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to P orの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2242



例文

In the case of executing a block A1 to which processors P(1)-P(4) are designated as execution processors, respective processors P(1)-P(5) judge whether data transfer between the processors P(1)-P(4) designated as execution processors and the other processor P(5) is required or not.例文帳に追加

各プロセッサP(1)〜P(5)は、実行プロセッサとしてP(1)〜P(4)が指定されたブロックA1の実行に際し、実行プロセッサとして指定されたP(1)〜P(4)とそれ以外のプロセッサP(5)との間でデータ転送が必要か否かを判断する。 - 特許庁

A verifier calculates K=H1(W) and m= DKs(C) to obtain the plain text m and calculates V=gavbmod p and verifies whether H3(W VjWimod p gjeimod p m)=i is true or not.例文帳に追加

検証者はK=H_1(W), m=D_K^s(C)を計算して平文mをもとめ、V=g^ay^bmod p,を計算し、H_3(W‖V^jW^imod p‖g^je^imod p‖m)=iが成立するかを検証する。 - 特許庁

Tontoro or pitoro (P toro): marbled pork spanning from the cheek to the shoulder 例文帳に追加

豚トロ、Pトロ(ピートロ):豚の頬から肩にかけての霜降りの肉 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To obtain a new antiviral agent which can be replaced with an antiviral agent containing acyclovir or a polyacid ion such as [Eu_4(MoO_4)(H_2O)_16(Mo_7O_24)_4]^p- or [(SbW_9O_33)_2V_3O_3]^p-.例文帳に追加

アシクロビル、あるいは[Eu_4(MoO_4)(H_2O)_16(Mo_7O_24)_4]^p-や[(SbW_9O_33)_2V_3O_3]^p-などのポリ酸イオンを含む抗ウイルス剤に代わる新規な抗ウイルス剤を提供する。 - 特許庁

例文

(L/P) is equal to or greater than 0.10 and is equal to or smaller than 0.50.例文帳に追加

(L/P)が0.10以上0.50以下である。 - 特許庁


例文

A modulus sign adjustment part 14 sets-P or P to an intermediate variable P' according to positive or negative of α.例文帳に追加

法符号調整部14は,αの正負に応じて中間法変数P’に−PまたはPを設定する。 - 特許庁

Returns true if p is a dict object or an instance of a subtype of the dict type.Changed in version 2.2:Allowed subtypes to be accepted.例文帳に追加

引数が PyDictObject のときに真を返します。 - Python

This method for producing p,p'-biphenol comprises debutylating a 4,4'-biphenol compound having at least one tert-butyl group in the presence of a debutylating catalyst; wherein at least one compound selected from thiosulfates, sulfites and metal borohydrides is made to act on the crude p,p'- biphenol resulted from the debutylation reaction, or made to coexist in the process of the debutylation reaction.例文帳に追加

脱ブチル触媒の存在下に、少なくとも1個以上のtert-ブチル基を有する4,4'-ビフェノール類を脱ブチル化せしめて、p,p'-ビフェノールを製造するに際して、チオ硫酸類、亜硫酸類、水素化ホウ素金属類から選ばれる少なくとも1種の化合物を、脱ブチル化反応により得られた粗p,p'-ビフェノールに作用させる又は脱ブチル化反応時に共存させることを特徴とするp,p'-ビフェノールの製造法。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element obtained by applying a nitride semiconductor containing P or As having a characteristic differing from the conventional nitride semiconductor containing P or As to each structure of the nitride semiconductor element, wherein an atomic fraction of N of the nitride semiconductor containing P or As is greater than the atomic fraction of P or As.例文帳に追加

本発明は、従来のPまたはAsを含む窒化物半導体とは異なる特性を有するPまたはAsを含む窒化物半導体を、窒化物半導体素子の各構造に適用することが目的である。 - 特許庁

例文

The apparatus includes a feedback correction circuit used to sense the value of I_m or I_p.例文帳に追加

装置はI_mまたはI_pの値を感知するために使用される帰還修正回路を含む。 - 特許庁

例文

I_boost is preferably maintained proportional to the difference of the desired value and I_p or I_m.例文帳に追加

I_boostは好ましくは所望値およびI_pまたはI_mの差に比例するよう維持される。 - 特許庁

As a result, the substrate to which a fine pattern N is transferred or a worked layer P is obtained.例文帳に追加

その結果、微細パタンNが転写された基板又は被加工層Pを得る。 - 特許庁

The determination unit determines whether the user equipment is entitled to communicate in the P-NW by determining whether the P-NW to which the serving cell belongs is the same as or different from a P-NW in which the user equipment is entitled to communicate.例文帳に追加

判定手段は、在圏セルが属するP-NWと、当該ユーザ装置による通信が許可されているP-NWとの異同を確認することで上記の許否を判定する。 - 特許庁

For example, for a memory cell 3(1, p) of address 1, sources of the NMOS transistors 11(1, p), 12(1, p) of which the gates are connected to the search bus SB(p) or XBP(p) are connected to a match line ML0 of address 0.例文帳に追加

例えば、1番地のメモリセル3(1、p)については、ゲートがサーチバスSB(p)又はXSB(p)に接続されているNMOSトランジスタ11(1、p)、12(1、p)のソースを0番地のマッチラインML0に接続する。 - 特許庁

The steel sheet contains C: 0.2 to 0.7%, Si: 0.01 to 1.0%, Mn: 0.1 to 1.0%, P: 0.03% or below, S: 0.035% or below, Al: 0.08% or below and N: 0.01% or below with the balance consisting of Fe and unavoidable impurities.例文帳に追加

C:0.2〜0.7%、Si:0.01〜1.0%、Mn:0.1〜1.0%、P:0.03%以下、S:0.035%以下、Al:0.08%以下、N:0.01%以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

Now, move to the position where you'd like to insert the cut or copied text, and hit P to insert before the cursor,or p to insert after the cursor.例文帳に追加

これであなたが、切り取りや、コピーしたテキストを挿入したい位置に移動しPを押してカーソルの後に挿入し、pを押してカーソルの前に挿入できます。 - Gentoo Linux

To provide a p-type oxide semiconductor of group II to V useful as a light emitting element or a light receiving element material or a photocatalyst and to provide a method for manufacturing the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

発光素子や受光素子材料、あるいは光触媒として有用なIIないしV族の p型酸化物半導体と、そのような p型酸化物半導体の得られる製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide an advantageous method for smelting a high cleanliness steel of which the amounts of N, S and P in the molten steel are controlled to each about 20 ppm or less N, 9 ppm or less S, and 45 ppm or less P.例文帳に追加

溶鋼中のN、SおよびP量をそれぞれ、〔N〕≦20ppm、〔S〕≦9ppm、〔P〕≦45ppm程度とした高清浄鋼の有利な溶製方法を提案する。 - 特許庁

To provide a computing technology of scalar k multiplicationP of a base point P on an elliptic curve E/GF(p^m) defined on GF(p^m) which is an m-th extension field of a finite field GF(p) with p as a prime number of 2 or more, rapid and resistant to a simple power analysis method.例文帳に追加

単純電力解析法に対して耐性を有し高速な、pを2以上の素数とする有限体GF(p)のm次拡大体であるGF(p^m)上で定義された楕円曲線E/GF(p^m)上のベースポイントPのスカラーk倍算k×Pの計算技術を提供する。 - 特許庁

In an apparatus and method for generating a current pair I_p, I_m where the ratio of the pair is exponentially related to a control signal, either I_p or I_m is larger than a minimum value or smaller than a maximum value.例文帳に追加

対の比率が制御信号に指数関数的に関係する電流対I_p、I_mを発生する装置および方法であって、ここにI_pまたはI_mのいずれかは最小値より大きいかまたは最大値より小さい。 - 特許庁

The pellet, having a thickness between 0.05 and 1 mm, forms a colorless transparent protective film comprising Sn-30 to 50 at% O-5 to 15 at% P or Sn-10 to 30 at% In-40 to 60 at% O-5 to 15 at% P, on the surface of a lead-free solder alloy including Sn as a principal component when heated for soldering.例文帳に追加

Sn主成分の鉛フリーはんだ合金の表面に無色透明のSn-30〜50at%O−5〜15at%PやSn-10〜30at%In-40〜60at%O−5〜15at%Pからなる保護膜をはんだ付け加熱時に形成するペレットであり、厚さが0.05〜1mmである。 - 特許庁

An IP picture interval storage section 8 estimate an interval between to the I or P picture data and succeeding I or P picture data in response to a result of detection to obtain an estimated interval.例文帳に追加

IPピクチャ間隔保持部8では検出結果に応じて次のIまたはPピクチャデータまでの間隔を推定して推定間隔を得る。 - 特許庁

With respect to p, a residue system expression of (Cpdp)*B mod p or a value obtained by adding p to it is obtained on the basis of a residue system expression of C mod p and d mod (p-1); and with respect to q, the same operation is performed (123 and 124).例文帳に追加

まず、pについてC mod pの剰余系表現とd mod (p−1)に基づき(Cp^dp)*B mod p又はこれにpを加算した値の剰余系表現を求め、qについても同様にする(123、124)。 - 特許庁

In P-channel TFTs and n-channel TFTs forming an output amplifier for applying a pulse to a gate line in a vertical scanning circuit, the output capability of the P-channel TFTs is reduced to 50% of that of the n-channel TFTs or less.例文帳に追加

垂直走査回路でのゲート線に印加するパルスの出力アンプを形成するPチャネルTFTとnチャネルTFTで、前記PチャネルTFTの出力能力を前記nチャネルTFTの出力能力の50%以下にする。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

To prevent or inhibit the corrosion of a-Si and p-Si.例文帳に追加

a−Si、p−Siの腐蝕を阻止又は大幅に抑制する。 - 特許庁

A groove pitch P is formed to become one fourth or more of a groove depth H.例文帳に追加

溝ピッチPが溝深さHの1/4以上となるように形成される。 - 特許庁

The ratio of the height H of the plurality of projections to the pitch P is one or more.例文帳に追加

複数の凸部の高さHの、ピッチPに対する比が1以上である。 - 特許庁

The center apparatus 3 is connected to a P-wave detection sensor which detects the P-wave of an earthquake (P-wave information on an earthquake) or an external server provided with a P-wave detection sensor through the network 2.例文帳に追加

センタ装置3には、地震のP波(地震のP波情報)を検知するP波検知センサや、あるいはP波検知センサを有する外部のサーバ等がネットワーク2を介して接続されている。 - 特許庁

An evolution means 205 evolves the AS_P having the evaluation value Ft_P equal to the evaluation standard S_ft or larger, while an erasing means 206 erases the AS_P which has the evaluation value Ft_P comprising "0" and has once been performed.例文帳に追加

進化手段205は、評価基準S_ft以上の評価値Ft_pを有するAS_pを進化させ、削除手段206は、“0”からなる評価値Ft_pを有する一度実行されたAS_pを削除する。 - 特許庁

Then, it extracts a tile region T which is not included in P_SAME or P_MOVE out of the next screen, and transmits compression data of the tile region T, its tile number, and data of the coordinates P_M1, P_M2 to the client device 2.例文帳に追加

そして、次画面の中から、P_SAMEにもP_MOVEにも含まれないタイル領域Tを抽出し、タイル領域Tの圧縮データと、そのタイル番号と、座標P_M1,P_M2のデータをクライアント装置2に送信する。 - 特許庁

In the optical waveguide circuit, a semiconductor layer 104 is formed, at least in the part of the front surface of the projection part 102 of the substrate 100, having the projection part 102 to form a p-n or p-i-n structure of functioning as a photodetector, etc.例文帳に追加

光導波路回路において、突起部102を有する基板100の突起部102の表面の少なくとも一部に、受光素子などとして機能するp-nないしはp-i-n構造を形成する様に半導体層104が形成されている。 - 特許庁

The P-N junction between the P well and a N+ region 118, 120 which is not covered by polysilicon and the P-N junction formed by the N well and a P+ region 124 are responsive to green or blue light.例文帳に追加

PウェルとN^+領域118、120の間の、多結晶シリコンで覆われていないPN接合、およびNウェルとP^+領域124によって形成されるPN接合が、緑色光または青色光に反応する。 - 特許庁

A relief valve 60 is opened, when a pressure P in a crank case 28 is 142 kPa or more, to keep the maximum value Pm of the pressure P at 142 kPa or less.例文帳に追加

リリーフ弁60は、クランク室28の圧力Pが142kPa以上になると、開いて、圧力Pの最大値Pmを142kPa以下に保持する。 - 特許庁

The width of the discharge paper holding space 70 is set to the same value as or slightly longer than the width direction of the continuous paper (the width direction or a rolled paper P).例文帳に追加

排出紙保持空間70の幅は、連続紙の幅方向(ロール紙Pの幅方向)と同程度および若干長めである。 - 特許庁

The sheet feeding means 4b abutted on sheet P loaded on a paper feeding tray to feed the sheet P is moved to the retreat position for obstructing not loading of the sheet P onto the paper feeding tray by letting it leave a feeding position or the paper feeding tray 3 abutted on the sheet P to feed the sheet P by a moving means.例文帳に追加

給紙トレイ上に積載されたシートPに当接してシートPを送り出すシート給送手段4bを、移動手段により、シートPと当接してシートPを送り出す給送位置又は給紙トレイ3から離間し、給紙トレイ上へのシートPの積載を妨げない退避位置に移動させる。 - 特許庁

In this semiconductor light-emitting element, a p-type guide layer 14 interposed between an activated layer 13 and a p-type clad layer 15 is constituted of compound semiconductors of groups III to V containing B (boron) as a group-III element, specifically a p-type BInP, a p-type BGaAs or a p-type BAlP.例文帳に追加

活性層13とp型クラッド層15との間に設けられたp型ガイド層14が、III族元素としてB(ホウ素)を含むIII−V族化合物半導体、具体的には、p型BInP、p型BGaAsまたはp型BAlPにより構成されている。 - 特許庁

More preferably, the method for manufacturing a three-dimensional photonic crystal (C) includes: forming regular holes or grooves on the substrate (Q); packing the holes or grooves with a slurry of the spherical particles (P); and applying centrifugal force perpendicular to the surface of the substrate (Q) to accumulate the spherical particles (P) in the holes or grooves.例文帳に追加

特に好ましくは、基板(Q)に規則的な穴又は溝を形成し、その穴又は溝に真球状粒子(P)のスラリーを充填し、遠心力を基板(Q)の表面に対して垂直に加えて穴又は溝に真球状粒子(P)を集積する3次元フォトニック結晶(C)の製造方法である。 - 特許庁

Use either the -P option to select the console automatically, or the -h option to activate the serial console. 例文帳に追加

-P オプションを使ってコンソールを 自動的に選ぶか、-h オプションを使って シリアルコンソールを有効にしてください。 - FreeBSD

A coil axis P-P of the excitation coils 4 may be set to be horizontal to the inspection plane or vertical thereto.例文帳に追加

励磁コイル4のコイル軸P−Pは、検査面に対して水平とすることもできるし、垂直とすることもできる。 - 特許庁

To provide a continuous steel casting method which prevents mold powder inclusion, and which is able to prevent P or Ni in surface layer of cast pieces from segregation.例文帳に追加

モールドパウダーの巻き込みを防止し、かつ鋳片の表面層におけるPやNiの偏析防止できる鋼の連続鋳造方法を提案する。 - 特許庁

The height h of the knot 2 is 1.5 to 10 mm and the ratio h/p of the knot height h to the knot interval p is 0.06 or less.例文帳に追加

節2の節高さhは1.5〜10mm、節高さhと節間隔pの比h/pは0.06以下とする。 - 特許庁

An accessory 10 is mounted on the fitting string S2, one end of which is connected to a strap body S1, the other end of which is fitted to the cellular phone P or the like.例文帳に追加

一端部がストラップ本体S1に連結され、他端部が携帯電話機P等に取り付けられた取付紐S2に、アクセサリー10を装着する。 - 特許庁

The width p of the groove part 3A is equal to the sum of the thickness of the two core parts (2×q) closer to the opening part 11, or smaller than the sum (p≤2×q).例文帳に追加

ここで、溝部3Aの幅pは、開口部11寄りの2個のコア部の厚さの和(2×q)と同じか、それより小さくなっている(p≦2×q)。 - 特許庁

The paper 10 is attached to the document P or the like through a pressure sensitive adhesive layer provided on the rear surface of the region S, and is used to sort the contents of the document P by utilizing colors or numbers directly near the outer edge of the document P.例文帳に追加

この付箋紙10は、領域Sの裏面に設けられた感圧性接着層を介して書類P等に貼付され、書類Pの外縁に直近する色や数字を利用して当該書類Pの内容を分類することに利用される。 - 特許庁

Crushed pieces P charged in a treatment tank 3 are stirred by a rotary member 7 to be raised in temp. by the mutual friction or collision of the crushed pieces P or the friction and collision of the crushed pieces with the inner wall of the treatment tank to peel the coating films on the surfaces of the crushed pieces P.例文帳に追加

処理槽3内に投入された粉砕片Pを回転部材7にて撹拌して、粉砕片P,P同士もしくは槽内壁との摩擦や衝突によって昇温させて、粉砕片Pの表面の塗膜を剥離させる。 - 特許庁

Other commands can accept either a number or a string; for example, the p command can accept either and prints the object according to its type. 例文帳に追加

他のコマンドは、数字か文字列を受け入れることができます。 例えば、pコマンドは、両方を受け付けることができ、データをその型に応じて表示します。 - JM

In formula (1), n represents a number of 1 to 100; X^1 represents ammonia or formula (2); and p is a number satisfying 0<p≤n+2.例文帳に追加

式(1)中、nは1〜100の数、X^1はアンモニア又は式(2)、pは0<p≦n+2を満たす数である。 - 特許庁

Fluorine-containing polyether represented by a general formula R^2O_2BC_6H_4NR^1CORfCONR^1C_6H_4BO_2R^2 is reacted with m- or p-dihalogenated benzene to provide fluorine-containing polyether oligomer.例文帳に追加

含フッ素ポリエーテル R^2O_2BC_6H_4NR^1CORfCONR^1C_6H_4BO_2R^2 にm-またはp-ジハロゲン化ベンゼンを反応させ、含フッ素ポリエーテルオリゴマーを得る。 - 特許庁

例文

At least the channel-side of the transfer gate electrode 248 is formed of a p-type semiconductor or a substance, having work function corresponding to the p-type semiconductor.例文帳に追加

この転送ゲート電極248を、少なくともそのチャネル側がp型半導体またはそれに準じる仕事関数の物質で形成する。 - 特許庁

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