダイヤモンド電極４２の表面を、希ガスをスパッタリングすることにより、当該希ガスで終端化する希ガス終端化工程と、そのダイヤモンド電極４２の表面の希ガスを、目的物質で置き換えて終端化する目的物質終端化工程とを備えるようにした。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 22 composed of silicon nitride film of 20-50 nm is laminated by a sputtering method using an RF power supply.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域１２ｂ、１３ｂ、１４ｂに達するコンタクトホールを形成した後、層間絶縁膜２０上に上端部に曲面を有する感光性の有機絶縁物材料から成る層間絶縁膜２１を形成し、さらに、ＲＦ電源を用いたスパッタ法により２０〜５０ｎｍの窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜２２を積層する。 - 特許庁

The film deposition method by a sputtering process using a target composed of a material having a specific resistance of ≥1×10^3 Ω cm and intermittently applying negative voltage to the target is characterized in that the application of negative voltage is performed at the frequency of <1 MHz while feeding electrons to the surface of the target.例文帳に追加

比抵抗１×１０^３Ω・ｃｍ以上の材料からなるターゲットを用い、該ターゲットに負電圧を間欠的に印加して行なうスパッタリング法による成膜方法であって、該ターゲット表面に電子を供給しつつ、負電圧の印加を１ＭＨｚ未満の周波数で行なうことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

The method for room temperature joining is used for joining a plurality of substrates 4 via an intermediate material at room temperature, and includes a step of forming intermediate materials on the to-be-joined surfaces of the substrates by subjecting a plurality of targets 7 to physical sputtering, and a step of activating the to-be-joined surfaces with ion beams.例文帳に追加

複数の基板４を中間材を介して常温で接合する方法において、複数のターゲット７を物理スパッタリングすることによって、前記基板の被接合面上に前記中間材を形成する工程と、被接合面をイオンビームにて活性化する工程と、を含む常温接合方法である。 - 特許庁

To provide a sputtering composite target forming a transparent conductive film into which a stable fixed amount of oxygen defect can be introduced, and which has satisfactory light transmission, low electric resistance and satisfactory conductivity, to provide a method for producing a transparent conductive film using the same, and to provide a transparent conductive film-fitted base material.例文帳に追加

安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット、これを用いた透明導電膜の製造方法及び透明導電膜付基材を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target by firing a raw mixture powder containing an indium oxide powder and an stannic oxide powder comprises the steps of: calcining at least indium oxide at 1,100°C to 1,300°C; preparing the raw mixture powder by using the calcined powder; and firing the mixture powder at a temperature 150°C or higher than the calcination temperature.例文帳に追加

酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末を含む混合粉末からなる原料粉末を焼成してスパッタリングターゲットを製造する際に、少なくとも酸化インジウムを１１００℃〜１３００℃で仮焼して原料の混合粉末とし、この混合粉末を前記仮焼した温度から１５０℃以上高い温度で焼成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the perpendicular magnetic recording medium includes: a step of using a NiCr alloy target or a Cr target and a Ni target, and forming a seed layer by sputtering; a step of forming a non-magnetic primary layer on the seed layer; and a step of a magnetic layer on the non-magnetic primary layer.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体の製造方法は、ＮｉＣｒ合金ターゲット又はＣｒターゲット及びＮｉターゲットを用い、スパッタ法によりシード層を形成する工程と、前記シード層の上に非磁性下地層を形成する工程と、前記非磁性下地層上に磁性層を形成する工程とを含んでいる。 - 特許庁

In the sputtering method in which a film is formed on a substrate in a film forming space while light emitting intensity of plasma is monitored, the film thickness formed on the substrate is measured, the measured value and a preset value of the film thickness is compared, and the target value of the light emitting intensity is decided on the basis of the comparison result.例文帳に追加

プラズマの発光強度をモニタしながら、成膜空間中で基板上に膜を形成するスパッタリング方法において、前記基板上に形成された膜厚を検出し、検出された値と予め設定された膜厚の設定値とを比較し、比較結果に基づいて前記発光強度の目標値を決定する。 - 特許庁

In the bumped electronic part mounting method by which an electronic part having gold bumps is mounted on a substrate 1 with use of conductive paste, a gold film 3 is formed on surfaces of electrodes 2 of the substrate 1 by flush plating, and then contaminated layers 3a on the surfaces of the gold film 3 are subjected to a plasma process to be removed by reverse sputtering.例文帳に追加

金のバンプが形成されたバンプ付き電子部品を導電性ペーストによって基板１に実装するバンプ付電子部品の実装方法において、基板１の電極２表面にフラッシュメッキにより金膜３を形成し、次いで金膜３表面の汚染物層３ａをプラズマ処理して逆スパッタリングにより除去する。 - 特許庁

As a concrete example, by a plasma sputtering method using an electron cyclotron resonance(ECR), a strontium titanate(SrTiO_3) film of about several hundreds of nm thickness is formed on a silicon substrate, the film is irradiated with microwaves at 28 GHz in air, so as to be post-annealed, and a dense and fine crystal in several tens of nm is revealed.例文帳に追加

具体例として、シリコン基板上に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用したプラズマスパッタ法により、チタン酸ストロンチウム ＳrＴi Ｏ_3 を数百ｎｍ成膜した後、大気中で２８ＧＨｚのマイクロ波を照射してポストアニーリングしたところ、緻密で数１０ｎｍの微細な結晶を発現できた。 - 特許庁

In the magnetic recording medium of the ferro-magnetic thin film type in which the magnetic thin film made of a metal or an alloy of ferromagnetism is formed on a substrate as a magnetic recording layer by a sputtering method, the magnetic thin film has a magnetization inversion mechanism being akin to a simultaneous rotation model and noise of the magnetic recording medium is lowered.例文帳に追加

基板上に、磁気記録層として強磁性金属もしくは合金からなる磁性薄膜をスパッタ法で形成した、強磁性薄膜型の磁気記録媒体であって、磁性薄膜が一斉回転モデルに近い磁化反転機構を有し、磁気記録媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体とする。 - 特許庁

A target used for forming a Co series magnetic layer of a magnetic recording medium by a sputtering method contains 5 mol% or more of Cr or Cr alloy, 5 mol% or more of CoO, and 3 mol% to 20 mol% of oxides having a melting point of 800°C or less in total, and the porosity thereof is 7% or less.例文帳に追加

磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットを、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下とする。 - 特許庁

The stannic-oxide based, transparent electroconductive film containing gallium and indium, includes gallium of 0.1-30 mol% as Ga2O3 and indium of 0.1-30 mol% as In2O3 against the total volume of Ga2O3, In2O3, and SnO2, and a manufacturing method, and a sputtering target are also provided.例文帳に追加

ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、Ｇａ_2 Ｏ_3 とＩｎ_2 Ｏ_3 とＳｎＯ_2 との総量に対して、ガリウムをＧａ_2 Ｏ_3換算で０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ_2 Ｏ_3 換算で０．１〜３０モル％含有する透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット。 - 特許庁

This film-forming method comprises the steps of: setting a target 2 containing In, Ga and Zn; sputtering the target 2 in an atmospheric gas containing oxygen gas, nitrogen gas and an inert gas, while applying pulse voltage alternately to a plurality of cathodes 3 and 4; and thereby introducing nitrogen into an In-Ga-Zn-O film to form the p-type In-Ga-Zn-O film.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎを含むターゲット２を用い、酸素ガス，窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード３，４に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜中に窒素を導入し、ｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。 - 特許庁

The method of manufacturing the sputtering target formed of a high-purity base material having the purity of 99.999% or higher, wherein the content of oxygen is 10 ppm or lower, the content of sulfur is 1 ppm or lower and the content of iron is 1 ppm or lower in the target.例文帳に追加

純度が９９．９９９％以上の高純度銅基材から形成されるスパッタリングターゲットの製造方法であり、ターゲットの酸素含有量を１０ｐｐｍ以下とし、硫黄含有量を１ｐｐｍ以下とし、鉄含有量を１ｐｐｍ以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法である。 - 特許庁

To provide a high-purity ruthenium sputtering target with a uniform forged structure of 5N (99.999 wt.%) or higher purity, and in addition, a method for easily and stably manufacturing the above target by employing ruthenium powder of comparatively low purity like 3N (99.9 wt.%).例文帳に追加

５Ｎ（９９．９９９ｗｔ％）レベル以上の均一な鍛造組織を有する高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを得、さらに３Ｎ（９９．９ｗｔ％）レベルの比較的低純度のルテニウム粉末を使用して５レベル以上の均一な鍛造組織を有する高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを簡便にかつ安定して製造する方法を得る。 - 特許庁

To provide a sputtering cathode in which the target has a particularly high service life or the high availability the target material to be used is made possible, moreover, the magnet is not surrounded by a cooling medium for the cathode and suitable for a coating method having a high film forming rate.例文帳に追加

スパッタリングカソードのターゲットが特に高い耐用寿命を有しもしくは使用されるターゲット材料の高い活用性を可能にし、しかもスパッタリングカソードの磁石がカソードのための冷却媒体によって取り囲まれることがなく、高い成膜速度を有する被覆法に適しているようなスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁

The conductive film 131 consisting of an ITO film is formed on the surface of a lower-side planar member 130 by a sputtering method and in order to separate a wiring pattern part and a planar pattern part for position detection electrically, the conductive film at the boundary is separated linearly by laser work.例文帳に追加

下側面状部材１３０の表面にスパッタ法によりＩＴＯ膜からなる導電膜１３１を形成し、配線パターン該当部と位置検出用の面状パターン部とを電気的に分離するため、当該境界にある導電膜をレーザ加工により線状に剥離して絶縁部１３１１〜１３１４を形成する。 - 特許庁

In the plasma etching method, a substrate W having a mask pattern formed on a surface is etched in a plasma chamber wherein a target material 30 for sputtering is installed, and plasma of an oxygen-based gas is generated in the plasma chamber in or after the etching of the substrate to ash a surface of a target material 30.例文帳に追加

本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。 - 特許庁

To provide a method of efficiently removing the cobalt, chromium, copper, iron, nickel, silicon, etc., included into scrap, such as mills end, swarf and grinding chips, produced in production process steps, etc., for platinum and platinum-containing targets for sputtering and recovering the high-purity platinum and palladium recyclable to the palladium and platinum-containing targets at a low cost.例文帳に追加

スパッタリング用白金及び白金含有ターゲットの製造工程等に発生する端材、切削屑、平研屑等のスクラップに混入するコバルト、クロム、銅、鉄、ニッケル、シリコン等を効率良く除去し、白金及び白金含有ターゲットに再使用できる高純度白金、パラジウムを低コストで回収する方法を提供する。 - 特許庁

When a thin-film resistor is formed by sputtering method, one kind or two or more kinds among Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta and W are added to combine whose main component is NiCr, and a TCR value of the thin-film resistor is controlled by the kind and the amount of the additives.例文帳に追加

スパッタリング法によって薄膜抵抗体を形成するに際して、ＮｉＣｒを主成分とする合金に、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ又はＷを単独又は２種以上の組み合わせで添加し、添加物の種類及び量によって薄膜抵抗体のＴＣＲ値を制御するようにした。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy sputtering target in which the advantages of nickel silicide (NiSi) by a salicide process are made the most of, and simultaneously, the cause of its phase transition into an NiSi_2 phase is investigated, and the phase transition can effectively be suppressed, and which is particularly useful as a gate electrode material, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

ゲート電極材料としてサリサイドプロセスによるニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）の利点を生かすと同時に、ＮｉＳｉ_２相に相転移させる原因を究明し、これを効果的に抑制できる、特にゲート電極材料として有用な高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A precursor thin film 20 in which a first layer 21 containing In, a second layer 22 containing Cu and Ga and a third layer 23 containing Cu are laminated successively is formed on a substrate 10 by using a sputtering method, and a Cu (In, Ga) Se2 thin film is formed by thermally treating the precursor thin film 20 in an atmosphere comprising Se.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて、Ｉｎを含む第１層２１と、ＣｕおよびＧａを含む第２層２２と、Ｃｕを含む第３層２３とが順次積層してなる前駆体薄膜２０を基板１０上に形成した後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜２０を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_2薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a film having photocatalytic function imparted to the surface thereof by a sputtering method, preventing fogging or the adhesion of waterdrops by the super-hydrophilic function imparted to the surface of the film by the photocatalytic function to obtain a clear visual field, having durability, easy in maintenance and keeping these effects over a long period of time.例文帳に追加

この発明は、フィルムの表面に、スパッタリング法で光触媒機能を付与し、その超親水性機能により、曇りや水滴の付着を防止して、明瞭な視界を得ようとするもので、耐久性があり、メンテナンスも容易で、しかも長期間効果が持続するフィルムを提供しようとするものである。 - 特許庁

The method for manufacturing an electroless nickel plating film includes the steps of: forming an aluminum layer having a purity of 99.99% or more and a film thickness of 2.5 μm or more on a substrate by using a sputtering; and forming the electroless nickel plating film on the aluminum layer by using an electroless plating.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、基材上に９９．９９％以上の純度および２．５μｍ以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、無電解メッキを用いて、アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする無電解ニッケルメッキ膜の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method includes the step (1) of acquiring a surface-modified workpiece by modifying the surface of a workpiece having a predetermined specification with the use of a vacuum sputtering device, and the step (2) of coating or painting the surface-modified workpiece to finish it into the metallic product.例文帳に追加

バキューム・スパッタリング・デバイスによって所定の仕様のワーク・ピースの表面に表面改質を実施することによって改質されたワーク・ピースを取得するステップ（１）と、改質されたワーク・ピースに対しコーティング加工やペインティング加工などを実施することによって金属製品を製造し出すステップ（２）とを包含している。 - 特許庁

The method of manufacturing the vertical recording medium including a deposition process by using sputtering equipment places an ejection hole of material gas near a target in a chamber during deposition so as to achieve an almost homogeneous distribution of the material gas in the vicinity of the target or more favorably within a radius of 20 mm from the target position.例文帳に追加

スパッタリング装置を用いた成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜時にチャンバー内のターゲット近傍、好ましくはターゲット位置から２０ｍｍ以内の範囲にほぼ均一な材料ガス分布が存在するように、材料ガスの噴出口を前記ターゲットの近傍に配置した。 - 特許庁

Sputtering is a method wherein high voltage is applied to the gap applied between substrate and target while introducing inert gas into a vacuum, and bombarding the target with a beam of ionized inert gas to eject atoms from the target surface to form a thin layer of the same substance on the substrate.例文帳に追加

スパッタリングとは、真空中に不活性ガス（主にアルゴンガス）を導入しながら基板とターゲット（成膜させる物質で金属や酸化物等）間に高電圧をかけ、イオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させて、ターゲット表面の原子をはじき飛ばして基板にターゲットと同物質の薄膜を得る方法。 - 厚生労働省

The method is provided for manufacturing the thin film transistor, and includes the steps of forming the metal oxide film 2 by performing the sputtering without heating a substrate 1, and forming constituents such as a channel layer 3, a source electrode 4, a drain electrode 5 and a gate electrode 1 on the substrate followed by applying heat treatment.例文帳に追加

基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical information recording medium comprises a process for forming an intermediate layer 6d thicker than the depth of the track guide grooves 3 of a track guide layer 4 on the substrate 2 on which the track guide layer 4 is formed and further alternately and continuously depositing the recording layers and the intermediate layers thereon by a vacuum deposition process or a sputtering process.例文帳に追加

トラックガイド層４を形成した基板２上に、前記トラックガイド層４のトラックガイド溝３の深さより厚い中間層６ｄを形成し、さらに記録層と中間層を真空蒸着プロセス、またはスパッタリングプロセスにより交互に連続形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for the silicon carbide sintered body including silicon carbide includes steps of: forming a blending powder including silicon carbide; molding the blending powder in a predetermined form and sintering thereof; and forming a silicon carbide film on the surface of the sintered silicon carbide sintered body by the sputtering method.例文帳に追加

炭化ケイ素を含む炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、炭化ケイ素を含む混合粉体を形成する工程と、混合粉体を所定の形状に成形し焼成する工程と、炭化ケイ素と同一純度を有する炭化ケイ素をターゲットとして用いて、焼成された炭化ケイ素焼結体の表面に炭化ケイ素膜をスパッタリング法により形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method comprises forming a metal oxide thin film on the surface of a plastic film by the vacuum vapor deposition, ion plating, sputtering or CVD method, applying, onto the oxide film, an active-energy-hardenable composition containing a silane coupling agent containing an acryloyl and/or a methacryloyl group, and irradiating active energy rays to form a hardened coating.例文帳に追加

プラスチックフィルム表面に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法及びＣＶＤ法から選ばれるいずれかの方法により金属酸化物薄膜を形成し、該金属酸化物薄膜上に、アクリロイル基及び／又はメタクリロイル基を有するシランカップリング剤を含有する活性エネルギー線硬化性組成物を塗布し、活性エネルギー線を照射して硬化被膜を形成するガスバリア性フィルムの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも１層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a pure copper sheet, in which cold forging and cold rolling after hot forging and hot rolling and heat treatment after that are unnecessary, and a pure copper sheet which has fine structure obtained by the method, to which a high special intercrystalline rate is imparted by forming twin crystal structure by partial recrystallization and which is especially suitable for a copper target base stock for sputtering, a plating anode or the like.例文帳に追加

熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要な純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細な組織を有すると共に部分再結晶化によって双晶組織を形成させる事により、高い特殊粒界比率を付与した、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材やめっき用アノード等に適した純銅板を提供する。 - 特許庁