「structure elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

According to this constitution, when a shock load F is inputted to a tip end of a shock absorbing structure 10, a tensile load in a peripheral direction acts on a large diameter part 22A2 side of a peripheral wall 22A of each of the shock absorbing elements 22, so as to cause plastic deformation in a face.例文帳に追加

この構成によれば、衝撃吸収構造体１０の先端部に衝突荷重Ｆが入力されると、各衝撃吸収要素２２の周壁部２２Ａの大径部２２Ａ２側には周方向への引張荷重が作用し、面内塑性変形が生じる。 - 特許庁

To realize a display device with picture elements of an organic electroluminescent(EL) element of an upper luminous surface arranged in a matrix form and aims to realize a mounting structure with high opening ratio when the partition walls are arranged also on th surface side of the substrate to shield the light.例文帳に追加

上面光取出し型の有機エレクトロルミネッセンス素子を画素としてマトリックス状に配列し表示装置において、基板の表面側にも光を遮断する構造物として隔壁が配置される場合に、より高い開口率の実装構造を実現する。 - 特許庁

A melted material is introduced into the manifold and moved to an injection molding nozzle for charging into a die cavity through the bore at the direction of a radius and a bore at the direction of an axis in the junction structure element and also through at least one piping connected to those elements.例文帳に追加

メルトは、マニホールドに導入され、ジャンクション構成要素の半径方向ボア及び軸線方向ボアを通って、及びこれに連結された少なくとも一つの配管を通って、金型キャビティに注入するための射出成形ノズルまで移動する。 - 特許庁

The thermal barrier coating material mainly contains a cubic compound having a fluorite structure to be expressed by the composition formula (1): Ln_3NbO_7 (where, Ln denotes one or two or more elements selected from a group consisting of Sc, Y and lanthanoids).例文帳に追加

組成式（１）： Ｌｎ_３ＮｂＯ_７（ただし、ＬｎはＳｃ、Ｙ及びランタノイド元素からなる群より選ばれる１種類又は２種類以上の元素を表す）で表されるフルオライト構造を有する立方晶の化合物を主体として含む遮熱コーティング材料。 - 特許庁

On the other hand, different elements or different metal oxides with different valencies are added/solid-soluted into reduced titanium oxide and reduced zirconium oxide, so as to stabilize its structure, and also, the chemical composition thereof is made into a non-stoichiometric composition, so as to strengthen its interaction with infrared rays.例文帳に追加

また一方、還元酸化チタン及び還元酸化ジルコニウムに、原子価の異なる異種元素または異種金属酸化物を添加・固溶せしめて、その構造を安定化させ、かつ、その化学組成を、非化学量論組成にして、赤外線との相互作用を強くする。 - 特許庁

To reduce a manufacturing cost by reducing the number of processes without sacrificing a performance by integrally forming a sacrifice layer for forming an MEMS structure and a structural layer provided so as to be in contact with this sacrifice layer, with a manufacturing process of constitutional elements.例文帳に追加

ＭＥＭＳ構造体を形成するための犠牲層及びこれに接するように設けられる構造層を半導体素子の構成要素の製造プロセスと一体化することにより、性能を犠牲にせずに、プロセス数の低減により製造コストを削減する。 - 特許庁

The essential component of this material is a solid solution consisting of PbTiO3, PbZrO3 and Pb(MaxMdy)O3, (Ma: bivalent/tervalent elements, Md: pentavalent/hexavalent element) and its crystal structure is tetragonal and the ratio X/Y of the Ma quantity X and Md quantity Y is greater than a stoichiometric ratio.例文帳に追加

主成分がＰｂＴｉＯ_3 、ＰｂＺｒＯ_3 およびＰｂ（Ｍａ_X Ｍｄ_Y）Ｏ_3 （Ｍａ：２価／３価の元素。Ｍｄ：５価／６価の元素）からなる固溶体で、その結晶構造が正方晶であり、Ｍａ量ＸとＭｄ量Ｙとの比Ｘ／Ｙが化学量論比より大きい。 - 特許庁

To provide a piezoelectric ceramic composition which contains, as a main component, a compound mainly composed of the elements of Na, Li, Nb and O, expressed by compositional formula: (Na_1-xLi_x)NbO_3, and having a perovskite structure, and which has improved mechanical quality factor Qm.例文帳に追加

組成式（Ｎａ_１−ｘＬｉ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるようなＮａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とし、機械的品質係数Ｑ_ｍを向上させた圧電磁器組成物を提供する。 - 特許庁

In this load sensor 60 which has a ceramic-made sandwich structure, narrow grooves 65, 66 are provided for the formation of temperature sensing elements 62, 63 which share the common base of an insulating section 64 and are the same as a load sensing element 61 in terms of temperature characteristics.例文帳に追加

セラミックスで形成されたサンドイッチ構造の荷重センサー６０の素材に、幅狭の溝６５、６６を形成することにより、絶縁部６４からなる基台を共通として、荷重検出素子６１と同じ温度特性を持つ温度検出素子６２、６３を形成する。 - 特許庁

The negative electrode material for the lithium secondary battery has crystal structure of composition of Mg_1-xR_xAl_2C_2 (x representing composition ratio is in a range of 0≤x≤0.1; element M is one or more elements selected from Ca, Sr, and Ba having larger ionic radius than that of Mg).例文帳に追加

リチウム二次電池用負極材料において、組成がＭｇ_1-xＲ_xＡl_2Ｃ_2（組成比を示すｘは０≦ｘ≦０．１の範囲であり、元素Ｍは、Ｍｇよりイオン半径の大きいＣａ、Ｓｒ、Ｂａの一種以上の元素である）の結晶構造であることを特徴とする。 - 特許庁

The joined body has such a structure that a carbon material 1 and a carbide-based ceramic material 2 having, as one of constitutive elements, carbon on the surface to be joined with the carbon material 1 are joined by inducing a chemical reaction which produces the same compound as the carbide-based ceramic material 2.例文帳に追加

炭素材料１と炭素材料１との接合面に炭素を構成元素の一つとする炭化物系セラミックス材料２とを、炭化物系セラミックス材料２と同じ化合物を生成する化学反応を誘起させることにより接合した構造である。 - 特許庁

The optical face 35 has a structure in which a set of optical elements that are provided with a curvature face 35a, a flat face 35b, and a slanted face 35c continuously in order from the light-entrance face side (left side in the figure 3) toward the opposite side is provided continuously in many sets.例文帳に追加

光学面３５は、入射面側（図３では左側）からその反対側に向かって曲面３５ａ、平面３５ｂおよび傾斜面３５ｃの順で連続して設けられた１組の光学要素が多数連続して設けられた構造となっている。 - 特許庁

To surely prevent circuit elements from static damages, when an integrated circuit designed with finer patterns of less than 0.5 μm, particularly, when MOSLSI has a shallow trench isolation structure necessary for the finer patterns.例文帳に追加

設計ルール0.5μｍ以下に微細化が図られた集積回路、特にＭＯＳＬＳＩにおいて、この微細化に必須のシャロートレンチ分離構造を有する場合に、回路素子を確実に静電保護することができる半導体静電保護素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical head that enables accurate discrimination of the track region, mirror region, address pit region, etc., formed on the information recording surface of an optical recording medium with simple structure, and also to provide light receiving/emitting elements and a device for recording/ reproducing an optical recording medium.例文帳に追加

光記録媒体の情報記録面に形成されているトラック領域、ミラー領域、アドレスピット領域などを簡素な構成で正確に判別することができる光ヘッドおよび受発光素子ならびに光記録媒体記録再生装置を提供する。 - 特許庁

This sensor contains a structure wherein a board 9 is mounted with a light-emitting element 2 and a photo-detecting element 3, which are separated by a light-intercepting board 41, where translucent sealing resin 11 fills to enclose the elements in, and a sensor head 42 wherein optical fibers 44 and 45 are inserted in resin 43 is laminated thereon.例文帳に追加

基板９に発光素子２と受光素子３を実装して遮光板４１で隔て、透光性の封止樹脂１１を充填して素子を封入し、その上に樹脂４３に光ファイバー４４、４５をインサートしたセンサヘッド４２を積層した構造である。 - 特許庁

Moreover, it is possible that the continuous annealing temperature is controlled to the two phase region of Ac1 to Ac3, and cooling in which the average cooling rate from 600 to 300°C is controlled to CR defined in accordance with the contents of the alloy elements or above is performed to form a structure containing an F phase by ≥50% and an M phase by ≥3%.例文帳に追加

また、連続焼鈍温度を、Ac_1 〜Ac_3 の２相域とし、 600 〜300 ℃間の平均冷却速度を合金元素量に応じて定義されるＣＲ以上とする冷却を施し、Ｆ相を50％以上、Ｍ相を３％以上含む組織としてもよい。 - 特許庁

To provide a light-emitting device which can be connected with a replacing light-emitting element without removing a defective light-emitting element among a plurality of light-emitting elements and without causing such disadvantages as an increase of a thickness of the whole structure, the complication of wiring, and the deterioration of electric characteristics.例文帳に追加

複数の発光素子のうちの不良となった発光素子を取り外すことなく、かつ構造全体の厚みの増加,配線の複雑化,電気特性の低下などのデメリットを招くことなく代替の発光素子を接続できる発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heating element for a heating furnace which can restrain unevenness of distribution of temperature among heating elements without issues of complication of structure or cost rise and further, without causing troubles in wiring or electric leakage.例文帳に追加

加熱炉の構造の複雑化及びコスト上昇の問題を生じることなく炉内温度のむらを抑制でき、さらには配線作業の手間や漏電の問題を生じることなく発熱部間の温度分布のばらつきを改善できる加熱炉用発熱体を提供する。 - 特許庁

A cooling device for an electrical equipment housing box is constituted in a structure that Peltier elements 3 are pasted on an equipment mounting plate 2 mounted within the electrical equipment housing box 1 and the plate 2 is directly cooled to cool inner equipments 5 mounted on the plate 2 by heat conduction and cold radiation through the plate 2.例文帳に追加

電気機器収納箱１内に取り付けた機器取付板２にペルチェ素子３を貼付し、機器取付板２を直接冷却して、機器取付板２の取り付けた内部機器５を機器取付板２により熱伝導と冷輻射により冷却する。 - 特許庁

The cell, housing a power generating element 1 between aluminum laminate sheets 2, has a structure that the lead terminals 3, laid between the overlapped aluminum laminate sheets 2, are connected to the power generating element 1 through the circuit elements housed between the aluminum laminate sheets 2.例文帳に追加

発電要素１をアルミラミネートシート２に収納してなる電池において、このアルミラミネートシート２の重ね合わせた間に挟まれたリード端子３が、このアルミラミネートシート２の間に収納された回路素子を介して発電要素１に接続された構成とする。 - 特許庁

A semiconductor device has such a bonding structure that a bonding layer essentially containing no sulfur is disposed between a base conductor layer and a lead-free solder layer, and between the bonding layer and the lead-free solder layer, an alloy layer containing elements contained in these layers is disposed.例文帳に追加

半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有する。 - 特許庁

Since film thickness of an epitaxial layer is realized which is optimum for high performance of a vertical pnp transistor 3 and the photodiode 4, a structure for showing improvement of characteristics of respective elements to the maximum is realized and the characteristic can be improved as OEIC.例文帳に追加

これにより、バーティカルＰＮＰトランジスタ３及びフォトダイオード４の高性能化に最適なエピタキシャル層の膜厚が実現できるため、各素子の特性向上を最大限に発揮するような構造が可能となり、ＯＥＩＣとして特性向上が図れる。 - 特許庁

A correction coefficient determination means 20 operates a correction coefficient on the basis of the non-verbal response information and an automatic concept map correction means 22 corrects relation between both the information data by changing a distance between the elements of the initial concept structure map on the basis of the correction coefficient.例文帳に追加

補正係数決定手段２０は、ノンバーバルな応答情報に基づいて補正係数を演算し、概念マップ自動補正手段２２は、補正係数により初期概念構造マップの要素間の距離を変更することによって、情報間の関係を補正する。 - 特許庁

Change of thread selection is supplied by an interleaving change structure element generating a final thread selection signal based on the reference thread selection signal and a feedback signal originating in one or a plurality of the conditions or events in various processor elements.例文帳に追加

スレッド選択の変更は、基準スレッド選択信号と、さまざまなプロセッサ要素内の１つまたは複数の条件または事象に由来するフィードバック信号とに基づいて最終スレッド選択信号を生成するインタリーブ変更構成要素によって提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, a manufacturing method therefor and a laminated structure which cheaply and easily protects exposed portions of semiconductor elements for improving crack resistance and light shielding and ensure a clearance between laminated semiconductor packages.例文帳に追加

安価かつ容易に半導体素子の露出部分を保護することで、耐クラック性、遮光性を向上させることができるとともに、積層した半導体パッケージ間にクリアランスを確保できる半導体装置およびその製造方法ならびに積層構造体を提供する。 - 特許庁

To provide an optical structure for genuineness certification where micro-areas where laser light reproduction type holograms are recorded and micro-areas where diffraction grating display elements are arranged in parallel, in which concealed information recorded in the laser light reproduction type holograms is easily confirmed.例文帳に追加

レーザー光再生型ホログラムが記録された微小領域と回折格子表示体が記録された微小領域とが並列する真正性証明用の光学構造体において、レーザー光再生型ホログラムに記録された隠し情報を確認しやすくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can prevent external noises from entering the semiconductor device and has a robustness and reliability by adopting a simple arrangement structure for passive elements without enlarging the mounting area on a wiring board.例文帳に追加

配線基板における実装面積を大きくすることなく、簡易な受動素子の配置構造により、外界ノイズの半導体装置への混入を防止することができる堅牢かつ信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermosetting resin composition essentially contains (a) a benzoxazine resin and (b) a smectite modified by exchanging a cation existing in the layered structure with one or more cations composed of elements selected from aluminum, scandium, tin, chromium, iron, copper, titanium and hydrogen.例文帳に追加

ベンゾオキサジン樹脂（ａ）、および、層状構造中に存在するカチオンを、アルミニウム、スカンジウム、錫、クロム、鉄、銅、チタンおよび水素から選ばれる元素より構成されるカチオンの一種以上でイオン交換したスメクタイト（ｂ）を必須成分とする熱硬化性樹脂組成物。 - 特許庁

A wire accommodating member 37 for the electric wiring 39 communicating electric elements 15, 16, 41 of the ice making mechanism part and an electric component case 21 as the refrigerating mechanism part is mounted on a top part front face 30a of the frame structure 30 provided with a front panel 33.例文帳に追加

フロントパネル３３が装着されるフレーム構造３０の頂部前面３０ａに、製氷機構部の電気要素１５，１６，４１と冷凍機構部にある電装箱２１とを連絡する電気配線３９のための配線収容部材３７を設けた。 - 特許庁

The path identifier shows a path from the element of the uppermost hierarchy to the element of the low order hierarchy in the hierarchial structure of a document to be processed, and includes an element identifier showing the appearance order of the elements of the same hierarchy having the common high order hierarchical element.例文帳に追加

パス識別子は、処理対象文書の階層構造中において最上位階層の要素から下位階層の要素に至るパスを示すものであり、共通の上位階層要素をもつ同一階層の要素の出現順序を示す要素識別子を含む。 - 特許庁

The method further comprises the steps of anisotropically etching a silicon substrate 1 from this state to form a cavity 2, thereby forming an original shape of the membrane structure 9 having an insulating film 3 made of a silicon oxide, an interlayer dielectric 5 and the protective film 8 made of a silicon nitride as structural elements.例文帳に追加

この状態からシリコン基板１の異方性エッチングを行って空洞２を形成することにより、酸化ケイ素より成る絶縁膜３、層間絶縁膜５及び窒化ケイ素より成る保護膜８を構成要素としたメンブレン構造体９の原形を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, between a ground conductor layer and a lead free solder layer, a bonding layer which does not contain sulfur substantially is prepared, and between the bonding layer and the lead free solder layer, the bonding structure forming an alloy layer with these elements is prepared.例文帳に追加

半導体装置は、下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有する。 - 特許庁

The structure parameter of an array antenna including impedance between the respective elements are calculated by using a relation among current on each element, input impedance of the array antenna system, the input impedance of the driven element itself, coupling impedance between the driven element and respective parasitic elements, and input impedance of each parasitic element itself mounted with the reactance element on the basis of the measured current and input impedance.例文帳に追加

測定された電流及び入力インピーダンスに基づいて、各素子上の電流と、当該装置の入力インピーダンスと、励振素子自身の入力インピーダンスと、励振素子と各非励振素子間の結合インピーダンスと、可変リアクタンス素子が装荷された各非励振素子自身の入力インピーダンスとの間の関係式を用いて、各素子間のインピーダンスを含むアレーアンテナの構造パラメータを計算する。 - 特許庁

The ZnO thin film transistor includes: a semiconductor channel made of ZnO; a gate by a conductive ZnO that forms an electric field in the semiconductor channel; a gate insulating layer by an insulating ZnO interposed between the gate and the semiconductor channel; and a passivation layer by an insulating ZnO provided on a lamination structure by elements so as to protect the elements.例文帳に追加

ＺｎＯで形成された半導体チャンネルと、半導体チャンネルに電界を形成するものであって、導電性ＺｎＯによるゲートと、ゲートと半導体チャンネルとの間に介在するものであって、絶縁性ＺｎＯによるゲート絶縁層と、要素を保護するように要素による積層構造上に設けられるものであって、絶縁性ＺｎＯによるパッシベーション層とを備えるＺｎＯ薄膜トランジスタである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with semiconductor elements in which stress of a region where the semiconductor elements are formed is controlled to improve mobility of electric charges, to provide its fabricating process and further to provide a semiconductor device fabricating process in which less crystal defect and less crystal transition are generated in a semiconductor element forming region even if a SOI structure is partially formed, and furthermore to provide the semiconductor device fabricated by the process.例文帳に追加

半導体素子を形成する領域の応力を制御して、電荷の移動度を向上させた半導体素子を備えた半導体装置およびその製造方法、並びに、部分的にＳＯＩ構造を形成しても半導体素子を形成する領域に結晶欠陥や結晶転位がより少ない半導体装置の製造方法およびその方法により製造された半導体装置を提供することである。 - 特許庁

The first sealing layer has a first structure with a first fibrous substance impregnated with first organic resin, the second sealing layer has a second structure with a second fibrous substance impregnated with second organic resin, and the periphery of the group of photoelectric conversion elements has a region where the first sealing layer and the second sealing layer that are provided to face each other are directly bonded to each other.例文帳に追加

第１の封止層は、第１の繊維体に第１の有機樹脂が含浸された第１の構造体を有し、第２の封止層は、第２の繊維体に第２の有機樹脂が含浸された第２の構造体を有し、光電変換素子群の周囲において、対向して設けられた第１の封止層と第２の封止層とが直接接着する領域を有する - 特許庁

This radiation-sensitive resin composition for display elements includes; (A)a copolymer which has (a1) a structure unit containing a carboxyl group and (a2) a structure unit containing an epoxy group; (B) a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond; (C) a radiation-sensitive polymerization initiator; and (D) at least either one selected from compounds represented by formulas (1) and (2).例文帳に追加

（Ａ）（ａ１）カルボキシル基含有構造単位及び（ａ２）エポキシ基含有構造単位を有する共重合体、並びに（Ｂ）エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物（Ｃ）感放射線性重合開始剤（Ｄ）一般式（1）及び（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも一方を含むことを特徴とする表示素子用感放射線性樹脂組成物によって達成される。 - 特許庁

There is provided: the FRP structural element comprising a fiber reinforced resin molding of which plane shape is formed in a polygon of a pentagon shape or a hexagonal shape, and which is composed in a closed loop shape where stiffeners are formed in all side parts of the polygon and inside of the closed loop shape is composed in a planar structure; and the panel structure using the FRP structural elements.例文帳に追加

平面形状が５角形または６角形の多角形に形成された繊維強化樹脂成形体からなり、該多角形の全辺部にスチフナが閉ループ形状に形成されて閉ループ稜構造に構成され、該閉ループ形状の内側が面構造に構成されていることを特徴とするＦＲＰ構造要素、およびそれを用いたパネル構造体。 - 特許庁

To enable a customer to easily compare and examine difference between an estimate in the case of constructing a building before extension/reconstruction by arranging foundation structure, frame structure and proof stress elements for realizing a building assuming extension/reconstruction in the future and an estimate in the case of constructing a building without assuming extension/reconstruction in the future by presenting both of the cases to the customer with drawings.例文帳に追加

将来の増改築を想定した建物を実現するための基礎構造や架構構造及び耐力要素を配置して増改築前の建物を建築する場合の見積と、将来の増改築を想定することのない建物を建築する場合の見積を図面と共に顧客に提示することで、顧客が両者の優劣を容易に比較検討し得るようにする。 - 特許庁

Then a layer change part 5 changes the hierarchical structure of the logic circuit is changed into a structure composed of logic elements passed through and a flip-flop reached by tracing the logic circuit from an external output terminal or the input of the extracted flip-flop reversely to a flow of a signal until the external input terminal of the logic circuit or the flip-flop is reached.例文帳に追加

次に、階層変更部５で、外部出力端子または抽出されたフリップフロップの入力から、信号の流れと逆方向に論理回路の外部入力端子または他のフリップフロップに到達するまで論理回路をたどり、経由した論理素子および到達したフリップフロップで構成される階層回路からなる構造に論理回路の階層構造を変更する。 - 特許庁

The target further has a crystal particle diameter of 300 μm or less, or has a metal structure comprising a single phase consisting of one or more of Mo, V, and Nb, and a diffusive phase consisting of two or more of the elements, or has a metal structure consisting of a diffusive phase comprising two or more of Mo, V, and Nb.例文帳に追加

さらには、その結晶粒径が３００μｍ以下であって、あるいは、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂのうちの１種以上の単独相およびこれら元素から選ばれる２種以上で構成される拡散相からなる金属組織、またはＭｏ、Ｖ、Ｎｂから選ばれる２種以上で構成される拡散相からなる金属組織を有する薄膜形成用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of optical element capable of precisely cutting a polarizing film into a predetermined size, with respect to the manufacturing method of optical element for manufacturing an optical element having such a structure that optical elements are respectively attached to both surfaces of a polarizing layer.例文帳に追加

偏光層の両面に光学要素がそれぞれ貼り付けられた構造を有する光学素子を製造するための光学素子の製造方法であって、偏光フィルムを所定の大きさに精度よく切断することが可能な光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a panel body with a foldable structure to have a size suitable for transportation and construction, with respect to a heater panel for floor heating constituted by connecting a plurality of panel bodies incorporating heating elements in a state of distributing wiring cables inside of the panel bodies and placing them on a sub-floor.例文帳に追加

発熱体を内蔵したパネル体の複数のものを、それぞれのパネル体の内部に配線ケーブルを通過させて接続し、下地床上に配列して構成される床暖房用ヒータパネルにおいて、パネル体を折り畳み可能な構造にして運搬・施工に適したサイズにする。 - 特許庁

The electrodes on the upper side and the electrodes on the lower side of the auxiliary capacitors of the electrode structure of the IPS mode, in which the switching electrodes of the one pole and the switching electrodes of the other pole are arranged in parallel and the auxiliary capacitors are arranged non-parallel with the switching elements, are formed to different shapes.例文帳に追加

一方の極のスイッチング電極と他方の極のスイッチング電極が平行に配置し、かつ補助容量がスイッチング電極に対して非平行に配置するＩＰＳモードの電極構造において、補助容量の上側の電極と下側の電極を異なる形状とする。 - 特許庁

ESD protective elements are formed on a silicon substrate from which the single crystal silicon device forming layer and a buried oxide film on the SOI substrate are removed and the scribe region of a semiconductor integrated circuit has such a structure that the single crystal silicon device forming layer and the buried oxide film are removed.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子はＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層及び埋め込み酸化膜の除去されたシリコン基板上に形成し、半導体集積回路のスクライブ領域は単結晶シリコンデバイス形成層及び埋め込み酸化膜を除去した構造とした。 - 特許庁