「surface of the interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A step of a surface of the first n-type semiconductor spacer layer 23 results from the heavily doped p-type semiconductor mesa 19, so a curvature of an interface between the second DBR 25 and the first n-type semiconductor spacer layer 23 is small.例文帳に追加

第１のｎ型半導体スペーサ層２３の表面の段差は、高濃度ｐ型半導体メサ１９に起因するので、第２のＤＢＲ２５と第１のｎ型半導体スペーサ層２３との界面の曲がりは小さい。 - 特許庁

To provide a temperature measuring instrument that can reduce the influence of thermal radiation light reflecting the temperature near the surface of a permeable resin member, and can improve temperature measurement accuracy of the resin interface.例文帳に追加

透過性樹脂部材の表面近傍の温度を反映した熱輻射光の影響を軽減することができ、樹脂界面の温度測定精度の向上を図ることができる温度測定装置を提供する。 - 特許庁

The displacement of a crystal atom is determined by analyzing an intensity profile of X-ray CTR scattering appearing on both sides in the vertical direction on the surface of an X-ray diffraction peak, and the stress generated in the hetero interface between the crystal and the different kind of material is evaluated from the result.例文帳に追加

Ｘ線回折ピークの表面垂直方向両側に出現するＸ線ＣＴＲ散乱の強度プロファイルを解析して結晶原子の変位量を求め、その結果から結晶と異種物質とのヘテロ界面の生じる応力を評価する。 - 特許庁

The SOI substrate is heat-treated at a temperature of 600-1,250°C, and gettering is performed to metal impurities accidentally mixed into the interface of the SOI film and quartz substrate and into the SOI film in the process of plasma processing, or the like to the surface region of the silicon film 12.例文帳に追加

次にこのＳＯＩ基板を６００℃〜１２５０℃の温度で熱処理し、プラズマ処理等の工程においてＳＯＩ膜／石英基板界面およびＳＯＩ膜中に偶発的に混入した金属不純物をシリコン膜１２の表面領域にゲッタリングする。 - 特許庁

A bonding area 14a is formed on the whole outer peripheral part of the interface between the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13, and the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13 are partially bonded together so that the area surrounded by the bonding area 14a is a non-bonding area 14b.例文帳に追加

軟組織層１２と表皮層１３とは、軟組織層１２と表皮層１３との界面の外周部全周に接着部１４ａが形成され接着部１４ａに取り囲まれた領域が非接着部１４ｂとなるように部分的に接着されている。 - 特許庁

To prevent that the solid-liquid interface becomes a recessed face to the surface of a melt and polycrystallization caused by the volatilization of As from a crystal surface when the crystal diameter is changed in a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶直径を変更した場合の、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、且つ結晶表面からのＡｓが揮発することによる多結晶化を防ぐ。 - 特許庁

As for the endless belt constituted so that a belt-like elastic body is fixed on the inner surface of each edge by an adhesive layer, the ten- point average roughness (Rz) of the cross section curve of the endless belt substrate side interface of the elastic body is set to be 3 to 16 μm.例文帳に追加

両側縁内面に帯状の弾性体を接着層により固定したエンドレスベルトにおいて、該弾性体のエンドレスベルト基体側界面の断面曲線の十点平均粗さ（Ｒｚ）が３〜１６μｍであるエンドレスベルトである。 - 特許庁

The side surfaces of the insulating interface layer 22 and the gate insulating film 21 enter the internal side of the side surface of the gate electrode 5 as much as amount of offset B.例文帳に追加

シリコン基板１のチャネル領域１２上に絶縁性界面層２２を形成し、絶縁性界面層２２上にこの界面層の比誘電率よりも高い比誘電率を有するゲート絶縁膜２１を形成し、ゲート絶縁膜２１上にゲート電極５を形成する。 - 特許庁

A slit part 11 is disposed within a surface of a peripheral part black matrix 3 of a region on the side of an interface region IFR out of a region corresponding to a panel peripheral region PR of a color filter substrate 1.例文帳に追加

カラーフィルタ基板１のパネル周辺部ＰＲに対応する領域のうち、インターフェース領域ＩＦＲ側となる領域の周辺部ブラックマトリクス３の表面内に、スリット部１１が配設されている。 - 特許庁

After the support metal fittings 3 interposed between the reflecting mirror 11 composed of a mirror body 1 and an interface pad 2 arranged on its mirror body flank 1b and a fixing mechanism are adhered to the interface pad 2 by using an adhesive, the mirror surface 1a is polished to obtain a requested precision and then the interface pad 2 and support metal fittings 3 are clamped and fixed with the bolt.例文帳に追加

鏡体１とその鏡体側面１ｂに配設されるインターフェースパッド２からなる反射鏡１１と固定機構との間に介在させる支持金具３を、インターフェースパッド２に接着剤を用いて接着させた後、鏡面１ａを研磨して要求精度を達成し、しかる後にインターフェースパッド２と支持金具３をボルト６で締め付け固定する。 - 特許庁

By the formation of the fine projections, the reflection of light, occurring on the surface of the semiconductor substrate or the film interface where the refractive index in the inside differs, can be reduced drastically, thus obtaining a solid-state image pickup device, having small loss in the quantity of incident light and the superior sensitivity characteristics.例文帳に追加

微細突起の形成により、パッシベーション膜、半導体基板表面もしくは内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくできるため入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置が得られる。 - 特許庁

A groove reaching the outer end of the flange 348 from the inner periphery of the half-split pipes 346 and 347 is formed on an interface surface of the flange 348 at the outer peripheral side, and the groove becomes a suction port 39 for sucking moisture gathered at the bottom of the shell by exhaust pressure in the outlet pipe.例文帳に追加

外回り側のフランジ３４８の接合面には、半割管３４６，３４７の内周からフランジ３４８外端に達する溝が形成され、この溝が、シェルの底に溜まった水分をアウトレットパイプ内の排気圧にて吸引するための吸引口３９となっている。 - 特許庁

In the ceramics circuit board, a metal plate that mainly consists of aluminum is bonded to at least one main surface of a ceramics substrate, and Mg is unevenly distributed at the junction interface between the metal plate and a brazing material layer or near the junction interface.例文帳に追加

セラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウムを主成分とする金属板をろう材層を介して接合してなるセラミックス回路基板であり、前記金属板とろう材層との接合界面或いはその近傍にＭｇを偏在させてなることを特徴とするセラミックス回路基板である。 - 特許庁

To prevent a valve element from being brought into contact with the inner circumferential surface of a laid pipe and allow an interface to be smaller even if a diameter is increased.例文帳に追加

配管されたパイプの内周面に弁体が接触することを防止するとともに、口径が大きくなっても面間を小さくすることができる。 - 特許庁

To increase close adhesion at the interface of an electrode surface and a solid polyelectrolyte film, and improve a battery property and reliability.例文帳に追加

電極表面と固体高分子電解質膜との界面における密着性を高め、電池特性の向上および電池の信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a binder composition for an electrode which has strong binding force and does not block formation of a solid electrolyte interface (SEI) on the surface of an active material.例文帳に追加

本発明の課題は、結着力が強く、活物質表面の安定界面（ＳＥＩ）の形成を阻害することがない電極用バインダー組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor element capable of reducing an offset voltage on an interface between a semiconductor layer on a gallium oxide substrate and a principal surface of the gallium oxide substrate.例文帳に追加

酸化ガリウム基板上の半導体層と酸化ガリウム基板の主面との界面におけるオフセット電圧を低減可能な窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a mold for molding a resin capable of uniformly and stably supplying a lubricant over the whole interface of a resin composition and a molding surface.例文帳に追加

潤滑剤を樹脂組成物と型面との界面全面にわたって均一に安定供給することができる樹脂成形金型を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a suspended substance measuring device capable of performing measurement in a wide range from a low concentration to a high concentration by reducing the effects of light reflected at an interface or a wall surface.例文帳に追加

界面あるいは壁面の反射光の影響を削減して、低濃度から高濃度まで広範囲の測定が可能な縣濁物質測定装置を提供する。 - 特許庁

The thin film having the laminar structure of a smooth surface, an underlayer thereof and a steep interface is manufactured by depositing the film and bombarding the surface region of a depth of ≤20 nm of the deposited film with the ions of rare gas which has an energy within a range from 100 to 300 eV and is heavier than Ne.例文帳に追加

２０ｎｍ以下の深さの表面領域に対して、１００〜３００ｅＶの範囲内のエネルギーをもつＮｅより重い希ガスのイオンを膜堆積後に衝撃させることにより、滑らかな表面の層状構造とその下地層と急峻な界面をもつ薄膜の作製方法を提供する。 - 特許庁

The interface device comprises: a member (10) which is in contact with at least a part of one palm of the operator; a camera (20) which is disposed on a surface of opposite side to the surface, facing one palm, of the member; and detection means (11) which detects the motion of one hand based on an image captured by the camera.例文帳に追加

該インターフェース装置は、操作者の一方の手の平の少なくとも一部に接触する部材（１０）と、該部材の一方の手の平に対向する面とは反対側の面上に配置されたカメラ（２０）と、該カメラにより撮像された画像に基づいて、一方の手の動作を検出する検出手段（１１）とを備える。 - 特許庁

A water-repellent projection section 6 of which the surface is made from a material having a surface energy smaller than an interface energy with respect to the ink, is provided to the upstream side of the ejection nozzle 1 in the flowing direction of the ink which is ejected from the ejection nozzle 1 by flowing in the ink channel 4 from the ink supply hole 7.例文帳に追加

インクとの間の界面エネルギーよりも小さい表面エネルギーを有する材料で表面が形成された撥水性突出部６が、インクがインク供給口７からインク流路４内に流入して吐出口１から吐出されるインク流れ方向に関して吐出口１の上流側に設けられている。 - 特許庁

In the light-emitting layer 90 constituted of red color elements 92R, blue color elements 92B, and green color elements 92G, a vibration of a given frequency 170 is added on an interface jointing with at least either color element 92 out of the blue color elements 92B and the green color elements 92G to make a surface of the interface rugged.例文帳に追加

赤の色要素９２Ｒ、青の色要素９２Ｂおよび緑の色要素９２Ｇで構成される発光層９０において、青の色要素９２Ｂおよび緑の色要素９２Ｇの内、少なくとも一つの色要素９２と接合する界面に、所定の周波数１７０の振動を加えて、界面の表面を凸凹にする。 - 特許庁

Void parts 12, each of which has a cyclic structure 13 of causing optical diffraction at the interface, are formed in a substrate 11 and a cyclic structure 15 of causing optical diffraction on a part or all of the surface of the substrate 11 is formed.例文帳に追加

光回折を起こす周期構造１３を界面に有する空隙部１３を基材１１の内部に形成するとともに、基材１１の表面の一部又は全部に光回折を起こす周期構造１５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which the front surface of AlGaN layer is formed flat and any damage is not given to two-dimensional gas existing on the AlGaN/GaN interface.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層の表面を平坦とし、かつ、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面に存在する二次元電子ガスにダメージを与えない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The planarity between the surface of a testing system (20) such as a bottom face of a chuck (16) (or substrate 17) and an interface (28) or an inspection head (22) is checked before testing a substrate.例文帳に追加

チャック（１６）（または基板（１７））と、インターフェース（２８）または検査ヘッド（２２）の底面のような、試験システム（２０）の表面との間の平面性をチェックした後、基板を試験する。 - 特許庁

A dissolution retardant layer 4 is formed on the interface of a low-molecular hole transport layer 3 and a polymer light-emitting layer 5 by carrying out surface treatment of the low-molecular hole transport layer 3 in organic acid.例文帳に追加

低分子ホール輸送層３を有機酸にて表面処理することにより、低分子ホール輸送層３と高分子発光層５との界面に難溶化層４を形成する。 - 特許庁

In a laminate 11, core layers made of resin and clad layers made of resin are alternately laminated, and an uneven surface part for information reproduction is formed on one interface between the core layers and the clad layers.例文帳に追加

積層体１１は、樹脂製のコア層と樹脂製のクラッド層とが交互に積層され、コア層とクラッド層との一方の界面に情報再生用の凹凸部が形成されてなる。 - 特許庁

The object is moved to a particular location, and a particular action of the set of actions is performed on the selected object according to the particular location of the object on the display surface to operate the graphical user interface in one of a plurality of modes for the particular action.例文帳に追加

オブジェクトを特定の位置に移動させ、ディスプレイ表面上のオブジェクトのこの特定の位置に応じて、一組の動作のうち特定の動作を選択されたオブジェクトに対して行い、グラフィカルユーザインタフェースを特定の動作に対する複数のモードのうちの１つで操作する。 - 特許庁

To provide a sludge sensor capable of detecting the interface of sludge and supernant water highly accurately by preventing the adhesion of sludge to the holders of an ultrasonic transmitter and an ultrasonic receiver to prevent the adhesion of sludge to the surface of a sensor head.例文帳に追加

超音波発信器及び受信器のホルダ等に汚泥が付着することを防ぎ、これによってセンサヘッド面への汚泥の付着を防いで、高い精度で汚泥と上澄水との界面の検出等を行うことができる超音波式汚泥センサーを提供することである。 - 特許庁

The first seal part 52 absorbs the surface roughness of separators 30 and 40, etc., which may drop the sealing performance of the interface and follows the changed dimensions resulting from a temp. change in an electrolyte film 22, etc.例文帳に追加

軟らかい第１シール部５２により、界面のシール性を低下させるセパレータ３０，４０等の表面の粗さを吸収すると共に電解質膜２２等の温度変化による寸法変化に追従することができる。 - 特許庁

To provide a sealing material for a solar cell which exhibits excellent durability on the contact interface with the solar cell surface of inorganic substance, and has excellent steam barrier property and transparency.例文帳に追加

無機物である太陽電池セル面との接触界面での耐久性に優れ、かつ、水蒸気バリア性と透明性に優れる太陽電池用封止材料を提供する。 - 特許庁

To improve the unconformity at an interface between the surface of monocrystalline or polycrystalline silicon and an amorphous silicon layer in a solar cell adopting a hetero-junction structure.例文帳に追加

ヘテロ接合型構造を採用する太陽電池において、単結晶又は多結晶のシリコンの表面とアモルファスシリコン層との界面での不整合を改善する。 - 特許庁

For the semiconductor device, an interface oxidation layer 102, a gate insulating film 104, and a gate electrode 107 are prepared in order on the superior surface of its semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置では、半導体基板１０１の上面上に、界面酸化層１０２、ゲート絶縁膜１０４及びゲート電極１０７が順に設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a metallic double wall pipe, in which surface pressure can be generated on the interface between an internal pipe and an external pipe of the metallic double wall pipe obtained.例文帳に追加

得られる金属二重管の内管と外管の界面に面圧を発生させることができる金属二重管の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enhance Voc by reducing the area of a contact region thereby reducing carrier recombination rate at the interface between a semiconductor substrate and a light receiving surface electrode, and to make a power generation layer absorb as much light as possible by reducing the area of the light receiving surface electrode on the semiconductor substrate thereby reducing reflection loss on the surface of the light receiving surface electrode.例文帳に追加

接触領域の面積を低減することにより、半導体基板と受光面電極の間の界面におけるキャリア再結合速度を小さくし、Ｖｏｃを向上させ、半導体基板上の受光面電極面積を低減することにより、受光面電極表面での反射損失を少なくして発電層にできるだけ多くの光を吸収させる。 - 特許庁

An automotive resin component 1 composed of the base material 2 comprising the polystyrene resin and the covering layer 3 formed on the surface of the base material 2 by coating or plating is immersed in limonene 4 and is mechanically agitated in a temperature range of 40 to 45°C, whereupon the automotive resin component 1 can be efficiently separated into the base material 2 and the covering layer 3 at the interface therebetween.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂からなる基材２と、基材２の表面に塗装やめっきにより形成された被覆層３とを備える自動車用樹脂部品１を、リモネン４に浸漬して、４０〜４５℃の温度範囲において機械撹拌する。 - 特許庁

Consequently, a corner 16 formed by an interface between the front surface of the sealing resin layer 4 and the post 5 of the sealing resin layer 4 contacts with a border between the embedded portion 14 embedded in the sealing resin layer 4 of the post 5 and the projection 15 projecting from the sealing resin layer 4.例文帳に追加

これにより、封止樹脂層４の表面および封止樹脂層４のポスト５との界面により形成される角部１６は、ポスト５の封止樹脂層４に埋設された部分と封止樹脂層４から突出した部分との境界に当接している。 - 特許庁

The surface potential stabilization region 6 is extended from the second interface between the second electrode contact region 4 and the second electrode region 3 to the outer periphery of a chip without space for arrangement.例文帳に追加

表面電位安定化領域６は、第２電極コンタクト領域４と第２電極領域３との間の第２の界面からチップの外周部まで隙間無く伸延して配置されている。 - 特許庁

Since the textured surface provided on the under side of the article 12 is exposed, the interface layer 20 can be easily removed from the article 12.例文帳に追加

鋳型１０の取り外しの後、界面層２０は保護コーティングとして物品１２に粘着するが、該物品の下側にあるテクスチャー表面を曝すため、界面層２０を容易に物品１２から除去することができる。 - 特許庁

The method comprises a fiber surface treatment step 10 and a matrix formation step 20, wherein the steps 10 and 20 include the steps of incorporating an antioxidant material 4 which vitrifies when oxidized into the interface layer and into the matrix, respectively.例文帳に追加

繊維表面処理工程１０とマトリックス形成工程２０が、インターフェース層及びマトリックスに、酸化してガラス質となる酸化防止材４を含有させる工程１４、２４をそれぞれ有する。 - 特許庁

Then the interface JS between the base substrate and 2nd semiconductor layer is substantially in level with the reverse surface of the buried oxide layer or deeper than the buried oxide layer.例文帳に追加

そして、上記支持基板と第２の半導体層との界面ＪＳは、埋め込み酸化物層の下面と実質的に等しいか、あるいは埋め込み酸化物層より深い部分に位置することを特徴としている。 - 特許庁

By utilizing the catalysis of the metal of the internal electrode 2 during the baking process, the heterogeneous metal sticking to the end part surface of the internal electrode is made to diffuse into the interface between the ceramic layer 1 and the internal electrode 2 with the internal electrode as a path, to fill a void 3 and a metal 5.例文帳に追加

この焼付過程で内部電極２金属の触媒作用を利用し、前記内部電極端部表面に付着させた異種金属を内部電極を経路としてセラミック層１と内部電極２の界面に拡散させ、空隙３を金属５で充填する。 - 特許庁

To provide an oxide film of atom layer level wherein entrance of impurities into an oxidizing process of a silicon crystal surface is suppressed for flatter and evener interface between the oxide film and a semiconductor.例文帳に追加

シリコン結晶表面の酸化工程での不純物混入を抑制し、且つ酸化膜と半導体の界面をより平坦で均一にした原子層レベルの酸化膜を提供すること。 - 特許庁

Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3.例文帳に追加

そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。 - 特許庁