| 意味 | 例文 |
wire memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 292件
Thus, a facsimile device 1 decides whether its calling destination is the opposite party that is connected to the line wire according to whether the calling telephone number includes the line wire calling number stored in the memory 8 and then performs the calling control.例文帳に追加
そして、ファクシミリ装置は、相手先が内線か外線かを、入力された電話番号がメモリに予め登録された外線発信番号を含んでいるか、または、外線発信用桁数であるか否かにより判断する。 - 特許庁
Contact of different kinds of metal does not take place because a nonmetallic material is present between the shape memory alloy indicator 3 and the overhead bare wire 1 and corrosion of the overhead bare wire 1 is not accelerated by the indicator 3.例文帳に追加
形状記憶合金である標示体3と架空裸電線1との間は非金属材が介在するので異種金属接触とはならず、標示体3が架空裸電線1の腐食を促進してしまうという問題は生じない。 - 特許庁
To provide a functional composite material using shape memory alloy and the wire made of which, even if both ends of a TiNi wire are not fixed, causes neither inverse transformation nor contraction during curing and can be embedded, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
ワイヤを両端固定しなくても、硬化中TiNiワイヤが逆変態が起こることがなく、収縮する事もなく、埋め込むことができる形状記憶合金を用いた機能性複合材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In a wire harness with the plurality of the signal lines, the core wire made of a shape memory alloy is disposed at both sides of aligned signal wiring array in a plane or the position of the central axis of the signal line bundled in a round state.例文帳に追加
また、複数本の信号線を有したワイヤハーネスにおいて、形状記憶合金からなる芯線を、平面上に並んだ信号線配列の両側、又は丸状に束ねた信号線の中心軸の位置に配置した。 - 特許庁
The resonance capacity, between the first wire arrangement and the second wire arrangement in the second radio IC memory, is different for a first state with another sheet positioned in the one side of the second sheet, from a second state with the second sheet positioned on the surface.例文帳に追加
第2の無線ICメモリにおける第1の配線と第2の配線との間の共振容量は、第2のシートの一方側に他のシートが位置する第1の状態と第2のシートが表層に位置する第2の状態とで異なる。 - 特許庁
A semiconductor storage device includes a driver circuit having a part of a substrate including a single-crystal semiconductor material, a multilayer wire layer provided on the driver circuit, and a memory cell array layer provided on the multilayer wire layer.例文帳に追加
半導体記憶装置が、単結晶半導体材料を含む基板の一部を有する駆動回路と、当該駆動回路上に設けられる多層配線層と、当該多層配線層上に設けられるメモリセルアレイ層とを有する。 - 特許庁
When the ambient temperature is increased further, a wire 14 of the shape memory alloy is restored into the shrinkage shape so that the lever 12 can be rotated, and slackness can be generated in the wire 13, and the restraining state of the lever 17 can be maintained, and malfunction can be prevented.例文帳に追加
環境温度が更に上昇すると形状記憶合金のワイヤ14は縮み形状に復元してレバー12を回動し、ワイヤ13には弛みが発生してレバー17の係止状態が維持され、誤動作を起さない。 - 特許庁
This optical fiber is provided with a shape memory alloy ribbon 3 formed on the outside of a core wire 4, 5 of the optical fiber by coating, and can be formed into a desired shape by deforming the shape memory alloy ribbon 3 by heating it with a dryer or the like.例文帳に追加
光ファイバ心線4,5の外側にコーティングされて形成された形状記憶合金リボン3を備え、ドライヤーなどで加熱することにより、形状記憶合金リボン3を変形させて所望の形状にすることができる。 - 特許庁
To improve the operation reliability in a semiconductor module by preventing a signal flowing to the bonding wire of one semiconductor element from becoming noise of a memory element in the semiconductor module having a plurality of semiconductor elements and memory elements.例文帳に追加
複数の半導体素子とメモリ素子とを有する半導体モジュールにおいて、一方の半導体素子のボンディングワイヤを流れる信号がメモリ素子のノイズとなることを抑制し、半導体モジュールの動作信頼性を向上させる。 - 特許庁
This frame 1 for wig has plural fine wires 2 (2a and 2b) composed of a shape memory alloy, a connecting member 3 for connecting the wire 2 to the wire 2 by mutually pressing fine wires 2 and spherical bodies 4 formed by heat treatment at the end of free end of each fine wire 2, and flocking members 6 composed of shrink pipes are attached to fine wires 2.例文帳に追加
かつらフレーム1は形状記憶合金から成る複数の細線2(2a、2b)と、細線2を相互に圧着により連結する連結部材3と、各細線2の自由端の端部に熱処理によって形成された球状体4とを有し、細線2にはシュリンクパイプからなる植設部材6が被着される。 - 特許庁
This method and architecture is for a host 302 having the processing capacity of a CPU level for accessing to a nonvolatile random access memory (NVRAM) and, at least, a single controller 306 via a simple 3-wire/4-wire mechanism.例文帳に追加
本発明は、単純な3線/4線メカニズムを介して不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)と少なくとも1つのコントローラ306とにアクセスするためCPUレベルの処理容量を具備したホスト302に対して方法およびアーキテクチャを提供する。 - 特許庁
Outputs from the wire groups under test are compared by means of an output response analyzer, and resulting failure state data for each wire group is received by a controller 12 communicating with a memory 14 for storing the failure state data.例文帳に追加
試験中のワイヤ群の出力が出力応答分析器によって比較され、その結果生じた各ワイヤ群ごとの故障状態データが、故障状態データを記憶するためのメモリ14と通信するコントローラ12によって受信される。 - 特許庁
To produce an N-Ti series shape memory alloy wire rod relatively low in the raw material cost, moreover excellent in durability in spite of fine wire of ≤0.2 mm and furthermore excellent in workability when thinned and to provide a method for producing the same.例文帳に追加
原料コストが比較的安価であり、しかも0.2mm以下の細線であるにも拘わらず耐久性に優れ、さらに細線化する際の加工性にも優れたNi−Ti系形状記憶合金線材と、その製造方法とを提供する。 - 特許庁
This magnetic medical treatment utensil has a wire 1 which is formed into a shape wherein both ends are disconnected, and the total length is curved into a C-shape, of a shape-memory alloy.例文帳に追加
この発明の磁気治療具は、形状記憶合金をもって両端が解放されかつ全長がC形に湾曲する形状に形成されたワイヤー1を有する。 - 特許庁
In the memory cell, for example, the wires 20a, 20b of the fourth layer and the wire 21a of the fifth layer are connected respectively through the TMR elements 26a, 26b.例文帳に追加
たとえば、メモリセル部においては、第4層目の配線20a,20bと第5層目の配線21aとを、それぞれ、TMR素子26a,26bを介して接続する。 - 特許庁
To access a large-capacity memory of a tag at a high speed during wire communication, while maintaining low power so as not to shorten a communication distance of the tag during radio communication.例文帳に追加
無線通信時にタグの通信距離を縮めないように低電力を維持しつつ、有線通信時にはタグの大容量メモリに高速にアクセスすることを目的とする。 - 特許庁
A magnetic memory device 1 has: a soft magnetic substance 41 formed to partially or entirely cover a wire 15; and an antiferromagnetic layer 27 formed on the external surface of the substance 41.例文帳に追加
磁気記憶装置1において、配線15の一部又は全部を覆うように軟磁性体41を形成し、この軟磁性体41の外面に反強磁性層27を形成する。 - 特許庁
In this mask comprising ear cords 1b on both ends of a body 1a for covering a part of the face, a shape memory alloy wire 5 is inserted into the body 1a.例文帳に追加
顔面の一部を覆う本体1aの両端に耳かけ用ひも1bが設けられたマスクにおいて、本体1aの内部に形状記憶合金ワイヤー5を挿入する。 - 特許庁
The stranded wire (10) having improved fatigue characteristics and produced from a shape memory material and/or a superelastic material, such as Ni/Ti or its alloy.例文帳に追加
改良された疲労特性を有しており、Ni/Tiやその合金などの形状記憶材料および/または超弾性材料で作られているより線(10)。 - 特許庁
The identifying information and the inspection result information are electrically or optically read from the nonvolatile memory 2 via an internal wire 4 of the panel and an external terminal 6.例文帳に追加
識別情報および検査結果情報は、パネル内部配線4および外部端子6を通じて、不揮発性メモリ2から電気的または光学的に読み出すことができる。 - 特許庁
A source driver 14 does not receive the image data supplied from the signal source 30, and sets the potential of a source wire according to the image data stored in the memory 13.例文帳に追加
ソースドライバ14は、信号源30から供給される画像データを受信せずに、メモリ13に記憶された画像データに応じてソース配線の電位を設定する。 - 特許庁
A lens position detecting part 71 infers the length of the shape memory alloy wire 53 based on a current value flowing in the wire 53, detects the position of the zoom lens 42 and performs feedback of the information on the lens position to a lens drive control part 70.例文帳に追加
レンズ位置検出部71は、形状記憶合金線53に流れている電流値に基づいて形状記憶合金線53の長さを推定してズームレンズ42のレンズ位置を検出し、レンズ位置の情報をレンズ駆動制御部70にフィードバックする。 - 特許庁
The semiconductor device 108 with a read-only memory (electron beam memory 101) in which a recognition number is written by an electron beam and two terminals (a signal terminal 109 and a ground terminal 110) wire-transmits the recognition number from the two terminals.例文帳に追加
電子線により認識番号が書き込まれた読み出し専用メモリ(電子線メモリ101)と、2つの端子(信号用端子109、接地用端子110)とを備えた半導体装置108であって、前記2つの端子から前記認識番号を有線にて送信する。 - 特許庁
This shape-memory alloy heat engine is provided with a plurality of large pulleys 1 through the small pulley 2 and is structured so that an endless shape-memory alloy wire 3 is engaged between the large pulley 11 and the small pulley 2 to heat the small pulley 2, thus rotating all the pulleys 1, 2.例文帳に追加
小プーリ2を介して大プーリ1を複数配置し、前記大プーリ1と小プーリ2との間にエンドレスの形状記憶合金ワイヤ3を架けて小プーリ2を加熱することにより全プーリ1,2を回転させるように構成した形状記憶合金熱エンジン。 - 特許庁
In a camera shake correction system 10A, a drive member 14a composed as the wire of shape memory alloy (SMA) is hooked over the projection 91 of an imaging unit (movable section) 9A.例文帳に追加
手振れ補正システム10Aでは、形状記憶合金(SMA)のワイヤとして構成される駆動部材14aが撮像ユニット(可動部)9Aの突起91に引っ掛けられている。 - 特許庁
To provide an actuator operating a drive body in response to extension/contraction of a wire formed of a shape memory alloy, having a simple structure, and capable of reducing cost.例文帳に追加
形状記憶合金からなるワイヤの伸縮に応じて駆動体を動作させるアクチュエータであって、簡易な構成を有し、低コスト化を図ることができるアクチュエータを提供すること。 - 特許庁
Then, the control section 10 acquires the map data of the periphery of the computed routes via the Internet using wire or wireless communications and stores them in a map buffer 18 of a memory section 15.例文帳に追加
そして、制御部10は、それら算出した経路周辺の地図データを、無線通信若しくは有線を通じて、インターネット経由で取得し、メモリ部15の地図バッファ18に記憶させる。 - 特許庁
The driving means comprises a wire 50 made of a shape memory alloy having one end and the other end mutually isolated and held by the frame body 4 and having an intermediate part connected to a part of the flapper 30.例文帳に追加
駆動手段は、一端及び他端が相互に絶縁状態で枠体4に保持されかつ、中間部がフラッパ30の一部に連結された形状記憶合金製のワイヤ50からなる。 - 特許庁
Then, an actuator of driving the body to be driven by the extraction/construction of the NiTiCu shape memory alloy wire is produced, and is applied to a driving device such as a correction optical device.例文帳に追加
そして、このNiTiCu形状記憶合金ワイヤの伸縮によって被駆動体を駆動させるアクチュエータを製作して、補正光学装置などといった駆動装置に適用する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an integrated circuit device, in particular, an integrated memory device including a fine wire structure capable of pushing past the limits of lithographic technology.例文帳に追加
本発明の目的は、リソグラフィー技術の限界を破ることのできる、微細な細線構造を備えた集積回路装置、特に集積記憶装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
This hat-type rainproof gear is so designed that a shape memory alloy wire (with restorative force) is set on the rim of a hat-type rainproof brim, a bag belt to put the head in is set inside the brim and strings are set on the underside of the brim.例文帳に追加
帽子型雨避けつばの先端部に記憶合金ワイヤー(復元力を持つ)を設け、その内側に頭入れ袋帯と下部に紐を取り付けて解決手段とした。 - 特許庁
To prevent element deterioration during wire-bonding and to achieve high integration and an increase of memory by packaging semiconductor chips into one, while electrically connecting them.例文帳に追加
複数の半導体チップを電気的に接続した状態で1パッケージ化したもので、ワイヤーボンディング時の素子劣化を防止し、高集積化およびメモリー増量を達成するものである。 - 特許庁
To provide a memory wait control circuit for improving the operating speed of a processor by shortening a passage from instruction decoding to a clock stop signal in circuit-wire.例文帳に追加
命令解読からクロック停止信号に至る経路を回路的に短縮し、ひいてはプロセッサの動作速度向上を可能にするメモリウェイト制御回路を提供することを目的とする。 - 特許庁
The CPU 38, when it receives the signal from the lid opening detection switch 40, switching-on is performed on a shape-memory alloy wire 34 through a current-carrying circuit 36 after a given elapse of time.例文帳に追加
CPU38は、蓋オープン検知スイッチ40からの信号を受け取ると、一定時間が経過した後、通電回路36を介して形状記憶合金ワイヤー34に通電を行う。 - 特許庁
A nearly U-shaped shaft 2 comprising a front arm part 21, an upper arm part 22, an engaging part 23 for a fishline T, and a lower arm part 24 is formed out of a wire made of a shape memory alloy.例文帳に追加
前腕部21、上腕部22、釣り糸T用の係止部23及び下腕部24からなる略コの字状のシャフト2を形状記憶合金製ワイヤにより形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which can prevent the short circuit phenomenon of a bonding wire and can be packed in a single package despite its bit structure and a package form.例文帳に追加
ボンディングワイヤの短絡現象を防止することができ、ビット構造及びパッケージ形態に係わらず一つのパッケージを利用してパックされることができる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
To prevent the breakage of a wire formed of a shape memory alloy by vibration or impact, to simplify the structure and to reduce the size and weight.例文帳に追加
形状記憶合金からなるワイヤの振動、衝撃による破断を防止でき、また、構造が簡単で、小型化及び軽量化が図れる駆動装置およびからくり装置を提供する。 - 特許庁
A shape memory alloy indicator 3 curved arcuately is fitted over an overhead bare wire 1 under indirect contact state through a nonmetallic material (tubular member 5c).例文帳に追加
円弧状に湾曲成形した形状記憶合金製の標示体3を架空裸電線1の外周に非金属材(円筒部材5c)を介在させた間接接触状態で嵌着する。 - 特許庁
To restrain rising of a lens frame due to an ambient environmental temperature, and occurrence of an inclination of the lens frame during non-energization to a shape memory alloy wire.例文帳に追加
周囲環境温度に起因するレンズ枠の浮き上がりを抑制すると共に、形状記憶合金ワイヤへの無通電時にレンズ枠の傾きが発生してしまうことを抑制すること。 - 特許庁
To provide a camera lens achieving miniaturization, compaction, the reduction of weight and the simplification of structure by positioning a lens by the use of an energizing heating type shape memory alloy wire.例文帳に追加
本発明は通電加熱タイプの形状記憶合金ワイヤを用いてレンズの位置決めをできるようにして、小型、コンパクト化、軽量化、構造の簡素化を図ることができるカメラレンズを得るにある。 - 特許庁
A memory cell has: a latch having I/O nodes of data; and a ferroelectric capacitor whose one end is connected respectively to the I/O nodes and the other end of which is connected to a plate wire.例文帳に追加
メモリセルは、データの入出力ノードを有するラッチと、一端が入出力ノードにそれぞれ接続され他端がプレート線に接続される強誘電体キャパシタとを有する。 - 特許庁
To provide an electrode caulking device capable of stably controlling stress in heating by attaching an electrode in a dimension at a temperature at which a shape-memory alloy wire is deformed.例文帳に追加
形状記憶合金ワイヤが変形する温度での寸法において電極を取り付けることで、加熱時の応力を安定的に管理することが可能な電極かしめ装置を提供する。 - 特許庁
The wire-shaped shape memory allows 12A and 12B are used as an actuator for driving the lock claw 10, so the lock mechanism 8 can be made compact and the space can be saved.例文帳に追加
このロック爪10を駆動するためのアクチュエータとして、ワイヤ状の形状記憶合金12A,12Bを使用するようにしたため、ロック機構8の小型化、省スペース化が可能になる。 - 特許庁
When a registration setting switch 15d is selected, the switch wire alteration program is started and the wiring of the operation switches 14x is altered while the specifications set are stored into the memory unit 18.例文帳に追加
登録設定スイッチ15dを選択すると、スイッチ配線変更プログラムが起動し、操作スイッチ14xの配線が変更され、同時に設定された仕様が記憶装置18に記憶される。 - 特許庁
The memory unit includes: a multilayer structure ML including alternately stacked electrode films WL and interelectrode insulating films 14; a semiconductor pillar SP piercing the multilayer structure; a memory layer 48 between the electrode films WL and the semiconductor pillar; an internal insulating film 42 between the memory layer and the semiconductor pillar; an external insulating film 43 between the electrode films and the memory layer; and a first wire W1 connected to the semiconductor pillar.例文帳に追加
メモリ部は、交互に積層された電極膜WLと電極間絶縁膜14とを有する積層構造体ML、積層構造体を貫通する半導体ピラーSP、電極膜WLと半導体ピラーと間の記憶層48、記憶層と半導体ピラーとの間の内側絶縁膜42、電極膜と記憶層との間の外側絶縁膜43、半導体ピラーに接続された第1配線W1、を有す。 - 特許庁
A wire frame model of a drum is stored in a wire frame memory 139, and a continuous video in accelerating a cylindrical drum where a special pattern is drawn, a continuous video in rotating at a fixed speed, and a continuous video in deceleration are stored in a special video ROM 140.例文帳に追加
ドラムのワイヤフレームモデルをワイヤフレームメモリ139に格納し、特別図柄が描かれた円筒形のドラムが加速するときの連続映像と、一定速度で回転している時の連続映像と、減速している時の連続映像とを特図映像ROM140に格納する。 - 特許庁
When the motor wire group 36 of a semicircle portion from the top dead center to the bottom dead center is overheated, tension is generated by restoration/contraction to the memory and a basket rotor 39 can be rotated as the tension become bigger than one of the motor wire group 36 of other semicircle portion.例文帳に追加
上死点から下死点までの半周部分の原動ワイヤ群36を加熱すると記憶形状へ復元収縮して張力が発生し、他の半周部分の原動ワイヤ群36の張力よりも大きくなるので、籠形回転子39を回転させることができる。 - 特許庁
A resistive memory device includes: a substrate 10; an insulating layer 11 over the substrate 10; a nano wire 12 to be defined as the lower electrode penetrating the insulating layer 11; a resistive layer 13 formed over the insulating layer 11 and contacting with the nano wire 12; and an upper electrode 14 formed over the resistive layer.例文帳に追加
基板10と、該基板10上の絶縁膜11と、該絶縁膜11を貫通する下部電極として定義されるナノワイヤ12と、前記絶縁膜11上に位置づけられ、前記ナノワイヤ12と接触する抵抗層13と、該抵抗層上の上部電極14と、を備える。 - 特許庁
The movement converting mechanism is provided with an arm 41, one end of which is connected to the support shaft 14, a wire locking ring 43 rotatably mounted at the other end of the arm 41 through a shaft 42, and connecting wires 44 connecting the wire locking ring 43 and the respective shape memory alloys 20A to 20F.例文帳に追加
運動変換機構は、支持軸14に一端が連結されたアーム41と、このアーム41の他端に軸42を介して回動可能に設けられたワイヤ係止リング43と、このワイヤ係止リング43と各形状記憶合金20A〜20Fとを連結する連結ワイヤ44とを備えている - 特許庁
The wire 21 made of shape memory alloy is laid between the locking part 31d of a driving lever 31 and pins 11f and 11g, and an actuation end 31a turns the cam ring 12 clockwise when it is turned counterclockwise by the contraction by the heating of the wire 21.例文帳に追加
形状記憶合金のワイヤ21が駆動レバー31の係止部31dとピン11f、11gの間に架設され、ワイヤ21の加熱による収縮で作動端部31aが反時計方向に回動すると作動端部31aがカム環12を時計方向に回動する。 - 特許庁
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